JPS6324677A - 太陽電池 - Google Patents
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- JPS6324677A JPS6324677A JP61168954A JP16895486A JPS6324677A JP S6324677 A JPS6324677 A JP S6324677A JP 61168954 A JP61168954 A JP 61168954A JP 16895486 A JP16895486 A JP 16895486A JP S6324677 A JPS6324677 A JP S6324677A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ガラスなどの透光性絶縁基板上に順次形成さ
れた透明導電膜からなる透明電極、アモルファスシリコ
ンなどを主成分としたアモルファス半導体層および金属
電極から構成される太陽電池に関する。
れた透明導電膜からなる透明電極、アモルファスシリコ
ンなどを主成分としたアモルファス半導体層および金属
電極から構成される太陽電池に関する。
グロー放電法を利用して作製することのできるアモルフ
ァス太陽電池は、大面積低コスト太陽電池として注目さ
れ実用化が進められている。アモルファス太陽電池の構
造としては、ガラスなどの透光性絶縁基板上に形成され
たＩＴＯ，ＳｎＪおよびＺｎＯなどの透明導電膜の上に
、ｐ、ｉおよびｎ形のアモルファスシリコン層、さらに
Ｍ、＾ｇ、 Ｃｒ。 ＩＴＯ／＾ｇなどの電極層を順次形成したものが主流と
なっている。この理由は、各層を形成後条状のパターン
を次々形成していくことによってユニットセルが直列に
接続でき、任意の電圧の太陽電池を外部配線なしに容易
に作り出せるためにバッテリなどに蓄電したり、あるい
は直接機器を駆動するのに適しているためである。この
場合のアモルファスシリコン層は、通常ＲＦグロー放電
法により、先ず９層はＳｉＨ４もしくはＳｉＪ、ガスに
ドーピングガスのＢＪｉおよび広い光学的バンドギャッ
プを得るためのＣＡＬガス、更には希釈用のＨ，ガスを
混合し、約Ｉ Ｔｏｒｒのガス圧下で約１００〜１５０
人の厚さに形成され、次に１層は５ｉＨ１もしくは５ｉ
Ｊ４ガスと希釈のためのｈガスの混合ガス中で約５００
０人の厚さに、さらにｎ層はＳｉＨオガスなどにドーピ
ングガスＰＩ！３などを混合して１５０〜５００人厚程
度形成して得られる。 この構造の太陽電池における問題点は、実際の使用状態
である光照射下において、ステブラ・ロンスキ−（Ｓｔ
ａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｙ）効果と呼ばれるアモル
ファスシリコンに特有の光劣化現象のために特性低下が
起こることである。これを解決するためには、ｉ層の膜
厚を薄くし、内部電界を強くするか、膜形成温度を高く
して膜質の向上を図るかであるが、膜厚を薄くするとｉ
層内での光吸収貴う（低下し、初期特性そのものが低下
する。一方、膜形成温度を高くすると、透明導電膜の構
成元素であるＩｎやＳｎがアモルファス中へ拡散し特性
低下を引き起こすという問題が生ずる。そこで透明導電
膜とアモルファス層の間にＳｉＯ＋ Ｓｉ３Ｎオなどの
膜を蒸着法やスパッタ法で形成するという考えはあるが
、これらの方法は、化学Ｎ論的組成の実現が難しいこと
と、真空中でのプロセスを要するためコストが高（つく
という問題があった。 一方、長波長光を有効に利用し、変換効率を向上させる
ために、第３図に示すように透光性絶縁基板ｌの上に透
明電極２を介してｐ−１−ｎ構造を有するアモルファス
接合層３．４を２重にし、金属を種層５を被着したタン
デム構造の太ｖＩ／３電池は、各接合層３．４の厚さを
上記の構造の太陽電池より薄くできるため光劣化の少な
い太陽電池が得られる。しかしこの場合にも、長波長光
まで吸収領域を伸ばすために光学的バンドギャップを狭
くしなければならず、そのため第二接合Ｎ４の形成温度
を高くする必要がある。従って、その際に透明を極２か
ら第一接合層３の中へ透明電極の構成元素が拡散し性能
を低下させるという問題があった。
ァス太陽電池は、大面積低コスト太陽電池として注目さ
れ実用化が進められている。アモルファス太陽電池の構
造としては、ガラスなどの透光性絶縁基板上に形成され
たＩＴＯ，ＳｎＪおよびＺｎＯなどの透明導電膜の上に
、ｐ、ｉおよびｎ形のアモルファスシリコン層、さらに
Ｍ、＾ｇ、 Ｃｒ。 ＩＴＯ／＾ｇなどの電極層を順次形成したものが主流と
なっている。この理由は、各層を形成後条状のパターン
を次々形成していくことによってユニットセルが直列に
接続でき、任意の電圧の太陽電池を外部配線なしに容易
に作り出せるためにバッテリなどに蓄電したり、あるい
は直接機器を駆動するのに適しているためである。この
場合のアモルファスシリコン層は、通常ＲＦグロー放電
法により、先ず９層はＳｉＨ４もしくはＳｉＪ、ガスに
ドーピングガスのＢＪｉおよび広い光学的バンドギャッ
プを得るためのＣＡＬガス、更には希釈用のＨ，ガスを
混合し、約Ｉ Ｔｏｒｒのガス圧下で約１００〜１５０
人の厚さに形成され、次に１層は５ｉＨ１もしくは５ｉ
Ｊ４ガスと希釈のためのｈガスの混合ガス中で約５００
０人の厚さに、さらにｎ層はＳｉＨオガスなどにドーピ
ングガスＰＩ！３などを混合して１５０〜５００人厚程
度形成して得られる。 この構造の太陽電池における問題点は、実際の使用状態
である光照射下において、ステブラ・ロンスキ−（Ｓｔ
ａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｙ）効果と呼ばれるアモル
ファスシリコンに特有の光劣化現象のために特性低下が
起こることである。これを解決するためには、ｉ層の膜
厚を薄くし、内部電界を強くするか、膜形成温度を高く
して膜質の向上を図るかであるが、膜厚を薄くするとｉ
層内での光吸収貴う（低下し、初期特性そのものが低下
する。一方、膜形成温度を高くすると、透明導電膜の構
成元素であるＩｎやＳｎがアモルファス中へ拡散し特性
低下を引き起こすという問題が生ずる。そこで透明導電
膜とアモルファス層の間にＳｉＯ＋ Ｓｉ３Ｎオなどの
膜を蒸着法やスパッタ法で形成するという考えはあるが
、これらの方法は、化学Ｎ論的組成の実現が難しいこと
と、真空中でのプロセスを要するためコストが高（つく
という問題があった。 一方、長波長光を有効に利用し、変換効率を向上させる
ために、第３図に示すように透光性絶縁基板ｌの上に透
明電極２を介してｐ−１−ｎ構造を有するアモルファス
接合層３．４を２重にし、金属を種層５を被着したタン
デム構造の太ｖＩ／３電池は、各接合層３．４の厚さを
上記の構造の太陽電池より薄くできるため光劣化の少な
い太陽電池が得られる。しかしこの場合にも、長波長光
まで吸収領域を伸ばすために光学的バンドギャップを狭
くしなければならず、そのため第二接合Ｎ４の形成温度
を高くする必要がある。従って、その際に透明を極２か
ら第一接合層３の中へ透明電極の構成元素が拡散し性能
を低下させるという問題があった。
本発明は、透明電極とアモルファス半導体層の間にメタ
ルアルコキシドを原料として形成された金属酸化物層を
介在させ、高温での透明電極元素の熱拡散を防ぐことに
よって、アモルファス半導体層の膜質を憂め、劣化の少
ない太陽電池を得ようとするものである。
ルアルコキシドを原料として形成された金属酸化物層を
介在させ、高温での透明電極元素の熱拡散を防ぐことに
よって、アモルファス半導体層の膜質を憂め、劣化の少
ない太陽電池を得ようとするものである。
以下第３図と共通の部分に同一の符号を付した図を引用
して本発明の実施例について説明する。 第１図は、一つの接合層を有する太陽電池、第２図は二
つの接合層を存する太陽電池の実施例の断面構造図をそ
れぞれ示している。ガラスなどの絶縁性基板１上にＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物）、■Ｔ Ｏ／Ｓｎｏｗ、 ５
ｎＯｚ＋ ＺｎＯなどの透明電極２が蒸着法や熱ＣＶＤ
法で形成され、その上にメタルアルコキシドを主原料と
した金属酸化物層６、さらにグロー放電法によりｐ−１
−ｎ形のアモルファス半４体Ｉ！３あるいは第２図の場
合はこれを２Ｍとしたアモルファス半導体層４が形成さ
れ、最後にＡｔ、 Ａｇ、 Ｃｒ、 Ｉ Ｔ Ｏ／Ａ
ｇなどから成る金属電極５がスパッタ法などにより形成
されている。 金属酸化物層６は、ＺｒＯｘ、 ｔｔｏ、、 Ｔａ０ｇ
、 Ａ７！Ｏｎ ＋ＮｂＯｔＪＯｔ１ＭＯＯ！などから
なる。そこで金属酸化物層の形成方法をＺｒＯｘを例に
とうて説明する。先ずテトラエトキシジルコニウム（Ｚ
ｒ（ＯＣｔＨｓ） ４）などのメタルアルコキシドとア
ルコール系、ヘキサンあるいはベンゼン系などの溶剤お
よび水を混合しＺｒＯｘ濃度換算で０．１〜１０％程度
の溶液をつ（る０次に透明電極２を形成したガラス基板
１を浸漬し、ゆっくり引き上げる。この時の引き上げ速
度と溶液の濃度によって金属酸化物層の厚さとして２０
人〜数百人まで制御できる。これを約１５０℃の温度で
約３０分間乾燥する０次に３００℃〜５００℃の温度で
３０〜６０分間焼付けして金属酸化物層６を得る。この
方法で得られる膜は、溶液からの引き上げによって得ら
れるため大面積においても均一で、しかも化学的に安定
であるという特長がある。第４図はガラス基板上に形成
されたＩ Ｔ Ｏ／ ＳｎＯｔ ＆板上に上述のメタル
アルコキシドから形成する方法および蒸着法によってＺ
ｒ０１膜を２００人形成し、基板温度を約３００℃とし
て水素プラズマ中に３０分間さらした前後の透過率を示
すもので、締４１によって示すメタルアルコキシドから
形成した基板は、線４０で示す処理前の基板に対しほと
んど透過率の変化が見られないのに対し、ｖＡ４２で示
す蒸着法によるＺｒ（ｈ膜を形成した基板および線４３
で示すＺｒＯ，膜を形成していない基板では著しい低下
が見られた。 同様にＴａ０ｚの場合には、ペンタエトキシタンタル（
Ｔａ（ＯＣＪｓ）ｓ）、 ＮｂＯ＊の場合の場合にはＮ
ｂ（ＯＣｔＨｓ）ｓなどのメタルアルコ・キシドを用い
て形成できる。 また、この方法によって作製された金属酸化物の特長は
、第４図から分かるように２００人程度の膜を形成して
も形成しないものと透過率の差がほとんど見られない点
でアモルファス層へ吸収される光の量に全く影響を与え
ないという大きな利点がある。なお、メタルアルコキシ
ドの塗膜をＩＴＯおよびＩ Ｔ Ｏ／ Ｓｎ０ｗ膜を被
着した基板上に形成し、４００℃以上で焼き付けると、
若干透過率が低下したが、これはＩＴＯ膜の変質による
ものである。 上記のように金属酸化物層を形成することによって、高
温での基板の耐プラズマ性が向上し、従来ＩＴＯでは約
１８０℃、 Ｉ Ｔ Ｏ／ Ｓｎｏｗおよび５ｎＯｘ
では２２０℃までしか１層の形成温度を上げることはで
きなかったのが、２５０℃以上においてもｉｌｇの形成
が可能となり、光照射に対する特性低下が極めて少ない
太陽電池が得ることができるようになった。 第５図は本発明の別の実施例を示すもので、第２図と異
なる点は、第一アモルファス接合Ｎ３と第二アモルファ
ス接合層４との間に拡散防止層７を挿入した点である。 この拡散防止層はＳｉＮヶ（χ＝ Ｏ〜４／３）、
ａ −３ｉＣ，ａ −Ｃなどから成り、アモルファス層
の形成と同様にグロー放電法で形成され、１５〜５００
人の膜厚である。原料ガスとしては、ＳｉＮ、を形成す
る場合にはＳＩＨ，とｌｉＨ，もしくはＮ。 の混合ガス、ａ−５ｉＣの場合は５ｉＨｚとＣｔＨｔ、
さらにａ−Ｃの場合にはＣＨ，、Ｃ，Ｈ，、ＣＨ３など
が用いられる。これにより、第二アモルファス接合１！
４の１層形成の際、基板温度を２５０℃以上にしても透
明電極の構成元素の第一アモルファスＮ３への熱拡散お
よび第一アモルファス層の不純物元素（特に１層のりん
）の第ニアモルファスＩＷ４への拡散がそれぞれ金属酸
化物層６および拡散防止層７によって防がれるため太陽
電池性能の低下がなく、しかもこれによって光劣化の少
ない太陽電池が得られるという利点が得られる。 第６図は本発明のさらに別の実施例を示すもので、上述
の太陽電池をユニットセル化し、これらを直列接続する
ことによって実使用の太陽電池を構成する際の断面図を
示している。まず、ガラス基ｖｉｌ上に透明電極２を形
成後短冊状にパターニングする０次に金属酸化物層６を
全面に形成する。 透明電極のパターニングは金属酸化物層形成後に両者共
バターニングする方法で行ってもよいが、透明電極の切
断面が露出し、アモルファス層形成時に悪影響を及ぼす
可能性がある点では望ましくない０次にアモルファス半
導体層３を形成し同様にパターニングし、さらに金属電
極５も同様に形成する。そして最終的に金属電極５と次
段の透明Ｔ！ｌ極２とが接続されるようパターンが形成
される。 この場合、金属電極５と透明電極２の間にも金属酸化物
層６が入るが、金属電橋膜層は薄いため接触抵抗等は問
題とならない、なお、アモルファス半導体層は、第２図
および第５図に示すようなタンデム構造でも良い。
して本発明の実施例について説明する。 第１図は、一つの接合層を有する太陽電池、第２図は二
つの接合層を存する太陽電池の実施例の断面構造図をそ
れぞれ示している。ガラスなどの絶縁性基板１上にＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物）、■Ｔ Ｏ／Ｓｎｏｗ、 ５
ｎＯｚ＋ ＺｎＯなどの透明電極２が蒸着法や熱ＣＶＤ
法で形成され、その上にメタルアルコキシドを主原料と
した金属酸化物層６、さらにグロー放電法によりｐ−１
−ｎ形のアモルファス半４体Ｉ！３あるいは第２図の場
合はこれを２Ｍとしたアモルファス半導体層４が形成さ
れ、最後にＡｔ、 Ａｇ、 Ｃｒ、 Ｉ Ｔ Ｏ／Ａ
ｇなどから成る金属電極５がスパッタ法などにより形成
されている。 金属酸化物層６は、ＺｒＯｘ、 ｔｔｏ、、 Ｔａ０ｇ
、 Ａ７！Ｏｎ ＋ＮｂＯｔＪＯｔ１ＭＯＯ！などから
なる。そこで金属酸化物層の形成方法をＺｒＯｘを例に
とうて説明する。先ずテトラエトキシジルコニウム（Ｚ
ｒ（ＯＣｔＨｓ） ４）などのメタルアルコキシドとア
ルコール系、ヘキサンあるいはベンゼン系などの溶剤お
よび水を混合しＺｒＯｘ濃度換算で０．１〜１０％程度
の溶液をつ（る０次に透明電極２を形成したガラス基板
１を浸漬し、ゆっくり引き上げる。この時の引き上げ速
度と溶液の濃度によって金属酸化物層の厚さとして２０
人〜数百人まで制御できる。これを約１５０℃の温度で
約３０分間乾燥する０次に３００℃〜５００℃の温度で
３０〜６０分間焼付けして金属酸化物層６を得る。この
方法で得られる膜は、溶液からの引き上げによって得ら
れるため大面積においても均一で、しかも化学的に安定
であるという特長がある。第４図はガラス基板上に形成
されたＩ Ｔ Ｏ／ ＳｎＯｔ ＆板上に上述のメタル
アルコキシドから形成する方法および蒸着法によってＺ
ｒ０１膜を２００人形成し、基板温度を約３００℃とし
て水素プラズマ中に３０分間さらした前後の透過率を示
すもので、締４１によって示すメタルアルコキシドから
形成した基板は、線４０で示す処理前の基板に対しほと
んど透過率の変化が見られないのに対し、ｖＡ４２で示
す蒸着法によるＺｒ（ｈ膜を形成した基板および線４３
で示すＺｒＯ，膜を形成していない基板では著しい低下
が見られた。 同様にＴａ０ｚの場合には、ペンタエトキシタンタル（
Ｔａ（ＯＣＪｓ）ｓ）、 ＮｂＯ＊の場合の場合にはＮ
ｂ（ＯＣｔＨｓ）ｓなどのメタルアルコ・キシドを用い
て形成できる。 また、この方法によって作製された金属酸化物の特長は
、第４図から分かるように２００人程度の膜を形成して
も形成しないものと透過率の差がほとんど見られない点
でアモルファス層へ吸収される光の量に全く影響を与え
ないという大きな利点がある。なお、メタルアルコキシ
ドの塗膜をＩＴＯおよびＩ Ｔ Ｏ／ Ｓｎ０ｗ膜を被
着した基板上に形成し、４００℃以上で焼き付けると、
若干透過率が低下したが、これはＩＴＯ膜の変質による
ものである。 上記のように金属酸化物層を形成することによって、高
温での基板の耐プラズマ性が向上し、従来ＩＴＯでは約
１８０℃、 Ｉ Ｔ Ｏ／ Ｓｎｏｗおよび５ｎＯｘ
では２２０℃までしか１層の形成温度を上げることはで
きなかったのが、２５０℃以上においてもｉｌｇの形成
が可能となり、光照射に対する特性低下が極めて少ない
太陽電池が得ることができるようになった。 第５図は本発明の別の実施例を示すもので、第２図と異
なる点は、第一アモルファス接合Ｎ３と第二アモルファ
ス接合層４との間に拡散防止層７を挿入した点である。 この拡散防止層はＳｉＮヶ（χ＝ Ｏ〜４／３）、
ａ −３ｉＣ，ａ −Ｃなどから成り、アモルファス層
の形成と同様にグロー放電法で形成され、１５〜５００
人の膜厚である。原料ガスとしては、ＳｉＮ、を形成す
る場合にはＳＩＨ，とｌｉＨ，もしくはＮ。 の混合ガス、ａ−５ｉＣの場合は５ｉＨｚとＣｔＨｔ、
さらにａ−Ｃの場合にはＣＨ，、Ｃ，Ｈ，、ＣＨ３など
が用いられる。これにより、第二アモルファス接合１！
４の１層形成の際、基板温度を２５０℃以上にしても透
明電極の構成元素の第一アモルファスＮ３への熱拡散お
よび第一アモルファス層の不純物元素（特に１層のりん
）の第ニアモルファスＩＷ４への拡散がそれぞれ金属酸
化物層６および拡散防止層７によって防がれるため太陽
電池性能の低下がなく、しかもこれによって光劣化の少
ない太陽電池が得られるという利点が得られる。 第６図は本発明のさらに別の実施例を示すもので、上述
の太陽電池をユニットセル化し、これらを直列接続する
ことによって実使用の太陽電池を構成する際の断面図を
示している。まず、ガラス基ｖｉｌ上に透明電極２を形
成後短冊状にパターニングする０次に金属酸化物層６を
全面に形成する。 透明電極のパターニングは金属酸化物層形成後に両者共
バターニングする方法で行ってもよいが、透明電極の切
断面が露出し、アモルファス層形成時に悪影響を及ぼす
可能性がある点では望ましくない０次にアモルファス半
導体層３を形成し同様にパターニングし、さらに金属電
極５も同様に形成する。そして最終的に金属電極５と次
段の透明Ｔ！ｌ極２とが接続されるようパターンが形成
される。 この場合、金属電極５と透明電極２の間にも金属酸化物
層６が入るが、金属電橋膜層は薄いため接触抵抗等は問
題とならない、なお、アモルファス半導体層は、第２図
および第５図に示すようなタンデム構造でも良い。
本発明によれば、透光性絶縁基板上の透明電極。
アモルファス半導体層、金属′ｒ！！極層で構成された
太陽電池の透明電極とアモルファス半導体層の間にメタ
ルアルコキシドを原料とした金属酸化物層を挿入したこ
とにより、アモルファス半導体層の形成温度を高くでき
るようになり、光照射に対する劣化を抑制できるという
効果が得られる。また金属酸化物の形成にメタルアルコ
キシドを用いたので、大面積にわたって均一に、しかも
安価にこの層の形成が可能となり、低コストな太陽電池
が得られる。 本発明を実際のセルに適用した結果、従来の構造の太陽
電池ではＡ Ｍ Ｉ （１００ｍＷ／ ｃｄ ）のソー
ラシュミレータの光を１００時間照射した時の特性低下
率が、ガラス／透明１！極／ ｐ −ｉ −ｎ形ａ−５
ｉｔ！７Ｍでは５〜７％であったものが、ガラス／透明
電極／ Ｚ、ｒＯ＊／ ｐ−’ −ｎ形ａ−５ｉ層／Ａ
ｊでは２〜４％に抑えることができた。また、タンデム
構造セルについては、第３図に示す構造では１０００時
間の照射での特性低下率が７〜１５％であったものが、
第５図に示す構造で金属酸化物層にＺｒ０１．拡散防止
層にＳＩＮ、を用いることによって２〜３％の特性低下
に抑えることができ、本発明による大きな効果が得られ
た。
太陽電池の透明電極とアモルファス半導体層の間にメタ
ルアルコキシドを原料とした金属酸化物層を挿入したこ
とにより、アモルファス半導体層の形成温度を高くでき
るようになり、光照射に対する劣化を抑制できるという
効果が得られる。また金属酸化物の形成にメタルアルコ
キシドを用いたので、大面積にわたって均一に、しかも
安価にこの層の形成が可能となり、低コストな太陽電池
が得られる。 本発明を実際のセルに適用した結果、従来の構造の太陽
電池ではＡ Ｍ Ｉ （１００ｍＷ／ ｃｄ ）のソー
ラシュミレータの光を１００時間照射した時の特性低下
率が、ガラス／透明１！極／ ｐ −ｉ −ｎ形ａ−５
ｉｔ！７Ｍでは５〜７％であったものが、ガラス／透明
電極／ Ｚ、ｒＯ＊／ ｐ−’ −ｎ形ａ−５ｉ層／Ａ
ｊでは２〜４％に抑えることができた。また、タンデム
構造セルについては、第３図に示す構造では１０００時
間の照射での特性低下率が７〜１５％であったものが、
第５図に示す構造で金属酸化物層にＺｒ０１．拡散防止
層にＳＩＮ、を用いることによって２〜３％の特性低下
に抑えることができ、本発明による大きな効果が得られ
た。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は本発
明の異なる実施例を示す断面図、第３図は従来のタンデ
ム構造太陽電池の断面図、第４図は各種基板の透過率分
光曲線図、第５図、第６図はそれぞれ本発明のさらに異
なる実施例を示す断面図である。 １：透光性ｗＡ縁縁板板２：ｉ３明’ｔＰｊ、３，４：
アモルファス半導体層、５：金属電極、６：金属第１図 第２図 第３図 波＋（ｎｍ） 第４図 第６図
明の異なる実施例を示す断面図、第３図は従来のタンデ
ム構造太陽電池の断面図、第４図は各種基板の透過率分
光曲線図、第５図、第６図はそれぞれ本発明のさらに異
なる実施例を示す断面図である。 １：透光性ｗＡ縁縁板板２：ｉ３明’ｔＰｊ、３，４：
アモルファス半導体層、５：金属電極、６：金属第１図 第２図 第３図 波＋（ｎｍ） 第４図 第６図
Claims (1)
- １）透光性絶縁基板上に基板側に透明電極、反対側に金
属電極を備えたアモルファス半導体層を有するものにお
いて、透明電極と半導体層の間にメタルアルコキシドを
原料として形成された金属酸化物層が介在することを特
徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61168954A JPS6324677A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61168954A JPS6324677A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324677A true JPS6324677A (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=15877629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61168954A Pending JPS6324677A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6324677A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433811A (en) * | 1987-04-04 | 1989-02-03 | Gunze Kk | Transparent conductive film and its manufacture |
| JPH02109376A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質太陽電池 |
| JPH02109375A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5525487A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-23 | Westinghouse Electric Corp | Optically oxidized coating forming polymer solution and production |
| JPS5789265A (en) * | 1980-11-26 | 1982-06-03 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Photo electromotive element |
| JPS5823486A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Toshiba Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPS5917287A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 光起電力装置 |
| JPS59168678A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 反射防止膜形成用組成物 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP61168954A patent/JPS6324677A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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