JPH0677081A - 磁気光学素子の製造方法 - Google Patents
磁気光学素子の製造方法Info
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- JPH0677081A JPH0677081A JP31263892A JP31263892A JPH0677081A JP H0677081 A JPH0677081 A JP H0677081A JP 31263892 A JP31263892 A JP 31263892A JP 31263892 A JP31263892 A JP 31263892A JP H0677081 A JPH0677081 A JP H0677081A
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- Japan
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- magneto
- optical element
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- single crystal
- crystal substrate
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
- H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
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- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 回折損失及び吸収損失のいずれも小さい磁気
光学素子の製造法を提供する。 【構成】 非磁性単結晶基板上に、ＬＰＥ法により１０
０μｍ以上の厚さにＢｉ置換稀土類鉄ガーネット膜を作
成した磁気光学素子を、８００〜１２００℃において酸
素含有雰囲気中で熱処理する。
光学素子の製造法を提供する。 【構成】 非磁性単結晶基板上に、ＬＰＥ法により１０
０μｍ以上の厚さにＢｉ置換稀土類鉄ガーネット膜を作
成した磁気光学素子を、８００〜１２００℃において酸
素含有雰囲気中で熱処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光アイソレータ、光サー
キュレータ、光スイッチ、光磁気センサ等に使用するの
に適したファラデー回転子等を構成できる磁気光学素子
の製造方法に関する。
キュレータ、光スイッチ、光磁気センサ等に使用するの
に適したファラデー回転子等を構成できる磁気光学素子
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光アイソレータ、光サーキュレータ、光
スイッチ等に使用するのに適したファラデー回転子を構
成するための磁気光学素子は回転角を大きくするためと
磁界の変動の影響を抑えるために一般に光透過軸方向に
磁化を飽和させて使用する。最近、Ｂｉで置換した稀土
類鉄ガーネット材料はファラデー回転能が大きく有望視
されているが、この型の磁気光学素子はファラデー回転
角の温度変化が大きいことが欠点である。この欠点を改
善するために、本発明者等はＢｉで置換した稀土類鉄ガ
ーネット材料（例えばＢｉx Ｐy Ｑ3-x-y Ｆｅ5-w Ｍw
Ｏ12、ただしＰはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｌｕよ
り選択され、ＱはＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒより選
択される。ｘは０．７〜２．０）を飽和磁界以下の磁界
で使用すれば温度補償が可能なことを発見し、温度安定
性が良くファラデー回転角の大きい未飽和型ファラデー
回転子を提供した（特願平２−１３６９８８号等）。
スイッチ等に使用するのに適したファラデー回転子を構
成するための磁気光学素子は回転角を大きくするためと
磁界の変動の影響を抑えるために一般に光透過軸方向に
磁化を飽和させて使用する。最近、Ｂｉで置換した稀土
類鉄ガーネット材料はファラデー回転能が大きく有望視
されているが、この型の磁気光学素子はファラデー回転
角の温度変化が大きいことが欠点である。この欠点を改
善するために、本発明者等はＢｉで置換した稀土類鉄ガ
ーネット材料（例えばＢｉx Ｐy Ｑ3-x-y Ｆｅ5-w Ｍw
Ｏ12、ただしＰはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｌｕよ
り選択され、ＱはＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒより選
択される。ｘは０．７〜２．０）を飽和磁界以下の磁界
で使用すれば温度補償が可能なことを発見し、温度安定
性が良くファラデー回転角の大きい未飽和型ファラデー
回転子を提供した（特願平２−１３６９８８号等）。
【０００３】
【発明が解決すべき課題】しかしながら、飽和磁界より
も小さい磁界を印加すると次のような新たな問題点が生
じる。すなわち、Ｂｉを多量に含有する磁気ガーネット
材料をＬＰＥ（液相エピタキシアル成長法）で単結晶基
板上に成長させると、誘導磁気異方性によりこのガーネ
ット材料は通常垂直磁化型（板面に垂直）となり、磁化
しない状態では自発磁化により垂直磁化の多磁区構造を
有している。これを飽和に至らない程度の磁化状態で使
用すると、光透過方向の垂直磁化を有する大きな磁区と
逆方向の磁化を有する小さな磁区の交互した磁化パター
ンが生じ、磁化方向と平行に直線偏光の光が入射する
と、ファラデー効果によって偏光面が両種の磁区で互い
に反対方向に回転して回折が生じる。このように多磁区
構造では磁気光学材料は回折格子として作用して回折損
失を生じる。
も小さい磁界を印加すると次のような新たな問題点が生
じる。すなわち、Ｂｉを多量に含有する磁気ガーネット
材料をＬＰＥ（液相エピタキシアル成長法）で単結晶基
板上に成長させると、誘導磁気異方性によりこのガーネ
ット材料は通常垂直磁化型（板面に垂直）となり、磁化
しない状態では自発磁化により垂直磁化の多磁区構造を
有している。これを飽和に至らない程度の磁化状態で使
用すると、光透過方向の垂直磁化を有する大きな磁区と
逆方向の磁化を有する小さな磁区の交互した磁化パター
ンが生じ、磁化方向と平行に直線偏光の光が入射する
と、ファラデー効果によって偏光面が両種の磁区で互い
に反対方向に回転して回折が生じる。このように多磁区
構造では磁気光学材料は回折格子として作用して回折損
失を生じる。
【０００４】特願平３−９４８５１号において本発明者
等は熱処理により面内磁化成分を有し未飽和磁化でも反
転垂直磁化が生じない磁気光学材料を提供した。しか
し、好ましい熱処理条件に関しては何の記載もない。な
お、ＬＰＥ膜の垂直磁化性が熱処理により消失すること
はＡ．Ｊ．Ｋｕｒｔｚｉｇ外「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａ
ｃｔｉｏｎ Ｍａｇｎ．７，４７３（１９７１）」等の
文献により知られているが、Ｂｉ置換稀土類鉄ガーネッ
トに関するものではなく、Ｂｉ置換稀土類鉄ガーネット
を安定に且つ低損失に製造する方法は知られていない。
等は熱処理により面内磁化成分を有し未飽和磁化でも反
転垂直磁化が生じない磁気光学材料を提供した。しか
し、好ましい熱処理条件に関しては何の記載もない。な
お、ＬＰＥ膜の垂直磁化性が熱処理により消失すること
はＡ．Ｊ．Ｋｕｒｔｚｉｇ外「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａ
ｃｔｉｏｎ Ｍａｇｎ．７，４７３（１９７１）」等の
文献により知られているが、Ｂｉ置換稀土類鉄ガーネッ
トに関するものではなく、Ｂｉ置換稀土類鉄ガーネット
を安定に且つ低損失に製造する方法は知られていない。
【０００５】したがって本発明の目的は、１００μｍ以
上の厚さでも回折損失の少ないＢｉ置換稀土類鉄ガーネ
ット膜を作成することができる方法を提供することであ
る。本発明の他の目的は、回折損失、吸収損失共に少な
いＢｉ置換稀土類鉄ガーネット膜を製造することであ
る。本発明の更に他の目的は製造時に割れることなく安
定にＢｉ置換稀土類鉄ガーネット膜を製造することであ
る。
上の厚さでも回折損失の少ないＢｉ置換稀土類鉄ガーネ
ット膜を作成することができる方法を提供することであ
る。本発明の他の目的は、回折損失、吸収損失共に少な
いＢｉ置換稀土類鉄ガーネット膜を製造することであ
る。本発明の更に他の目的は製造時に割れることなく安
定にＢｉ置換稀土類鉄ガーネット膜を製造することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性単結晶
基板上に、ＬＰＥ法により１００μｍ以上の厚さにＢｉ
置換稀土類鉄ガーネット膜を作成した磁気光学素子を、
８００〜１２００℃において酸素含有雰囲気中で熱処理
することを特徴とする磁気光学素子の製造方法である。
熱処理の前に非磁性単結晶基板を除去すると熱応力によ
る割れを回避できるが、熱処理温度が低ければ基板を除
去しなくても良い。また、低温側で熱処理してもＢｉ置
換量が多ければ十分な効果が得られる。
基板上に、ＬＰＥ法により１００μｍ以上の厚さにＢｉ
置換稀土類鉄ガーネット膜を作成した磁気光学素子を、
８００〜１２００℃において酸素含有雰囲気中で熱処理
することを特徴とする磁気光学素子の製造方法である。
熱処理の前に非磁性単結晶基板を除去すると熱応力によ
る割れを回避できるが、熱処理温度が低ければ基板を除
去しなくても良い。また、低温側で熱処理してもＢｉ置
換量が多ければ十分な効果が得られる。
【０００７】磁気光学材料のＬＰＥ法による製造法は公
知であり、Ｂｉ置換稀土類ガーネット材料、特に Ｂｉx Ｒ3-x Ｆｅ5-w Ｍw Ｏ12 （ここにＲは稀土類元素及び置換し得る元素（Ｐｂ、
Ｙ、Ｃａなど）であり、ＭはＦｅを置換し得る元素（Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃなど）であり、ｘ，ｗは０．５≦
ｘ≦２．０，０≦ｗ≦１．０を満足する）を、フラック
スとしてＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 等を用い、非磁
性単結晶基板上にＬＰＥ成長させる。これによりほぼ所
定の結晶性を有するＢｉ置換稀土類ガーネット材料が生
成するが、十分なファラデー回転角回転を得るには１０
０μｍ以上を必要とする。こうしてほぼ垂直方向の磁化
を有するＢｉ置換稀土類ガーネットが成長する。次にラ
ッピング、ポリッシュ等により基板を除去する。基板を
除去しないと熱処理時に基板と膜との熱膨張率差のため
に膜は割れてしまう場合があるので、熱処理時の前に基
板を除去することが好ましいが、熱処理温度が８００〜
１０００℃と低ければ、基板を除去しなくても割れの問
題は回避できる。また低温側での熱処理してもＢｉの含
有量を多くすれば（ｘ＝１．０〜２．０）回折損失を十
分小さくできる。
知であり、Ｂｉ置換稀土類ガーネット材料、特に Ｂｉx Ｒ3-x Ｆｅ5-w Ｍw Ｏ12 （ここにＲは稀土類元素及び置換し得る元素（Ｐｂ、
Ｙ、Ｃａなど）であり、ＭはＦｅを置換し得る元素（Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃなど）であり、ｘ，ｗは０．５≦
ｘ≦２．０，０≦ｗ≦１．０を満足する）を、フラック
スとしてＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 等を用い、非磁
性単結晶基板上にＬＰＥ成長させる。これによりほぼ所
定の結晶性を有するＢｉ置換稀土類ガーネット材料が生
成するが、十分なファラデー回転角回転を得るには１０
０μｍ以上を必要とする。こうしてほぼ垂直方向の磁化
を有するＢｉ置換稀土類ガーネットが成長する。次にラ
ッピング、ポリッシュ等により基板を除去する。基板を
除去しないと熱処理時に基板と膜との熱膨張率差のため
に膜は割れてしまう場合があるので、熱処理時の前に基
板を除去することが好ましいが、熱処理温度が８００〜
１０００℃と低ければ、基板を除去しなくても割れの問
題は回避できる。また低温側での熱処理してもＢｉの含
有量を多くすれば（ｘ＝１．０〜２．０）回折損失を十
分小さくできる。
【０００８】基板を除去したＢｉ置換稀土類ガーネット
材料を酸素雰囲気、好ましくは純酸素中で８００〜１２
００℃で熱処理する。基板を除去しないＢｉ置換稀土類
ガーネット材料では８００〜１０００℃で熱処理する。
これにより垂直磁化は減少し、面内磁化が支配的とな
る。８００℃未満では垂直磁化の低減効果が十分でな
い。１２００℃を越えると表面が荒れ、仕上工程で表面
研磨により除去しなければならない量が増える。また酸
素雰囲気を使用するのは光吸収が増大しない様にするた
めである。窒素や空気中で処理すると吸収損失が大きく
なる。したがって酸素は十分に多量としあるいは純酸素
とする。熱処理が終わったら、荒れた両表面を研磨す
る。
材料を酸素雰囲気、好ましくは純酸素中で８００〜１２
００℃で熱処理する。基板を除去しないＢｉ置換稀土類
ガーネット材料では８００〜１０００℃で熱処理する。
これにより垂直磁化は減少し、面内磁化が支配的とな
る。８００℃未満では垂直磁化の低減効果が十分でな
い。１２００℃を越えると表面が荒れ、仕上工程で表面
研磨により除去しなければならない量が増える。また酸
素雰囲気を使用するのは光吸収が増大しない様にするた
めである。窒素や空気中で処理すると吸収損失が大きく
なる。したがって酸素は十分に多量としあるいは純酸素
とする。熱処理が終わったら、荒れた両表面を研磨す
る。
【０００９】
実施例１ 非磁性単結晶基板としてＣａ、Ｍｇ、Ｚｒ置換のＧｄ3
Ｇａ5 Ｏ12基板を使用し、メルトの主原料としてＰｂ
Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｙ2.Ｏ3 、Ｈ
ｏ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 を使用し、成長温度７５０℃にお
いて、ＬＰＥ法により主組成Ｂｉ1.3 （ＹＨｏＬａ）
1.7 Ｆｅ5 Ｏ12の磁気光学素子を基板上に３００μｍの
厚さに成長させた。得られた試料は垂直方向の磁化成分
を有した。基板を除去した後、表１に示す温度、時間、
及び雰囲気条件で熱処理に付した。すべての試料に割れ
は観測されなかった。熱処理済の試料の回折損失（磁界
０で）及び吸収損失を測定したところ表１の結果を得
た。測定波長は１．３μｍであり、厚さはすべて２００
μｍである。
Ｇａ5 Ｏ12基板を使用し、メルトの主原料としてＰｂ
Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｙ2.Ｏ3 、Ｈ
ｏ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 を使用し、成長温度７５０℃にお
いて、ＬＰＥ法により主組成Ｂｉ1.3 （ＹＨｏＬａ）
1.7 Ｆｅ5 Ｏ12の磁気光学素子を基板上に３００μｍの
厚さに成長させた。得られた試料は垂直方向の磁化成分
を有した。基板を除去した後、表１に示す温度、時間、
及び雰囲気条件で熱処理に付した。すべての試料に割れ
は観測されなかった。熱処理済の試料の回折損失（磁界
０で）及び吸収損失を測定したところ表１の結果を得
た。測定波長は１．３μｍであり、厚さはすべて２００
μｍである。
【００１０】
【表１】
【００１１】表１から、酸素含有雰囲気中、特に純酸素
中で熱処理したものは回折損失及び吸収損失のいずれも
小さく、優れた特性を有することがわかる。また赤外偏
光顕微鏡により磁区構造を観察したところ、熱処理した
ものは、未処理のものと比較して磁区の幅が大きくなっ
ており、垂直磁化性が減少していることを確認した。更
にこの試料を飽和以下である１．３ｋＯｅの磁界の下に
配置し、光アイソレータを構成したところ、挿入損失が
０．２ｄＢと低損失でかつ温度特性も優れたものであっ
た。また同様に磁界が０付近で通常使用する光磁気セン
サに、この試料を応用したところ、従来より１ｄＢ程度
低損失のセンサを実現することができた。
中で熱処理したものは回折損失及び吸収損失のいずれも
小さく、優れた特性を有することがわかる。また赤外偏
光顕微鏡により磁区構造を観察したところ、熱処理した
ものは、未処理のものと比較して磁区の幅が大きくなっ
ており、垂直磁化性が減少していることを確認した。更
にこの試料を飽和以下である１．３ｋＯｅの磁界の下に
配置し、光アイソレータを構成したところ、挿入損失が
０．２ｄＢと低損失でかつ温度特性も優れたものであっ
た。また同様に磁界が０付近で通常使用する光磁気セン
サに、この試料を応用したところ、従来より１ｄＢ程度
低損失のセンサを実現することができた。
【００１２】実施例２ 非磁性単結晶基板としてＣａ、Ｍｇ、Ｚｒ置換のＧｄ3
Ｇａ5 Ｏ12基板を使用し、メルトの主原料としてＰｂ
Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｙ2.Ｏ3 、Ｈ
ｏ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 を使用
し、成長温度７６０℃において、ＬＰＥ法により主組成
Ｂｉ1.3 （ＹＨｏＬａ）1.7 （ＦｅＧａＴｉ）5 Ｏ12の
磁気光学素子を、基板上に３００μｍの厚さに成長させ
た。Ｔｉは光吸収損失を低減するために微量添加した。
得られた試料は垂直方向の磁化成分を有した。基板を除
去した後、表２に示す温度、時間、及び雰囲気条件で熱
処理に付した。熱処理済の試料の回折損失及び吸収損失
を測定したところ表２の結果を得た。測定波長は１．３
μｍであり、厚さはすべて１５０μｍである。
Ｇａ5 Ｏ12基板を使用し、メルトの主原料としてＰｂ
Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｙ2.Ｏ3 、Ｈ
ｏ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 を使用
し、成長温度７６０℃において、ＬＰＥ法により主組成
Ｂｉ1.3 （ＹＨｏＬａ）1.7 （ＦｅＧａＴｉ）5 Ｏ12の
磁気光学素子を、基板上に３００μｍの厚さに成長させ
た。Ｔｉは光吸収損失を低減するために微量添加した。
得られた試料は垂直方向の磁化成分を有した。基板を除
去した後、表２に示す温度、時間、及び雰囲気条件で熱
処理に付した。熱処理済の試料の回折損失及び吸収損失
を測定したところ表２の結果を得た。測定波長は１．３
μｍであり、厚さはすべて１５０μｍである。
【００１３】
【表２】
【００１４】表２より、酸素含有雰囲気中での熱処理に
よって、熱処理無しのものに比較して８００℃で処理し
たものは回折損失が半減し、８５０℃〜１０５０℃で処
理したものは更に低減し、また吸収損失も小さくなって
いる。
よって、熱処理無しのものに比較して８００℃で処理し
たものは回折損失が半減し、８５０℃〜１０５０℃で処
理したものは更に低減し、また吸収損失も小さくなって
いる。
【００１５】実施例３ 実施例２において、測定波長は１．３μｍであり、厚さ
はすべて２５０μｍとした。処理条件及び測定結果を表
３に示す。
はすべて２５０μｍとした。処理条件及び測定結果を表
３に示す。
【００１６】
【表３】
【００１７】表３より、酸素含有雰囲気中での熱処理に
よって、熱処理無しのものに比較して８５０℃で処理し
たものは回折損失が大幅に低減しており、また吸収損失
も小さくなっている。
よって、熱処理無しのものに比較して８５０℃で処理し
たものは回折損失が大幅に低減しており、また吸収損失
も小さくなっている。
【００１８】実施例４ 実施例２と同様の試料を基板を除去しないで８５０℃×
５ｈ，Ｏ2 中で熱処理したところ、割れは観測されなか
った、一方、１０５０℃×５ｈ，Ｏ2 中で熱処理したと
ころ、割れが観測された。
５ｈ，Ｏ2 中で熱処理したところ、割れは観測されなか
った、一方、１０５０℃×５ｈ，Ｏ2 中で熱処理したと
ころ、割れが観測された。
【００１９】
【作用効果】以上のように、酸素含有雰囲気、特に純酸
素中で熱処理したものは回折損失及び吸収損失のいずれ
も小さく、優れた特性を有することがわかる。一般に、
ＬＰＥ法により１００μｍ以上の厚さに形成したＢｉ置
換稀土類鉄ガーネット膜は、８００〜１２００℃酸素含
有雰囲気中で熱処理すると回折損失及び吸収損失のいず
れも小さくなる。なお、非磁性単結晶基板は熱処理温度
が低温側ならば基板割れが生じないので除去しなくても
良い。
素中で熱処理したものは回折損失及び吸収損失のいずれ
も小さく、優れた特性を有することがわかる。一般に、
ＬＰＥ法により１００μｍ以上の厚さに形成したＢｉ置
換稀土類鉄ガーネット膜は、８００〜１２００℃酸素含
有雰囲気中で熱処理すると回折損失及び吸収損失のいず
れも小さくなる。なお、非磁性単結晶基板は熱処理温度
が低温側ならば基板割れが生じないので除去しなくても
良い。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 10/24
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性単結晶基板上に、ＬＰＥ法により
１００μｍ以上の厚さにＢｉ置換稀土類鉄ガーネット膜
を作成した磁気光学素子から、非磁性単結晶基板を除去
した後、８００〜１２００℃において酸素含有雰囲気中
で熱処理することを特徴とする磁気光学素子の製造方
法。 - 【請求項２】 酸素含有雰囲気は純酸素ガスである請求
項１に記載の磁気光学素子の製造方法。 - 【請求項３】 Ｂｉ置換稀土類鉄ガーネットが Ｂｉx Ｒ3-x Ｆｅ5-w Ｍw Ｏ12 （ここにＲは稀土類元素及び置換し得る元素であり、Ｍ
はＦｅを置換し得る元素であり、ｘ，ｗは０．５≦ｘ≦
２．０，０≦ｗ≦１．０を満足する）である請求項１ま
たは２に記載の磁気光学素子の製造方法。 - 【請求項４】 非磁性単結晶基板上に、ＬＰＥ法により
１００μｍ以上の厚さにＢｉ置換稀土類鉄ガーネット Ｂｉx Ｒ3-x Ｆｅ5-w Ｍw Ｏ12 （ここにＲは稀土類元素及び置換し得る元素であり、Ｍ
はＦｅを置換し得る元素であり、ｘ，ｗは１．０≦ｘ≦
２．０，０≦ｗ≦１．０を満足する）の膜を作成した磁
気光学素子を、８００〜１０００℃において酸素含有雰
囲気中で熱処理することを特徴とする磁気光学素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31263892A JPH0677081A (ja) | 1991-12-25 | 1992-10-29 | 磁気光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-356564 | 1991-12-25 | ||
| JP35656491 | 1991-12-25 | ||
| JP31263892A JPH0677081A (ja) | 1991-12-25 | 1992-10-29 | 磁気光学素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677081A true JPH0677081A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=26567255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31263892A Pending JPH0677081A (ja) | 1991-12-25 | 1992-10-29 | 磁気光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677081A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008074703A (ja) * | 1998-02-20 | 2008-04-03 | Seikoh Giken Co Ltd | ビスマス置換型ガーネット厚膜材料 |
| US12105160B2 (en) * | 2021-08-20 | 2024-10-01 | Research Institute For Electromagnetic Materials | Magneto-optical material and method for producing same |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP31263892A patent/JPH0677081A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008074703A (ja) * | 1998-02-20 | 2008-04-03 | Seikoh Giken Co Ltd | ビスマス置換型ガーネット厚膜材料 |
| US12105160B2 (en) * | 2021-08-20 | 2024-10-01 | Research Institute For Electromagnetic Materials | Magneto-optical material and method for producing same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030304 |