JPS60107815A - 磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
磁性薄膜の製造方法Info
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- JPS60107815A JPS60107815A JP21675083A JP21675083A JPS60107815A JP S60107815 A JPS60107815 A JP S60107815A JP 21675083 A JP21675083 A JP 21675083A JP 21675083 A JP21675083 A JP 21675083A JP S60107815 A JPS60107815 A JP S60107815A
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- film
- substrate
- ggg
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、（〉層（Ｖ薄膜の製造方法、より詳細には光
熱磁気記３ハＡ料として用いて好適なりｉ置換鉄ガーネ
ット単結晶ｉ’ｔｌ／ ＩＩＱの製造方法に関する。
熱磁気記３ハＡ料として用いて好適なりｉ置換鉄ガーネ
ット単結晶ｉ’ｔｌ／ ＩＩＱの製造方法に関する。
退部、この種の１）皇 置換鉄ガーネットとして。
希１： Ｊｒｌ鉄ガーネソｔ１１１（１’ｅ、Ｍ）ｓ
Ｏ＋２ （１１：希土類元素２Ｍ：八Ｉ”、 Ｇｔｒ”
、 Ｓｃ”＋ ＴＩ””、 （Ｃｏ”−＋’ｒｉ ”
）等）の１？の一部を旧で置換した鉄ガーネットＲ３−
Ｘ Ｂｉｇ （Ｆｅ、Ｍ）ｓ ＯＩ２が注目されている
。
Ｏ＋２ （１１：希土類元素２Ｍ：八Ｉ”、 Ｇｔｒ”
、 Ｓｃ”＋ ＴＩ””、 （Ｃｏ”−＋’ｒｉ ”
）等）の１？の一部を旧で置換した鉄ガーネットＲ３−
Ｘ Ｂｉｇ （Ｆｅ、Ｍ）ｓ ＯＩ２が注目されている
。
このＢｉ置換希土類鉄ガーネットは、Ｒの一部をＢｉで
置換することにより、吸収係数αをあまり大きくするこ
となくファラデー回転角θ、を大きくすることができる
という性質を有し、光熱磁気記録材料として一般に優れ
たものである。このような性質を有するＢｉ置換希土類
鉄ガーネソ１への光熱磁気記録材料としての性能を高め
るためには。
置換することにより、吸収係数αをあまり大きくするこ
となくファラデー回転角θ、を大きくすることができる
という性質を有し、光熱磁気記録材料として一般に優れ
たものである。このような性質を有するＢｉ置換希土類
鉄ガーネソ１への光熱磁気記録材料としての性能を高め
るためには。
Ｂｉ置換１ｉｔｘを大きくしてファラデー回転角θ。
を大きくすればよい。従来、焼結体について、 Ｂｉの
固溶限界は希土類鉄ガーネットの結晶構造の十二面体位
置の５０％であることが知られており。
固溶限界は希土類鉄ガーネットの結晶構造の十二面体位
置の５０％であることが知られており。
Ｂｉ置換量Ｘの大きな単結晶薄膜を得ることが試みられ
てきた。しかし、旧置換希土類鉄ガーネットの単結晶薄
膜の成長に通常用いられている方法では、旧置換量Ｘが
十分大きい単結晶薄膜、つまり上記固溶限界程度まで旧
が置換された単結晶薄膜は次に述べる理由により実際に
は実現国難であった。
てきた。しかし、旧置換希土類鉄ガーネットの単結晶薄
膜の成長に通常用いられている方法では、旧置換量Ｘが
十分大きい単結晶薄膜、つまり上記固溶限界程度まで旧
が置換された単結晶薄膜は次に述べる理由により実際に
は実現国難であった。
即ち、上述のＢｉ置換希土類鉄ガー不ソｈ ？Ｗ ＩＩ
ジは２通常液相エピタ；１−シャル法（ＬＰＥ法）によ
って製造されるが、このＬＰＥ法においては、８００゛
Ｃ程度の１：’：Ｉ ／１１にで薄１１りの成長を行う
必要がある。
ジは２通常液相エピタ；１−シャル法（ＬＰＥ法）によ
って製造されるが、このＬＰＥ法においては、８００゛
Ｃ程度の１：’：Ｉ ／１１にで薄１１りの成長を行う
必要がある。
ところが、 旧の蒸気圧は８００℃においてはＩＴｏｒ
ｒ程度と極めて高い゛ので、’ｊｊＪ膜の成長中にＢｉ
が選択的に１し゛（しまうという欠点がある。このため
、薄膜に旧を高濃度に含ませてＢｉ置換量Ｘが大きい旧
置換希土１■鉄ガーネット薄膜を製造することは’ｔｉ
ｎい。なおＬＰＥ法により現在までに得られているＩｌ
ｉ置換ｌｘば、十二面体位置の高々２０％程度であると
推定されている。
ｒ程度と極めて高い゛ので、’ｊｊＪ膜の成長中にＢｉ
が選択的に１し゛（しまうという欠点がある。このため
、薄膜に旧を高濃度に含ませてＢｉ置換量Ｘが大きい旧
置換希土１■鉄ガーネット薄膜を製造することは’ｔｉ
ｎい。なおＬＰＥ法により現在までに得られているＩｌ
ｉ置換ｌｘば、十二面体位置の高々２０％程度であると
推定されている。
本発明は、」二連の問題にかんがみ、Ｂｉ置換■Ｘが大
きく、このためファラデー回転角θ、が極めて大きいと
共に保磁力Ｈｃが十分に大きく、また吸収係数αが１−
分率さい旧置換希土頻鉄ガーネット薄膜ＣＩｌ：の（旧
（Ｌ薄膜１りの製造方法を提供することをト１的とする
。
きく、このためファラデー回転角θ、が極めて大きいと
共に保磁力Ｈｃが十分に大きく、また吸収係数αが１−
分率さい旧置換希土頻鉄ガーネット薄膜ＣＩｌ：の（旧
（Ｌ薄膜１りの製造方法を提供することをト１的とする
。
即し２本発明に係るａ磁性薄膜の製造方法は、少なくと
も旧１６：Ｉ（、ｌ・（曲λ子及び希土類原子を含む酸
化物から成るターゲットをスパッタし、このスパッタに
より前記ターゲットから離脱した前記酸化物の構成原子
を３５０〜７００°Ｃに加熱されたＧＧＧ基板上に被着
することによって、 このＧＧＧ基板上に高濃度Ｂｉ置
換鉄ガーネソ１〜単結晶薄膜をエピタキシャル成長させ
ている。このようにすることによって、Ｂｉｊ１７換垣
Ｘが大きく、このためファラデー回転角θ、が極めて大
きいと共に保磁力Ｈｃが十分に大きく、また吸収係数α
が十分率さい磁性薄膜を得ることができる。
も旧１６：Ｉ（、ｌ・（曲λ子及び希土類原子を含む酸
化物から成るターゲットをスパッタし、このスパッタに
より前記ターゲットから離脱した前記酸化物の構成原子
を３５０〜７００°Ｃに加熱されたＧＧＧ基板上に被着
することによって、 このＧＧＧ基板上に高濃度Ｂｉ置
換鉄ガーネソ１〜単結晶薄膜をエピタキシャル成長させ
ている。このようにすることによって、Ｂｉｊ１７換垣
Ｘが大きく、このためファラデー回転角θ、が極めて大
きいと共に保磁力Ｈｃが十分に大きく、また吸収係数α
が十分率さい磁性薄膜を得ることができる。
なお上記ＧＧＧ基板の好ましい加熱温度範囲は３５０〜
７００℃であるが、このように限定される理由は３５０
℃以下では薄１模が非晶質となって単結晶薄膜が得られ
ず、７００℃以上では旧の蒸気圧が高くなるために本発
明の目的とする旧置換量Ｘの大きな薄膜を得ることがで
きないためである。
７００℃であるが、このように限定される理由は３５０
℃以下では薄１模が非晶質となって単結晶薄膜が得られ
ず、７００℃以上では旧の蒸気圧が高くなるために本発
明の目的とする旧置換量Ｘの大きな薄膜を得ることがで
きないためである。
以下本発明に係る磁性薄膜の製造方法を（Ｙ、 Ｂｉ）
ａ（Ｐｅ、 ＡＩ）ｓ Ｏ＋ｚ で表されるＢｉ置換
希土頬鉄ガーネットの薄膜の製造に適用した一実施例に
つき図面を参照しながら説明する。なおこの（Ｙ、Ｂｉ
）。
ａ（Ｐｅ、 ＡＩ）ｓ Ｏ＋ｚ で表されるＢｉ置換
希土頬鉄ガーネットの薄膜の製造に適用した一実施例に
つき図面を参照しながら説明する。なおこの（Ｙ、Ｂｉ
）。
（Ｉ・ｅ、＾ｌ）ｓ ０１２は、イツトリウム鉄ガーネ
ットＹ ：＋Ｉ’ｅｓ０１２ （ＹＩＧ）において、Ｙ
の一部を１１１で；６換すると共に！・（！の一部を旧
で置換したものであり１曲者は吸収係数αをあまり増大
することなくファラデー回転角θ、を高め、後者は吸収
係数αを減少させると共に飽和磁化を小さくして垂直磁
化膜をｉＵられやず＜シ、また４−ユリ一温度も下げる
ことが知られている。
ットＹ ：＋Ｉ’ｅｓ０１２ （ＹＩＧ）において、Ｙ
の一部を１１１で；６換すると共に！・（！の一部を旧
で置換したものであり１曲者は吸収係数αをあまり増大
することなくファラデー回転角θ、を高め、後者は吸収
係数αを減少させると共に飽和磁化を小さくして垂直磁
化膜をｉＵられやず＜シ、また４−ユリ一温度も下げる
ことが知られている。
なＪ３本実施例においては、鉄ガーネット薄１模を成長
させるべき基板として Ｇｄ ３ Ｇａ Ｓｏ １２の
（ｚｔｚｒｉ結晶）Ｊ５板（以下Ｇ Ｇ Ｇ基板と称す
る）を月■）、ま人ニスパックすべきターゲノ１−とし
ては。
させるべき基板として Ｇｄ ３ Ｇａ Ｓｏ １２の
（ｚｔｚｒｉ結晶）Ｊ５板（以下Ｇ Ｇ Ｇ基板と称す
る）を月■）、ま人ニスパックすべきターゲノ１−とし
ては。
組成武旧ｚ、ｏ Ｙ １．ｏ Ｆｅ ｓ、ｎ＾Ｉ １．
２０１２で表される多結晶状の鉄ガーネットの円盤状の
焼結体を用いている。
２０１２で表される多結晶状の鉄ガーネットの円盤状の
焼結体を用いている。
第１図に示す、１、うに、高周波（ＲＦ）スパッタリン
グ装置のスう−ンレス製の電極板（試料台）（１）の−
Ｌに一１記Ｇ Ｇ （、；基板（２）を載置すると共に
、電極１反（３）に」二記ターゲソＩ−（４）を取り伺
ける。なおｌ−配電極板（１）を加熱するためのヒータ
（５）が設けられているので、上記ＧＧＧｉ板（２）も
上記電極板（１）を介して上記し−タ（５）によって所
定温度に加熱される。
グ装置のスう−ンレス製の電極板（試料台）（１）の−
Ｌに一１記Ｇ Ｇ （、；基板（２）を載置すると共に
、電極１反（３）に」二記ターゲソＩ−（４）を取り伺
ける。なおｌ−配電極板（１）を加熱するためのヒータ
（５）が設けられているので、上記ＧＧＧｉ板（２）も
上記電極板（１）を介して上記し−タ（５）によって所
定温度に加熱される。
次にスパッタリング装置内を所定の真空度に排気した後
、このスパッタリング装置内に八ｒと０□との混合ガス
（Ａｒ：Ｏｔ ＝９ ：ｌ） を７ Ｐａ程度まで４人
する。真空度が安定した状態で、電極板（１）と電極Ｉ
／１ｉ（３）との間に所定の高周波電圧を印加してグロ
ー放電を開始さセる。この放電で生じたＡｒ”イオンは
ターゲット（４）の表面をスパッタし、このスパッタに
より上記ターゲット（４）からＢｉ、 Ｙ 、 Ｉンｅ
、 ＡＩ、 ０等の原子が＾旧Ｂ２する。これらの離脱
した原子は、所定温度に加熱された上記ＧＧＧ基板（２
）上に被着し、このＧ Ｇ Ｇ ）ＡＩ’板（２）上に
（Ｙ、旧）３ （Ｆｅ、ＡＩ） ｓ Ｏ＋ｚの単結晶薄
膜（以下薄膜と称する）（６）がエピタキシャル成長す
る。
、このスパッタリング装置内に八ｒと０□との混合ガス
（Ａｒ：Ｏｔ ＝９ ：ｌ） を７ Ｐａ程度まで４人
する。真空度が安定した状態で、電極板（１）と電極Ｉ
／１ｉ（３）との間に所定の高周波電圧を印加してグロ
ー放電を開始さセる。この放電で生じたＡｒ”イオンは
ターゲット（４）の表面をスパッタし、このスパッタに
より上記ターゲット（４）からＢｉ、 Ｙ 、 Ｉンｅ
、 ＡＩ、 ０等の原子が＾旧Ｂ２する。これらの離脱
した原子は、所定温度に加熱された上記ＧＧＧ基板（２
）上に被着し、このＧ Ｇ Ｇ ）ＡＩ’板（２）上に
（Ｙ、旧）３ （Ｆｅ、ＡＩ） ｓ Ｏ＋ｚの単結晶薄
膜（以下薄膜と称する）（６）がエピタキシャル成長す
る。
なおスパッタに用いる電力を１１０ Ｗとし、またスパ
ッタ時間を５時間とした場合、得られた薄膜（６）の厚
さは１．５μｍであった。
ッタ時間を５時間とした場合、得られた薄膜（６）の厚
さは１．５μｍであった。
次に上記薄膜（６）をこの薄膜（６）が被着した上記Ｇ
ＧＧ基板（２）と共に所定条件でアニールして膜中の歪
みを除去する。なお上述のようにして得られた薄１模（
６）がｊｉ’＋結晶であることは、Ｘ線回折によって確
認された。
ＧＧ基板（２）と共に所定条件でアニールして膜中の歪
みを除去する。なお上述のようにして得られた薄１模（
６）がｊｉ’＋結晶であることは、Ｘ線回折によって確
認された。
一１二述の実施例により製造された）１す膜（６）は、
光学顕微鏡に、Ｌる観察の結果、唐草模様状の磁区構造
を有し、極めて良好な磁性薄膜であることが明らかにさ
れ、また第２図〜第７Ｃ図に示ずような倭れた特性をイ
１するごとが測定によって明らかにされた。以下順を追
ってこれらの測定結果について述べる。なお第２図、第
５図〜第７Ｃ図において、ファラう一一回転角θ、測定
用の光源としてば。
光学顕微鏡に、Ｌる観察の結果、唐草模様状の磁区構造
を有し、極めて良好な磁性薄膜であることが明らかにさ
れ、また第２図〜第７Ｃ図に示ずような倭れた特性をイ
１するごとが測定によって明らかにされた。以下順を追
ってこれらの測定結果について述べる。なお第２図、第
５図〜第７Ｃ図において、ファラう一一回転角θ、測定
用の光源としてば。
ｔｌ ｅ −Ｎ ｅレーリ′−（波長６３２８人）を用
いた。
いた。
また測定は、」二記薄１模（６）に光を透過させて行っ
た。なお第５図のキュリ一点の測定は、薄膜（６）上に
ＡＩ膜を形成し′ζ成るＧ Ｇ Ｇ基板（２）の三層構
造の試オ′−１につい’ＣＦｉっだ。
た。なお第５図のキュリ一点の測定は、薄膜（６）上に
ＡＩ膜を形成し′ζ成るＧ Ｇ Ｇ基板（２）の三層構
造の試オ′−１につい’ＣＦｉっだ。
第２図は４２０℃、４７０℃、４９０℃、５１０’ｃ、
５５０”Ｃ，（ｉ ２０°Ｃの各基板温度で製造した薄
１模（６）（各々の試料にｌ〜６の番号を付す）のファ
ラデー回転角θ、及び保磁力Ｈｃを示したグラフである
が、この図に示すように、ＧＧＧｊＪ板（２）の温度が
４２０〜６２０℃の場合に製造された薄膜（６）のファ
ラデー回転角θ、は、アニール後の値で１〜２．７５度
であった。なおアニールは空気中で行い、試料１．２に
ついては６４０’Ｃ，５時間、試料３〜６については７
４０℃、５時間とした。このように２本実施例により製
造された薄膜（６）のファラデー回転角θＦの値は既述
のＬ Ｉ）Ｅ法により製造された磁性薄膜のファラデー
回転角θ、が例えば０．５度程度であるのに比べて極め
て大きい。
５５０”Ｃ，（ｉ ２０°Ｃの各基板温度で製造した薄
１模（６）（各々の試料にｌ〜６の番号を付す）のファ
ラデー回転角θ、及び保磁力Ｈｃを示したグラフである
が、この図に示すように、ＧＧＧｊＪ板（２）の温度が
４２０〜６２０℃の場合に製造された薄膜（６）のファ
ラデー回転角θ、は、アニール後の値で１〜２．７５度
であった。なおアニールは空気中で行い、試料１．２に
ついては６４０’Ｃ，５時間、試料３〜６については７
４０℃、５時間とした。このように２本実施例により製
造された薄膜（６）のファラデー回転角θＦの値は既述
のＬ Ｉ）Ｅ法により製造された磁性薄膜のファラデー
回転角θ、が例えば０．５度程度であるのに比べて極め
て大きい。
またＸ線による薄膜（６）の結晶格子定数の測定結果よ
り１本実施例の薄膜（６）には固溶限界（十二面体位置
の５０％）までＢｉが固溶していることが判明し、旧の
大量置換により大きなファラデー回転角が得られている
ことが明らかとなった。
り１本実施例の薄膜（６）には固溶限界（十二面体位置
の５０％）までＢｉが固溶していることが判明し、旧の
大量置換により大きなファラデー回転角が得られている
ことが明らかとなった。
また本実施例の薄膜（６）の保磁力Ｈｃ、は、第２図に
示すように１４０〜３５００ｅと十分に大きな値であっ
た。
示すように１４０〜３５００ｅと十分に大きな値であっ
た。
なお第２図には、−／ニール後のＦｊＪ膜（６）のファ
ラデー回転角０．および保６タカＩＩ ｃのデータの他
に、参考データとしてスパッタ直後の）＃膜（６）のフ
ァラデー回転角θ、及び保磁力Ｈｃの値も示しである。
ラデー回転角０．および保６タカＩＩ ｃのデータの他
に、参考データとしてスパッタ直後の）＃膜（６）のフ
ァラデー回転角θ、及び保磁力Ｈｃの値も示しである。
なお図中の試料６″Ｃ基板温度６２０℃）の膜ｊ７は２
．０μｒ１１（スパッタ時間は７時間）であり、それ以
外の５つの試料（基板温度４２０〜５５０℃）の１１り
厚は１．５μｍである。
．０μｒ１１（スパッタ時間は７時間）であり、それ以
外の５つの試料（基板温度４２０〜５５０℃）の１１り
厚は１．５μｍである。
第３図に、試料５＜４ｙ仮温度５５０℃）のファラデー
回転角θ、の波長依存性を示す。この間に示すように、
試料５の波長０．４〜０．７μＩＩＩの光に対するファ
ラデー回転角θ、はアニール後の値で１〜ＩＯ瓜であり
、特に０．５μｍ付近においてファラデー回転角θ、が
著しく大きくなっていることがわかる。なお第３図にお
い°Ｃも、スパッタ直後の薄１１Ａ（（ｉ） ｌこつい
′Ｃの測定結果を参考データとし°（イｊｉ−１！゛Ｃ
小した。
回転角θ、の波長依存性を示す。この間に示すように、
試料５の波長０．４〜０．７μＩＩＩの光に対するファ
ラデー回転角θ、はアニール後の値で１〜ＩＯ瓜であり
、特に０．５μｍ付近においてファラデー回転角θ、が
著しく大きくなっていることがわかる。なお第３図にお
い°Ｃも、スパッタ直後の薄１１Ａ（（ｉ） ｌこつい
′Ｃの測定結果を参考データとし°（イｊｉ−１！゛Ｃ
小した。
次に前記試料５について薄膜（６）の吸収係数αの光の
波長に対する依存性を第４図に示す。この図より試料５
の吸収係数αは波長０．５５μｒｎ以上の可視光に対し
て十分小さく、この波長領域の光に対しては殆ど透明で
あること、及び０．５μｍ付近に吸収端が存在すること
がわかる。
波長に対する依存性を第４図に示す。この図より試料５
の吸収係数αは波長０．５５μｒｎ以上の可視光に対し
て十分小さく、この波長領域の光に対しては殆ど透明で
あること、及び０．５μｍ付近に吸収端が存在すること
がわかる。
第５図に前記試料５のファラデー回転角θ、の温度依存
性のデータを示す。この図より試料５のファラデー回転
角θ、は室温がらｌ ７０ ”ｃ付近まで、温度Ｔの増
加と共に単調に減少することがわかる。そしてこの第５
図からキュリ一温度Ｔ ｃが１６４℃であることもわか
る。なおＴ＝１６０〜２００℃においてファラデー回転
角θ、がなだらかに変化しているのは、薄膜（６）の内
部の残留歪やＦｅ、＾ｌ原子の無秩序配列等に起因する
。
性のデータを示す。この図より試料５のファラデー回転
角θ、は室温がらｌ ７０ ”ｃ付近まで、温度Ｔの増
加と共に単調に減少することがわかる。そしてこの第５
図からキュリ一温度Ｔ ｃが１６４℃であることもわか
る。なおＴ＝１６０〜２００℃においてファラデー回転
角θ、がなだらかに変化しているのは、薄膜（６）の内
部の残留歪やＦｅ、＾ｌ原子の無秩序配列等に起因する
。
第６図に試料４（基板温度５１０’ｃ）のファラデー回
転角θ、の膜面に垂直な方向の磁界Ｈに対するヒステリ
シス特性を測定した結果を示す。この図に示すように、
ヒステリシス特性はアニール前後で変化し、またアニー
ルによりファラデー回転角θ、が増加していることがわ
かる。
転角θ、の膜面に垂直な方向の磁界Ｈに対するヒステリ
シス特性を測定した結果を示す。この図に示すように、
ヒステリシス特性はアニール前後で変化し、またアニー
ルによりファラデー回転角θ、が増加していることがわ
かる。
次に第７Ａ図〜第７Ｃ図は、試料５の中央部（膜厚１．
５μｍ）と試料周辺の膜厚の低十部分（ｌｌｌｉ！ｊＶ
−１，２ｐ ｍ及び０．９．ｕｒｎ）の３種の異なる膜
１１７ 、即ち膜１！７１．５ 、１．２ ＋ ０．９
ｐ ｍのアニール後の薄＋１！ｉ！（６）についてそ
れぞれのヒステリシス特性をｉｌｌ’ｌ定した結果であ
り、これらの図から膜厚が小さい程ループの角形性が良
くなり、特に膜厚が１μｍ以下の場合には磁気記録祠料
として極めて好ましいヒステリシス特性を示すことがわ
かる。
５μｍ）と試料周辺の膜厚の低十部分（ｌｌｌｉ！ｊＶ
−１，２ｐ ｍ及び０．９．ｕｒｎ）の３種の異なる膜
１１７ 、即ち膜１！７１．５ 、１．２ ＋ ０．９
ｐ ｍのアニール後の薄＋１！ｉ！（６）についてそ
れぞれのヒステリシス特性をｉｌｌ’ｌ定した結果であ
り、これらの図から膜厚が小さい程ループの角形性が良
くなり、特に膜厚が１μｍ以下の場合には磁気記録祠料
として極めて好ましいヒステリシス特性を示すことがわ
かる。
以上の種々の測定データから明らかなように。
上述の実施例により製造された（Ｙ、Ｂｉ）３（Ｆｅ、
ＡＩ） ｓ０１□単結晶ン゛ミリ膜（６）はファラデー
回転角θ、が極めて大きいと共に保磁力Ｈｃも十分大き
く、また吸収係数αも１−分小さく、光熱磁気記録Ｈ料
として極めてりｒましい性質を有している。
ＡＩ） ｓ０１□単結晶ン゛ミリ膜（６）はファラデー
回転角θ、が極めて大きいと共に保磁力Ｈｃも十分大き
く、また吸収係数αも１−分小さく、光熱磁気記録Ｈ料
として極めてりｒましい性質を有している。
なお上述の実施例においては、スパッタずべきターゲッ
トの４・１料としてＳＪｔ成式Ｂｉ４．ｏ Ｙ ＋、。
トの４・１料としてＳＪｔ成式Ｂｉ４．ｏ Ｙ ＋、。
１・ｅｓ、ＩＩ＾Ｉ １．２０ ＋２ で表される多結
晶状の鉄力゛−ネソトを用いたが、これに限定されるも
のではなく９例えば上述の３．１１成人に含まれる元素
をそれぞれ含む混合物であゲζもよい。より一般的には
。
晶状の鉄力゛−ネソトを用いたが、これに限定されるも
のではなく９例えば上述の３．１１成人に含まれる元素
をそれぞれ含む混合物であゲζもよい。より一般的には
。
（旧２０３ ） 、（ｌｌ ２０３ ） ｙ （１’ｅ
ｚ ０２ ） ｚ （Ｍ２Ｏ３）ｕで表されるような
少なくともＢｉ原子。
ｚ ０２ ） ｚ （Ｍ２Ｏ３）ｕで表されるような
少なくともＢｉ原子。
Ｆｅ原子及び希土類原子を含む酸化物から成る材料を用
いることができる。ここで、Ｑ＜ｘ≦３／２゜Ｑ＜ｙ≦
３／２、Ｏ＜ｚ＜５／２．０≦Ｕ≦５／２である。 ま
たＲはＹ、Ｓｍ等の希土類元素であり２Ｍは八１３′″
＋ Ｇａ”＋ ５ｃ３Ｚ Ｔｌ”＋ （Ｃｏ”＋Ｔｉ４
′″）等である。
いることができる。ここで、Ｑ＜ｘ≦３／２゜Ｑ＜ｙ≦
３／２、Ｏ＜ｚ＜５／２．０≦Ｕ≦５／２である。 ま
たＲはＹ、Ｓｍ等の希土類元素であり２Ｍは八１３′″
＋ Ｇａ”＋ ５ｃ３Ｚ Ｔｌ”＋ （Ｃｏ”＋Ｔｉ４
′″）等である。
以上述べたように２本発明に係る磁性薄膜の製造方法に
よれば、ファラデー回転角θ、が極めて大きいと共に保
磁力ＨＣも十分大きく、また吸収係数αも十分率さい磁
性薄膜を製造することができる。
よれば、ファラデー回転角θ、が極めて大きいと共に保
磁力ＨＣも十分大きく、また吸収係数αも十分率さい磁
性薄膜を製造することができる。
第１図は本発明に係る磁性画１１りの製造方法の一実施
例を示す高周波スパッタリング装置の電極４＝Ｊ近の構
造を示す断面図、第２図は本発明に係る磁性薄膜の製造
方法の一実施例により製造された（ Ｙ ＋ Ｂ ｉ
） ２ （Ｆ ｅ ＋へ１） ｓ Ｏ＋ｚ単結晶薄膜の
ファラデー回転角θ、及び保磁力Ｈ６の基板温度依存性
を示すグラフ、第３図は本発明に係る磁性薄膜の製造方
法の一実施例により製造された（Ｙ、 Ｂｉ） ３ （
１’ｅ。 ＡＩ） ｓ ０１２車結晶’ｔＷ Ｉ模のファラデー回
転角θ、の光の波長依７ｊ性を示すグラフ、第４図は本
発明に係る磁性画１１りの製造方法の一実施例により製
造された（Ｌ旧ＩＬ＋ （１’（！、八へ）Ｓ’０１２
単結晶薄膜の吸収係数αの波長依存性を示すグラフ、第
５図は本発明に係る磁性画１１つ！の製造方法の一実施
例により製造された（Ｙ、 ｌ１ｉ） ３ （ｌ’ｅ、
＾ｌ） ｓ ０１２単結晶薄膜のファラデー回転角／／
１ｏ）？Ａ！ｒ度依存性を示すグラフ、第６図は本発
明に係る磁性薄膜の製造方法の一実施例により製造さ一
１′１１人−（ＬＩｌ＋）Ｊ（Ｆｅ＋ 八Ｉ）Ｓ Ｏ＋
２単結晶薄１１りのヒスう一すシス特性を示すグラフ、
第７Ａ図〜第７Ｃ図は本発明に係る磁性薄膜の製造方法
の一実施例により製造された３つの異なる１模厚の（Ｙ
、Ｂｉ）３（ｌ・（号、八ｌ ） ’＋ ０１２４１結
晶薄ｌ模のヒステリシス＋、Ｉ７Ｈ性をシＪ：、ずグラ
フである。 な、Ｊ３図１ｔ１１に用いノこ符すにおいて。 ＜ １＞ ′、ｖ極板（試料台） （２） −ＧＧＧＪＩ： ヰｂε （３） 電極板 （４）−−−−−−−−−一 ターゲット（５）・−・
−・−・・ ヒータ （６） −−−−−−−−−−（Ｙ、Ｂｊ）３（Ｆｅ、
Δ］） ｓ Ｏ＋ｚｊｔ’結晶薄膜 である。 代理人 上屋 勝 〃 常包芳男 杉浦俊貴 第１図 第２１゛４ 基社混瓜（６ご） 第６図 第７Ａ図 （自発）手続補正書 昭和５９年、加１７日 拳−トＩ 特許庁長官殿 １、事（９の表示 昭和５８年特許願第２１６７５０号 ２、発明の名称 磁性薄膜の製造方法 大阪府大阪市東区道修町四丁目八番地 （４０Ｇ）日本板硝子株式会社 ５、補正命令の日付（発送日） 昭和 年 月 日６、
補正により増加する発明の数 ８、補正の内容 （り、明細書第７頁８行目及び第７頁１１行目のそれぞ
れの「第７Ｃ図」を「第８図」と補正します。 （２）、同第９頁９〜１７行目の［第３図に・曲曲・・
・・示した。」を下記の通り補正します。 記 ［第３図に試料５（基板温度５５Ｇ”Ｃ）のファラデー
回転角θＦ の波長依存性を、また第８図に試料３（基
板温度４９０℃）の７アラデ一回転角θ１の波長依存性
を示す。これらの図に示すように、波長０．４〜０．７
μｍの光に対するファラデー回転角θＦ はアニール後
の値で、試料５で１〜１ｏ度、試料３で１〜２０度であ
り極めて大きい。また両試料とも、特に０．５μｍ付近
において７アラデ一回転角θ、が著しく大ぎくなってい
ることがわかる。 なお第３図においては、スパッタ直後の薄膜（６）につ
いての測定結果を参考データとして併せて示した。」 （３）、同第１３頁下から５行の「グラフである。」を
下記の通り補正します。 「グ、７７、第８図は本発明に係る磁性薄膜の製造方法
の一実施例により製造された（Ｙ、■）ｓ （Ｆａ、Ａ
／）単結晶薄膜の７７ラデ一回転角θＦの光の波長依存
性を示す第３図と同様なグラフである。」（４）、第７
Ａ図〜第７Ｃ図を別紙の通り補正します。 （５）、第８図を追加します。 −以上一 第８図 丈、＆（μ峨）
例を示す高周波スパッタリング装置の電極４＝Ｊ近の構
造を示す断面図、第２図は本発明に係る磁性薄膜の製造
方法の一実施例により製造された（ Ｙ ＋ Ｂ ｉ
） ２ （Ｆ ｅ ＋へ１） ｓ Ｏ＋ｚ単結晶薄膜の
ファラデー回転角θ、及び保磁力Ｈ６の基板温度依存性
を示すグラフ、第３図は本発明に係る磁性薄膜の製造方
法の一実施例により製造された（Ｙ、 Ｂｉ） ３ （
１’ｅ。 ＡＩ） ｓ ０１２車結晶’ｔＷ Ｉ模のファラデー回
転角θ、の光の波長依７ｊ性を示すグラフ、第４図は本
発明に係る磁性画１１りの製造方法の一実施例により製
造された（Ｌ旧ＩＬ＋ （１’（！、八へ）Ｓ’０１２
単結晶薄膜の吸収係数αの波長依存性を示すグラフ、第
５図は本発明に係る磁性画１１つ！の製造方法の一実施
例により製造された（Ｙ、 ｌ１ｉ） ３ （ｌ’ｅ、
＾ｌ） ｓ ０１２単結晶薄膜のファラデー回転角／／
１ｏ）？Ａ！ｒ度依存性を示すグラフ、第６図は本発
明に係る磁性薄膜の製造方法の一実施例により製造さ一
１′１１人−（ＬＩｌ＋）Ｊ（Ｆｅ＋ 八Ｉ）Ｓ Ｏ＋
２単結晶薄１１りのヒスう一すシス特性を示すグラフ、
第７Ａ図〜第７Ｃ図は本発明に係る磁性薄膜の製造方法
の一実施例により製造された３つの異なる１模厚の（Ｙ
、Ｂｉ）３（ｌ・（号、八ｌ ） ’＋ ０１２４１結
晶薄ｌ模のヒステリシス＋、Ｉ７Ｈ性をシＪ：、ずグラ
フである。 な、Ｊ３図１ｔ１１に用いノこ符すにおいて。 ＜ １＞ ′、ｖ極板（試料台） （２） −ＧＧＧＪＩ： ヰｂε （３） 電極板 （４）−−−−−−−−−一 ターゲット（５）・−・
−・−・・ ヒータ （６） −−−−−−−−−−（Ｙ、Ｂｊ）３（Ｆｅ、
Δ］） ｓ Ｏ＋ｚｊｔ’結晶薄膜 である。 代理人 上屋 勝 〃 常包芳男 杉浦俊貴 第１図 第２１゛４ 基社混瓜（６ご） 第６図 第７Ａ図 （自発）手続補正書 昭和５９年、加１７日 拳−トＩ 特許庁長官殿 １、事（９の表示 昭和５８年特許願第２１６７５０号 ２、発明の名称 磁性薄膜の製造方法 大阪府大阪市東区道修町四丁目八番地 （４０Ｇ）日本板硝子株式会社 ５、補正命令の日付（発送日） 昭和 年 月 日６、
補正により増加する発明の数 ８、補正の内容 （り、明細書第７頁８行目及び第７頁１１行目のそれぞ
れの「第７Ｃ図」を「第８図」と補正します。 （２）、同第９頁９〜１７行目の［第３図に・曲曲・・
・・示した。」を下記の通り補正します。 記 ［第３図に試料５（基板温度５５Ｇ”Ｃ）のファラデー
回転角θＦ の波長依存性を、また第８図に試料３（基
板温度４９０℃）の７アラデ一回転角θ１の波長依存性
を示す。これらの図に示すように、波長０．４〜０．７
μｍの光に対するファラデー回転角θＦ はアニール後
の値で、試料５で１〜１ｏ度、試料３で１〜２０度であ
り極めて大きい。また両試料とも、特に０．５μｍ付近
において７アラデ一回転角θ、が著しく大ぎくなってい
ることがわかる。 なお第３図においては、スパッタ直後の薄膜（６）につ
いての測定結果を参考データとして併せて示した。」 （３）、同第１３頁下から５行の「グラフである。」を
下記の通り補正します。 「グ、７７、第８図は本発明に係る磁性薄膜の製造方法
の一実施例により製造された（Ｙ、■）ｓ （Ｆａ、Ａ
／）単結晶薄膜の７７ラデ一回転角θＦの光の波長依存
性を示す第３図と同様なグラフである。」（４）、第７
Ａ図〜第７Ｃ図を別紙の通り補正します。 （５）、第８図を追加します。 −以上一 第８図 丈、＆（μ峨）
Claims (1)
- 少なくとも旧原子、 ｌ’ｅ原子及び希土類原子を含む
酸化物から成るターゲットをスパッタし、このスパッタ
により前記ターゲソ１−から離脱した前記酸化物の構成
原子を３５０〜７００°Ｃに加熱されたＧＧＧ基板上に
被着することによって、このＧＧＧ基板上にｉＸ＋１
濃度Ｂ１置換鉄ガーネット単結晶薄膜をエビタ・１−シ
ャル成長させることを特徴とする磁性薄膜の製造ツノ法
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21675083A JPS60107815A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 磁性薄膜の製造方法 |
| US06/763,789 US4608142A (en) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Method of manufacturing magneto-optic recording film |
| EP19840904169 EP0196332B1 (en) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Method of manufacturing photothermomagnetic recording film |
| PCT/JP1984/000547 WO1985002292A1 (en) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Method of manufacturing photothermomagnetic recording film |
| DE8484904169T DE3482886D1 (de) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | Verfahren zur herstellung photothermomagnetischer aufzeichnungsfilme. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21675083A JPS60107815A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 磁性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107815A true JPS60107815A (ja) | 1985-06-13 |
| JPH0558251B2 JPH0558251B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=16693332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21675083A Granted JPS60107815A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107815A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124213A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-02-01 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | ビスマス置換フエリ磁性ガーネツト フイルムの形成方法 |
| JPS63312963A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Ricoh Co Ltd | 酸化物磁性体薄膜の製造方法 |
| US6759137B1 (en) | 1998-08-28 | 2004-07-06 | Centre National De La Recherche Scientifique, Inc. | Opto-magnetic recording medium with a garnet ferrite recording layer, and opto-magnetic information recording/reproducing device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4912398A (ja) * | 1972-05-16 | 1974-02-02 | ||
| JPS5613710A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Nec Corp | Material for magnetic element |
-
1983
- 1983-11-17 JP JP21675083A patent/JPS60107815A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4912398A (ja) * | 1972-05-16 | 1974-02-02 | ||
| JPS5613710A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Nec Corp | Material for magnetic element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124213A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-02-01 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | ビスマス置換フエリ磁性ガーネツト フイルムの形成方法 |
| JPS63312963A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Ricoh Co Ltd | 酸化物磁性体薄膜の製造方法 |
| US6759137B1 (en) | 1998-08-28 | 2004-07-06 | Centre National De La Recherche Scientifique, Inc. | Opto-magnetic recording medium with a garnet ferrite recording layer, and opto-magnetic information recording/reproducing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558251B2 (ja) | 1993-08-26 |
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