JPS60106117A - 積層型電子部品 - Google Patents
積層型電子部品Info
- Publication number
- JPS60106117A JPS60106117A JP58214283A JP21428383A JPS60106117A JP S60106117 A JPS60106117 A JP S60106117A JP 58214283 A JP58214283 A JP 58214283A JP 21428383 A JP21428383 A JP 21428383A JP S60106117 A JPS60106117 A JP S60106117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- porous layer
- void
- laminated electronic
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は例えば積層型セラミックコンデンザのような
積層型電子部品に関するものである。
積層型電子部品に関するものである。
従来の積層型レラミックコンデンサの内部電極としては
一般にＰ３Ｐｄなどの負金属が使用されており、コスト
高である他、高温の還元雰囲気焼成を行なう場合には蒸
着してしまうという欠点があった。
一般にＰ３Ｐｄなどの負金属が使用されており、コスト
高である他、高温の還元雰囲気焼成を行なう場合には蒸
着してしまうという欠点があった。
このような欠点を補なうＩ」的で、誘電体グリーンシー
１へに、カーボンとセラミック粉末またはカーボンから
なるペーストを印刷し、これを積み重ねて圧着し焼成す
る。このような焼成ずみの素子には層状となったポーラ
ス層または空隙層が形成されており、このポーラス層ま
たは空隙層に溶融状態の九、Ｓｎなどの低融点金属を加
圧状態で圧入する方法が提案されている。
１へに、カーボンとセラミック粉末またはカーボンから
なるペーストを印刷し、これを積み重ねて圧着し焼成す
る。このような焼成ずみの素子には層状となったポーラ
ス層または空隙層が形成されており、このポーラス層ま
たは空隙層に溶融状態の九、Ｓｎなどの低融点金属を加
圧状態で圧入する方法が提案されている。
しかし、この方法では製造が困テ１［で、かつ電気特性
が損なはれる欠点がある。
が損なはれる欠点がある。
即ち、外部電極間に低融点金属が１４着し、ブリッジを
起すのでこれを取り去る必要があるが、この作業が非常
に困難で極端な場合には必要な外部電極まで取り去られ
る。
起すのでこれを取り去る必要があるが、この作業が非常
に困難で極端な場合には必要な外部電極まで取り去られ
る。
また、低融点金属と誘電体磁器との接触は弱く、特に大
容量の材料の場合には誘電体損失が大きくなってしまう
などの種々の問題があった。
容量の材料の場合には誘電体損失が大きくなってしまう
などの種々の問題があった。
この発明は上記のような従来の積層型電子部品の問題点
を解消するためになされたもので、小型で電気特性が優
れ、しかも製造の容易な積層型電子部品を提供すること
を目的とする。
を解消するためになされたもので、小型で電気特性が優
れ、しかも製造の容易な積層型電子部品を提供すること
を目的とする。
即ち、この発明は層状に形成された誘電体層と、ポーラ
ス層または空隙層とからなり、該ポーラス層または空に
、層にはカーボン、〃、ＺＴＩ、ＱＬ、Ｎｉのうちの何
れかの内部電極が形成されていることを特徴とするもの
である。
ス層または空隙層とからなり、該ポーラス層または空に
、層にはカーボン、〃、ＺＴＩ、ＱＬ、Ｎｉのうちの何
れかの内部電極が形成されていることを特徴とするもの
である。
以下、この発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明
する。
する。
第１図の１はグリーンシートでセラミック等の適宜の誘
電体からなっているが、その製造方法の一例はつぎの通
りである。
電体からなっているが、その製造方法の一例はつぎの通
りである。
（Ｓｒ ９６６ Ｙ ００５） ＴｉＯ２の組成になる
ようにＳｒ Ｃ（１，、■、０３、Ｙ２Ｏ３を秤量混合
した復、１１００℃で仮焼する。
ようにＳｒ Ｃ（１，、■、０３、Ｙ２Ｏ３を秤量混合
した復、１１００℃で仮焼する。
上記のように仮焼したものを粉砕した後、有機バインダ
ーを加えてドクターブレード法でグリーンシートを作成
し所定の大きさにカットする。
ーを加えてドクターブレード法でグリーンシートを作成
し所定の大きさにカットする。
上記のようにして作成したグリーンシート１と、これと
同じ材質のグリーンシート２上に、カーボン、Ｓｒ Ｔ
Ｌ ＯＨ粉末、有機バインダーからなるペーストを印刷
したカーボン印刷層３を°有１−るものどを第１図のよ
うに交互に積み重ねるが、そのさい該印刷層３は一端か
ら設けて他端に達しないものと、他端から設けて一端に
達しないものとを交互に配置するが、上端と下端はカー
ボン印刷層のないグリーンシート１とする。
同じ材質のグリーンシート２上に、カーボン、Ｓｒ Ｔ
Ｌ ＯＨ粉末、有機バインダーからなるペーストを印刷
したカーボン印刷層３を°有１−るものどを第１図のよ
うに交互に積み重ねるが、そのさい該印刷層３は一端か
ら設けて他端に達しないものと、他端から設けて一端に
達しないものとを交互に配置するが、上端と下端はカー
ボン印刷層のないグリーンシート１とする。
上記のようにして積み重ねｔｃグリーンシート１゜２を
圧着して、空気中において１ｉｏｏ’ｃ ｒバインダー
を燃焼させた後、Ｎ２９５％ １２５％の雰囲気で１４
００℃で焼成を行なった。
圧着して、空気中において１ｉｏｏ’ｃ ｒバインダー
を燃焼させた後、Ｎ２９５％ １２５％の雰囲気で１４
００℃で焼成を行なった。
焼成後素子４は第２図に示１ように層状にポーラス層５
が形成されている。しかる後Ｂｔ、０３、〜ｏ、。
が形成されている。しかる後Ｂｔ、０３、〜ｏ、。
ＣｕＯなどからなる酸化剤ペーストを微量塗布し、１１
５０℃で熱拡散させ結晶粒界を絶縁体化させる。
５０℃で熱拡散させ結晶粒界を絶縁体化させる。
次にアルミ粉末とガラスフリッ］〜、［バインダー、溶
剤からなるペーストを用意し、図示省略しである容器中
において該ペースト中に前記素子４を入れると、ポーラ
ス層５にペーストが注入される。このさい必要に、応じ
加圧してもよい。
剤からなるペーストを用意し、図示省略しである容器中
において該ペースト中に前記素子４を入れると、ポーラ
ス層５にペーストが注入される。このさい必要に、応じ
加圧してもよい。
その後周辺にイ」着した余分なペーストをふき取り、８
００℃で焼付ける。次いで銀を主体としたペーストを素
子４の両端に浸漬法等でイ」着させた後、６５０℃で焼
付けて外部電極６を第３図のように両端に設ける。
００℃で焼付ける。次いで銀を主体としたペーストを素
子４の両端に浸漬法等でイ」着させた後、６５０℃で焼
付けて外部電極６を第３図のように両端に設ける。
上記の実施例により０．１μＦの積層型セラミックコン
デンサを得た場合の誘電体損失は、１．１％であった。
デンサを得た場合の誘電体損失は、１．１％であった。
同様にカーボンの場合は１．８％、ＮＬ、 Ｚｎ ＳＣ
ｕの場合は各々１．７％、１．４％、１．２％であった
。これに対し、ポーラス層にＰｂ金属を圧入した従来品
の場合、０．１μＦ：で損失は３．２であった。
ｕの場合は各々１．７％、１．４％、１．２％であった
。これに対し、ポーラス層にＰｂ金属を圧入した従来品
の場合、０．１μＦ：で損失は３．２であった。
実施例ではチタン酸ストロナチウム系粒界絶縁型半導体
コンデンサの例を示したが、通常の誘電体で−し同様な
効果が１５）られる。
コンデンサの例を示したが、通常の誘電体で−し同様な
効果が１５）られる。
また、上記した実施例ではポーラス層５を形成したが、
このポーラス層５０代わりに空隙層としてもよい。
このポーラス層５０代わりに空隙層としてもよい。
また、前記のペーストの注入前に素子の両端にセラミッ
ク粉末を焼結さｌた障壁を設【プ（Ｊ３ ＜ことにより
ペーストの注入後のペーストの逆流を防止できる。
ク粉末を焼結さｌた障壁を設【プ（Ｊ３ ＜ことにより
ペーストの注入後のペーストの逆流を防止できる。
また、実施例のようなＶ１層型セラミックコンデンサの
他に積層型バリスタのような電子部品にも利用できる。
他に積層型バリスタのような電子部品にも利用できる。
なａ３、ポーラス層または空隙層については、その厚み
を５０〜２００μ＋１１の範囲にすることが望ましい。
を５０〜２００μ＋１１の範囲にすることが望ましい。
つまり、５０μｍ１１未満の厚みでは内部電極の厚みが
薄くなり、容量が小さくかつ１ｕ失が大きくなるため実
用に供しなくなる。また２（）０μｍｎを越えると単位
体積当りの容量が小さくなり、小型大容量のものが得ら
れなくなる。
薄くなり、容量が小さくかつ１ｕ失が大きくなるため実
用に供しなくなる。また２（）０μｍｎを越えると単位
体積当りの容量が小さくなり、小型大容量のものが得ら
れなくなる。
この発明は前記のようにポーラス層または空隙層にカー
ボン、＃ 、 ＺＴＩ、 ＣＬＬ、 ＮＬのうちの何れ
かの内部電極を形成したものであるから、＃造が容易で
電気特性が優れた小型のｌｉ’ｉ層型電子部品が得られ
る優れた発明である。
ボン、＃ 、 ＺＴＩ、 ＣＬＬ、 ＮＬのうちの何れ
かの内部電極を形成したものであるから、＃造が容易で
電気特性が優れた小型のｌｉ’ｉ層型電子部品が得られ
る優れた発明である。
第１図はこの発明の積層型電子部品を製造するだめのグ
リーンシートの斜視図、第２図は焼結後の素子の斜視図
、第３図は完成した積層型電子部品の斜視図である。 １．２・・・グリーンシート ３・・・カーボン印刷層 ４・・・素子５・・・ポーラ
ス層または空隙層 ６・・・外部電極 特Ｗ１出願人 株式会社 村田製作所 代 理 人 弁理上 和 ｌ」 昭
リーンシートの斜視図、第２図は焼結後の素子の斜視図
、第３図は完成した積層型電子部品の斜視図である。 １．２・・・グリーンシート ３・・・カーボン印刷層 ４・・・素子５・・・ポーラ
ス層または空隙層 ６・・・外部電極 特Ｗ１出願人 株式会社 村田製作所 代 理 人 弁理上 和 ｌ」 昭
Claims (3)
- （１）層状に形成された誘電体層と、ポーラス層または
空隙層とからなり、該ポーラス層または空隙層にはカー
ボン＃、、ＺＴ１．ＣＩＬ、Ｎしのうちの何れかの内部
電極が形成されていることを特徴とする積層型電子部品
。 - （２）誘電体層はチタン酸ストロンブーウムを主体どし
た粒界絶縁型半導体磁器であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の積層型電子部品。 - （３） ポーラス層または空隙層は厚みが５０〜２００
μ…の範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の積層型電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214283A JPS60106117A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 積層型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214283A JPS60106117A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 積層型電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106117A true JPS60106117A (ja) | 1985-06-11 |
Family
ID=16653166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214283A Pending JPS60106117A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 積層型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60106117A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62137805A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層チップ型サーミスタ |
| JPS6350010A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-02 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 充填層構成素子 |
| JPH0382160A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP58214283A patent/JPS60106117A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62137805A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層チップ型サーミスタ |
| JPH0554682B2 (ja) * | 1985-12-12 | 1993-08-13 | Murata Manufacturing Co | |
| JPS6350010A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-02 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 充填層構成素子 |
| JPH0382160A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20150128309A (ko) | 글래스 조성물, 이를 포함하는 외부전극용 페이스트 및 적층 세라믹 전자부품 | |
| JPH1025157A (ja) | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ | |
| JPS6323648B2 (ja) | ||
| JP3827901B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3064659B2 (ja) | 積層型セラミック素子の製造方法 | |
| JPS60106117A (ja) | 積層型電子部品 | |
| JPH11340090A (ja) | 粒界絶縁型積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH10229004A (ja) | チップ型バリスタ | |
| JPS6120084B2 (ja) | ||
| JPS60106116A (ja) | 積層型電子部品 | |
| JP2003151805A (ja) | チップ型電子部品およびその製造方法 | |
| JP2974833B2 (ja) | 積層磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPH07201637A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JPS60115105A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH07114174B2 (ja) | 積層型半導体磁器電子部品の製造方法 | |
| JPS6022310A (ja) | 多機能チツプ部品 | |
| JPS63102218A (ja) | 積層形多端子電子部品 | |
| JP2621681B2 (ja) | 積層型バリスタ | |
| JP3245933B2 (ja) | 抵抗体 | |
| JP2000150293A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3804135B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS6325912A (ja) | セラミツクコンデンサ | |
| JPH03116916A (ja) | 積層型電子部品 | |
| JPH06176954A (ja) | 積層型粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ | |
| JPS62180905A (ja) | 誘電体磁器組成物 |