JPS60117247A - 画像形成レジスト層の作成方法及びこの方法に適するドライ、フイルム、レジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技イ釘分野） 本発明は、基体上に成層されたボジチプ処理感光性レジ
スト形成＋ＧＩ／か化学権により画像形成露光され１次
いで該Ｊ曽の簀ツＣ領域を現１家浴媒により抗＞ｅ　し
て１例えりよレジスト層くターン或はろう阻止マスクの
ような、ＩＩ！ＩＩ保形成レジストし’１１’基体上に
ｆμＮする方法に関するものである。不つＣ明は、また
暫定的担体層上に成層されたボジチブ処理感光性σ）、
加１七下に、場合により更に加熱下に基坏上に爪層逃れ
るべきレジスト形成層なイ１する。こσ）方法において
使用するに適した。レジストノイターン或はろう阻止マ
スクのようなドライ、フィルム。

レジストに関するものである。

（従来技術） 例えば条立体或はストリップコンダクタ−、プリント回
路、＃層集槓回路、エレクトロニクス素子、ろう阻止マ
スク等の製造のために使用されるべきｌＩ！ＩＩ像形成
レ像形成層ジス１層ボジチブ処〃１１ノ帳元性配蜂材料
は柚々の文献に記載式れている。−）’に１合乃至光架
橋μｊ能のネカチブ処理しジスト月利及び化学線照射に
より非感光性化葛れる仁とかでき、コレニよりｊｉｎ光
領域ノ１商光１’ｌ　ｔｉｌｌ　ＩＩＭ　Ｘ）ｉ　（Ｉ
ｌｌ　１ｌｉｌｌされ得るようになる光垂合用１１目拐
判な主体とするボジチプ処３１！Ｉ！記録材料に対して
、１ＩｉＩ１１象形成露光により総光領域が溶媒に対し
て本来不ｔａ性であったにかかわらずＩ３１浴牲になる
ようなボジチブ処〃旧函元性レジスト材料は多くの好ま
しい使用特性を・ｒｌｌ−る。

化学線照射によりＯ１ｍ性となるこのようなボジチブ処
理感光性レジストの分解能は１次第に載置８れて来てお
り、これにより作成されたレジストＨ＆は何回か反覆し
てＩＩＩＩｌ像形成露光され現像されることができ、こ
れにより各現像工程ごとに除去された基体上面は新車の
、場合によりそれぞれ相違する態様に変性されることが
できる。

化学線照射により口Ｊ浴外となるボジチブ処理成層材第
１及びドライ、フィルム、レジストは、ことに西独特Ｗ
［公開公報２０２８９０３号、同２２３６９１４号。

米国４ｔ５’　ｉｆｆ’明刹１　′ＷＩｉ３７８２９３
９号、同３８３７８６０　Ｑ　、同４１９３７９７号に
１已載されている。これ等により公知となったポジチプ
処堆レジスト材１１ｉ１４；ｔ、ｏ−キノンジアジド基
を有り−る化８物を主体とするもので、ｂっで、化学Ｍ
ＪｊＭ荊によジ反ｌ心してアルカリ用酢ｉ／、＋：の光
分解生成物を形成する。このような。−キノンジアジド
化合物を主体とするレジスト材料の周知の欠点は、貯蔵
安定性か比較的低い仁とと。

水ａｔ−アルカリ性嫉体に対する耐性が余りに小惑いこ
とであって、その処理性りし及び使用には必然的に１ｂ
１］約が伴う。

四独時許明肺１誓２１り０６９１号及び西独待針公開公
報２９２２７４６８には、化学線照射により１浴性とな
る。極めて有用なボジチプ処理レジスト材料乃至ドライ
、フィルム、レジストが記載されてお９゜０−二トロカ
ルビノールエステル基を有するポリマーを主体として形
成されるその感光層は露光後。

水性−アルカリ性現像温媒により況除され（４Ｊるもの
である。このレジス）・材料は、島い貯蔵安定性を有し
、処理しやすく、多数回のレジストノ曽露光及び現像が
５Ｊ能である。

ｎ１述の開文献に記載されたレジスト祠料及びドライ、
フィルム、レジストは、すべて単一の１億ツＣ性レジス
ト層から成るものである。このようなレジスト層は比較
的長い露光時間な必秩とする欠点がある。その迅速な１
問題のない処理ｕＪ能性に勉みて、露光時間をできるだ
け知相し、しかも止０１６で源側に忠実な円像パターン
の１１１現をもたらし。

レジスト層に心安な要件を１１メロ足きせるようにする
努力かなされて来た。

ヨーロッパ’＃ｆｆｆ公開公報７６５６５号には、慣用
のネカチブ処理九爪＠−９，増で被償Ｊれた便化用ｌｌ
Ｃのゼラチン層を；ｆ４’ｆる。レジスト屑形成用σ〕
迅超にボジチブ処理する光１−８性ＡＡ旧か記載されて
いる。

この元亘合性材料のＮ像形成−λ光により、蕗九領域が
■会架桐され、この僧を仙してゼラチン層用硬化促進剤
か滲出し、感光性層）１ｔ７層の非露光領域か露光され
た光１合領域よりも軽度の促進剤滲出が行われる。次い
で上方の感光性樹脂層及びゼラチン層の非硬化領域を現
像温媒で洗除し、これによりボジチプ画像を形成させる
。このレジスト材料を使用して比較的短い露光時間で間
に合せるときは、この方法は滲出性乃至拡散性の僅かな
差により、比較的劣ｓｉな分解ｎじをもたらしや丁く、
更に処理工程数か多くなる。

米国特許明細＠　４３４９６２０号には、皇層１億元性
レジスト層を有するドライ、フィルム、レジストが開示
されている。このレジスト層はネガチプ処理もボジチプ
処理も口Ｊ能である。この米国待ｉｔ′Ｉ−明細書４３
４９６２０号に開示された所により、レジスト層の各感
光性層か、ドライ、フィルム、レジストのｊｗＪ定的徂
持層、ドライ２．フィルム、レジストの暫定的仮掴層及
びレジスト層上に成層される恒久的基体ＮＫ対するレジ
スト層のそれぞれ相違する接着性Ｘｌｉもたらされるよ
うに４１違する特性を有するようにすること′ｔＩｉで
きる。これによりドライ、フィルム、レジストの暫定的
担体層乃至暫定的被波層か、この技術分野においてそれ
まで公知であった材料によるよりも更に問題なく、感光
性拐ネ１から剥離することが川面となる。レジスト層の
各層の相違する！に＊１性は、感光性レジスト層中に含
有されるポリマー結合財力、１）Ｉ感光１ｊｌ：ボリＹ
−月利の分子量を変えることによりもたらされる。一般
にレジスト層の各層の構成は極め゛〔類似しており。

ことに同様の露光特性を刊するべきものである。

このような基層レジスト月別は、同じ拐刺から成る単層
レジスト層のように長い露出時間を必−決とする。

従って９不発明により）■決されるべき当該分封の技術
的課組は、それ自体公知の方法によりＩＩ！ＩＩ　＋組
形成レジスト層を作成するに】（−シた。化学線−°に
光により用浴性となるボジチプ処理しジスト月別を訳書
された露光特性で処刑できるようにすることである。こ
のようなレジスト４Ａ杓ｉ　、ことに罎光時間が短く、
同時に高い分ＰＪｔ１１４を有し、しかもレジストの他
の１賛な特性１例えは安定１：１；、機械的及び化学的
耐性を害しないものでなけれはならない。それはまた取
扱い及び処Ｊ（ｌｉが簡単でなければならず、正確で原
画に忠実な画像再現性か微小な素子についても可能でな
けれはならず、また広汎な用途に蔚いて使用され得るも
のでなければならη；い。

（本発明の′Ｍ成］ 上述の技術的課題は、化学線照射により用浴注となるボ
ジチプ処理レジスト層を基体上に成層し。

このレジスト層をｌｌ！ＡＩｌｉ成露光し、露光領域を
洗除して画像形成レジスト層を作成する方法におい又直
接４ｕ按ブーるように虚ね合され、それぞれ相違する基
不浴屓度をイ］する少くとも２以上の増からＩ面光性レ
ジスト層を構成し、基体に関して少くとも上方の層かｌ
レツＣ注であり化学線照射により現像’ｌ（ｆ媒に対し
用俗性或は国分敵性となり、基体に対し下方の層か現像
溶媒に対し上方層より渇い基不酊１イ展を有し、＝像形
成露光によりレジスト層全１曽のし°に光領域が＃Ｌ像
俗媒により洗除され得るようにすることによって解決さ
れ得ることか見邑された。

従って本発明の対象は、■、接合接するように皿ね合さ
れた少くとも２以上の層（Ｌ）から構成された。化学線
照射によりｎｌｆｆ性となるボジチプ処理レジスト層（
Ｒ）を基体上に成層し、このレジスト層（Ｒ）を化学線
で画像形１戊露光し、現像溶媒で露光領域を流除するこ
とにより、基体上に成層されたレジストパターン或はろ
う１ｉｆｔ止マスクのような画像形成レジスト層を作成
する方法であつ°〔、上記レジスト層の基体上に成層俵
の少くとも最上層（ＯＬ）か化学ＩＩＬｌＪｉｍ射によ
り溶媒に対し木米不Ｙ丘牲であったものか口」清性或Ｑ
ま国分敵性となり、レジス）　Ｊｔｌｔ　（Ｒ）の基体
上に成層俊の１・゛万層（ＵＬ　）かそのｌＩ！Ｉｌ像
形成露光領域況除のた洗除使用される現像溶媒に対して
上方層（ＯＬ）よりも篩い基本Ｙθ）リド度を有するよ
うにしたことを付値とする方法である。

不発明の対象は、１だ１寸ｖく安定性のよい田定的な担
体層（Ｔ）と、少くとも２ノ曽（ＩＪ）から成り１１伐
担体層上にｈｙ、層される。化学ｄｊＩＩＩＩ（Ｉ劃に
より用ｒｄ性となるボジチブ処理しジスト僧（Ｊりと、
更に好ましくは上記暫定的担体層（Ｔ）の同時剥離をも
たらすことなく感光性＃　（Ｒ）から剥離され得る該感
ツＣ性層上に成層された被ａｔ層（ＤＪとを有する。こ
とにプリント１１路、エレクトロニクス素子或はろう阻
止マスク作成のために使用されるドライ、フィルム、レ
ジストである。このドライ、フィルム。

レジストｔｒｉ　／＋（！？光性レしスト層（Ｒンの銀
微Ｊｔｊｌ　（Ｌ）が相互に巖なる基本俗解度をイ１し
、少くとも上記暫定的担体層（′１つに接する感光性材
料から成る層（ＯＬ）が化学線照射にまり溶媒に対して
不来不浴性であったものか用治性或は国分敵性となり、
感光性レジスト層中 されるべき現像溶媒に対し上方層（ＯＬ」よりも高い基
不醗解１ｋを竹ブることを特徴とするＯ本願発明につい
て基水浴解友という詔は、感光性レジスト附ＣＲＪを構
成する１固々のＪ曽（Ｌ〕か、ことにｍ　（Ｌ）を一般
的に或は少くとも不買的に何回するポリマーか、化学線
による露光前においてレジス）　１９１　ＣＲ）の流除
のために使用される現像溶媒に対して浴；イシ或は分散
し得る性向を′ｊＩｔ、詠する。

感光性レジス）　ＩＷＩ　（Ｒ）の−上方層（ＵＬ　）
が上方層（ＯＬ）より高い基本溶解度を有するときは、
上方層（ＯＬ　）と異なり下方層（ＵＬ　）が化学線に
より１１！ｌｌ像形成露光前すでに現像に必要な１ｄで
現像俗媒に俗解し或は分散する口］脆性も、また同様に
化学線による画像形成路光ｎｌＪにおいてレジスト層（
Ｉｔ）の現像用に使用される況像俗媒に対し不溶性であ
り或は分散不能である１能性もあるが、」二方層（ＯＬ
）よりも大きな親温媒性（５ｏｌｖｏｐＨｊ、’ｌｉθ
）をイＪする。

これによりｌ感光性レジスト層（ｒｔＪの下方層（ＵＬ
）は、上方層（ＯＬ）に比し、同程度の１１（１射強吸
ではより短時間で、同程度の照射時間ではより小さい照
射強度でｌ：ＩＪ俗性或は幅分散性になされ得ることに
なる。

感光性レジストＪ曽（Ｒ）の各層（■、）の基本浴寵ハ
（の差遅は、その組成、すなわちＣれ寺各騎（Ｌ）を構
成するｍ成分の柾類及び貝、ことに各層（Ｌ）中に一般
に本質的組成分として含有Ｊされるポリマーの柚類及び
組成によりもたらされる。下方層（ＵＬ）の比較的高い
基本溶解度は、この層に不質的組成分として含有されて
いる或はこれを構１祝するポＩＪ　Ｙ−）４１；、　Ｊ
−、方Ｎ　（ＯＬＪのポリマーよりもＭ、温媒゛性の基
を多ＩＩＬに含有するよりにして痒崩される。

シに光によりＵ）温性となる公知のボジチプ処理レジス
ト層は、一般に蕗光仮、水性−アルカリ注現像府媒でｂ
ｆ、除用１１ピに′／Ｉ：されるポリマーを含有するの
で、下方層（ＵＬ）の晶い−ん不裕捏１：　ｉｆｆ　ｉ
’Ｊ　、ことに鹸ｈξ、我にカルボンｎり基、無水眩基
、そυ）池親丞牲σ）＋’？ｈい基を１・一方層（ＵＬ
　）のポリマー中に多く含有させるＣとによりもｋらさ
れ倚る。上方１１（ＯＬ）及び下方層（’ＵＬ　）甲の
ポリマーの平均分子賞は回４呈展て゛あることか好！Ｌ
＜、Ｃとに１万１曽（ＵＬ）の不買的組成分であるポリ
マーの干Ｊ＠分子賞は。

感光性レジスト層（Ｒ）の上方ｊｔｌｃＯＬ）の不質的
組成分であるポリマーの平均分子賞と寺しいか、少くと
もほぼ回４求であるか或はこｒしより大きいことか好°
ましい。

不発明による電層ボジチブ処坦１（６）光性レジスト僧
においては、短い露光時間でレジスト層（Ｒ）の俗解は
、すでに基体上ｌｖｃ成層された最下層領域にまで至っ
ており、レジス）　Ｊｖｌ（Ｒ）はその全体の厚さにわ
たり現像溶媒で洗除きれ−ｉする。しかもこの露光時間
の短節により、レジスト拐制の他の垂喪な特性１例えは
脱賊な１嵌ｙＣ性１分＋７１’能、しＵえは画像形成レ
ジスト層の作成、１す処理に際して使用される薬剤に対
する化学的１機械重両ｔに等か全く阻害されないという
生臭は全く予期され侍なかった篤くべき利点である。

本発明によるル胎レジスト層（１０を暫定的担体層或は
恒久的基体層上に成層した場名の上刃層（ＯＬ）は、不
変的に感光性であり、１嵌ツＣ性層をドライ、フィルム
、レジストの形態とする場合、暫足的担体ＩＩ　（Ｔ）
に対しては比較重刷い接ン、゛、力を示し。

これは感光性レジスト層（Ｒ）を−ル庫上に成層した俊
は、感光性レジストＪ曽（１りの１間ＩＴ形１戊蕗ツ０
の１川或は俊において上方１＊Ｃ０Ｌ）から剥削されイ
υるようにしなけれはならない。この下方層（ＯＬ）を
形成するための材料としては、化字線縛光により浴媒に
対して不米的に不ｔ６性であったものが用済性となるも
のであれは、従来公知のボジチブ処理記録材料の何れも
使用され得る。これに属するものとしては０例えば胃頭
に■及した文献に記載され”１（ＬＡ、ｂような、Ｏ−
キノンジアジド基を有するポリマーを主体とするボジチ
プ処理配録材料を挙けることがでなる。この０−キノン
ジアジド化合物を主成分とするレジスト材料は、一般的
にヒドロキシル基をイ１するポリマーの存在下にＯ−キ
ノンジアジドをエステル化して製造される。このＯ−キ
ノンジアジドはポリマーのヒドロキシル組成分とエステ
ル化反１心をもたらし倚るカルボン［！ｉ乃牟スルフォ
ン酸基を有する。このようなポリマーのヒドロキシル組
１戊分としてハ１例えはポリヒニルアルコー／Ｉ／、（
メタフアクリル酸エステルのヒドロキシ置侠単独亜合体
或は共皿合体の如きポリオールポリマー、ゼラチンの如
き天然コロイドか４〜けられる。ボジチプ処理レジスト
材料ｉ１４　ｘＭのための０−キノンジアジド基を有す
るポリマーの製造及び構成について、また０−キノンア
ジドを主体とするこのようなレジスト拐料の組成にりい
て関連する柚々の文献Ｑよ当朶者に周知である。

不発明による感光性レジスト曽（Ｒ）の特に好ましい上
方層（ＯＬ）は、その７ｓ光性組戦分として以下の一般
式（１）で表わされる。少くとも２個の芳香族及び／或
はｋＡ節芳沓堀式０−ニトロカルビノールエステル基を
有１−る化合物を昔イーする。

■ −０ 式中Ａは５乃至１４堀貝をイＪする芳得族或は穴１ｉ］
芳沓堀式の、場合によりＩＮ４侠込れだ鉋状基な、Ｘμ
水素原子、１−　Ｂ　（ｌｄ＋７）戻素、原づ−をイ４
１−るアルキル基、或は場合により直侠されたアリール
或はアルアルキル基を衣わす。この鴨イー）、膝元性和
成分として５００以上の分子、Ｍを；ｆ】するポリマー
であって、ポリマー分子量に対して少くとも５ｆｆｌＬ
−ｈｉ％の上記一般式（１）の芳香族及び／或は異如芳
−Ｕ堀式の０−ニトロカルビノールエステル基をイｊ丁
ルホリマーが特に好適である。このような極めて有利な
レジスト材料及びこれから画像形成レジスト層を形成す
るための処理方法は１例えは西独特Ｗｆ明細書２１．５
０６９１号、西独特許公開公報２９２２７４６号ならび
に西独特ｕ′１；公開公報３２３１１４７号及び同３３
２６０３６号に記載されている。一般式（１）の芳香族
及び／或−３ユ５４　節Ｓ沓環式のＯ−二トロカルビノ
ールエステル基を有する化合物においで、〇−位置にニ
トロ基をイイする芳香族或は異苺Ｊ芳沓堀式の堀状基Ａ
は単一環式であっても、或は親数堀式であってもよい。

このような芳香族環式化合物としては、ベンゼンか′１
守に好ましく、ベンゼン堀は、１１１而す丁或は観数個
ノブ「において１列えけＣ，−Ｃ，のアルキル。

ことにメチルＵこより、Ｃ，−Ｃ，のアルコキシ、こと
にメトキシにより、１ｉＩＬ素或は臭素のような２１０
ゲンにより、またはニトロ、アミノ、モノエチルアミノ
、ジメチルアミノ、ニトリル或はスルホの各基により置
換されていてもよい。俵ｖＩ堀の芳香族環式化合物とし
ては１例えはナフタリン、アンスラセン、アンスラキノ
ン、フェナンスレン。或は４４Ｊ当する置換誘導体を挙
けることかできる。ゲ祷如芳査現式基としてはビリシア
ノ、ゆ好ましい。一般式１１）において、又はことに水
克、メチル或（′！、エチル基、或は場合により置換δ
−Ｊ＋だフェニル基を意味する。特に好ましい芳香族或
はダｌ’４１芳査堀式０−ニトロ・カルビノールの例と
しては、一般式（＋）ノ０−ニトロ力ルヒノールエステ
ル基を基礎トして。

Ｏ−ニトロベンジルアルコ−Ａ／、２−二）ｏ−６−ク
ロル−ペンシルアルコール　２−二）　ｏ　−４−シア
ノペンシルアルコール、２−ニトロ−４゜５−ジメトキ
シベンジルアルコール、α−メグル−０−二トロペンシ
ルアルコール、α−フェニル−〇−二トロベンジルアル
コール、α−（０−ニトロフェニル）−〇−二トロ＋〈
ンジルアルコール及び２−二トロー３−ヒドロキシメラ
ール−ヒ゛リジンか挙けられる。

芳香族及び／或は兵節芳舎↓昼式σ）０−ニトロカルビ
ノールエステル基な有する化合物において。

一般式（１）のエステル基を２個またはそれ以上イ」す
る低分子量エステルが特ｖｃ１１４　咲であって、こと
に上述した櫨鎮の芳香族及び／或は異節芳査環式０−ニ
トロカルビノールと低分子量のジー及び／或はポリ−カ
ルごン酸とのジー及び／或はポリエステルが好ましい。

この場合９本発明によるレジストＩｔ９（１りの上方層
（ＯＬ）のための感光性材料は。

このようなエステルに対し親和性のポリマー結合材を＠
有することかでき、このためには例えはアクリラート及
び／或はメタクリラートポリマーか特にｉ１ζしている
。しかし１Ｌがら、またこのポリマー結合材として、カ
ルボキシル基に対し架橋作用を示すビ龍基を有する。特
にポリエホキシドのような晶分子ｂｉ化＠吻も好癲であ
る。

このような感光性レジスト材料上刃ＪｔＩｉ（ＯＬ）の
ためには、感ツＧ牲組成分として５００以上の分子量を
自し、Ｃの分子ｊ［＋を慣し、この分子量に関し少くと
も５皿皿％の一般式（１）を′：Ｈする芳香族及び／ｎ
Ｍ　ハｂ’Ｑ　ｌｌｊ　芳舎棺式０−ニトロカルヒノー
ノしエステル基な分子内結合で刊するポリマーか符に好
ましいことか見出された。このようなポリマーσ）　ｈ
・ｉしい平均分子量（数平均〕は１ｏｏｏｏから１００
０００の範囲内にある。０−ニトロ力ルヒノール基Ｓｆ
ｔポリマーとしては、芳香族及び／或は異動ノロ１式０
−ニトロ力ルヒノールでエステル化すれるカルボキシル
基を荷する有機ポリカルボン１１２が好ましい。このよ
うな■機ポリカルボン酸としＣは、一般的に３乃至６個
の炭素原子を・１１するエチレン糸不飽相モノ−或はジ
カルボンｒ筺ａ）単独ル曾体或は共Ｎ合体、ことにα、
β−不妃相モノー或はジカルボン酸１例えばアクリル敞
、メタクリル酸、マレイン酸、フマール酸及び／或はク
ロトン譚の１１′Ｌ独皇合体或は共重合体が９１’　−
：Ｅ　Ｌい。このようなポリカル＋Ｉζン鈑のカルボキ
シル基Ｉ（は、全体１１すに或は部分的に芳香族及び／
或は兵ｊぜ」芳査壊式Ｏ−二トロカルヒノールによりエ
ステル化されることかできル。この０−ニトロ力ルヒノ
ールエステルノ、（ヲ旬する感光°注ポリマーば、♀１
・１・的或はｆ’ｌｌｉ　′ｌｈ的に〇−ニトロ力ルヒ
ノールでエステル化された小石（ｌカルざン飯のはかに
、１柚傾或は俵数柿如のコモノマーを含有することかで
き、このようなコモノマートシて、エチレン、スナロー
ル及び」二連シタエチレ、ン糸不飽和カルボン酸のＣ，
−Ｃ，アルキルエステル、ことにアルキル（メタ）アク
リラートカ；適当である。好虐な感光性ポリマーとして
は。

例えばカルボン酸基か全体的に或は部分的に上述した芳
香族及び／或は異節芳沓環式のｏ−ニトロ力ルヒノール
でエステル化された（メタ）アクリル酸／（メタノアク
リラート共重合体か挙けられる。感光性ポリマーは一般
式（１）の０−ニトロカルビノールエステル基のほかに
１例えはヒドロキシル、アミン、アミド、Ｎ−メチロー
ルアミド、エポキシド及び／或は保護インシアナートの
如き反Ｉ１１〉″ｌ！Ｊｉビ能基を有することかできる
。このような反応性１イ能基を有し、一般式（１）のｌ
＆光注０−ニトロ力ルヒノールエステル基＠有ホリマー
中にＳ　Ｎ　’Ｇれ倚るコモノマーの列としては、Ｎ、
Ｎ−ジメチルアミノエチル−（メタ）アクリラート、Ｎ
−ビニルイミダゾール、（メタ）アクリルアミド、ヒ　
・ドロキシアルキル−（メタ）アクリルアミド、クリシ
ジルー（メタノアクリラート、アリルグリシジルエーテ
ル、４−ビニルシクロヘキセンジオキシド等が挙けられ
る。感光性の０−二トロカルビノールエステル基＠有ポ
リマーは、それ自体公知慣用の方法で、　Ｉ！；１１え
ば、」二連した柚傾のエチレン系不飽和カルボン醒、こ
とにアクリル酸及び／或はメタクリル酸の芳香族及び／
或は巣節芳沓堀式０−ニトロ力ルヒノールエスデルの＋
に、　ｎ３９１ｊ［１＋分的に上述した積用のコモノマ
ー、ことに（メタ）アクリル酸誘導体を加えてＪＩＬイ
ー１することにより製造される。

このようなポリマー中における芳舎ノ仄及び／或は異助
゛Ｉ″Ｉｆ否堀式０−ニトロ力ルヒノールエステル基の
古有量は、一般的に当ｉ秩ポリマーの分子相に関して５
車量％をドロることばないか、レジスト材料の庖蚤待牲
に１心じてムい１ｌ１１４囲にわたり変えられることか
できる。化学線Ｍ　ｙｔにより、０−ニトロカルビノー
ルエステル基は分裂し、ポリマー中に遊離カルボキシル
基が形成され、これＱこよりポリマーの俗隋、吸が変化
するので、ポリマー中のＯ−ニトロ力ルヒノールエステ
ル基、化学＋ｌ−による凹１像形成露光に際しこのポリ
マーを主体とする感光性レジスト材料の溶解ｕＥ変化の
ための基準となる。ポリマー中におけろ一般式（１）の
。−二トロ力ルビノールエステル基含有員は、従って一
般的にこれにより形成されるレジスト層が化学線露光に
より水性現像溶媒、ことに水性−アルカリ性浴媒甲に俗
解され或は少くとも分散されるように選択されるべきで
ある。Ｉ感光ｔ１ニホ゛リマー中における一般式中の芳
香族及び／或は異動″Ｉ５沓堀式ｏ　−ニトロカルビノ
ールエステル７１（の＠有賀はポリマー分子坦に関して
１０乃牟３０１１４月−％の粍囲にあるのか好ましい。

１巖光性の一般式（１）の。−ニトロカルビノールエス
テル 或は混合物として使用式れることかできる。

小発明のａ’　５’ｅ層ＣＲ）の上方層（　ＯＬ　）の
ために使用されるべきレジスト材料は，溶媒に対してそ
れまで不浴性であったものか化学線１！（ｉ射にまり口
」俗性となる，　ｎｉＪ述した感光性化合物，ことに一
般式（１）の０−ニトロカルビノールエステルＭ　をＮ
する化脅物，ことに芳香族及び／或はり゛時如芳舎票式
０ーニトロカルビノールエステル基を有するポリマ−の
ほかに、更にこのレジスト劇料の一般的特性を改善し、
かつ／或は変性する添加剤及び／或は助剤を含有するこ
とができる。これに趙するものとして１例えばレジスト
材料の感光性及び感スペクトル性を改善する増感剤、染
料、顔料及び／或はフォトクロム剤、用塑剤、処地助剤
、充填ＡＫ　ｇ、４１．。

が挙けられる。増感剤の列としては、フルオレセイン、
エオシン及びローダミン５１７）μｍ１きギサンテン染
料、及び１９６７年二ニーヨークのＷＡ　、　Ｂｅ１ｔ
−ｊａｍｉｎ　Ｉｎｃ、刊１モレキュラー、フ：Ａトケ
ミストリ−Ｊ　（ｈａｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｐｈｏｔｏｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ　）１３２　ｒｔ　ｌ　Ｎ。

Ｊ、　Ｔｕｒｒｏの礒ゐ偶にｄ６載されている如きトリ
ブレット、エナジー、トランスポータ（’ｌ’ｒ　ｉ　
ｐ　ｌ　ｅ　ｔ　ｔ　−Ｅｎｅｒｇｉｅ　−Ｏｂｅｒｔ
ｒＭｇｅｒ　）がかけしれる０東第１とり。

ては、符にスダン染料、ホリメチンＩ４！！利、アゾ朱
科、フタロシアニン染料１分散染：￥Ｉ、エオシン。

クリスタルバイオレット、マラカイトグリーン等か適当
である。ことに有利な東滓口１１．化字ＩＩＪＩｌｉ１
′３元により色か口ＪＺ的に或は不用辿的に変えしれる
ような染料である。用重剤としては、レジスト４Ａ料の
他の組成分と、ことにこれに含有され・ているポリマー
と親１ｕ性のものであって１例えはトリクレジルフォス
フ７−１・、ｎ−ブチル−ベンジル−７タラート、及び
脂肪族ジカルボン酸及び２ぎ脆性グリコールから形成さ
れる流動性ポリエステル。

ことにアジピン酸及び１．２−プロピレングリコール或
は１．４−ブタンジオールから形成される粘＄　１００
０　乃ｑ　１５０ｏＯｃＰのポリエステルか挙けられる
。処理助剤としては、浴液からレジスト剤を処理・メ′
る際に除加されるべきものであって１例えはシリコーン
油が亭けられる。光填材としては。

ことにろう阻止マスク作成の際に冷加されるべきもので
あって１例えはタルク、炭酸カルシウム。

石英粉のよりな二ば化油索、無定形址酸、釦然牲月二Ｉ
！犯、アルミニウム住酸塩の如き址ば塩１石英ガラス、
１疲化アルミニウム、方うス粉乃至カラスタ゛ストベン
トナイト等が亭けられる。これ等光撫材の平均粒度は一
般に５乃至１ｏｏ、’ｎｍ　、ことに１０乃至５０　ｎ
Ｉｎの範囲である。

一般式（１）ノロ−ニトロ力ルヒノールエステル墓を有
する化合物を主体とする感光性レジスト材料。

ことに芳香族及び／或はＪ？ｋ　１１１ｊ芳査慎式ｏ−
＝）ロカルビノールエステル基を有するポリマーニ（マ
。

−ｆｆ　式（１）の０−ニトロカルビノールエステル基
な有する上記、化合物の露光により遊離される遊離カル
ボキシル基と熱の影蝿下に反１心することがτ゛き。

もしくは芳香族及び／或は列頗芳査堀式０−ニトロカル
ヒノールエステル基のほかに上記感光性１ζリマー甲に
含有され得るその仲、σ）反１心性ば１１（）１（と反
応することができる２個或はそれ以」：の反１心１クニ
ｄ能基を旬する低分子員及び／或はＳ１分子拓１１／）
化＠物が添〃１１剤として含有゛されイ１する。こσ）
ような路≦加削としては、一般式（１）のＯ−ニトロカ
ルヒノールエステル基苫有化＠物と５０゛Ｃ以上σ）ｒ
＃Ａ　＃・　ことに８０℃以上の温度で黙架偏反沁ブー
る反応１・Ｌ目１１じ’Ｊｉ’ｓを有する化＠′物かＪ
回当である。こσ）４ＩＩｔσ）遣す≦力１１ハ１ｊと
しては２個或はそれ以上のヒト１コキシ、アミン。

Ｎ−メチロールアミド、アミド、工）１ζキシド及び／
或はことに伴僧されたインシアナートσ）各基を分子内
に胸する低分子お及び／或は高分子に１−化合ｔｔｙ＋
が挙けられる。

このような反＋１１Ｓ性ｅ能基を■する架偏作用添加剤
は１例えはエピクロルヒドリンとポリオールとの反ｊ心
生成物、エピクロルヒドリンとポリアミンとの反応生成
物、ポリオレフインエ７ドキシド、エポキシド化ポリブ
タジェン、ノボラフタイプのエポキシド極側、不飽和カ
ルボン咳、ことに（メタ）アクリルｆｆｆのグリシジエ
ステルの高分子麓ポリマー等を包含するジー或（ｊ、ポ
リエポキシド；ジー或はポリイソシアナート、ことに保
誠材としてフェノール、アセトンオキシム、メチルエチ
ルケトオキシム、アセトｆｌｔｆ　ｒＲエステル或はマ
ロンエステルを使用して保護されたシー或はポリイソシ
アナート；ヒドロキシ基、アミノ基及び／或はＮ−メチ
ロール基を１１するポリマー、列えはフェノールフォル
ムアルデヒド樹脂、尿素フォルムアルデヒド樹脂、及び
メラミンフォルムアルデヒド樹脂。

ことにノボラフタイプの４１１１目である。

添加剤として反応性ビ１１じ基を有する化合物を含有し
、或は更に他の反ｊ心性ビ能基２有する感光牲ポリマー
を含有する感光性レジスト材＊１には、後架橋反ＩＩ６
及び後硬化反応処理のための光化学的及び／或は熱的活
性触媒を史に含イ１させ得る０この触媒として９例えは
周期律表Ｖ、、　Ｖｌ及びＶｌｌ族元素のオニウム塩、
ジアゾニウム月昌　スル７オキシニウム塩、ビリリウム
塩等を挙げることかでらる。

添加剤及び／或は助剤は、感光性レジスト４Ａ岑１甲に
慣用のそれ自体公知の分開で添加きれる。上述した反ｊ
心性ピ龍基を有する架４，１６作用徐加剤は。

ことにｍ像形成蕗元後においてレジスト層の機械的及び
／＠は化学的安定性を、−１５めるためのものであるか
ら、そのレジスト月料への配侶ν１１１侶は一般にＩ＋
！１１像形−戟しシスト層の／３１ｒ蚤の架快良及び硬
化度に１６じて選択される。

、＋発明によるレジスト層（１（〕ＩＩＪ上方Ｊ窮？　
（ＯＬ）のための感光性レジスト材４゛トは、各組収分
九侶１吻を進光な溶媒１例えはアセトン；　ｒｌｉｘ市
エチルエステル。

ドルオール或はメチレンクロリド中に均蒼にｈ　ＩＩＪ
１′させ、この浴液／ａ′巧［蚤の佃！吸となるように
１戊ｊ曽して形成式れる。

変性され或は恒久的に係挿された基体上に成層される１
不発ゆ」の感光性レジスト層（Ｒ）の下方層（ＵＬ）の
組成は、上記基体に対し、また相接する上方層（ＯＬ　
Ｊに対して良好な接イガ性を有するように選択される。

本発明によるドライ、フィルム。

レジストとじての感光性レジス；・層（Ｒ）の下方層（
ＴＪＬ　）は、ドライ、フィルム、レジストの仮潰層（
Ｄ）に対しては弱い接層力を、ことにレジスト層（Ｒ）
　＋７）　１　方ｊ曽（ＯＬ　）とドライ、フィルム、
レジストの暫定的組体Ｊ＊　（Ｔ）との間の接層力より
も弱い接層力を示すようになされる。これにより、感光
性レジスト材料（ＲＪを基体上に成Ｊ曽する。ｕに、ａ
復層（Ｄ、ｌを下方〕曽（ＵＬ　）から問題なく剥朧す
ることかＩＩＪ　ｆｉｌ＜になる。ネタむ切による感光
角ニレジスト；曽（１（）σ）−１・万僧（ＵＬ　）は
、ドライ、フィルム、レジストとして使用される場合、
公知慣用のガ法で加圧下に、場合−により更に加熱下に
基体上にｆ分に良好な接層餡、をもって収Ｊ曽、ことに
及ｌ曽され得るようにその組成を嚢択されるべきである
。

不う０明による感光性レジスト層（Ｒ）を使用する場合
、その下方Ｊ＊ＣＵＬ）のｈ（本苗解吸は、化学線照射
剖においてすでに現像溶媒により流除され得るように高
いものでなければならない。この場合下方層（ＵＬ　）
は感光性であり得るが必ずしもそうである必要はない。

上方層（ＯＬ　）が感光性であれはレジスト層のｌｌ１
ＩＩ像形成はそれで十分であるからである。これはレジ
スト層（Ｒ）４月１！１１塚形１戊に際し汁ｍ能が決定
的な役割りを果さない場合１例えば恒久的な保ｉｉ！＃
絶縁増、ことＱころう阻止マスクを作成するような場合
にはことにそうである。七のイｍの使用目的の場合１例
えばエツチングレジスト。

電鋳レジスト、プリント回路−１γ１す層果４【゛（回
路・並を作成する場合には、不発明による感ツＩ；　ｆ
ｌ；レジスト層（Ｒ）の下方Ｉ９／Ｉ（ＵＬＪか使用さ
れるべＩｓ況塚Ｙ６媒に対して始めから川浴性では’ｆ
ｒ　＜　、上方層（ＯＩＬ　）と同様に化学線照射によ
り如めて抗除用叱と１よるようにすることは意味がある
。このような場合には、下方層（ＵＬ）も１本来的には
溶媒に対し小ｔａ性であるが、化学線照射によりこれに
対し用箔性となるようなポジチブ処理ｒ＊　ｙｔ、性レ
ジスト４′Ａ劃で形成される。

不発明による感光性レジスト層（Ｒ）の下方層（ＵＬ）
も感光性レジスト材料から構成されている場合には、こ
れは上方層（ＯＬ　）のレジスト材料より晶い基本浴解
吸を有する限り、基本的には上方層（ＯＬ〕につき上述
したボジチブ処理レジスト材料のいずれであってもよ−
。、！＋１；不俗解度を除いて上方層（ＯＬ　）のそれ
と惚めて類似する感光性レジスト材料で下方層（ＵＬ　
）を構成することが好ましい。

こノ：＠Ｌｒ’ｒｉ　モ、一般式＜１）の０−ニトロ力
ルヒノールエステル−Ｉｉζを有する化合物を主体とす
る感光性レジスト材ネ・ト、ことに５００以上の分子Ｍ
を有し。

一般式（１）の芳沓族及び／或は＠頗″ＰＪ＠堀式０−
二トロ力ルヒノールエステル恭を最少限度５皿駕％言有
するポリマーを生体とする愚ツＣ牲しジスト材別から上
方層（ＵＬ）を構成１−ることが好ましい。

０−ニトロカルビノールエステル基含有化合物。

ことに０−ニトロカルビノールエステル基含有ポリマー
、及びこの感光性レジスト材料のための添加剤及び／或
は助剤に関しては前述したＨｒか血用され得る。

ここで問題にされているボジナブ処理感光性しジスト相
料は一般に化学惺ν、＜ｙ６により遊＾１し酸基。

ことに遊離カルボキシル基を形成するので、木光明ニヨ
る感光性レジスト層（ｌり作成のために上記拐料を使用
ブーる場合、下方）ｆＱ　（ＩＪＩ、　）用のノ巖ツム
性レジスト材料か比較的大ＪＴ＋−に親水基、ことにＦ
　Ｍ或は無水版基、特に筋原カルホーン醒ｈ（を含イ了
するようにして、上方層（ＯＬ　）にくらべて１１戸１
吹的１１１Ｖ＋い基本俗解吸を簡単に下方層（ＵＪに附
与しくＵる。一般式（１ンの０−ニトロカルビノールエ
ステル基する化合９勿を主体とする７１１唸しい）［蚤
ｙ（：　ｔ＋４レジスト材料において、親木基、ことに
カルボン１１１２基のような酸基を何するポリマーを使
用することにより惚めて簡単に該１面元牲しジスト拐料
に上赴の（ｌ’ｒ１！Ｉ：かもたらされ得るのである。

一般式（１）の。−ニトロカルビノールエステル基をイ
ｊ′ｆる化合’Ｉ勿を主体とする感光性レジスト拐ｆ’
トに４ｊいて、上記の親水基は一船に使用されるポリマ
ー結合剤に形ｎにされている。一般式（１）の′０−ニ
トロ力ルヒノールエステル１ｌＪｉを有するポリマーを
特徴とする特に好ましいレジスト材料には、不紀相カル
ゲン岐、ことに（メタ）アクリル酸を大シーに苫イイす
る。一般式（１）の０−ニトロカルビノールエステル基
を有する共ｌ（合体か合併して使用ちれる。

不９６Ｉ！ＩＪによる感光性Ａ′Ａ利しジス）　ハＱ　
（Ｒ）の下方層（ＵＬ　）用の感光性レジスト材利にお
いて、レジスト材料ポリマー中に形成される親水基、こ
とに遊＾１［１１β基の割合は、蕗ツｔ、　［Ｊすの感
光性レジスト材料か−にツＣレジスト１曽（Ｒ）の現像
に１史用される現像溶媒に対し不浴牲ではあるか、上方
層（ＯＬ）のレジストＵ料にくらべて同じ線光時間内に
比軟的弱い１１０射強度でｕＪ浴牲となるように煎択さ
れる。ことに下方層（ＵＬＪ用の感光性レジスト材料は
、その基小俗解吸を同じ露光時１０」で上方層（ＯＬ　
）に対し５乃至３０％、ことに約１０％程度弱い１１（
１射強此でこの下方層（ＵＬ）を現像俗媒に対し口Ｊ浴
性とするように設定することが望ましい。

ネタむ明による感光性レジスト増（Ｒ）の下方層（ｕＬ
）ｄｆｉＪ述したように化学線露光前においてすで′に
現像温媒に対しＤＩ　ｍ性或は国分ｌｉｔ性である場合
には、現像温媒に用箔性乃孕用分散性であり、１ｊｉＪ
述した柚類の旅加削及び／或は助剤を２有し狼Ｉるもの
である限り任怠のポリマー）：Ａ別でこれを形成するこ
と力１できる。これに属するポリマーの４ｎ＋　ｔ＋は
、感光性レジスト増（Ｒ）の上方層（ＯＬ　）について
前述したもの、ただし現像温媒に対し篩いｆｆ＃ｌ眸度
を示すものであれはどれでも使用され伯る。その例とし
ては、遊離力／Ｉ／ボキシル糸を十分にｉｌ’＝６い割
合で含有し、一般式（１）の０−二トロカルヒノールエ
ステル基を有するポリマーな挙けることかできる。現像
溶媒としては、ことに水性−アルカリ性媒体が考えられ
ているので、この場合１不発１夕」感光性レジスト層（
Ｒ）の下方層（ＵＬ）は、公知の。

紬文献に掲載されている水性現像ｌ」龍の不ガチブ処理
しジスト層のように、水性−アルカリ着：賑体に口Ｊ溶
性乃至口１分散性のポリマーから構成され有る。その１
１かに１例えはスチロール／無水マレイン販共亜合体及
びスチロール／マレイン成牛エステル共産合体、ことに
α、β−オレフイン不妃相モノカルビン酸、ことにアク
リル酸及び／或はメタクリル酸な主体とする共垂合体を
挙けることができる。（メタノアクリル酸のほかの更に
他のコモノマー（メタ）アクリラートとして、ことに１
乃至２０個の炭素原子、特に１乃至８個の炭素原子を有
するアルカノールの（メタ９アクリラート。

例えばメチル（メタ）アクリラート、エチル（メタ）ア
クリラート、プロピル（メタ）アクリラート、フチ）Ｖ
　（メタノアクリラート或はヘキシル（メタンアクリラ
ートを皿合金旬する共産合体が符に好筐しい。（メタノ
アクリル醒共虚１・体は、上記アルキル（メタ）アクリ
ラートのほかに更に他のコモノマー、ことにヒドロキシ
、アミン、アミド、Ｎ−メチロールアミド、エポキシド
等の如き反１１６性ばＦｌじｈもを荷するコモノマーで
形成されることができる。このような自口し牲−万基を
有するコーｒ：ノマ−（ｎ例としては、ヒドロキシアル
キル（メタ）アクリラート、（メタ）アクリルアミド、
Ｎ−メチロール−（メタ）アクリルアミド及びグリシジ
ル（メタノアクリラートを挙けるＣとかできる。

本発明による感光性レジスト層（Ｒ）の下方層（ＵＩＪ
か始めから、ｆなわち化学ｙｃ線露光削において現像温
媒に対してＩＩｒ浴性溶性）角分散性である場合には、
該下方層（ＵＬ　）を４Ｗ／成゛ｒる主成分ポリマーは
、上方／ｍ（ＯＬ）に含有されるポリマーの平均分子員
と同じか或はこれより＋Ｆ１１い５１／−均分子光をイ
１−する。すなわち下方層（ｔＪＬＪを（イ４成するポ
リマーは１ｏｏｏｏ乃至１０００００の平均分子１ｄ−
（故事」θ）をイーする。この場合、下方層（ＵＬ　）
を構成するポリマーは下方層（ＵＬ　）の一般的性１ｒ
１：を改？チシがっ／或は変性するためにｍ述したよう
な添加剤及び／或は助剤な含有することができる。こと
に用塑剤。

処理助剤、染料、顔料、光ｊｌｌＫ　４．４寺かこれに
川Ｊ−るか、またｒＭ基、ことにカルボン酸基及び／或
は場合により更にポリマー中に含イＪされるべき呂１止
ｈξと、５０″Ｃ以上、ことに８０℃以上の温度で、熱
架偏反＋６を生起式せる架橋作用化合物も施加されイ（
する。このような架橋作用化合物としては、ことに上述
したジー或はポリエボギシド、保、ｉ！ｌｉ！キャップ
処理されたシー或はポリイソシアナート、ジー或はポリ
ヒドロキシド、ジー或はポリ−Ｎ−メチロール化合物＝
！／１；が考えられる。そのｔｌかに下方層（Ｕｌ、、
）中にはことに熱活性化触媒を＠有させることができ、
これは一定の濡吸輸囲、ことに８０℃乃至ｌｌ５０℃の
湿度で上記のようＩＬ烈架稿反ｔｒｃの完結な用油とす
る。この場合の刃べ肖か触媒としては、Ｉ／すえばジシ
アンジアミド、メラミン／フォルムアルデヒド樹脂及び
ＮＪ渦で始めて分解するアミン時化合物、　ＯＵえは二
弗化ＩＩ索及びエチルアミンから形１戊される錯化付物
、及びｊＩ１１知のヨードニウム塩。

フォス７オニウム堪或はスルフオニウム塩のような然粘
゛１９ミ化カチオン糸を埜けることかできる。

不発明のｒｔ＊　’ｙｔ、注レジスしＪ！？　（Ｒ）は
、良層レジスト材料作成のための会知損用の万ｔノミに
より什戟されることができる。列えはまず上方ＩＰ７（
ＯＬ　）及び下方層（ＵＬ　）の構成組成物の浴液を別
個に調製し。

それぞれｎｒ系の厚さに成層して、温媒を蒸釦取散させ
て各層を乾燥させ１次いで加圧下、心安に応じ更に加温
下に上記両層を相接Ｎ−ｒる。また、上記不発明レジス
ト層の上方層或は下方層の組成物浴液から成層し、他方
の層の組１戊物浴液をその上に成ｊ曾してレジスト層を
作成することもできる。

このようにして作成される本発明の止層感光性レジスト
層（Ｒ）の全体の厚さは、その使用目的ｖｃＨ心じ広い
軸Ｈにわたり変り４４／）か、一般的には０．１μｍ、
ことに約０．５μｍから数＋ｌ＋ｒｎ　Ｃとに約１１１
ノｍの軸回である。ｉ＋１」えは回路パターン、プリン
ト回路板。

博層集槓回路等火製危するためのエツチングレジスト乃
至ｍ初しジスト作成のためには、こＱ月しツＣ釣；レジ
ストｊ曽（Ｒ）の厚さは一般に０．１乃含）１００μｉ
ｎの乾囲内にある。組入的な保設層乃至胞１１ノ１層こ
とにろう阻止マスク１′１＝敗のためには史にＪＶ−い
レジスト層、ｌ＋ｌｌえは約１乃至２１１１４のレジス
Ｉ−増な用いることかできる。上方ノ曽（（月Ｊ）厚さ
の１・力増（ＵＩＪ）厚さに対する割名は一般にｌ：１
０乃至］０：１゜ことに１：５乃至２＝１の１ｌｌ１４
囲である。

不発明による亀Ｊ曽１感光１１．レジスト１曽（Ｒ）は
、ことにドライ、フィルム、レジストの形１１４（で有
ηりに使用される。このためのｌ惑ツ６性レジスト層（
Ｒ）は。

Ｉ−を定的担体層（’Ｉ’）上に成層された上方Ｉｖｌ
（ＯＬ）の自由表面と、好ましくは被覆保霞層ＣＤ）を
抗層させた下方ｐ／：Ｔ（ＵＬ）の上記自白表面に対向
する目出衣１ｉｉとを有する。不発明の爪Ｒ４感光性レ
ジスト層（Ｒ）は、それ自体公知慣用の方法により作成
され得る。例えは、まず暫定的Ｂ」体層（Ｔ）上に感光
性しジストＩ曽（１りの上方１曽（ＯＬ）をその組成物
清液を塗布して成層形１次し、これと別個に１感光性レ
ジヌト層（Ｒ）の下方層（ＵＬ　）を４１１当する組成
物清液４′被糠層（Ｄ）上に旬！布して成層形成する。

■いで。

このようにして作ＩＪｖ、された別（１”ｊの材料の上
方層及び下方層の各自由衣…Ｉを虚ね会せ、加圧下に、
場イ１−により更に加熱下に一体化する。例えは、′！
た小軸１夕」の感光性レジスト層（Ｒ，ｌσ〕上方層（
ＯＬ）を公知の方法により″Ｇ定的担体僧（Ｔ）上に成
層形成し、ｅＫ−で感光性レジスト層（Ｒ）の下方層（
ＴＪＬＪを上記上方層（ＯＬ）の自１」コ衣曲上にｂｙ
、Ｉｖｌ形成し。

このようにして得られたドライ、フィルム、レジストの
下方層（ＵＬ）の目出Ｉ表１ｆ上に仮葎層（ＤＪを活着
することもできる。

ドライ、フィルム、レジスト作成用の暫定的担体層Ｃ’
Ｌ’）としては、従来慣用の良好な司法安定性を有する
担体材料、ことに合成樹１１ｔＴフイルム、例えはポリ
エチレンテレ７タラー１・或はポリエチレンテレ７タラ
ートが使用される。感光性レジスト＃　（Ｒ）から簡単
に剥離される被握層（１〕）は、一般にこの楓′４＆槍
層用として公知慣用Ｊのポリエチレン或はポリプロピレ
ンの如きポリオレフィンその他の適当なポリマーのフィ
ルムから４Ａ　ｌ戎葛れる。

画像形成レジスト層作成のための不発明方法を要地する
には、不発明による］ｉ　Ｊ曽忠ツｌ；　＋７１ニレジ
スト層（Ｒ）をまず基体上に成層形成し、　１１！ＩＩ
像形成レジスト層４ｒ：恒久的にｗ、１ｉｉｉ！ツーる
。この基体の信ｑ成材１・１は・作成されるべきＩＩ！
ＩＩ保刀多ＩＪ兄レジストしＩｆＹ＋の１史月１１．１
的に１心じて相Ｍ−Ｊ−る。例えはエツチングレジスト
作成のための基体としては、鋼板或は朔コーティング板
か使用される。薄騎果槓回路作成のためには、特に蛍蜆
乃牟蛍統岐化物の層を形成したセラミック基体或は半導
体素子か使用される。半導体技術では基体として上面を
酸化物層その他の一般の絶縁被板を施した珪酸、ガリウ
ム砒累或はインジウムアンチモンの板体が使用される。

恒久的なｉ１！Ｊｌ像形成保贈層乃牟絶縁層、ことにろ
う阻止マスク作成のためには、感光性レジスト層は例え
はプリント回路板ＩＩＩＩＩ像或は穿孔回路板上に成層
される。

−重体上にＩｅＬｙＣ性１層レジストしＣＲ）を成層形
成するためには、該層を構成する上方下方各層（Ｌ）を
基体上に別個に次々に成層形成して行く。しかしながら
好ましい方法としては、　ＦｊｌＪ処理した１層感光性
しジストＪ？７　ＣＲ）　、ことにドライ、フィルム。

レジスＩ・の形１源のものから出発して、下方７１（Ｕ
Ｌ）の目山衣面な（ドライ、フィルム、レジストの場会
にはｆ＆増ＣＤ）の剥離後に）圧力下に或は更に加熱下
に基体」二１ｌｉｌと接層させる。

１直元性レジスト層（Ｒ）を基体上に成層した後。

ＩＮ蚤のｌＩ！ｌＩ像形戟をわ゛うため坂長軛囲２２０
乃至６００ｎｔｏ　、ことに３（１０乃至４２０１１ｍ
の化学梅で露光する。

光源としては１例えは炭素アーク失ｊ、水銀尚圧灯。

ギセノン晶圧灯、鰯化学梅本オン幻、ことに水餓低圧螢
光灯か挙けられる。ＩＩ！ＩＩＩｔ成露光は、′ｔ、た
変性レーザー、例えはＵＶレーザーの如きによっても行
われ得る。１１！ＩＩ像形ＩＡＴｈに光継続時間は、感
光性レジスト／＊（Ｒ）の組成＆ｆかに、レジスト層（
ｌりの上方層（ＯＬ）の層ＰＪさ及びＩｔ（ｉ射光強度
により相違する。従って、地元時間は、レジスト層（１
りの」ニガ＃（ＯＬ）の籍ツＣハ＠域が現像温媒に対し
て十分に＋２Ｊ俗牲乃主川分散性となり、これにより問
題なく抗除され得るように選択δれる。このシに光時間
は公知の方法で簡単な串ｒ］ＩＪテストにより容易ｔＫ
、決定され得る。レジスト層（Ｒ）の１・力増（ＵＬＪ
σ月１１月数１１戚れと共に、上刃ＪＩＩＣＯＬ）のｌ
′）１定のツメさにおいて決定式れた鰭元時同経過俵し
ジスト僧院除に使用δれるｔＡ像浴浴媒刈し用Ｒ４牲乃
至肉分散性となり得るように選択される。

レジス）　１１９　（Ｒ）のＩＩ！＃塚形戚蕗形成俊、
路ツ６された・哄域は、赳当な現像温媒により１員用の
方法、レリえハ噴射、摩擦、ブラツシンク侍で況除され
る。この現像俗媒としては、一般に水性媒体、ことに水
性−アルカリ性媒体か過当であるか、これは好刺なｐＨ
１直を維持し倚るアルカリＩ＜Ｉ心性１１勿賀１例えＱ
よｄ？ラックス、燐酸水素二ナトリウム、ソーダ或はア
ルカリ水酸化物、もしくは有機塩基１例えはジー或はト
リエタノールアミンの如きをＳ有する。

現像温媒は、また慣用の緩衡剤或はナトリウムカルｄ（
キシメヂルセルローズ、ボリヒエルアルコール、ポリナ
トリウムアクリラートの如き表面活性剤を含有すること
ができる。更に水性、ことに水性−アルカリ性現保浴媒
に（１，水浴性自俵俗媒。

汐りえＱよ１１旨肪族アルコール、アセトン或はテトラ
ヒドロフランを添加することもできる。個々の感光性レ
ジスト材料ごとに通光ＩＩ現家俗媒は当菓着に公知であ
り、また文献に記載されている。

況除後、一般にｉ＋！＋＋像形成レジストし肋を乾燥し
て残仔現像浴媒を蒸散除去する。感光性レジスト層（１
（）のＩｔ！ＩＩ像形成露光及び抗除処堆を心安にｊ心
じて多数回反楓し僧るか、この楊合各洗除処理俊、勧イ
）により更に乾燥処理後、基体の蕗出領域をプラチナ合
免化乃至プラチナ銀金、エツチング処理。

ドーピング処理等により変性することかできる。

多数回の露光及び現像処理により得られたＩ［！Ｉ＋像
形成レジスト層は、最終のｈツＣ及び現像処」！Ｊ（俊
、使用された感光性レジスト材料に相１６　して５層℃
以上の温度、ことに８０℃乃至１５０℃の渦Ｊｗ軸回に
加妃セしかつ／或は化学線で全１ｆ１１露光して架橋イ
１シ！化させる。この特殊な方法は、ことに一般式（１
）の。−二トロ力ルヒノールエステル基鉗イｊする化合
物、ことにそのようなポリマーを主体とブーる鳩プ″Ｉ
、１ルジスト材料の場合に、この一般式（１）の。−ニ
トロ力ルヒノールエステル基をイｉするポリマーに史に
反ｊ心性１龍基か１台用油に含有されているか、或は架
橋作用化合物か冷加削として１もイイされているときに
、露光により生成Ｔる釘陛［カルボキシルノ、（と或は
感光性材制甲に形成ｉれるば１ｊじｈ（と加熱下に架儲
反］、・６することを川口じならしめる。四ａすξＱｉ
：ｒ’　ｔｌ’ｌ公開公報３２３１１４７号、同３３２
６０３６蝙及び３３３１６９１号に記載されているよう
に、架も１Ｇ硬化のために使用される感光性レジスト拐
科にＩ＋Ｔｈじて十分に＋％　ＩＭに加熱することのみ
で十分であったが、４胆カルボキシル基の生成のため及
びこれと共に架橋作用ｈ（の十分な生成のためには加熱
１’ｌｉｌ　Ｋまず全面の化学−が露光を行うことが必
要となる。同様にして、また嬌離カルボキシル基と感光
性レジスト材料中に昔■されている架橋作用化合物とσ
）架倫反＃＋ｊ’か透湿にＪｙいてすでに十分な伸度で
進行している場合には、　１ｌｔｉ像形成レジスト１り
７　（Ｒ）の化学線による全曲牛後シ゛に元の４で架橋
硬化δせることかｉＩＪ能となる。

本発明によるｋ　ｊｅｔ愚光π１４レジストＪｖＩ（Ｒ
）を使用して上述した方法により作成された画像形成レ
ジスト層は、この柚々の画像形成レジスト層の用途とし
て公知ａ）あらゆる用途１列えはストリップ回路板、プ
リント回路板、’Ｉ’Ｓ体素子、エレクトロニクス４イ
ｉ￥成素子、博層果槓ｌ蹟、及Ｊ胃回路等を作１戊ツー
るためのエッヂンクレジスト乃牟゛也鮎レジストとして
好適である。この場合、レジスト層の蕗ツ６及び抗論に
よＶ）原Ｉｌ！ＩＩに相当して除去露出された基体光１
ｆｌＪは１例えば並脚剥嘔或はエツチング処理により恒
久的に変性し、ｅＫいて１１ＩＩ像形成レジスト層を個
当な現像苗媒な使用して剥離除去する。しかしながら本
発明により作成されるＩＩｊＩＩ像形成レジスト層は、
恒久的保護遮１１Ｊｒ層、ことにろう阻止マスクとして
も好１ｎであって、この場合には副像形成レジスト層は
基体上にそのまま保持される。

本発明による１層感光性レジスト層（、Ｒ）の特別の利
点は、単に同じ厚さの単層レジストＪｆ＋７にくらべて
著しく短い露光時間でよいというだけでなく。

例えは回！嗜板用穿孔プラデン或（″、Ｌプリント回ｖ
ｉ板用回路ｌＩ！ｉｌ像のような穿孔を有する）重体上
に１ｌｌＩＩ像形成レジスト層を問題なく成層形成でき
る点にある。

このような穿孔を有する基体上にＩＫ光１ルジストＪ曽
（ＲＪ　４Ｉ：成１曽する′ｊＭ台、レジスト拐第１は
一般に芽すし甲に入り込んでこれ２ふさいでしまう。こ
れまで公知であったレジスト制料では穿孔中につ１りて
いるレジスト材料を光合に洸除川口にと１〜るためには
愼めて長時間の露光か必狭であったので、　１１！＋１
僚形成露光及び現像によっては穿孔の目詰りを除くこと
は内磁であった。これは゛まだ同１１３に層の他の部分
の過剰露光をもたらした。このような問題は０本発明の
１増しジスト層（ｌりによりｌ’ｌｆｌ単に解決される
。例えは回路板製造のため或はろ９１９１止マスク作成
σ）場合のように、穿孔２有する基体な′使用する場合
０本発明によるｌｒｕ元性レジスト層（８）（′ｊ、短
い露光ＩＲＮ間で作成され、穿孔（Ｃつまったレジスト
相別も完全に容易に現鋏俗媒でｂし除される。

本発明のレジスト層及び本う自明の作成方法は、その広
い汎用性の故に将に有用である。上方Ｊｔｌ／　（ＯＬ
］及び丁方層（ＵＬ　）用の４４料１Ｌらひに作成方法
の実施態様のｉＩ＞８当な辿ｉ択により、　ｌＬ’ｌｌ
塚形成レジストし曽を使用目的に１ノＣ：じて必袋とな
る極々の条件に簡Ａｊｔかつ容易に対応させることかで
きる。

以下１／）笑施例により本発明を更に具体的に説明ツー
る。実ＩＭＬりｌｊにおいて特に明示しない限り都及び
パーセントは′１−べて亘敵に関するものである。

央部１ンリ１ （ａＪ　Ｘず以下の組成物の浴液をＷ１°ｄ裂した。即
ち。

３５％００−二トローα−メチルペンシルアクリラ−）
、１．３％のアクリル酸及び６３．７％のメチルメタク
リラートから形成された共１合体７０部、アジピン酸と
ブタンジオールから形成されたポリエステル（２０℃の
粘＆　７０００　ｃＰ　）　２９　＃　、ジブロム琥旧
酸０．８ｓ１式叩のポリメチン染料ｏ、１５１ｉ、スダ
ンディープブラックＢ　Ｏ，０５都及び醋酸エステル２
００部。

この浴液を１．５μｍフィルタで諸過した後、２．３μ
ｍｎ厚さの熱便化させたポリエチレンテレフタラート油
上にドクターブレードでノリ力に１戊ノ曽し１帖炊！し
て１２．５μｍ厚さのｊ曽を形成しｌＪｏこのｊ曽は自
βレジスト層の上方層を形成ツーる〇 （ｂ）以−ト　の前↓ｍｑ勿のＹ仔＊をＷ・“（製　し
プこ。　■Ｐも　、　３５％の０−ニトロ−α−メチル
ベンジルアクリラ・−１・。

１．６％のアクリル酸及び６３．４％のメチルメタクリ
ラートから形成された共Ａｔ　ｆ＋体’／　Ｏｔｉｌｔ
　、アジピン酸及びメチルメタクリラートから形ＩＡ　
ａれたポリエステル（２０℃における粘ｉ　７０００　
ｃＰ　Ｊ　２”１ｊｌｌ　、ジブロム琥珀鈑０．８れ１
１．上記代印のポリメチン染料ｏ、ＩＭ＠ＩＸ、スダン
ディープブラックＢ　Ｏ，０５部、及びＩ！ｌＩ［エス
テル２００部。上述ｔａ）と同様にしてこの浴液から１
２．５μｍ厚さの１１＆光性フイルムを形成した。

（ｃ）回路板製造に使用されるような銅被＆基体上に、
１２０℃において毎分１ｍの速度で上記（ｂ）によりｍ
、ｄ製された層と、上記（ａＪにより　ｉｉｌ、ｄ裂し
ポリエチレンテレフタラート箔を剥１ｉ１１ｆｆ　した
Ｊ曽とを１１曽した。

このようにし２て得られた〕４１層レジスト層を５００
０Ｗ佃型露ツＣ装匝により写真ボジチグパターンを辿し
て１分「口」Ｘ元した。露ツ６ｇれた領域を水８５％。

２−ブトキシエタノール１２％及びトリエタノールアミ
ン３％の混合物で１００間洗除した。これにより原因パ
ターンに忠実な１す１三説な縁辺を有するレジストパタ
ーンを得た。これを圧搾生気プラストにより残荘現１宏
浴媒を蒸散除去した。狗られた画塚形成レジスト層は３
０μｍの分踏能を以て原画に忠実にパターンを丹現し、
市販のエソチンク浴及び市、Ｖ−府に著しい耐性を示し
た。

要施列ｌの（ａｔに示したと同様の浴液から２５μｍ厚
さの単層レジスト７！１′調］輻した。実施例１の（Ｃ
）に示した方法でレジストパターンを作成した。実施例
１と同様の皿像形成しジスト胎を得るためには。

１．７５分の露光か必要であった。

実施例λ 以下の組成り勿のｒ６赦な醒−製しｌこ０匹）上方層０
Ｌ ７０５１５の共ｎ合体（４５％のＯ−二トローα−メチ
ルーペンシルアクリラーｌ−、］、、３％のアクリル酸
、　５３．７％のメチルメタクリラートから形成）２９
　ｌｉｐ＋７）ホ゛リエステル（実１１ＬＩ　ｉタリ／
と１司じポリエステルノ ０．８都＋７’）ジブロムｊ尻３１−１醇０．１５都の
ポリメチン果相（夾ｊ用しレリ／のもＯ）と回じう ０．０５ｉ１Ｓのスダンディープブラック２００　ｓ＋
７）　ｌｉ　［ニスｆ　／Ｌ／（ｂ）−ト　万１曽　Ｕ
Ｌ ７０部の共恵名゛体（２５％σ）０−二１・ｒｌ−α−
メチルベンジルアクリラート、１．６％のアクリル嘔。

７３．４％のメチルメタクリラートから形成ン２９都の
ポリエステル（実馳夕１１１のものと同じ〕０．８部の
ジブロム琥月酸 ０．１５部のポリメチン染ギ１（要ｆｉｒα例１のもの
と同じ） ０　、０５郡のスダン染料ディープブラックど００すｉ
ｌｌの醋ｒ夜エステル （Ｃハ坏加１りｌ　／のようにしてそれぞれ１２．５μ
ｍ、ｑさの層を形成し、−Ｕ層ＯＬ及びＵＬを１一層し
た。側光１１０曲な４５秒としたほかは央ｂＩり１４　
／と同４求に処理した。現像したレジストの性質は実施
例」ｔにより得られプこもののそれと１司４水であった
。

実１＋１ｌＬ１＞ＩＩ　Ｊ　（ろう阻止マスクとしての
１９ご用）（ａ）」二方ノ９ＱＯＴ。

以１・′の組成物の浴液をＷｌ“ｄ映した。

５５都の共’ｉｌｊ合体（３０％σ〕０−ニトローα−
メヂルベンジルアクリラー）、０．５％　のアクリル咳
。

５９．５％のメチルメタクリラートから形成〕１２、都
のＩＰｐｌ附加物Ｂ　１３７０　（ヴエーバ社）５０部
の流動性ポリエステル（実施例１のものと同じ） １　ｆｆ１５のジブロム琥珀酸 ０．０２部のポリメチン染料（実施列ｌのものと同じ） ５部のアエロジル２００　（デグッサ社）０・０１都の
スダンディープブラック１ヨ１３（ｂ）下方Ｊ曽　ＵＬ ５０都ノ共矩１合体（　１０％の。−二トローαーメチ
ルペンシルアクリラート、３０％のヒドロキシプロピル
アクリラート、１．３％のアクリルｎ＊　、　５Ｂ．’
７％のメチルメタクリラートから刀ンＩＪ児）３０都の
ＩＰＤＩ附加ｑ９／）Ｂ１３°７０（ヴ工ータ礼）２０
台μの流動１生ホリエスブ゛ル（央１用ら的／σ）もの
と同しノ １都のジブロムコノに珀眼 ０、０２都のポリメチン染料（実＃ｌｌ＋列／のものと
同じ） ３都のアエロジル２００（デグッ′す°礼）０、０１部
のスダンディープブラックＢＢ２００都の醋酸エステル ν１σ滲液をそれぞれポリエチレンテレフタラート箔上
に２５μｍ厚式に成層した。

（Ｃ）プリント回路板上に下方層ＵＬを．その上に担脅
・層を剥１１１＋１：　した上方層ＯＬを１（ね、１２
０℃，毎分０、５ｍで７．ｌＬ層し，５００Ｗ仙型簀ツ
Ｃ装置で写真ボジチプ原画を萌して２分１１１ｊ誠光し
た。露光脱色饋域を水８５％，ブトキシェタノール１２
％及びトリエタノールアミン３％から成る混＠物で２０
分間にわたり此除した。このようにして得られた．原画
に忠実な鮮鋭な厩辺を刹１゛るレジストパターン上に残
イｒｆる尻保浴液を圧搾債気ブラストにより蒸散除去し
，望気菌堀炉甲において１５０℃で２時間にわたり加Ｒ
＋　（Ｉｌｌ！化ざぜた。化られたレジストは惚めて晶
い耐熱性及び坦体として機＋７ｅするプリント回路板に
対する秀れた接涜牲を何し．それ自体鮮鋭なプロフィル
をイアする涼１助［忠実なパターンを示した。

以下のｌ＃ｉ我物の浴液を調製しｌζ。

５０部の共ｌｆ台体（２０％の０−ニトロ−αーメチル
ベンジルアクリラー１−，１部％のヒドロキシプロピル
アクリラー）、０．７％のアクリルＭ．　６９．３％の
メチルメタクリラ−１・から形成） １２＠ＳのＩＰＤＩ附加物附加物上３７０６０部の流動
性ポリエステル（実ＩＩＩＩｌＶ／ｌＪｌのものと同じ
） １都のジブロム城ｊＥＩ　Ｉ瞑 ０、０２郡のポリメチン染オ・１（実１＋１１１（シ１
４　／のものと同じ） ｏ．ｏｉｌｌｓのスダンディープブラックＢＢ４都の７
エロジル２００ ２００　ｉμの自ｄばエステル この澄液からポリエチレンテレフタラ−１・袖上に５０
μｍ厚さのｊ曽を形ｌ戎する。この１缶なプリント回路
板上に亜ｊ曽し．写真．ボジチブ原１凹な１ｌｌＪ　Ｌ
　不実施しｌ１３と同様にして鮎ツｅＬ，．３１□除し
２イ関化きせた。

穿孔内にはなおレジストが残っており．これはるうイ（
けに際して電気素子との支承のない結合を妨ける。

実１ｉ１１ｉ　（りｊｊＱ（完全に俗解性の下方ＲつＵ
Ｌの１９２用）ｂ）−に方Ｊ内ｐ　０Ｌ ５５　（Ｉｔの共亜合体（３５％の。−ニトロ−αーメ
ナルベンジルアクリラート．１０％のヒドロキシプロピ
ルアクリラート、０．５％のアクリル削＋　５　４　、
５％のメチルメタクリラートから形成ノ −２都のＩＰＤＩ　１ｉｆｔ加？吻Ｂ　１３’７０４０
都のポリエステル（実施世ｊｌのものと同じ）１都のジ
ブロム琥珀酸 ０、０２都のポリメチン染料（実ｈｌＩｌしＩＪ　／の
ものとＩＩＪＩじう ０。０１都のスダンティープブラックＢＢ４都のアエロ
ジル２００ ２００↑ｘｌＳの醋酸エステル ｌｂ）下方層ＩＪｉ。

５５都の共産合体（３０％の０−ニトロ−α−メチルベ
ンジルアクリラート、２％のアクリルｍ／；６Ｂ％のメ
チルメタクリラートから形成） ３０ｓのＩＰＤＩ附加物８１．３７０ ４０部のポリエステル（実軸例／のものと同じ） １都のジブロムＩＩ乙」白自気 ０．０２都のボリメヂン来別（実１＋ｌｆｉ汐１１　／
のものと同じ） ０．０１　ｇのスダンティーブブラノクＪ３１３３都の
７エロジル２００ ２００　ｆｉ１４　（ｒ）　Ｉ！Ｉｆｆ　ＩＷ　−ｒ−
スｆ　ルプリント回蹟板上にそれぞれ以１・のノソ、ざ
に各層を相接して亜１曽した。

臥料　°ド方僧ＵＬ　上方層ＯＩＬ、　結尾１時間４−
１　２５　μｍ１１　２５　７１１１１　１．５　シー
４−２　５０　μｍ　２５１ｔ（＋Ｉ１．５５Ｊ４−３
　７５　μｍ　２５　μｍ　１．５分４−４　３５μｍ
　１５μ■１　１分 ４−５　６０　μｍ　１５　μｍ　１分４−５　８５　
μｍ　１５　μｍ　ｌ　５７上掲の表より認められるよ
うに、露光時間は堆に上方層の厚さのみにより決定され
る。次いで。

実１ｉ１１ｉ　１９す３にａ１２軟されているようにこ
れ辱臥枦トを此除し、硬化させた。すべてσ）場合につ
いてろう阻ＩＦ−マスクとして極めて適当なレジストＪ
曽カ得られ。

穿孔中にはレジスト材料の残存は紹められなかった。

実　１ｎＪ１１同　Ｓ 実軸例λのｆ６　創ａＪ及び（ｂＪを耐版エステル員を
５０％にして′Ｄ＃ｌ）ｉ　ｔ、た。ドクターブレード
を１史用して。

ｒｈ　ｗ　ｈ＞をｆａ　（＋Ｌｊ！化させたポリエチレ
ンテレフタラート帝王に迩イＩＪＬ　１２．５μｍ厚さ
の層を形成し、これを乾燥δせた。次いで俗７伐ｔｂ）
をそσ）上に偵布し。

１１θ燥させてイ１≧１不の厚さか２５μｍとなるよう
にした。

このノ曽を実１１ｆｆｌｔ圀／　ｖｃ昭戟したように処
理したか。

露光時間のみは４５秒とした。イ４＋しれたＩＩ！ＩＩ
像は３０μｍの分；１肖能を回目−市販のエッチンク１
ｍ酸浴に対し秀れた耐性を示した。

実１ｉ＋１＋［シリ２遡 実軸例５のｌｄ液を多皿塗イ１１鋏１ｄで処理し、同実
施ｌ＋ｕに６己軟の如き品質のレジストをイ壮た。

実施列７（名僧の相違する層〕ｖさノ 実り小炎Ｉコの浴液から下ｄ己のＪメざのレジストをθ
パ４装した。

試料　上方層ＯＬ　下方層ＬＩＬ　総光１１５１１ｉ４
７１　１２．５　ｆｉｍ　１２．５　／Ｊｔｎ　４５秒
’７−２　１０μｍ　１５μＱ、　４０秒７−３５μｍ
　２０μｆｉｌ　−３０秒緘科７−１及び′７−２は分
）９ｆ１ノし３０μ！１１のレジストな。

賦苓」７−３は分）眸口に５０μｍのレジストをもたら
した。

３ｉｖｌｖ料至都かエツチング、　＋ｉｆ、　Ｗ＋　７
＋）にメｊＪ　シブ１６れ１こ１１１１（性を示した。

待針出願人　バスフ　ァクナエンウセルシャフト代理人
弁理士　１）代　Ｉ７へ　旧

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）＋Ｍ接相接するように爪ね合された少くとも２以
   上の層（Ｌ）から構成された。化学Ｉｎ　Ｈ（１射によ
   リロ」温性となるボジチプ処理しジスト層（１すを基体
   上に成層し、このレジスト層（ｒりを化学糊でＩｆ！Ｉ
   Ｉ　１イζ形成露光し、現憾俗媒で露光領域を況除する
   ことにより、基体上に成層された画像形成レジスト層僧
   を作成する方法において、上ｌｉｔ！　ｉｆｆ数ｊ曽（
   Ｌ、ｌか相互に兵な７８基本於解度を有し、１し光性林
   料から収る感光性レジスト層の基体上に成層後の少くと
   も最上＃（ＯＬ）か化学−」１に射によりｒ６媒に対し
   て杢米不階性であったものが１浴性或は円分散性とＩＬ
   す。 感光性レジスト層（Ｒ）の基体上に成層後の下方層（Ｕ
   Ｌ）がレジスト層（Ｒ）のｌｌ！Ｉｌ像形成露光領域の
   抗除に使用される現像温媒に対して上方層（ＯＬ）より
   も高い基本浴解腿を有するようにしたことな特徴とする
   方法。 （、？）露光胎鎮域の洗除後、場合により更に乾燥後。 得られた画像形成レジスｌ一層（Ｒ）か熱的に且っ／＊
   Ｖｉ光化学的に誘起される硬化及び架搗に服せしめられ
   ることを特徴とする特許請求の範囲（１）にａ己職され
   た方法。 （ｊ）／惑ツＣ性しジスト増（Ｒ）の下方層（ＵＬＪρ
   ・化字腺ｊ飽射ｎσにおいてすでに現像温媒に対して鳴
   浴牲或はＩｌｊ分敢１９ミであることを特徴とする特Ｗ
   「祠求の範１ｊ、＋１　（１）或はしンに記載された１
   阪。 （弘Ｊ感ツＣ注層（Ｒ）の−ト方屑（ＵＬ　）かカルボ
   キシル、ｉｈｈを・１１するポリマーがら形成されてお
   り、揚台により史に絡加剤及び／或は助剤をＳ有するこ
   とを特徴とする特肝ｇａ求の４＋Ｕ　ｕＪｌ　＜３）に
   記載された方法。 （勾１１＆元注レジスト増（Ｒ）　ｌ７）−１−カ増（
   ＵＬ）かホ゛ジナプ処理感元性材や１から構成されてお
   り、化学−Ｔｈ′痺ｙＣにより下方層（ＯＬ　）のよう
   に同じ現象温媒に対し＋＋Ｊ’　ＩＢ　９−となること
   を禎徴とする。待針ｄａ求の範囲（１）或はり）ＶＣ記
   記載れた方法。 （６月（支）光性レジスト＃　（ＲＪの上方層（ＯＬ　
   ）かそれ自体公知のボジチブ処理ｌ眼光１つミレジスト
   拐料より構成されていることを特徴と一ヅーる　請求囲
   （１）から側）までの何れかに記載された方法。 （７）感光性レジスト材料から成る」二方僧（ＯＬ　）
   か。 主として芳香族及び／或は異節芳査現式０−ニトロ力ル
   ヒ／−ルエステル基なイｊする化合物から４１°ｑ成さ
   れていることを特徴とする。待訂ｉ＋’ｊ求のｒｌｌ＋
   ２囲（乙）にＪ己１にされた方法。 （に）上記上方層（ＯＬ）及びトカバｆ？（ＵＬ）か広
   範囲に類似する組成を有することを′１、ｊ依とする。 　ＱＶｊｌｌｌ・梢求の輸Ｗ　（１）から（７）までの
   イ１すれかに記載きれた方法。 （９）上記上方層（ＯＬ）と上方層（ＵＬ　）との厚δ
   σ）割合かｌ　：　１０乃牟１０：１．ことに１：５乃
   牟２：１の範囲にあることを９９依とする。９つ請求σ
   〕軛囲（範囲からｌ１ｒ）までの何れかに記載された方
   法。 （１０）寸法安定性のよい暫定的な担体バＬＶ（ＴＪと
   。 少くとも２　ｍ　（Ｌ）から成り該担体層上に成層され
   る。化学−照射によりμＪ俗性となるホシチプ処〃１（
   レジスト層（’Ｒ）と、更に好ましくは上記暫定的担体
   層（’１つの同時剥離をもたらブーことなく感光性層（
   ＲＪから剥離され得る該ｌ色光性層上に成層された被憧
   層（ＤＪとを有する。エッチンクレジストＪ曽乃金屯鋳
   レジスト、或はろう阻止マスクのような映像形成伴僧絶
   縁層の作成に使用されるドライ、７．１７１／ム、レジ
   ストにおいて、］惑う’ｅ′ｔ！＋レジスト層（視のＸ
   隻数層（Ｌｊ）か相互にグ４１ｘる基本俗屏波を勺し、
   少くとも上記暫定的抗体層（’Ｉ’）に接する感光’ｌ
   ’Ｊ：　Ａ’４利から成る層（（几）か化字眸ｊ１は射
   によυ俗媒に対して不米不俗性であったものか１浴性或
   は用分散Ｕ：となす、ｌ惑ツＣ性しジスト僧（Ｒ）の″
   醗定的但１本１曽と接しない側の１曽（ＵＬ、）かＪ１
   ′ｇｙＣ感ツＣ）曽（Ｒ）此１奮のために使用されるべ
   き現株俗媒に対し上方層（ＯＬ）よりも１司い基不俗屓
   良をイ１し、扱復ｊ曽（Ｄ）ｔこ対して弱いｖＬ眉力を
   ボし、加圧トに及びｖＩ付により更に加熱トに変性され
   或は保護されるべき恒久的基体層上に良好な接層性を以
   て槓層賂れ侍るようになされたことを特徴とする。ドラ
   イ、フィルン１．レジスト。 （ｌ／）感光性層（Ｒ）の層（ＵＬ　）が画像形成レジ
   スト層（Ｒ）作成のために使用されるべき現像Ｔｈ録に
   対し露光Ｄｌｊ　ＶＣおいて１−でに用浴牲であること
   を９９徴とする９％計請求の＋１ｌ１２囲（ｉｏ　）に
   記載されたドライ、フィルム、レジスト０ （１２）感光性レジスト層（エリの層（’ＣＨ，）カ・
   ホジチブ処理感ツＣ性４９ｉ料から１戊り、これか化学
   −１１λ元により層（ＯＬ）のように同じ尻１塚俗媒に
   メリしＬｉ　ｔ６　ｉり二となることを特徴とする。９
   １計山′７求の呪囲（１０Ｊに６１２戦されたドライ、
   フィルム、レジスト。 （１３）感光性レジストＩＩ！／の１曽（ＯＬ）及び（
   ｔＪＬＪか広範囲に類似する組成を旬するＣとを符偵と
   する。 待針請求の範囲（１０）から（ｌλＪ　’１−Ｃの何れ
   かに記載されたドライ、フィルム、レジスト。 （／ＩＩ）上目己層（ＯＬ）とＪ曽（ＵＬ）とのＩ’Ｊ
   −さσンシ用台Ｘハ１：１０乃至１０：Ｌ、ことｑこ１
   ；巳）ハキ２；１σ）範囲にあることを特徴とする。ミ
   階ｉｆｌ・山ノ求の−Ｑ力１（１０）から（１３）まで
   の何れかにａ已戦込れｌこドライ。 フィルム、レジスト。 ｔ／３）感光性レジストＷＩ　ＣＲ）の少くとも層（０
   工」）か、主として芳香族及び／或は異１ｘ１”Ｉ　％
   　’ｆ！ｉ瑣式Ｏ−ニトロ力ルヒノールエステル基を有
   する化合物から成る感光性レジスト材料からｄ＃成され
   ていることを特徴とする特Ｍ請求の範囲（１０）から（
   ｌりまでの何れかに記載されたドライ、フィルム、レジ
   スト。