JPS60113915A - 太陽電池の製法 - Google Patents
太陽電池の製法Info
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- JPS60113915A JPS60113915A JP59231451A JP23145184A JPS60113915A JP S60113915 A JPS60113915 A JP S60113915A JP 59231451 A JP59231451 A JP 59231451A JP 23145184 A JP23145184 A JP 23145184A JP S60113915 A JPS60113915 A JP S60113915A
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野:
本発明はpn接合を1−ピンク層からの不純物の拡散に
よってつくる、I)n接合および反射防止層を有する太
陽電池の製法に関する。
よってつくる、I)n接合および反射防止層を有する太
陽電池の製法に関する。
従来の技術:
反射防止層を有する太陽電池は現在までたとえば半導体
基板上にP−ピンク層を被覆し、pn接合をこのドーピ
ング層からの不純物の拡散によってつくり、残シのドー
ピング層を除去し、次に表面に太陽電池接触部をつくり
、最後に反射防止層を被覆することによって製造される
。
基板上にP−ピンク層を被覆し、pn接合をこのドーピ
ング層からの不純物の拡散によってつくり、残シのドー
ピング層を除去し、次に表面に太陽電池接触部をつくり
、最後に反射防止層を被覆することによって製造される
。
もう1つの方法によれば流動性溶液を回転塗布またはス
プレーによって半導体基板上へ被覆し、この溶液が太陽
電池のpn接合をっくるへ太めの拡散源として使用され
、同時に反射防止層を形成する。このような溶液は主と
して溶剤としテノアルコールからなる。この溶液はアル
コールのほかにP−ピング剤、反射防止層(金属酸化物
)のための金属の有機化合物、水および酸を含む。
プレーによって半導体基板上へ被覆し、この溶液が太陽
電池のpn接合をっくるへ太めの拡散源として使用され
、同時に反射防止層を形成する。このような溶液は主と
して溶剤としテノアルコールからなる。この溶液はアル
コールのほかにP−ピング剤、反射防止層(金属酸化物
)のための金属の有機化合物、水および酸を含む。
流動性溶液の被覆による公知法は溶液の安定性が通常著
しく制限される欠点を有する。公知法の場合1−ピング
剤−反射防止層形成剤の組合せおよびその濃度の選択に
も制限がある。さらに被覆する溶液の厚さは制御困難で
ある。公知法のもう1つの欠点は回転塗布、スプレーま
たは場合により浸漬のような公知被覆法が非常に平滑な
半導体表面を有する半導体ディスクにしか適用し得ない
ことである。というのは表面が平滑でない場合溶剤が堆
積しく反射防止層が厚くなり過ぎる。)、または突出部
では流れ去る(反射防止層が薄くなり過ぎる。)からで
ある。しかし公知法の適用に必要な平滑な半導体表面は
たとえば化学研摩によって行われる複雑で高価な表面処
理を必要とする。
しく制限される欠点を有する。公知法の場合1−ピング
剤−反射防止層形成剤の組合せおよびその濃度の選択に
も制限がある。さらに被覆する溶液の厚さは制御困難で
ある。公知法のもう1つの欠点は回転塗布、スプレーま
たは場合により浸漬のような公知被覆法が非常に平滑な
半導体表面を有する半導体ディスクにしか適用し得ない
ことである。というのは表面が平滑でない場合溶剤が堆
積しく反射防止層が厚くなり過ぎる。)、または突出部
では流れ去る(反射防止層が薄くなり過ぎる。)からで
ある。しかし公知法の適用に必要な平滑な半導体表面は
たとえば化学研摩によって行われる複雑で高価な表面処
理を必要とする。
発明が解決しようとする問題点:
本発明の目的はコスト面で有利であり、反射防止層の製
造の際平滑な半導体表面の前提を必要とせず、かつ導電
性反射防止層が得られる太陽電池の製法を得ることであ
る。
造の際平滑な半導体表面の前提を必要とせず、かつ導電
性反射防止層が得られる太陽電池の製法を得ることであ
る。
問題点を解決するための手段:
この目的は前記方法において本発明πより半導体表面へ
第1層を被覆し、この層が(主として) pn接合をつ
くるための拡散源としておよ−び反射防止層のドーピン
グに役立ち、この第1層上へ反射防止層をつくるための
第2層を被%し、熱処理を実施し、その際pn接合が生
じ、2つの層から反射防止層が形成され、反射防止層が
ドープされ、それによって導電性になることによって解
決される。
第1層を被覆し、この層が(主として) pn接合をつ
くるための拡散源としておよ−び反射防止層のドーピン
グに役立ち、この第1層上へ反射防止層をつくるための
第2層を被%し、熱処理を実施し、その際pn接合が生
じ、2つの層から反射防止層が形成され、反射防止層が
ドープされ、それによって導電性になることによって解
決される。
作用:
本発明は導電性反射防止層を比較的粗い半導体表面へ設
けることができ、したがって半導体表面の高価な研摩を
必要としない重要な利点を有する。本発明のもう1つの
利点は太陽電池のpn 接合をつくるために役立ち、さ
らに反射防止層を導電性にする1−ピンク剤の拡散遠出
が阻止され、したがってクロスディフュージョン(Qu
erdiffusion )が防止されることにある。
けることができ、したがって半導体表面の高価な研摩を
必要としない重要な利点を有する。本発明のもう1つの
利点は太陽電池のpn 接合をつくるために役立ち、さ
らに反射防止層を導電性にする1−ピンク剤の拡散遠出
が阻止され、したがってクロスディフュージョン(Qu
erdiffusion )が防止されることにある。
さらに主として1−プする層および主として反射防止層
を形成する層の被覆に種々−の方法な適用することがで
きる。ドーピング剤′!i:たはそのP−ピング層内の
結合、反射防止層形成剤および支持剤は沈殿または他の
不所望の反応に導く化学反応を生ずることなしに任意に
選択することができる。それによって場合により必要な
乾燥または脱着加熱工程は別として、多数の既存の技術
を適用し、または組合せることが可能になる。反射防止
層は本発明の方法によれば導電性になるので、本発明に
よれば接触部を反射防止層上に設けることができる。し
たがって本発明の方法によればpn 接合が接触部をつ
くる際短絡することが避けられる。
を形成する層の被覆に種々−の方法な適用することがで
きる。ドーピング剤′!i:たはそのP−ピング層内の
結合、反射防止層形成剤および支持剤は沈殿または他の
不所望の反応に導く化学反応を生ずることなしに任意に
選択することができる。それによって場合により必要な
乾燥または脱着加熱工程は別として、多数の既存の技術
を適用し、または組合せることが可能になる。反射防止
層は本発明の方法によれば導電性になるので、本発明に
よれば接触部を反射防止層上に設けることができる。し
たがって本発明の方法によればpn 接合が接触部をつ
くる際短絡することが避けられる。
本発明のもう1つの実施例によれば太陽電池表面の半導
体基板の表面に半導体基板の導電性より大き℃・導電性
を有する半導体基板の導電形の半導体ゾーンがつくられ
る。この半導体ゾーン上に導電性反射防止層をつくるの
で、太陽電池の裏面にも導電性反射防止層が存在する。
体基板の表面に半導体基板の導電性より大き℃・導電性
を有する半導体基板の導電形の半導体ゾーンがつくられ
る。この半導体ゾーン上に導電性反射防止層をつくるの
で、太陽電池の裏面にも導電性反射防止層が存在する。
半導体基板の導電形の半導体ゾーンおよび反射防止層の
製造はたとえば前面のpn接合および反射防止層製造と
同様の方法で、半導体基板−の裏面へ第3層を被覆する
ように行われ、この層は主として半導体基板の導電形の
半導体ゾーンの製造およびさらに反射防止層のドーピン
グのだめの拡散源として役立つ。この第3層の上へ第3
層とともに反射防止層を形成する第1層を被覆する。次
に熱処理を実施し、その際前面のpn 接合および裏面
の接合が発生し、さらに2つの層から前面および裏面に
導電性反射防止層が形成される。または別個の熱処理過
程を実施し、その際裏面の接合が発生し、さらに2つの
層から導電性反射防止層が裏面に形成される第1層およ
び第3層はたとえば1−ゾした5102、T a 20
sもしくはT 10x t flはその組合せからな
る。第2層および第4層には同様5i02、Ta205
もしくはTiOxまたはその組合せを使用するのが望ま
しい。第1層および第3層はたとえば回転塗布、浸漬、
スプレー、スクリン印刷またはローラ塗布によって被覆
される。第2層および第4層はたとえば蒸着、気相から
の化学的析出丑たはスクリン印刷によってつくられる。
製造はたとえば前面のpn接合および反射防止層製造と
同様の方法で、半導体基板−の裏面へ第3層を被覆する
ように行われ、この層は主として半導体基板の導電形の
半導体ゾーンの製造およびさらに反射防止層のドーピン
グのだめの拡散源として役立つ。この第3層の上へ第3
層とともに反射防止層を形成する第1層を被覆する。次
に熱処理を実施し、その際前面のpn 接合および裏面
の接合が発生し、さらに2つの層から前面および裏面に
導電性反射防止層が形成される。または別個の熱処理過
程を実施し、その際裏面の接合が発生し、さらに2つの
層から導電性反射防止層が裏面に形成される第1層およ
び第3層はたとえば1−ゾした5102、T a 20
sもしくはT 10x t flはその組合せからな
る。第2層および第4層には同様5i02、Ta205
もしくはTiOxまたはその組合せを使用するのが望ま
しい。第1層および第3層はたとえば回転塗布、浸漬、
スプレー、スクリン印刷またはローラ塗布によって被覆
される。第2層および第4層はたとえば蒸着、気相から
の化学的析出丑たはスクリン印刷によってつくられる。
第1層および第3層のドーピング剤濃度はできるだけ大
きく選択する。さらにこれらの層はできるだけ薄く形成
しなければならない。
きく選択する。さらにこれらの層はできるだけ薄く形成
しなければならない。
第2層および第4層はとくに第1層および第2層の光学
的全厚ならびに第5層および第4層の光学的全厚が反射
最小波長の4になる厚さに形成される。
的全厚ならびに第5層および第4層の光学的全厚が反射
最小波長の4になる厚さに形成される。
実施例:
次に本発明を実施例により説明する。
本発明による太陽電池を製造するため、たとえば0.1
〜10Ω酬の比抵抗を有するp導電形のシリコン半導体
基板lから出発する。半導体基板1上に第2図により太
陽電池のpn 接合をつくるための拡散源として役立つ
ドーピングフィルムとして層2を被覆する。pn 接合
をつくるため半導体基板内にこの基板と反対の導電形の
半導体ゾーンをつくる不純物が必要なので、ドーピング
層2はp導電形の半導体基板を使用する場合、n導電形
を形成するりン捷たはヒ素のような不純物を含む。
〜10Ω酬の比抵抗を有するp導電形のシリコン半導体
基板lから出発する。半導体基板1上に第2図により太
陽電池のpn 接合をつくるための拡散源として役立つ
ドーピングフィルムとして層2を被覆する。pn 接合
をつくるため半導体基板内にこの基板と反対の導電形の
半導体ゾーンをつくる不純物が必要なので、ドーピング
層2はp導電形の半導体基板を使用する場合、n導電形
を形成するりン捷たはヒ素のような不純物を含む。
ドーピング層2はたとえば不純物(たとえばリンまたは
ヒ素)を添加した51o2tたはTie。
ヒ素)を添加した51o2tたはTie。
からなる。P−ピング層2は層内のP−ピング剤濃度が
できるだけ高く(2・107dより大きく)、逆に支持
材料として役立つ(たとえばチタンおよびシリコン化合
物)残りの成分の濃度ができるだけ低いように形成され
なければならない。
できるだけ高く(2・107dより大きく)、逆に支持
材料として役立つ(たとえばチタンおよびシリコン化合
物)残りの成分の濃度ができるだけ低いように形成され
なければならない。
ドーピング剤2はできるたU゛薄く波力し、または溶剤
分はpn接合をつくる拡散過程のために上方にドーピン
グ剤が得られるけれど、拡散熱処理過程で発生ずるガラ
スマトリックス(S 102、T]OX)ができるだけ
薄く沈積するような高さに選択される。それゆえド−ピ
ング層2は半導体表面が比較的平らでない場合に不可避
である比較的大きい厚さの変動が、層2へさらに被覆す
べき層および層2から形成される反射防止層の光学的全
厚へできるだけ少ししが影響しなし・ように、薄く形成
される。1−ピング層2を適当に薄く選択することによ
ってしたがって半導体表面が比較的平らでなし・場合に
も比較的均一な厚さの反射防止層を達成することができ
るo 1−ピング層2の被覆はたとえばP−ピングフィ
ルムの回転塗4j1スプレー、浸漬、スクリン印刷寸た
はローラ塗布によって行われる。層3を被覆する前に場
合により200〜600℃で層2を前乾燥または脱着加
熱することができる。
分はpn接合をつくる拡散過程のために上方にドーピン
グ剤が得られるけれど、拡散熱処理過程で発生ずるガラ
スマトリックス(S 102、T]OX)ができるだけ
薄く沈積するような高さに選択される。それゆえド−ピ
ング層2は半導体表面が比較的平らでない場合に不可避
である比較的大きい厚さの変動が、層2へさらに被覆す
べき層および層2から形成される反射防止層の光学的全
厚へできるだけ少ししが影響しなし・ように、薄く形成
される。1−ピング層2を適当に薄く選択することによ
ってしたがって半導体表面が比較的平らでなし・場合に
も比較的均一な厚さの反射防止層を達成することができ
るo 1−ピング層2の被覆はたとえばP−ピングフィ
ルムの回転塗4j1スプレー、浸漬、スクリン印刷寸た
はローラ塗布によって行われる。層3を被覆する前に場
合により200〜600℃で層2を前乾燥または脱着加
熱することができる。
第3図は層2へ層3を被供することを示し、2つの層は
いっしょに反射防止層を形成する。
いっしょに反射防止層を形成する。
層3はたとえば蒸着、いわゆるOVD法による気相から
の化学的析出またはスクリン印刷によって製造される。
の化学的析出またはスクリン印刷によって製造される。
層3の厚さは層2および3から発生ずる反射防止層6が
所望の反射最小波長の占の光学的全厚を有するように選
択される。
所望の反射最小波長の占の光学的全厚を有するように選
択される。
層3をつくった後、熱処理が行われ、その際不純物がP
−ピング層2から半導体基板lへ拡赦し、そこで第牛図
に示すように半導体基板lと反対の導電形を有する半導
体ゾーン牛が生じ、それゆえ半導体基板lとともにpn
接合5が形成される。たとえば850〜1000℃の温
度で1時間続く熱処理過程で2つの層2および3は融解
して共通の導電性反射防止層6(第牛図〕が生ずる。そ
の除屑5は有効濃度のドーピング剤が外側へ出ることを
防く。しがしド−ピング剤は熱処理過程で半導体基板l
内だけでなく、反射防止層6内へも拡散し、層2および
3からなる全反射防止層6が導電性になるために役立つ
。
−ピング層2から半導体基板lへ拡赦し、そこで第牛図
に示すように半導体基板lと反対の導電形を有する半導
体ゾーン牛が生じ、それゆえ半導体基板lとともにpn
接合5が形成される。たとえば850〜1000℃の温
度で1時間続く熱処理過程で2つの層2および3は融解
して共通の導電性反射防止層6(第牛図〕が生ずる。そ
の除屑5は有効濃度のドーピング剤が外側へ出ることを
防く。しがしド−ピング剤は熱処理過程で半導体基板l
内だけでなく、反射防止層6内へも拡散し、層2および
3からなる全反射防止層6が導電性になるために役立つ
。
反射防止層6は熱処理後導電性なので、第5図による前
面接触部7を反射防止層6の表面へ設置するだけで十分
である。前面接触部7はしかし第6図に示すように一部
または第7図に示すように全部反射防止層6内へ合金さ
せることもできる。半導体基板1の裏面にこは裏面接触
部8が被覆され、第5〜7図の実施例ではこれは全面的
に形成される。
面接触部7を反射防止層6の表面へ設置するだけで十分
である。前面接触部7はしかし第6図に示すように一部
または第7図に示すように全部反射防止層6内へ合金さ
せることもできる。半導体基板1の裏面にこは裏面接触
部8が被覆され、第5〜7図の実施例ではこれは全面的
に形成される。
第8〜12図は2つの接合すなわち前面に太陽電池のp
n 接合5および太陽電池の裏面に同じ導電形であるけ
れど異なる導電率の半導体ゾーンによって形成される接
合9が存在することによって第7図の太陽電池と異なる
太陽電池が発生する本発明の実施例を示す。この実施例
で接合9はp+p接合であり、その1つの半導体シー7
10は半導体ゾーン牛と同様反射防止層(11)によっ
て蔽われる。
n 接合5および太陽電池の裏面に同じ導電形であるけ
れど異なる導電率の半導体ゾーンによって形成される接
合9が存在することによって第7図の太陽電池と異なる
太陽電池が発生する本発明の実施例を示す。この実施例
で接合9はp+p接合であり、その1つの半導体シー7
10は半導体ゾーン牛と同様反射防止層(11)によっ
て蔽われる。
p+p接合9およびP+ゾーン10上にある反射防止層
の製造は太陽電池前面のpn接合5および反射防止層6
の製造と完全に同様の方法で行われる。第12図の太陽
電池を製造するため第8図に示すように再びp導電形の
半導体基板lから出発し、第9図によシ前面K (n形
不純物を添加した)ド−ピング層2を被覆し、第1〜7
図の第1実施例と異なり裏面にも、前面の1−ピング層
2と異なりp形不純物を有する1−ピング層12を設け
る。次に第10図により2つの1−ピング層2.12へ
反射防止層の製造に必要な層13.1牛を被覆し、次に
900〜950℃の温度で、半導体基板内に第11図に
示すように半導体ゾーン牛および10したがって接合5
および9が発生し、ド−ピング剤2゜12がこれを蔽う
層13.14とともに第11図に示すように融解して反
射防止層6,11を形成するまでの時間(約1時間)熱
処理する。
の製造は太陽電池前面のpn接合5および反射防止層6
の製造と完全に同様の方法で行われる。第12図の太陽
電池を製造するため第8図に示すように再びp導電形の
半導体基板lから出発し、第9図によシ前面K (n形
不純物を添加した)ド−ピング層2を被覆し、第1〜7
図の第1実施例と異なり裏面にも、前面の1−ピング層
2と異なりp形不純物を有する1−ピング層12を設け
る。次に第10図により2つの1−ピング層2.12へ
反射防止層の製造に必要な層13.1牛を被覆し、次に
900〜950℃の温度で、半導体基板内に第11図に
示すように半導体ゾーン牛および10したがって接合5
および9が発生し、ド−ピング剤2゜12がこれを蔽う
層13.14とともに第11図に示すように融解して反
射防止層6,11を形成するまでの時間(約1時間)熱
処理する。
熱処理の際反射防止層6および11は導電性になるので
、前面接触部7および裏面接触部15は第12図に示す
ように直接反射防止層6,11へ設置することができる
。裏面接触部15は第1実施例の裏面接触部8と異なり
前面接触部7と同様に、すなわち一般にフィンーガ形に
同様の方法で形成される。
、前面接触部7および裏面接触部15は第12図に示す
ように直接反射防止層6,11へ設置することができる
。裏面接触部15は第1実施例の裏面接触部8と異なり
前面接触部7と同様に、すなわち一般にフィンーガ形に
同様の方法で形成される。
p+p接合は裏面電界(pack 、5urface
Fie+ld )どして作用し、それによって裏面の再
結合の減少により高い無負荷動作電圧および高い短絡電
流のようなりSFセルの公知利点が得られる。裏面接触
部の図示の実施例にょυ裏面に入射する光の光起電力変
換も可能になり、同時に不所望の熱線は吸収されること
なくはぼ妨げられずに電池を通過することができ、それ
によって動作温度が低下する。
Fie+ld )どして作用し、それによって裏面の再
結合の減少により高い無負荷動作電圧および高い短絡電
流のようなりSFセルの公知利点が得られる。裏面接触
部の図示の実施例にょυ裏面に入射する光の光起電力変
換も可能になり、同時に不所望の熱線は吸収されること
なくはぼ妨げられずに電池を通過することができ、それ
によって動作温度が低下する。
第8〜12図の実施例と異なりp+p接合およ−び導電
性反射防止層を裏面に別個に形成することもできる。こ
の場合とくに前面の接合をまず形成し、その際接合およ
び導電性反射防止層を形成するための熱処理は他面よシ
高温または長時間で行われる。
性反射防止層を裏面に別個に形成することもできる。こ
の場合とくに前面の接合をまず形成し、その際接合およ
び導電性反射防止層を形成するための熱処理は他面よシ
高温または長時間で行われる。
第1図〜第7図および第8図〜第12図は本発明の太陽
電池の2つの実施例の製造工程を示す断面図である。 1・・半導体基板、2.12・・・1−ピング層、3.
13.14・・・層、牛、10・・・半導体ゾーン、5
・・pn 接合、6.11・・・反射防止層、7・・・
前面接触部、8.15・・・裏面接触部、9・・・pp
接合、10・・・pゾーン 代 理 人 弁理士 矢 野 敏 雄 FIG、 I Fl(3,2 FIG、 3 FIG、 8
電池の2つの実施例の製造工程を示す断面図である。 1・・半導体基板、2.12・・・1−ピング層、3.
13.14・・・層、牛、10・・・半導体ゾーン、5
・・pn 接合、6.11・・・反射防止層、7・・・
前面接触部、8.15・・・裏面接触部、9・・・pp
接合、10・・・pゾーン 代 理 人 弁理士 矢 野 敏 雄 FIG、 I Fl(3,2 FIG、 3 FIG、 8
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、pn接合を1−ピング層からの不純物の拡散によっ
てつくる、pn接合および導電性反射防止層を有する太
陽電池の製法において、半導体基板上にpn接合をつく
るためおよび反射防止層をドープするための拡散源とし
て役立つ第1層を被覆し、第1層上へ反射防止層をつく
るための第2層を被覆し、熱処理を実施し、その際pn
接合が生じ、2つの層から反射防止層が形成され、かつ
反射防止層がドープされ、それによって良好な導電性に
なることを特徴とする太陽電池の製法。 2、 半導体基板の裏面の表面範囲に半導体基板より導
電性の高い半導体基板と同じ導電形の半導体ゾーンをつ
くり、この半導体ゾーンへ高見・導電性の反射防止層を
つくる特許請求の範囲第1項記載の製法。 3 半導体基板の裏面へ、半導体基板の導電形の半導体
ゾーンをつくるためおよび反射防止層のP−ピングのだ
めの拡散源として役立つ第3層を被覆し、第3層上へ裏
面の反射防止層をつくるための第4層を被覆し、前面の
pn接合および反射防止層をつくるための熱処理過程で
、または太陽電池の裏面の別個の熱処理過程で半導体基
板の導電形の半導体ゾーンおよび第3層と第4層から裏
面の導電性反射防止層を形成する特許請求の範囲第2項
記載の方法。 4、第1および第3層が+y−プした5102tたHT
i、O’JたはTa205またばこ才1らの組合せから
なる特許請求の範囲第1項から第3 gi、までのいず
れか1項に記載の製法。 5、第1および第3層を回転塗布、スプレー、浸漬、析
出、スクリン印刷またはローラ塗布によって被覆する特
許請求の範囲第1項から第4項までの℃・ずれか1項に
記載の製法。 6、第1層および第3層のドーピング剤濃度ができるだ
け大きい特許請求の範囲第1項から第5項までのいずれ
、が1項に記載の製法。 7、第1層および第3層をできるだけ薄く形成する特許
請求の範囲第1項から第6項までのいずれか1項に記載
の製法。 8 第2層および第1層が5in2またはT :LO2
またはT a 205またはこれらの組合せからなる特
許請求の範囲第1項から第7項までのいずれか1項に記
載の製法。 9、第2層および第4層を蒸着、気相からの化学的析出
またはスクリン印刷によって製造する特許請求の範囲第
1項から第8項までのいずれか1項に記載の製法。 10、第2層および第4層を第1層および第2層の光学
的全厚ならびに第3層および第4層の光学的全厚が反射
最小波長のhであるような厚さに形成する特許請求の範
囲第1項から第9項までの℃・ずれが1項に記載の製法
。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3340874.2 | 1983-11-11 | ||
DE19833340874 DE3340874A1 (de) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | Verfahren zum herstellen einer solarzelle |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60113915A true JPS60113915A (ja) | 1985-06-20 |
Family
ID=6214113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59231451A Pending JPS60113915A (ja) | 1983-11-11 | 1984-11-05 | 太陽電池の製法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4577393A (ja) |
EP (1) | EP0142114B1 (ja) |
JP (1) | JPS60113915A (ja) |
DE (1) | DE3340874A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009081470A (ja) * | 2009-01-19 | 2009-04-16 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
WO2009131115A1 (ja) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法,太陽電池の製造装置,及び太陽電池 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6249676A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Sharp Corp | 太陽電池 |
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DE3815512C2 (de) * | 1988-05-06 | 1994-07-28 | Deutsche Aerospace | Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE4009336A1 (de) * | 1990-03-23 | 1991-09-26 | Telefunken Systemtechnik | Solarzelle |
DE4306565C2 (de) * | 1993-03-03 | 1995-09-28 | Telefunken Microelectron | Verfahren zur Herstellung eines blauempfindlichen Photodetektors |
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DE19908400A1 (de) * | 1999-02-26 | 2000-09-07 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung hochdotierter Halbleiterbauelemente |
WO2003075363A1 (en) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device and its production method |
FR2906403B1 (fr) * | 2006-09-21 | 2008-12-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de recuit de cellules photovoltaiques |
FR2906404B1 (fr) * | 2006-09-21 | 2008-12-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de metallisation de cellules photovoltaiques a multiples recuits |
KR100964153B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2010-06-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조되는 태양전지 |
WO2009076411A2 (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Davis, Joseph And Negley | Methods for bond or seal glass pieces of photovoltaic cell modules |
ES2363305T3 (es) | 2009-03-27 | 2011-07-29 | Kioto Photovoltaics Gmbh | Procedimiento para la aplicación de una capa antirreflectante sobre una oblea de silicio. |
KR101714097B1 (ko) * | 2009-04-21 | 2017-03-08 | 테트라썬, 아이엔씨. | 고효율 태양전지 구조 및 제조방법 |
KR101699300B1 (ko) * | 2010-09-27 | 2017-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조 방법 |
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DE102013218351A1 (de) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle |
KR20210132221A (ko) * | 2019-03-22 | 2021-11-03 | 램 리써치 코포레이션 | 도핑된 실리콘을 제공하는 방법 |
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-
1983
- 1983-11-11 DE DE19833340874 patent/DE3340874A1/de active Granted
-
1984
- 1984-11-05 JP JP59231451A patent/JPS60113915A/ja active Pending
- 1984-11-06 EP EP84113336A patent/EP0142114B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-08 US US06/669,526 patent/US4577393A/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
US4577393A (en) | 1986-03-25 |
DE3340874A1 (de) | 1985-05-23 |
EP0142114A3 (en) | 1986-12-10 |
EP0142114A2 (de) | 1985-05-22 |
DE3340874C2 (ja) | 1991-05-29 |
EP0142114B1 (de) | 1991-01-16 |
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