JPS60104644A - ウエハ−の外周研削・面取装置 - Google Patents

ウエハ−の外周研削・面取装置

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JPS60104644A
JPS60104644A JP20833483A JP20833483A JPS60104644A JP S60104644 A JPS60104644 A JP S60104644A JP 20833483 A JP20833483 A JP 20833483A JP 20833483 A JP20833483 A JP 20833483A JP S60104644 A JPS60104644 A JP S60104644A
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grinding
wafer
chamfering
outer periphery
grindstone
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鶴田 捷二
Sadanobu Yamada
定信 山田
Shigeru Kimura
繁 木村
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、シリコン、カリウム・ヒ累などの半導体の
薄板であるウエノ・−の外周全研削して所要の寸法にし
、さらKその上下の面取りを行なうウェハーの外周研削
・面取装置に関するものである。
従来、ウエニ・−に対して、外周研削及び面取り加工を
行なうには、ウエノ・−の外周部に宿って、所定の断面
形状を有する総形砥石會軽く押し付け、ウェハーの外径
を基準にして一定の量を研削して、主に面取りを行なう
方法と、ウエノ・−の回転軸の一部に、ウエノ・−の仕
上り寸法、形状と全く同じ倣い母型のマスターを設け、
砥石をそのマスターに倣って押し付けて外径研削及び面
取りケ行なう方法との二つが知られている。
しかしながら、次のような欠点がある。
■、ウエノ・−には結晶方位に合せ、円周の一部を直線
状に切り欠いた0・F(オリエンテーション番フラット
)があるが、この部分では砥石の送り速度量が一定せず
、寧取幅が変動したり、0・F部の直線性が悪い。
@ 一般にウェハーは円柱−状のインゴットからスライ
シングマシンにかけてウェハー状にスライスされるが、
この際結晶の方位の関係で、インゴットθ軸芯と直交せ
ず、傾いてスライスされることが多く、従ってウェハー
は楕円形になっていることが多いなど、本方法による面
取、外周研削では、この楕円を真円に矯正することがで
きず、ウェハーの仕上9寸法精度が悪い〇 また、後工程のハンドリングや、位置合せには、非常な
高精度が必要であり、また、エピタキシャル成長の関係
等から、ウェハーの外径の寸法精度や面取部の形状精度
に関して、ますます厳しい値が要求されておシ、上記前
者の方法では到底達成不可能であって、倣い方式0面取
りe行なう必要がある。ところが、この倣い面取りでは
、楕円状のウェハーを真円に削るために0,5〜1.9
1111という大量の研削代を持たせている等、研削量
が多く、研削所要時間が極めて長くなるという欠点があ
った。
この発明は、上述した従来方法による欠点を解決する′
ためになされたものであって、複数個の砥石により、一
枚のウェハーを殆んど同時に研削することによって研削
能率を向上させるとともに、砥石の荒研削、仕上研削な
どの使い分けを行ない重研削を可能にして、さらに能率
を向上させながら、仕上精度も同時に満足できる面取機
を得、合せて研削量の微調整に倣いローラの砥石に対す
る位@を微調整するが、これに二重偏芯機構を採用して
理想的な方向に倣いローラを偏芯させることができ、仕
上精度、特に0・F部の直線性を大幅に向上させること
を目的としたウエノ・−の外周研削・面取装置を提供す
るものである。
以下、この発明による実施例を添付した図面に基づいて
詳細に説明する。
第1図は本発明による砥石軸ユニットの構成を示す上面
図であり、砥石軸1とその駆動モータ2は1つのフレー
ム3に取付けられ、ベルト4によシ駆動されるように連
絡されている。上記フレーム3の一部には揺動及び上下
軸5が設けられ、他に切シ込み及び倣い追従用のシリン
ダ6が設置されている。
また、ウェハー7の軸芯Oと、砥石軸1の軸芯Aと、揺
動軸5の軸芯Bのなす角度jOABは、はぼ90CVC
なっておシ、シリンダ6の押し、引き作動によシ砥石軸
1は揺動軸5を支点にしてウェハー7に近づいたり、離
れたシすることによって研削を行なうようになっている
第2図は第1図における揺動及び上下軸5の部分説明図
でアシ、架台8.9に固定された軸10の外側に1回転
及びスライドが可能な軸受11,12を介して、上記フ
レーム3が装着されている。
上記7レーム3の上方には、フレーム3とは回転自在な
部材13が取付けられ、この部材131Z)端部にはネ
ジが形成され、スクリュー14が螺合している。?−仁
で、上記スクリュー14は、架台8の上方に設置された
モータ15により正・逆回転が可能であシ、スクリュー
14を正・逆回転させてフレーム3g)上下動を調整す
ることができるようKなっている。
ここで、外径研削を行なう砥石では、上記スクリュー1
4t−モータ15で駆動して、研削中に砥石を上下動さ
せておシ、また、面取りt行なう砥石では、スクリュー
14を手動又はモータ15で動かして面取量を調整する
が、研削中は固定しである。
第3図は第1図の砥石軸1を側面からみた説明図であシ
、砥石軸1には、砥石16が固定され、又倣いローラ1
7が回転自在に取付けされている。
上記砥石16と倣いローラは原則として同径に成形され
るが、A1砥石によるウェハースの仕上げ寸法は、煮2
砥石以下の砥石による研削代だけ所定寸法より太きいた
め、その分だけ、倣いロー第4図は切9込み量の微調整
をする二重偏芯機構を有する倣いローラの説明図でアシ
、砥石軸1の外側に偏芯輪aが回転自在にと9つけられ
、その外径は内径に対し偏芯しておシ、その外径の芯は
Cである。また、偏芯軸aの外側には偏芯軸すが回転自
在にと9つけられ、その内径と外径は偏芯しておシ、そ
の外径の芯はA′である。
ここで上記偏芯軸すの偏芯量Xでを偏芯軸aにおける偏
芯量にでと同じに設定しておくことによシ、それぞれの
偏芯方向を調節することによって芯Aとλとを完全に一
致させることができる。
また、ウェハーの円周部を研削しているときは、直線O
Aと、砥石外周との交点Pが研削点となり、つx−バー
4)直線M分0・F(オリエンテーション・フラット)
全研削するときは、研削点がOA上からずれて点Qに移
ル、Q点の位置は刻々変化する。
従って、ウェハーを倣いマスターと全く同じに仕上げる
ためには、砥石と倣いローラは同じ径で同各であること
を理想とする。しかしながら実際には、砥石の摩耗につ
れて、倣いローラの径を小さくしたシ、ウェハーの仕上
シ寸法を変えたいときに倣いマスターを取換えたシして
いたのでは煩雑であるばかシでなく、現実的でない。
実際には、切シ込み量の微調整は砥石軸芯Aと倣いロー
ラの回転軸芯Nとをずらせることによって行なうのが一
般的であり、この場合、砥石と倣いローラの外周部のず
れは、QPQ間ではできるだけ同じであることが望まし
く、そのためにはウェハー軸芯0と、砥石軸芯Aとを結
んだσlの方向に点λを移動させるべきであって、σl
と直角の方向にはできるだけずれないようにするのが良
い。このために偏芯輪a、bi使った二重偏芯機構とし
、偏芯軸aとb1反対方向に同じ角度だけ回すことによ
りσAi上に漕って点X+移動させることができる。
さらに偏芯軸aは固定し、偏芯軸すを回転させることに
よって点Kをずらせるだけでもよい。猟の方向の移動に
比較してσlと直角の方向への移動は僅少であり、ウエ
ノ・−の仕上り精度にあまり影響はない。
現在公知の技術では、二重偏芯は使わず、偏芯軸aの外
径に倣いローラをつける方法であって、砥石の軸芯A1
倣いローラの回転軸芯Cになっているため、AとCを一
致させることは原理的にできない。また砥石径と倣いロ
ーラ径が同じ場合には、第4図の点Cのように、C点を
OAと直角の方向にKでだけずれることになり、このず
れた分がウェハーの仕上シ精度に重大な影響を及ぼして
いる。
第5図はウェハーを保持する上下軸部分の構造を示す縦
断面図であシ、架台8に垂直に固定されたケーシング1
8に軸受を介して回転自在に取付けられた上軸19の下
端にはウェハー押え上盤2゜が、その上部の倣いマスタ
ー(母型)21を介して一体に取付けられている。
上記上軸19の上部にはプーリが固定され、モその信号
によシ各砥石の切り込み量、切シ上げが指示されるよう
になっている。
一方、上記上軸19に対して同一軸芯上にあり、エアシ
リンダ24によって上下動し、ウェハー7の受け渡しを
行ないながら、受は取ったウェハ一部軸26がある。
上記下部軸26は、軸受を介してそのケーシング27と
は回転自在であシ、ウエノ・−押え下盤25、下部軸2
6、ケーシング27がエアシリンダ24によって上下に
移動するようKなっている。ここで、上記下部軸2′6
には回転駆動機構はなく、ウェハー7が上軸19によっ
て押し付けられたとき、上軸19の回転に伴なって一体
に回転するようになっている。
第6図はこの発明による砥石ユニットの配置を示す説明
図であり、4個の砥石ユニツ) A I、A 2゜A 
3. A 4 ftウエノ・−7の外側に90Qt1つ
等分に配置され、四方から研削をし、その切り込みのタ
イミングは90°〜110°ずらせて行なうものとする
すなわち、ウエノ・−7の回転と同時にA1砥石を切り
込み、ウエノS−7が90°〜110°回転したところ
でA2砥石を、同じくウニ/%−7が180’〜220
°回転したところで轟3砥石を、さらに、ウェハー7が
27C〜330°回転したところでA4砥石を切り込み
、各々の砥石がウェハー外周を1周したところで砥石を
切シ上げ、A4砥石の切り上げは630°〜690°以
降となシ、従ってウェハー2回転(76”0’)で研削
が終了することになる。
そこで、各砥石A1−ム4の機能を下記のように設定し
ておけば、良好な研削が可能となる。
ム1砥石:外周荒研削とし、砥粒を粗くし、重研削を行
なう。
A2砥石:外周精研削とし、砥粒を中程匿とし、ダメー
ジを少なくしながら能率を上 げる。ここでA1.A2砥石は外周平 砥石として、研削中上下に移動させ る。
A3砥石・:、下側面取りとする。
A4砥石二上側面取りとする。
A3.A4砥石は第7図に示すように、断面形状と同じ
総形砥石とし、面取 りだけでなく、わずかな外径研削も 行なう。砥粒はできるだけ小さくし、 仕上面精度を上げるものとする。
以上詳細に説明したように、この発明によるウェハーの
外周研削・面取シ装置によれば、外周研MIJ用砥石と
、面取シ用砥石との併用により、二つの加工を同時に行
なうことが可能であシ、下記のような効果を有する。
■、砥石を夫々の機能に分割し、それに合った砥粒及び
砥石形状を選定することによって、砥石に無理がかから
ず、その寿命の延長を図ることができる。
すなわち、外径研削用のA1砥石は、重研削であるため
、砥粒を粗くするとともに、簡単な平砥石でよく、研削
中上下に移動させることによって全面を利用できるので
、その寿命を伸ばすことができる。また、A2〜A4砥
石では仕上精度の関係から、細かい砥粒を使用するが、
A1で外径を寸法の限界近くまで研削しておくと、他の
砥石による切シ込み量が少なくなるので無理がかからず
、その寿命を伸ばすことができるものである。
■、上記したように、各機能別に砥石を分割したので、
Al砥石による外径荒研削の研削能力は大きく、かつA
2〜A4砥石の切夛込み量は少ないので、ウェハーの回
転速度を上げることができる。
■、ウェハーの回転中、A1〜A4砥石が順次研削に入
り、同時に複数の砥石で研削しておシ、ウェハー2回転
で研削を終ることができ、能率を非常に高めることがで
きる。
■、上述のように、JP63.A4砥石は第7図の如き
総形砥石を上下別々に分けることによって、上下面の面
取り幅の違いや、ウェハーのサイズチェンジに伴なう厚
さの違いに迅速に容易に対応することができる。すなわ
ち、砥石の交換の必要がなく、上下方向の砥石の調節の
みで対応可能である。
■、二重偏芯機構を採用することによって、倣いローラ
の偏芯方向を任意に選定することができ、実際にはウェ
ハーの仕上り精度が最もよくなる方向に偏芯させること
によって、従来以上に仕上り精度を上げることができる
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による砥石ユニットの構成を示す上面
図、第2図は第1図の揺動及び上下軸の部分説明図、第
3図は第1図の砥石軸を側面から見た説明図、第4図は
この発明による切シ込み量の微調整を行なう二重偏芯機
構を有する倣いローラの説明図、第5図はウェハーを保
持する上下軸部分の構造を示す縦断面図、第6図はこの
発明による砥石ユニットの配置を示す上面図、第7図は
この発明の砥石によるウェハーの面取り状態を示す要部
の断面図である。 1・・・砥石軸、2・・・駆動モータ、3・・・フレー
ム、5・・・揺動及び上下軸、6・・・シリンダー、7
・・・ウェハー、8.9・・・架台、10・・・軸、1
1.12・・・軸受、13・・・部材、14・・・スク
リュー、15・・・モータ、16・・・砥石、17・・
・倣イローラ、18・・・ケーシング、19・・・上軸
、 20・・・上盤、21・・−倣いマスター、22・
−・モータ、23・・・エンコーダ、24・−エアシリ
ンダ、25・・・ウェハー押工下盤、26・・・下部軸
、27・−・ケーシングづf4eI −牙6回 一才乙(堝 う“7齢

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体ウェハーの外周研削と面取りを行なう倣い
    面取機において、外周粗研、外周精研、上側面取、下側
    面取などの各種機能別に分割した複数個の砥石ユニット
    をウエノ・−の外周に等間隔に配置し、上記砥石のうち
    、最初の砥石が研削を開始して、第2砥石の切9込み位
    置を通過すると、はとんど同時に第2砥石が研削を開始
    し、以下同じように第3、第4砥石が切り込まれ、最後
    の砥石がウェハーを一周したところで、全ての研削が終
    了するようにしてなるウェハーの外周研削・面取装置。
  2. (2)上記複数個の砥石ユニットにおいて、外周研削用
    の砥石は研削中軸方向に揺動し、面取用砥石は面取量調
    節のため軸方向に微調整可能にし、上記各砥石における
    切り込み量を調節するため、倣いローラの位tiir調
    節する二重偏芯機構を具備したことを特徴とする特許請
    8の範囲第1項記載のウェハーの外周研削・面取装置。
JP20833483A 1983-11-08 1983-11-08 ウエハ−の外周研削・面取装置 Granted JPS60104644A (ja)

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