JPS6010605A - インダクタンス素子用永久磁石 - Google Patents
インダクタンス素子用永久磁石Info
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- JPS6010605A JPS6010605A JP58118477A JP11847783A JPS6010605A JP S6010605 A JPS6010605 A JP S6010605A JP 58118477 A JP58118477 A JP 58118477A JP 11847783 A JP11847783 A JP 11847783A JP S6010605 A JPS6010605 A JP S6010605A
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- JP
- Japan
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- permanent magnet
- magnetic
- inductance element
- resin
- inductance
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
- H01F1/04—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/047—Alloys characterised by their composition
- H01F1/053—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals
- H01F1/055—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5
- H01F1/0555—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 pressed, sintered or bonded together
- H01F1/0558—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 pressed, sintered or bonded together bonded together
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は永久磁石をその磁気回路の一部に組込んだ磁心
を用いたインダクタンス素子用永久磁石の改良に関する
ものである。
を用いたインダクタンス素子用永久磁石の改良に関する
ものである。
第１図永久磁石をイの磁気回路の一部に組込んだ従来公
知のインダクタンス素子の一例を示す概略構成図である
。（例えば特公昭４Ｇ−３７１２８号公報）１は中央脚
が外側脚よりも若干短く作られているＥ型コアである。
知のインダクタンス素子の一例を示す概略構成図である
。（例えば特公昭４Ｇ−３７１２８号公報）１は中央脚
が外側脚よりも若干短く作られているＥ型コアである。
該コア１を２個用い外側脚を対向させて２で接合させＥ
Ｅ型ココア構成した場合、２つのコア１の中央脚の間に
空隙３が生じるが、この空隙Ｊ３の部分に永久磁石が挿
入されている。この永久磁石は第２図（ａ）および（ｂ
）に示ｌノだ平面図および断面図でわかるように一１本
物で作られており、矢印）」の方向に磁化されていｌこ
。
Ｅ型ココア構成した場合、２つのコア１の中央脚の間に
空隙３が生じるが、この空隙Ｊ３の部分に永久磁石が挿
入されている。この永久磁石は第２図（ａ）および（ｂ
）に示ｌノだ平面図および断面図でわかるように一１本
物で作られており、矢印）」の方向に磁化されていｌこ
。
かかる構成のインダクタンス素子において、コイル４に
流れる直流磁界によって該磁界と反対方向に常時印加さ
れているバイアス磁界と相殺されるため、イの分たり直
流に強いインダクタンス素子どなる。
流れる直流磁界によって該磁界と反対方向に常時印加さ
れているバイアス磁界と相殺されるため、イの分たり直
流に強いインダクタンス素子どなる。
上記バイアス磁界を与えるのに使用される永久磁石は、
必要とする磁気バイアスの大きさおよびインダクタンス
素子のコイルによる減磁作用の大きさによって適当に選
択される。磁気バイアスが大きく、かつ減磁作用も大き
い場合には希土類コバルト−磁石が使用されるが、本発
明は上記希土類コバル１−磁石の改良に関するものであ
る。
必要とする磁気バイアスの大きさおよびインダクタンス
素子のコイルによる減磁作用の大きさによって適当に選
択される。磁気バイアスが大きく、かつ減磁作用も大き
い場合には希土類コバルト−磁石が使用されるが、本発
明は上記希土類コバル１−磁石の改良に関するものであ
る。
高周波用のインダクタンス素子の磁心としては、２
１０ Ω・ｃｍ以上の高抵抗を有するソフ１−・フェラ
イト例えば１ｙｊｎ−Ｚｎフエライ＋−、ＮニーＺ＊フ
エライ１−が通常用いられるので、高周波電流４イシダ
クタンス素子のコイルに流したどき、磁気回路中の磁心
部分での渦電流損は比較的小さく問題はない。しかしイ
１がら、磁気バイアスを与える希土類］バルト磁石の抵
抗航が５０Ｘ １０ ’Ω・ｃｍど低いため高周波電流
をインダクタンス素子のコ１′ルに流したどき希土類コ
バル１〜磁石で渦電流損が大さくなり、発熱してインダ
クタンス素子全体の温度まで変化するために磁心の特性
が変わる欠点があった。
イト例えば１ｙｊｎ−Ｚｎフエライ＋−、ＮニーＺ＊フ
エライ１−が通常用いられるので、高周波電流４イシダ
クタンス素子のコイルに流したどき、磁気回路中の磁心
部分での渦電流損は比較的小さく問題はない。しかしイ
１がら、磁気バイアスを与える希土類］バルト磁石の抵
抗航が５０Ｘ １０ ’Ω・ｃｍど低いため高周波電流
をインダクタンス素子のコ１′ルに流したどき希土類コ
バル１〜磁石で渦電流損が大さくなり、発熱してインダ
クタンス素子全体の温度まで変化するために磁心の特性
が変わる欠点があった。
本発明は−１−記従来技術の欠点を解消し、人さイｒ資
長気バイアスを右するとともに、高周波電流に渦電流損
失の影響をうけることのない新規なインダクタンス素子
用永久磁石を提供するものである。
長気バイアスを右するとともに、高周波電流に渦電流損
失の影響をうけることのない新規なインダクタンス素子
用永久磁石を提供するものである。
上記の目的を達成するために本発明では、１で（Ｃｏｂ
ＤＩ、 ＦｅＡＣＬＩＢ Ｍｚ）Ａ、 （ここでＲはＳ
ｍ。
ＤＩ、 ＦｅＡＣＬＩＢ Ｍｚ）Ａ、 （ここでＲはＳ
ｍ。
Ｃｅを中心とした希土類金属の１種又は２種以上の組み
合せであり、ＭはＳ ｉ 、Ｔｉ 、Ｚ ｒ、１−１ｆ
、 ａＮｌ）、Ｔａ、Ｖの１種又は２種以上の組み合ｌ
、０．０１≦Ｘ≦０．４０． ０．０２≦Ｙ≦０．２５
、 ０．０・−３− 〇１≦７≦０．１５ 、 ５．５≦Ａ≦８．５）で示さ
れる組成を有し、鋳造インボッ［・を熱処理、粉砕後２
−６ω１０％の樹脂ど結合することを特徴どする永久磁
石をインダクタンス素子にバイアス用として用い ｌこ
。
合せであり、ＭはＳ ｉ 、Ｔｉ 、Ｚ ｒ、１−１ｆ
、 ａＮｌ）、Ｔａ、Ｖの１種又は２種以上の組み合ｌ
、０．０１≦Ｘ≦０．４０． ０．０２≦Ｙ≦０．２５
、 ０．０・−３− 〇１≦７≦０．１５ 、 ５．５≦Ａ≦８．５）で示さ
れる組成を有し、鋳造インボッ［・を熱処理、粉砕後２
−６ω１０％の樹脂ど結合することを特徴どする永久磁
石をインダクタンス素子にバイアス用として用い ｌこ
。
本永久磁石の磁粉イのものの電気抵抗は５０Ｘ１０’Ω
・ｃｍ程度の低い値を示すが、磁粉は樹脂によって絶縁
されるため、マクロな意味の電気抵抗は大きくなり、渦
電流損は低下する。従って発熱量が低下し、インダクタ
ンス素子の温度上昇がおさえられ、インダクタンス素子
の特性も安定する。本発明においてはさらに従来熱的に
不安定であった樹脂結合型永久磁石の安定性も向上して
いる。
・ｃｍ程度の低い値を示すが、磁粉は樹脂によって絶縁
されるため、マクロな意味の電気抵抗は大きくなり、渦
電流損は低下する。従って発熱量が低下し、インダクタ
ンス素子の温度上昇がおさえられ、インダクタンス素子
の特性も安定する。本発明においてはさらに従来熱的に
不安定であった樹脂結合型永久磁石の安定性も向上して
いる。
すなわち、回路素子どしてのインダクタンス素子の安定
性はバイアス用永久磁石に依存する部分が大きく、従来
の樹脂結合型永久磁石では渦電流損失は低減でさるもの
の熱安定性に乏しく使用不可であった。
性はバイアス用永久磁石に依存する部分が大きく、従来
の樹脂結合型永久磁石では渦電流損失は低減でさるもの
の熱安定性に乏しく使用不可であった。
本発明は、熱安定性の改善のために熱安定性の高い合金
を用いること、ざらに比較的比表面積の４− 小さい程度の粉末により酸化量を低減すること、含水率
の小さい耐酸化性の優れた樹脂を用いること、さらには
永久磁石粉末を空気中で加熱保持して安定化すること等
を用いて、熱安定性の高いインダクタンス素子用樹脂結
合型磁石を提供するものである。
を用いること、ざらに比較的比表面積の４− 小さい程度の粉末により酸化量を低減すること、含水率
の小さい耐酸化性の優れた樹脂を用いること、さらには
永久磁石粉末を空気中で加熱保持して安定化すること等
を用いて、熱安定性の高いインダクタンス素子用樹脂結
合型磁石を提供するものである。
本発明による樹脂結合型磁石は、一般に溶解によるイン
ゴット作成、インボッ［・の溶体化９時効等の熱処理、
粉砕、バインダーどの混合、磁場中成形、磁場中射出成
形、磁場中押し出し成形等の固化の工程によって製造さ
れる。溶解はＡｒ中ないし真空中で行ない、均質なイン
ボッ１〜を作成する必要がある。従ってインゴットケー
スは、水冷されたものを用いるのが好ましく、急冷によ
って偏析をおさえることが非常に重要である。得られた
インゴットを均質化および溶体化するために１００６・
〜１２３０℃でＡｒ中中熱熱保持行なう。保持時間はマ
トリックス磁石の均質度（例えば表裏、！１束量差）、
工１−１ｃ等磁気特性を最適化した十で決定される。溶
体化後は急冷を施す必要があり、Ａｒ気流中、７１イル
中、水中等に４Ｑ人することによって行なわれる。■、
′１効に用いるインゴットの組成によって多様に変化す
る。−服には多段時効、連続冷ｆｉｌ］等が用いられて
いるが、組成によっては一般の時効でも充分である。Ｒ
どして３ｍを用いる場合多段時効、連続冷Ｊ、Ｉｌの開
始温度は８００・−９００℃が選ばれ、Ｓｍの一部をＣ
ｅで買換していくど多段時効連続冷却の開始温度は低下
する。時効は４００℃までで充分であり、通常４００℃
までの多段時効冷去１が用いられる。粉砕はディスク・
ミル、ブラウン・ミル、ボール・ミル、振動ミル、ジェ
ノ１〜・ミルによって行なわれるが、本拐覧系の揚台広
い範囲のγｌＨ良の粉末の利用が可能である。充填率を
あげるため粒庶の異なる粉末を混合して用いることが一
般的である。成形体作成は粉砕粉を磁場中成形後バイン
ダーを含浸する方法およびあらかじめバインダーど粉砕
粉を混合しておき磁場中成形後バインダーを固化する方
′法がある。
ゴット作成、インボッ［・の溶体化９時効等の熱処理、
粉砕、バインダーどの混合、磁場中成形、磁場中射出成
形、磁場中押し出し成形等の固化の工程によって製造さ
れる。溶解はＡｒ中ないし真空中で行ない、均質なイン
ボッ１〜を作成する必要がある。従ってインゴットケー
スは、水冷されたものを用いるのが好ましく、急冷によ
って偏析をおさえることが非常に重要である。得られた
インゴットを均質化および溶体化するために１００６・
〜１２３０℃でＡｒ中中熱熱保持行なう。保持時間はマ
トリックス磁石の均質度（例えば表裏、！１束量差）、
工１−１ｃ等磁気特性を最適化した十で決定される。溶
体化後は急冷を施す必要があり、Ａｒ気流中、７１イル
中、水中等に４Ｑ人することによって行なわれる。■、
′１効に用いるインゴットの組成によって多様に変化す
る。−服には多段時効、連続冷ｆｉｌ］等が用いられて
いるが、組成によっては一般の時効でも充分である。Ｒ
どして３ｍを用いる場合多段時効、連続冷Ｊ、Ｉｌの開
始温度は８００・−９００℃が選ばれ、Ｓｍの一部をＣ
ｅで買換していくど多段時効連続冷却の開始温度は低下
する。時効は４００℃までで充分であり、通常４００℃
までの多段時効冷去１が用いられる。粉砕はディスク・
ミル、ブラウン・ミル、ボール・ミル、振動ミル、ジェ
ノ１〜・ミルによって行なわれるが、本拐覧系の揚台広
い範囲のγｌＨ良の粉末の利用が可能である。充填率を
あげるため粒庶の異なる粉末を混合して用いることが一
般的である。成形体作成は粉砕粉を磁場中成形後バイン
ダーを含浸する方法およびあらかじめバインダーど粉砕
粉を混合しておき磁場中成形後バインダーを固化する方
′法がある。
本発明に用いられる合金は、Ｒ（ＣＪ−□Ｙ−Ｚ Ｆ
ｅｘＣｕＹ Ｍ２）Ａ である。ここでＲは３ｍ 、
Ｃ：、ｅを中心とした希土類金属の１種又は２種以上の
組み合せてあり、ＭはＳｉ 、Ｔｉ 、Ｚｒ、１−１ｆ
、Ｎｂ。
ｅｘＣｕＹ Ｍ２）Ａ である。ここでＲは３ｍ 、
Ｃ：、ｅを中心とした希土類金属の１種又は２種以上の
組み合せてあり、ＭはＳｉ 、Ｔｉ 、Ｚｒ、１−１ｆ
、Ｎｂ。
Ｔａ、Ｖの１種又は２種以−１−の組み合”Ｕである。
又、０．０１ ≦Ｘ≦０．４０ 、 ０．０２ ≦Ｙ≦
０．２５ 。
０．２５ 。
０．００１≦７≦０．１！ｉ 、５．５≦Ａ≦８．５で
ある。［ｅ置換量Ｘが０１０１以下の場合飽和磁化の増
加が期待できず、０．４０以上の揚台は飽和磁化は増加
するものの、角型、 ＩＨｃが著しく低下する。Ｃ１１
ｆｆｆｆｉ換量Ｙ′／′Ｊ＜０．０２以下の場合充分な
析出効果が進行せず、１−ＩＣがｉｑられイｒい。０．
２５以」−の場合飽和磁化が減少してしまう。添加元素
量７がｏ、ｏｏｉ以下の場合ｘ、 ｔ−＋ ｃの改善が
見られず、０．１５以上の場合飽和磁化の減少が著しい
。Ａの値を５．５から８．５に限定した理由は５．５以
下にすると飽和磁化が小さくなりすぎ、充分な特性が得
られない。又８．５以上にした場合溶解インゴット・に
プントライ［・が出やすくこの異相にＪ：つてｆ、、Ｉ
−Ｉ Ｃが低下する。
ある。［ｅ置換量Ｘが０１０１以下の場合飽和磁化の増
加が期待できず、０．４０以上の揚台は飽和磁化は増加
するものの、角型、 ＩＨｃが著しく低下する。Ｃ１１
ｆｆｆｆｉ換量Ｙ′／′Ｊ＜０．０２以下の場合充分な
析出効果が進行せず、１−ＩＣがｉｑられイｒい。０．
２５以」−の場合飽和磁化が減少してしまう。添加元素
量７がｏ、ｏｏｉ以下の場合ｘ、 ｔ−＋ ｃの改善が
見られず、０．１５以上の場合飽和磁化の減少が著しい
。Ａの値を５．５から８．５に限定した理由は５．５以
下にすると飽和磁化が小さくなりすぎ、充分な特性が得
られない。又８．５以上にした場合溶解インゴット・に
プントライ［・が出やすくこの異相にＪ：つてｆ、、Ｉ
−Ｉ Ｃが低下する。
本発明における磁粉の粉砕粒度は４５・〜３００μｍが
好適であり、望Ｊニジ＜は、７７０−２０ＯＬ１を用い
るべきである。粉砕粒度が４５ｆｌＩｌｌ以下の場合は
比−７°− 表面積が大きく耐酸化１（１に欠ＩＪ、３００μｍ以」
−の場合は成形性が悪化する。
好適であり、望Ｊニジ＜は、７７０−２０ＯＬ１を用い
るべきである。粉砕粒度が４５ｆｌＩｌｌ以下の場合は
比−７°− 表面積が大きく耐酸化１（１に欠ＩＪ、３００μｍ以」
−の場合は成形性が悪化する。
本発明におりる樹脂としてはエポキシ樹脂が好適である
が、特に熱安定性の優れたジアミド類およびフェニール
樹脂を硬化剤として用いたエポキシ樹脂が望ましい。樹
脂金イｊ間は１〜７ａ＞ｔ、％が使用可能であるが、望
ましくは１．５・〜５ （ｉ） ｔ 、％とすべきであ
る。樹脂含有量が１０＞１．％以下の場合は磁粉が充分
樹脂によってコートされず熱安定性が低下する。樹脂含
有量が７０）１２％以」−の場合は、磁粉含有量が少な
く磁気特性が低下する。射出成形に使用される樹脂はエ
チレン酢酸ビニール共重合体、変性ポリオレフィン系樹
脂、低融点ポリアミド樹脂、ボリフヱニレンサルファイ
ド（ＰＰＳ）ティロー６．１２．６６等であるが、Ｐ
Ｐ Ｓが最も高い熱安定性を示す。
が、特に熱安定性の優れたジアミド類およびフェニール
樹脂を硬化剤として用いたエポキシ樹脂が望ましい。樹
脂金イｊ間は１〜７ａ＞ｔ、％が使用可能であるが、望
ましくは１．５・〜５ （ｉ） ｔ 、％とすべきであ
る。樹脂含有量が１０＞１．％以下の場合は磁粉が充分
樹脂によってコートされず熱安定性が低下する。樹脂含
有量が７０）１２％以」−の場合は、磁粉含有量が少な
く磁気特性が低下する。射出成形に使用される樹脂はエ
チレン酢酸ビニール共重合体、変性ポリオレフィン系樹
脂、低融点ポリアミド樹脂、ボリフヱニレンサルファイ
ド（ＰＰＳ）ティロー６．１２．６６等であるが、Ｐ
Ｐ Ｓが最も高い熱安定性を示す。
本発明に用いられるバイアス用永久磁石に必要とされる
磁気特性は概略Ｂｒ≧３５００Ｇ 、 ｄ−」Ｏ≧２０
００００ｅである。
磁気特性は概略Ｂｒ≧３５００Ｇ 、 ｄ−」Ｏ≧２０
００００ｅである。
以下実施例により本発明を説明する。
４−
実施Ｉ！１ｌ１１
Ｓ ｍ （ＣＯｂ＋！、Ｆ ｅｏ、２＊ ＣＬｌｏ、ｏ
３ ’−”ｏ、ｏ／Ｓ）７．Ｉ−なる合金をアー・り溶
解し、１！７られＩ、＝溶解インゴットを１２１０℃×
１旧間＋１１５０℃Ｘ４０時間ΔＩ゛中で均質化およ
び溶体化処理を行ない、Δ１゛気流中に急冷した。
３ ’−”ｏ、ｏ／Ｓ）７．Ｉ−なる合金をアー・り溶
解し、１！７られＩ、＝溶解インゴットを１２１０℃×
１旧間＋１１５０℃Ｘ４０時間ΔＩ゛中で均質化およ
び溶体化処理を行ない、Δ１゛気流中に急冷した。
続いて徐冷時効処理を行なった。用いたパターンは９０
０℃ｘｇｎ５間の保持後１℃／ｍｉｎの速度で４００℃
まで徐冷し、４００°ＣＸ ５時間保持するというもの
である。溶体化時効処理の終了ｌツノ、：インゴットを
鉄乳鉢で粗粉砕し、７０〜２００μｍの粉砕粉を１昇だ
。４（ｔ）１０％のノボラック系のエポキシ樹脂をアセ
１〜ンを用いて磁粉を混練した後、磁場中で圧縮成形し
た。成形圧は１ｏｔｏｎ ／’Ｃｍ’であり、配向磁場
強度は１０ Ｋ Ｏｅである。成形体を８０°ＣＸ ２
時間＋２００℃×２時間加熱保持しキコアー処理を行な
った。得られた成形体の磁気特性は、 Ｂ ｒ〜［’１５００Ｇ βＩ−１ｃ ・−６０００００ 工ｌ−１Ｃ〜２１００００゜ （Ｂ Ｆ−１） ｍａｘ−９，１Ｍ Ｇ○８であった。
０℃ｘｇｎ５間の保持後１℃／ｍｉｎの速度で４００℃
まで徐冷し、４００°ＣＸ ５時間保持するというもの
である。溶体化時効処理の終了ｌツノ、：インゴットを
鉄乳鉢で粗粉砕し、７０〜２００μｍの粉砕粉を１昇だ
。４（ｔ）１０％のノボラック系のエポキシ樹脂をアセ
１〜ンを用いて磁粉を混練した後、磁場中で圧縮成形し
た。成形圧は１ｏｔｏｎ ／’Ｃｍ’であり、配向磁場
強度は１０ Ｋ Ｏｅである。成形体を８０°ＣＸ ２
時間＋２００℃×２時間加熱保持しキコアー処理を行な
った。得られた成形体の磁気特性は、 Ｂ ｒ〜［’１５００Ｇ βＩ−１ｃ ・−６０００００ 工ｌ−１Ｃ〜２１００００゜ （Ｂ Ｆ−１） ｍａｘ−９，１Ｍ Ｇ○８であった。
本磁石を着磁後、１２０°Ｃ×２峙間熱枯しを行ない、
第１図に示したインダクタンス素子に用いた。本インタ
クタンス素子の安定性を調べるため １２０℃に加熱し
、インタ・クタンスの直流電流特性の時間変化を追跡し
た。第３図に１２０℃加熱直後および２０００時間後の
インダクタンス特性を示す。１２０°Ｃ加熱によっても
永久磁石部ブ）の温度は１３０°Ｃ以上におさえられ渦
電流損の小ざいことがわかった。又２０００時間後のイ
ンダクタンスも直流電流に対して極めて安定である。
第１図に示したインダクタンス素子に用いた。本インタ
クタンス素子の安定性を調べるため １２０℃に加熱し
、インタ・クタンスの直流電流特性の時間変化を追跡し
た。第３図に１２０℃加熱直後および２０００時間後の
インダクタンス特性を示す。１２０°Ｃ加熱によっても
永久磁石部ブ）の温度は１３０°Ｃ以上におさえられ渦
電流損の小ざいことがわかった。又２０００時間後のイ
ンダクタンスも直流電流に対して極めて安定である。
実施例２
実施例１と同様の方法で、Ｓ ｍ （ＣＯｂＪ、 Ｆ
ｅａ、ＩＣ’、ｌｏ、ｏ９ Ｚ ”ｏ、ｏ；？ ）７．
３なる合金を溶解、均質化および溶体化処理を行なった
。続いて８５０℃×４時間の保持後１℃／ ｍ ｉ ｎ
で４００℃まで徐冷した。得られたインボッ１〜を粗粉
砕し、４５−□３００Ｉ１ｍの粉砕粉を作製した。粉砕
粉を４ωｔ１％のＰｌつＳど混練後磁場中射出成形した
。得られた永久磁石の特性は、Ｂｒへ６００００ Ｂｌｌ Ｃ□” ５８０００ｅ 丁ｔ−ｌ Ｃ〜 ２０００００ （Ｂ Ｈ）ｍａｘ −８，２Ｍ Ｇ Ｏｅであった。本
磁石を実施例１ど同様の方法でインダクタンス素子に用
いたが、実施例１と同様極めて安定な結果を得た。
ｅａ、ＩＣ’、ｌｏ、ｏ９ Ｚ ”ｏ、ｏ；？ ）７．
３なる合金を溶解、均質化および溶体化処理を行なった
。続いて８５０℃×４時間の保持後１℃／ ｍ ｉ ｎ
で４００℃まで徐冷した。得られたインボッ１〜を粗粉
砕し、４５−□３００Ｉ１ｍの粉砕粉を作製した。粉砕
粉を４ωｔ１％のＰｌつＳど混練後磁場中射出成形した
。得られた永久磁石の特性は、Ｂｒへ６００００ Ｂｌｌ Ｃ□” ５８０００ｅ 丁ｔ−ｌ Ｃ〜 ２０００００ （Ｂ Ｈ）ｍａｘ −８，２Ｍ Ｇ Ｏｅであった。本
磁石を実施例１ど同様の方法でインダクタンス素子に用
いたが、実施例１と同様極めて安定な結果を得た。
比較例１
５ｍＣ０酊なる合金をアーク溶解後、粗粉砕した。粗Ｉ
）砕粉をジェッ［−・ミルにて微粉砕し、磁場中成形後
、１１５０℃×２時間Ａｒ中で焼結した。
）砕粉をジェッ［−・ミルにて微粉砕し、磁場中成形後
、１１５０℃×２時間Ａｒ中で焼結した。
焼結後１０５０℃に再加熱し、８３０℃まで１℃／ｍｉ
ｎで徐冷し、８３０℃にて直ちにＡ ｒ気流中に急冷し
た。得られた磁気特性は、 Ｂ ｒ ・−８５００Ｑ Ｂｌ−Ｉ Ｃ−−８３０００ｅ ｚｌ−１Ｃ〜２０００００ｅ （Ｂ ｌ−１） ｍａｘ 〜１７，５Ｍ Ｑ○８であっ
た。本磁石を実施例１と同様の方法でインダクタンス素
子に用いた・ １２０℃に加熱する“渦 町電流損失が
大きく、永久磁石部分の温度が１５０℃以上に上界し、
極めてインダクタンス特性が劣化１１− しＩＣ。
ｎで徐冷し、８３０℃にて直ちにＡ ｒ気流中に急冷し
た。得られた磁気特性は、 Ｂ ｒ ・−８５００Ｑ Ｂｌ−Ｉ Ｃ−−８３０００ｅ ｚｌ−１Ｃ〜２０００００ｅ （Ｂ ｌ−１） ｍａｘ 〜１７，５Ｍ Ｑ○８であっ
た。本磁石を実施例１と同様の方法でインダクタンス素
子に用いた・ １２０℃に加熱する“渦 町電流損失が
大きく、永久磁石部分の温度が１５０℃以上に上界し、
極めてインダクタンス特性が劣化１１− しＩＣ。
比較例２
Ｓｎ＋Ｃｏ≠Ｓなる合金をアーク溶解後粗粉砕した。
得られた粗わ）砕粉をジェット・ミルにて微粉砕し、１
０μｍ （Ｆ、Ｓ、Ｓ、Ｓ、）の微粉砕粉を得た。
０μｍ （Ｆ、Ｓ、Ｓ、Ｓ、）の微粉砕粉を得た。
木微粉砕法を実施例２と同様の方法で射出成形した。得
られた永久磁石の磁気特性は、 Ｂｒ−５０００Ｇ ８ＨＣ−Ｃ−４２００ Ｑｅｄ−１〜１９５００Ｑ。
られた永久磁石の磁気特性は、 Ｂｒ−５０００Ｇ ８ＨＣ−Ｃ−４２００ Ｑｅｄ−１〜１９５００Ｑ。
（Ｂ トｌ ） ｍａＸ ・” ５．８Ｍ Ｇ Ｏｅで
あった。本磁石を実施例１と同様の方法でインダクタン
ス素子に用いた。第４図に１２０℃加熱直後および２０
００時間後のインダクタンス特性を示す。
あった。本磁石を実施例１と同様の方法でインダクタン
ス素子に用いた。第４図に１２０℃加熱直後および２０
００時間後のインダクタンス特性を示す。
１２０ ’Ｃ加熱にＪ：って永久磁石特性が劣化してい
ることがわかる。
ることがわかる。
第１図は本発明の実施例のインダクタンス素子を示す図
、第２図は永久磁石の構造図、第３図は３ｍ （Ｃｏｂ
Ｊ、Ｆｅｏ、２．Ｓ−ＣｕＯ，Ｑ８）−１ＴＯ，０１，
ｓ ＞７．＆合金を永久１２− 磁石として用いた場合の１２０℃にお（プるインダクタ
ンスの直流電流特性を示す図、第４図はＳ ｍＣＯ費合
金合金久磁石として用いた場合の１２０℃にお（プる直
流電流特性を示す図である。 １：フエライ１〜・コア ３：間隙 ４：コイルＡ：初
期特性 ［３： ２０００時間後第７図 第２図 一θ５ θ θ５ ／ρ − Ｉｖｐ （Ａ） 昭和６＆１蛸←斗菩口 発明の名称 インダク・タンス素子用永久磁石補正をづ
−る者 事件どの関係 特許出願人 住所 東京都ｆ代田区丸ノ内二丁目１番２月名称 （５
０８）日立金属株式会社 電話 東京０３−２８４−４Ｇ４２ 明ｎ書の「発明の詳細な説明 補正の内容 別組の通り。 １、明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を下記の
通り訂正する。 〈１）明細書第玉頁第１４行の「第１図」の後に「は」
を挿入する。 （２）同書第５頁第２行から第３行の１２〜６ωＶ．％
１を１１〜７ｗｌ％」に訂正する。 （３）同書第６回第１行の「小ざい」の後に・１５〜３
００μｍ」を挿入する。 （４）同書第７頁第２行の「時効に」を「時効は」に訂
正する。 〈５）同書第９頁第２行の「悪化」を「低下」に訂正す
る。 （６）同書第１０頁第１２行の「磁粉を１を「磁粉ど」
に訂正Ｊる。 （７）同書第１２頁第１行の「直後」の後に１−（Δ）
」を挿入する。 （８）同書同頁同行の「２０００時間後」の後にｒ（Ｂ
）Ｊを挿入する。 （９）同書第１２頁第１行のｒ □ｌ−１ ｃ 〜２０
０００ｅ Ｊをｒ １１−１０〜２００００００ Ｊに
訂正り−る。 （１０）同書第１３頁第１７１行の「後１の後に１（△
）」を挿入覆る。 （１１）同書同頁同行の「２０００時間後」の後にｆ’
（Ｒ）ｊを挿入する。 Ｊ又十 ・−２−
、第２図は永久磁石の構造図、第３図は３ｍ （Ｃｏｂ
Ｊ、Ｆｅｏ、２．Ｓ−ＣｕＯ，Ｑ８）−１ＴＯ，０１，
ｓ ＞７．＆合金を永久１２− 磁石として用いた場合の１２０℃にお（プるインダクタ
ンスの直流電流特性を示す図、第４図はＳ ｍＣＯ費合
金合金久磁石として用いた場合の１２０℃にお（プる直
流電流特性を示す図である。 １：フエライ１〜・コア ３：間隙 ４：コイルＡ：初
期特性 ［３： ２０００時間後第７図 第２図 一θ５ θ θ５ ／ρ − Ｉｖｐ （Ａ） 昭和６＆１蛸←斗菩口 発明の名称 インダク・タンス素子用永久磁石補正をづ
−る者 事件どの関係 特許出願人 住所 東京都ｆ代田区丸ノ内二丁目１番２月名称 （５
０８）日立金属株式会社 電話 東京０３−２８４−４Ｇ４２ 明ｎ書の「発明の詳細な説明 補正の内容 別組の通り。 １、明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を下記の
通り訂正する。 〈１）明細書第玉頁第１４行の「第１図」の後に「は」
を挿入する。 （２）同書第５頁第２行から第３行の１２〜６ωＶ．％
１を１１〜７ｗｌ％」に訂正する。 （３）同書第６回第１行の「小ざい」の後に・１５〜３
００μｍ」を挿入する。 （４）同書第７頁第２行の「時効に」を「時効は」に訂
正する。 〈５）同書第９頁第２行の「悪化」を「低下」に訂正す
る。 （６）同書第１０頁第１２行の「磁粉を１を「磁粉ど」
に訂正Ｊる。 （７）同書第１２頁第１行の「直後」の後に１−（Δ）
」を挿入する。 （８）同書同頁同行の「２０００時間後」の後にｒ（Ｂ
）Ｊを挿入する。 （９）同書第１２頁第１行のｒ □ｌ−１ ｃ 〜２０
０００ｅ Ｊをｒ １１−１０〜２００００００ Ｊに
訂正り−る。 （１０）同書第１３頁第１７１行の「後１の後に１（△
）」を挿入覆る。 （１１）同書同頁同行の「２０００時間後」の後にｆ’
（Ｒ）ｊを挿入する。 Ｊ又十 ・−２−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気回路の一部に空隙を有する軟磁性材からなる磁
心と前記磁心の空隙部に配設した永久磁石と前記磁心に
巻回したコイルとからなり、前記コイルによる直流磁界
と反対方向に前記永久磁石による磁気バイアスがかかる
ようにしたインダクタンス素子用の永久磁石において、
Ｒ（ＣＯＨ−ｘ（−ＩＦｅＸ ＣＬＩｙ Ｍｚ ）Ａ
（ここでＲは、３ｍ、Ｃｅを中心とした希土類金属の１
種又は２種以上の組み合せであり、ＭはＳｉ 、Ｔｉ
、Ｚｒ、１−１ｆ、Ｎ））Ｔａ、Ｖの１種又は２種以上
の組み合せ、０．０１≦Ｘ≦０．４０． ０．０２≦Ｙ
≦０．２５ 、 ０．００１≦７≦０．１５ 、 ５．
５≦Ａ≦８．５）で示される組成を有し、鋳造インボッ
１〜を熱処理、粉砕後１・〜７ωｔ。 ％の樹脂を結合することを特徴とするインダクタンス素
子用永久磁石。 ２、上記特許請求の範囲第１項記載のインダクタンス素
子用永久磁石において、磁粉の粉砕粒度が４５〜３００
μｍであり、かつ樹脂どしてエポキシを用いることを特
徴とするインダクタンス素子用永久磁石。 ３、」−記特許請求の範囲第１項記載のインダクタンス
素子用永久磁石において、磁粉′の粉砕粒度が４５〜３
００μｍであり、かつ樹脂どしてポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＳ）を用い射出成形されたことを特徴とす
るインダクタンス素子用永久磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118477A JPS6010605A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | インダクタンス素子用永久磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118477A JPS6010605A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | インダクタンス素子用永久磁石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010605A true JPS6010605A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14737638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118477A Pending JPS6010605A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | インダクタンス素子用永久磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010605A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279106A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Seiko Epson Corp | 樹脂結合型永久磁石 |
| JPS62242317A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-22 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 難燃性樹脂磁石 |
| WO2002021543A1 (fr) * | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Nec Tokin Corporation | Aimant permanent, noyau magnétique utilisant cet aimant comme aimant de polarisation, et pièces à inductance utilisant ce noyau |
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| EP1211699A2 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-05 | Tokin Corporation | Magnetic core having magnetically biasing bond magnet and inductance part using the same |
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| JP2002222714A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nec Tokin Corp | インダクタ |
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| JP2003007552A (ja) * | 2000-11-29 | 2003-01-10 | Nec Tokin Corp | 磁気バイアス用磁石を有する磁気コア及びそれを用いたインダクタンス部品 |
| JP2003109826A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nec Tokin Corp | 磁気コアおよびインダクタンス部品 |
| EP1330015A1 (en) * | 2000-10-25 | 2003-07-23 | Nec Tokin Corporation | Magnetic core, coil component comprising it, and power source circuit |
| EP1548765A1 (en) * | 2002-09-19 | 2005-06-29 | Nec Tokin Corporation | Method for manufacturing bonded magnet and method for manufacturing magnetic device having bonded magnet |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58118477A patent/JPS6010605A/ja active Pending
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279106A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Seiko Epson Corp | 樹脂結合型永久磁石 |
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| US6995643B2 (en) | 2000-09-08 | 2006-02-07 | Nec Tokin Corporation | Magnetically biasing bond magnet for improving DC superposition characteristics of magnetic coil |
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| EP1321950A4 (en) * | 2000-09-08 | 2007-05-02 | Nec Tokin Corp | PERMANENT MAGNET, MAGNETIC CORE USING THE MAGNET AS A POLARIZING MAGNET, AND INDUCTANCE PARTS USING THE SAME |
| KR100851459B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2008-08-08 | 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 | 영구자석, 이것을 자기 바이어스용 자석으로 한 자기코어, 및 그것을 이용한 인덕턴스 부품 |
| KR100851450B1 (ko) * | 2000-10-25 | 2008-08-08 | 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 | 바이어스용 자석을 구비한 자기 코어 및 이를 이용한인덕턴스 부품 |
| EP1330015A1 (en) * | 2000-10-25 | 2003-07-23 | Nec Tokin Corporation | Magnetic core, coil component comprising it, and power source circuit |
| EP1202295A3 (en) * | 2000-10-25 | 2003-10-15 | NEC TOKIN Corporation | Magnetic core including bias magnet and inductor component using the same |
| EP1330015A4 (en) * | 2000-10-25 | 2007-03-21 | Nec Tokin Corp | MAGNETIC CORE, COIL COMPONENT WITH THE SAME AND POWER SUPPLY CIRCUIT |
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