JPS60107034A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPS60107034A JPS60107034A JP58215348A JP21534883A JPS60107034A JP S60107034 A JPS60107034 A JP S60107034A JP 58215348 A JP58215348 A JP 58215348A JP 21534883 A JP21534883 A JP 21534883A JP S60107034 A JPS60107034 A JP S60107034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrode
- masking
- segment
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置製造に用いられる投影露光装置、
特にそのマスキングアパーチャに関するものである。
特にそのマスキングアパーチャに関するものである。
従来例によるこの種の投影露光装置とそのマスギングア
パーチャとの概要構成を第１図および第２図に示しであ
る。すなわち、これらの第１図および第２図構成におい
て、符号１は投光用の光源、２はこの光源１からの平行
光線に集光させるためのコンデンサレンズ、３はマスキ
ングアパーチャ、４Ｌこのマスキングアパーチャ３によ
って制限された平行光線が照射されるレティクル、５は
縮小レンズ、６はレティクル４上に描かれたパターンが
縮小投影される半導体ウェハでおる。そして前記マスキ
ングアパーチャ３は第２図から明らかなように、相互に
矢印に示す二次元方向に対向して動作し得るようにした
２組の可動板７ａ、７ｂとからなっていて、投影露光に
際して前記レティクル４の不必要部分をマスキングする
ものである。
パーチャとの概要構成を第１図および第２図に示しであ
る。すなわち、これらの第１図および第２図構成におい
て、符号１は投光用の光源、２はこの光源１からの平行
光線に集光させるためのコンデンサレンズ、３はマスキ
ングアパーチャ、４Ｌこのマスキングアパーチャ３によ
って制限された平行光線が照射されるレティクル、５は
縮小レンズ、６はレティクル４上に描かれたパターンが
縮小投影される半導体ウェハでおる。そして前記マスキ
ングアパーチャ３は第２図から明らかなように、相互に
矢印に示す二次元方向に対向して動作し得るようにした
２組の可動板７ａ、７ｂとからなっていて、投影露光に
際して前記レティクル４の不必要部分をマスキングする
ものである。
従ってこの従来例の場合、マスキングアパーチャ３につ
いては、レティクル４のマスキングのために、２組から
なる個々の可動板７ ａ＋ ７ ｂを調整操作の度毎に
機械的に作動させる必要があり、機械的精度とか塵埃発
生の問題などの欠点を有するものであった。
いては、レティクル４のマスキングのために、２組から
なる個々の可動板７ ａ＋ ７ ｂを調整操作の度毎に
機械的に作動させる必要があり、機械的精度とか塵埃発
生の問題などの欠点を有するものであった。
この発明は従来のこのような実状に鑑み、機械的マスキ
ング作動を必要としていた従来のマスキングアパーチャ
に換え、電気的マスキング作動によって同様な作用を得
られるマスキングアパーチャとしての液晶板を用いるよ
うにし、これによって機械的マスキングでの欠点を改善
させたものである。
ング作動を必要としていた従来のマスキングアパーチャ
に換え、電気的マスキング作動によって同様な作用を得
られるマスキングアパーチャとしての液晶板を用いるよ
うにし、これによって機械的マスキングでの欠点を改善
させたものである。
以下この発明に係る投影露光装置に適用されるマスキン
グアパーチャの一実施例につき、第３図および第４図を
参照して詳細に説明する。
グアパーチャの一実施例につき、第３図および第４図を
参照して詳細に説明する。
第３図はこの実施例装置のマスキングアパーチャとして
用いる液晶板の概要構成断面図を、また第４図は同上液
晶板の分解斜視図をそれぞれに示している。すなわち、
これらの各図において、マスキングアパーチャとして用
いる液晶板８は、透明電極によるＸ方向（縦または横方
向）セグメント電極９を有する第１層液晶基板１０と、
透明絶縁層１１と、透明電極による共通電極板１２と、
透明絶縁層１３と、透明電極によるＹ方向（横または縦
方向）セグメント電極１４を有する第２層液晶基板１５
とをこの順序に積層させると共に、各セグメント電極９
，１４０それぞれと、共通電極板１２との間には、制御
回路１６．１７を介して選択的に電圧を印加し得るよう
にしたものである０ 従ってこのマスキングアパーチャとしての液晶板８にお
いては、相互ｖＣＸ 、 Ｙ方向に直交する各セグメン
ト電極９．１４のそれぞれに選択された電極部分に電圧
を印加させることにより、これらの各電極部分と共通ｉ
！電極板２の対応電極部分との間に所定の電位を生じ、
その該当部分の第１層および第２層各液晶基板１０．ｉ
５の液晶の状態に変化が起き、この状態変化に伴って同
部分が遮光部分となって、前記従来での機ｔｔａ的マ的
中スキングアパーチャけると同様に、レティクル４に対
するマスキング作用を得ることができるのである。
用いる液晶板の概要構成断面図を、また第４図は同上液
晶板の分解斜視図をそれぞれに示している。すなわち、
これらの各図において、マスキングアパーチャとして用
いる液晶板８は、透明電極によるＸ方向（縦または横方
向）セグメント電極９を有する第１層液晶基板１０と、
透明絶縁層１１と、透明電極による共通電極板１２と、
透明絶縁層１３と、透明電極によるＹ方向（横または縦
方向）セグメント電極１４を有する第２層液晶基板１５
とをこの順序に積層させると共に、各セグメント電極９
，１４０それぞれと、共通電極板１２との間には、制御
回路１６．１７を介して選択的に電圧を印加し得るよう
にしたものである０ 従ってこのマスキングアパーチャとしての液晶板８にお
いては、相互ｖＣＸ 、 Ｙ方向に直交する各セグメン
ト電極９．１４のそれぞれに選択された電極部分に電圧
を印加させることにより、これらの各電極部分と共通ｉ
！電極板２の対応電極部分との間に所定の電位を生じ、
その該当部分の第１層および第２層各液晶基板１０．ｉ
５の液晶の状態に変化が起き、この状態変化に伴って同
部分が遮光部分となって、前記従来での機ｔｔａ的マ的
中スキングアパーチャけると同様に、レティクル４に対
するマスキング作用を得ることができるのである。
但しこの場合、各部の材質としては、その透過状態にお
いて紫外部の波長を通過させ得るものを用いることは当
然である。
いて紫外部の波長を通過させ得るものを用いることは当
然である。
なお、前記実施例では、各セグメン）ｉｉｊ極への電圧
印加を、選択された電極部分に与えるようにしているが
、同電極に電位傾斜を与えて、外部電流の変化によシ選
択すべき電極部分に電位差を生じさせるようにしてもよ
い。
印加を、選択された電極部分に与えるようにしているが
、同電極に電位傾斜を与えて、外部電流の変化によシ選
択すべき電極部分に電位差を生じさせるようにしてもよ
い。
以上詳述したようにこの発明によれば、機械的マスキン
グ作動であった従来のマスキングアパーチャに換えて液
晶板を用い、この液晶板に対する電気的な選択作動によ
る透光、遮光作用でマスキング作動を行わせるようにし
たから、従来のような機械的作動に伴なう精度不良とか
塵埃発生などの問題点を全て解消でき、半導体装置など
の製造におけるパターン投影を、高精度でしかも再現性
良好に行ない得られるものである。
グ作動であった従来のマスキングアパーチャに換えて液
晶板を用い、この液晶板に対する電気的な選択作動によ
る透光、遮光作用でマスキング作動を行わせるようにし
たから、従来のような機械的作動に伴なう精度不良とか
塵埃発生などの問題点を全て解消でき、半導体装置など
の製造におけるパターン投影を、高精度でしかも再現性
良好に行ない得られるものである。
第１図は従来例による投影露光装置の概要を示すブロッ
ク構成図、第２図は同上装置におけるマスキングアパー
チャの動作を示す説明図、第３図はこの発明の一実施例
を適用した同上装置のマスキングアパーチャとして用い
る液晶板の概要構成断面図、第４図は同上液晶板の分解
斜視図である。 １争番・・投光用の光源、２・・・・コンデンサレンズ
、３・・拳・アパーチャ、４・φ・・レティクル、５・
！・・縮小レンズ、６・ｅ・・半導体ウェハ、８・・・
・液晶板、９・・・・Ｘ方向セグメント電極、１０・・
・・第１層液晶基板、１２・・・・共通電極板、１４・
・・・Ｙ方向セグメント電極、１５・・・・第２層液晶
基板、１６・・・・制御回路。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 １コ 第４図
ク構成図、第２図は同上装置におけるマスキングアパー
チャの動作を示す説明図、第３図はこの発明の一実施例
を適用した同上装置のマスキングアパーチャとして用い
る液晶板の概要構成断面図、第４図は同上液晶板の分解
斜視図である。 １争番・・投光用の光源、２・・・・コンデンサレンズ
、３・・拳・アパーチャ、４・φ・・レティクル、５・
！・・縮小レンズ、６・ｅ・・半導体ウェハ、８・・・
・液晶板、９・・・・Ｘ方向セグメント電極、１０・・
・・第１層液晶基板、１２・・・・共通電極板、１４・
・・・Ｙ方向セグメント電極、１５・・・・第２層液晶
基板、１６・・・・制御回路。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 １コ 第４図
Claims (1)
- レティクルをマスキングアパーチャによりマスキングし
得るようにした投影露光装置において、前記マスキング
アパーチャに電気的な選択作動による透光、遮光作用で
マスキング作動を行わせる液晶板を用いたことを特徴と
する投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215348A JPS60107034A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215348A JPS60107034A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107034A true JPS60107034A (ja) | 1985-06-12 |
Family
ID=16670807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58215348A Pending JPS60107034A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107034A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3813398A1 (de) * | 1988-04-21 | 1989-11-02 | Heidelberger Druckmasch Ag | Verfahren und einrichtung zur erzeugung eines latenten bildes auf einer lichtempfindlichen beschichtung einer offset-druckplatte |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP58215348A patent/JPS60107034A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3813398A1 (de) * | 1988-04-21 | 1989-11-02 | Heidelberger Druckmasch Ag | Verfahren und einrichtung zur erzeugung eines latenten bildes auf einer lichtempfindlichen beschichtung einer offset-druckplatte |
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