JPS60107736A - 光ディスクメモリにおける信号読出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、光デイスクメモリにおける信号読出方法に
関する。

（従来技術） 情報を記録した光デイスクメモリ媒体からの反射光もし
くは透過光によシ、上記記録情報な読与出す光ティスフ
メモリ装置が知られている。

第１図は１光デイスクメモリ装置の典型的１例を要部の
み略示している。

以下、この例にｆｆ１ｌ　して記録情報読出について簡
単に説明し、あわせて、本発明によシ解決しようとする
問題に一つき説明する。

第１図において、符号１は光デイスクメモリ媒体、符号
４はスピンドルモータ、符号５は半導体レーザ、符号６
はコリメートレンズ、符号７は偏光ビームスプリ、り、
符号８は１／４波長板、符号９は集光レンズ、符号ｌＯ
はフォトダイオードを、それぞれ示している。

光デイスクメモリ】は、透明基＆２０片面に、光反射性
記録層３を設けてなり、スピンドルモータ４の軸に取つ
けられ、同モータ４ＫＪニジ回転きせられるようになっ
ている。

光反射性記録層３には、小孔、光学特性の変化、記録層
の凹凸、等によってピットが形成されている。

半導体レーザ５からのレーザ光束は、コリメートレンズ
６１Ｃよシ平行光束化され、偏向ビームスグリツタｌ、
／４波長＆８を介して集光レンズ９に入射し、回しンス
９の作用Ｖこより、光ティスフメモリ１のｙｔ反射性記
鋒層３上に集光する。

光反射注記μ層３からの反射光は、東光しンス９．１／
４波長板８を介して偏光ヒームスプリッタ７に入射し、
同ビ〜ムスプリッタ７により反射されて、フォトダイオ
ード］ｏに入射し、光電変換されて、記録信号Ｓｇとな
る。もちろん、このとき光ディスクメモリ媒１本１しま
スピンドルモータ４により等速回転する。

すなわち、第２図に示すように、フォトダイオード１０
に生ずる光電流は、増幅器Ａ１と抵抗１七１とによって
電圧信号に変換され、出方端子に、読取信号Ｓｇが得ら
れる。

さて、このような光デイスクメモリンステムにおいて、
光ティスフメモリ媒体における記録密度を上げようとし
て、媒体上に書す込まれるビットのピ、１・長を短かく
すると、読取信号において、ピット間干渉が発生し、ビ
ット長の正しい書生ができなくなり、エラー発生の原因
となる。

（目　的） そこで、本発明の目的は、上記の如き不都合を、改良し
、光ティスフメモリ媒体における、記録晶度を向上させ
つる、光ティスフメモリにおける伝号読出方法の提供に
ある。

（構　成） 以下、本発明を説明す、る。

本発明の信号読出方法では、光ティスフメモリ媒体から
の反射光もしくは透過光を受光して得られる光電変換信
号Ａと、この信号Ａを２次像分し２Ａ で得られる信号Ｂ　（−届ア）　Ｋ対し、ｋｌ、に２を
係数として、ｋｌＡ　ｋ２Ｂなる演算が行なわれ、との
に、Ａ−に２Ｂが、読取信号として用いられる。そして
、係数ｋｌ＋ｋｚが、ビット長シフＩ・を可及的に小さ
くするように設定される。

以下、具体的に説明する。

？Ｉ４３図ｖｃｈいて、符号Ｐはピット、符号５Ｐｆ１
、ビット間のスペースを示す。またＴは、最小ビット長
を示す。

この最小ビット長Ｔが、書込読出レーザービーム径より
も小さくなってくると、読み出した読取信号Ａから検出
されるビット長は、そのピットの前後のパターンに応じ
て変化するようになる。今、図の如く、最小ビットＪｋ
をＴ、この最小ピット長Ｔからずれて検出されるビット
長を１１とするとき、長シフトが発生ずると、書込波形
をＩｊＪ生できなくなりエラー発生の原因となるので、
情報読出時には、ビット長ンフｊ・を「り次的に小さく
１゛るｌ・要がある。

ビット長Ｔとスペース長Ｔが同じ長さＴで繰返してｂる
場合（第２３図左方の状８）ＶＣは、ビットパターンの
書込時Ｖこ、書込レーザーのパワーを適切に与えさえず
れば、ビット長とスペース長を１０１−の長さに市ＩＪ
　１ｉ１４１できる。

しかるに、ビット長Ｔのビットが、長いスペース長２Ｔ
にはきよれている場合には、第３図の信号Ａの如く、１
’Ｆ４　＋ｉ′Ａから検出されるビット長（ｌは、ビｙ
ｌ−＆Ｔとことなったものとなる。第３図に示同例に、
反射薩のある色素博Ｊ摸を光反射性記録層とし、半値ビ
ーム幅０．９μｍのレーザスポット径で、１込読出を行
った場合のデータを示している。

図から明らかなように、１．はＴよりも小さい。しかる
に信号Ａを２次像分することによって得られる信号Ｂに
ついてみると、検出ビット艮１．を力えるビットについ
て、信号Ｂのセロクロス点から得られるビット長ｔ２は
、実際のビット長長Ｔよりも長くなる。

一般に、信号ＡとＢとで、一方が、Ｗ実のビット長より
長くなると、他方は、ピ、１・長Ｔより短くなる傾向が
ある。さらに、信号ＡとＢとでは、信号の正負が互いに
逆転している。

従って、係数に、、に２を用いて、信号Ａ　、　Ｂから
、ＪＡ−に２Ｂなる伍を演碑−算出し、ｋｌ、に２を適
当に選ぶと、このｋＩＡ−に２Ｂにより検出されるビッ
ト長においてビット長ンフトを（〕とすることがでさる
はずである。第３図の例において、１．１−に２−１の
場合、すなわち、Ａ−Ｂなる量を考えて見ると、第３図
に示すよｅ）に、上記恢υ）ビ、１・長ｔｉを与えるピ
ットに対し、信号Ａ−Ｂのイ」い１ｑ１１父叉点から得
られるビット長ｔ３ば、はとんど、ビット長Ｔと等しい
。なお、第３図において、各信号Ａ、Ｂ、Ａ−Ｈに対す
る横軸は、信号ＡおよびＡ−Ｂについては平均レベル、
信号ＢＫついては０レベルである。

第４１ＸＩＫは、第３図に示す例に訃いて、信号Ａから
、信号Ａ−Ｂを得る回路を示す。混同の虞れはないと思
われるので、第２図に示す各部と同一部分については、
第２図におけると同一の符号を用いた。

光ティスフメモリ媒体からの反射光２０がフォトダイオ
ード１０に入射すると、光′電流に変換される。

この光電流は、増幅器Ａ１と抵抗ＲＩ　Ｋよシミ圧信号
に変換される。かくして得られる信号Ａは、一方におい
て差動増幅器Ａ２に印加され、他方において、２次微分
回路２１に印加されて、２欠截分処理、２Ａ すなわち−ｄｔ２−の演昇がなされている。かくして得
られる信号Ｂも、差動増幅器Ａ２に印加され、差動増幅
器Ａ２の出力として、信号Ａ−Ｂが得られる。

上述の如く、本発明の読出方法は、光デイスクメモリ媒
体からの反射光もしくは透過光を受光して得られる充電
変換信号と、その２次微分信号Ｂとを、ｋ＋　：　ｋ２
の比で混合し、各信号のヒ′ット長シフトを相殺し、書
込み時のビット長を、最大限忠実にｍｔみ出すことを１
」能とするものである。

ピッＨｔシフトは、光ティスフメモリ媒体の構成、作製
条件、ビット長、レーザスボ、１・径により変化するの
で、これらに１５して、ｋ、Ａ−に２Ｂのど、ト長シフ
トを可及的に小さくするように、混合比に１：　ｋ２を
定めるのである。

（効　果） このように、本発明の信号読出方法では、ビット長が短
かい場合にも、適正な情報読出が町ｈヒとなる。

例えば、第３図に示す例の場合、最小ビット長に対スる
ビット長シフトは、信号Ａ、Ｂ、Ａ−Ｂのそれぞれにつ
いて、第５図の曲線５−１．５−２．５−３の如く変化
する。

最小ビット長を、仮に０．８μｍとしてみると、信号Ａ
を読取信号とする場合は、ピット長シフトは−】９％（
長さにして、０．１５２μｍ）もあるのに対し、信号Ａ
−Ｂを読取信号とする場合は６％（長さにして、００４
８μｍ）と］／３以下に改善される。

促って読取信号のジッタも低減される。上記の如く、ピ
ット長シフトが１／３に改善されるということは、別の
方面から表現すれば、情報蕃度を、１、３倍に向上させ
うろことを意味する。促って。

本発明により、光ティスフメモリ媒体における記録情報
密度を有効に同上させることができる。

なお、光デイスクメモリ媒体に書込まれている信号が直
流成分をもたないときは、第４図の回路を交流結合にし
てもよく、さらＫＡ−Ｂという信号の倣分処理あるいは
２次微分処理を行ってもよい。また、２次微分処理によ
って発生しやすい。

高周波成分のノイスを取除（ため、低域通過フィルター
を加えてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、光ティスフメモリシステムを説
明するだめの図、第３図および第４図は、本発明を説明
するための図、第５図は、本発明の詳細な説明するため
の図である。 １・・・光デイスクメモリ媒体、］（）・・・フォトダ
イオード、２】・・・２次像分回路％Ａ２・・・差動増
幅器。 り） Ｕ〕 ｑコ ＜（１ １）ム叱７３ＮＬ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 元ディスクメモリ媒体からの反射光もしくは透過光を受
   光して得られる光電変換信号Ａと、この信号Ａを２次微
   分して得られる信号Ｂに対し、ｋｌ。 ｋ２を係数として、ＪＡ−に、Ｂなる演算を行ない、こ
   のに、Ａ−に２Ｂを読取信号として用い、かつ、上記ｋ
   １．に２を、ピット長シフトが可及的に小さくなるよう
   に設定することを特徴とする、光デイスクメモリにおけ
   る信号読出方法。