JPS6010397B2 - サンプル・ホ−ルド回路 - Google Patents
サンプル・ホ−ルド回路Info
- Publication number
- JPS6010397B2 JPS6010397B2 JP53010971A JP1097178A JPS6010397B2 JP S6010397 B2 JPS6010397 B2 JP S6010397B2 JP 53010971 A JP53010971 A JP 53010971A JP 1097178 A JP1097178 A JP 1097178A JP S6010397 B2 JPS6010397 B2 JP S6010397B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- sample
- hold
- differential amplifier
- pair
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
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- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は入力信号をスイッチ素子によって所定時間に抽
出し、抽出信号を一時記憶するサンプル・ホールド回路
に関し、アナログ・ゲ−ト・スイッチの非線形性オン抵
抗に基く、ひずみを無くすと共に高速化を図ることを目
的とする。
出し、抽出信号を一時記憶するサンプル・ホールド回路
に関し、アナログ・ゲ−ト・スイッチの非線形性オン抵
抗に基く、ひずみを無くすと共に高速化を図ることを目
的とする。
サンプル・ホールド回路は、データ変換器に不可欠な構
成要素であり、特にAD変換器に於いては、アナログ信
号系とディジタル処理部との間のインターフェイスとし
て重要である。
成要素であり、特にAD変換器に於いては、アナログ信
号系とディジタル処理部との間のインターフェイスとし
て重要である。
即ち、AD変換器の変換精度は、サンプル・ホールド回
路の特性によって左右される。一般的なサンプル・ホー
ルド回路は第1図に示すような構成である。
路の特性によって左右される。一般的なサンプル・ホー
ルド回路は第1図に示すような構成である。
入力端子5に印加されたアナログ信号は、前鷹増幅器1
によってインピーダンス変換してアナoグゲートスィッ
チ3に伝えられる。アナログゲートスイッチ3に加えら
れるサンプリングパルス7によって、前記スイッチ3は
開閉を繰返し、ホールド容量4にサンプル(抽出)値が
蓄えられる。それを、高入力インピーダンス増幅器2に
よってインピーダンス変換し低出力インピーダンスで出
力端子6よりサンプル・ホールド信号を得る。サンプル
・ホールド回路の動作波形を第2図a〜cに示す。
によってインピーダンス変換してアナoグゲートスィッ
チ3に伝えられる。アナログゲートスイッチ3に加えら
れるサンプリングパルス7によって、前記スイッチ3は
開閉を繰返し、ホールド容量4にサンプル(抽出)値が
蓄えられる。それを、高入力インピーダンス増幅器2に
よってインピーダンス変換し低出力インピーダンスで出
力端子6よりサンプル・ホールド信号を得る。サンプル
・ホールド回路の動作波形を第2図a〜cに示す。
同図aはアナログ入力信号を示し、同図bはサンプリン
グパルスを示す。そして同図cはサンプル・ホールド信
号を示す。サンプル・ホールド回路で従来より問題にさ
れている点は、第2図cに示すサンプリング状態aの入
力信号に対する追従性である。この追従性が悪いと、同
図のホールド状態bに於ける精度も悪く、AD変換器の
変換精度を悪化させる。追従性は、第1図に示すアナロ
グゲートスイッチ3の非線形に依存する。例えば、アナ
ログゲートスイッチ3にMOSトランジスタあるいは接
合型FETを用いれば、基板バイアス効果でオン抵抗が
アナログ信号電圧の大きさによって変化する。そのため
、追従性が悪くひずみを生じる原因になる。また、同ス
イッチ3にバイポーラトランジスタあるいはダイオード
ブリッジを用いると駆動電流による誤蔓蓋が生じる。こ
れらの欠陥を補うために、種々の帰還方式が提案されて
いる。その提案例を第3図及び第4図に示す。
グパルスを示す。そして同図cはサンプル・ホールド信
号を示す。サンプル・ホールド回路で従来より問題にさ
れている点は、第2図cに示すサンプリング状態aの入
力信号に対する追従性である。この追従性が悪いと、同
図のホールド状態bに於ける精度も悪く、AD変換器の
変換精度を悪化させる。追従性は、第1図に示すアナロ
グゲートスイッチ3の非線形に依存する。例えば、アナ
ログゲートスイッチ3にMOSトランジスタあるいは接
合型FETを用いれば、基板バイアス効果でオン抵抗が
アナログ信号電圧の大きさによって変化する。そのため
、追従性が悪くひずみを生じる原因になる。また、同ス
イッチ3にバイポーラトランジスタあるいはダイオード
ブリッジを用いると駆動電流による誤蔓蓋が生じる。こ
れらの欠陥を補うために、種々の帰還方式が提案されて
いる。その提案例を第3図及び第4図に示す。
第3図はアナログゲートスイッチ3,4を用いて演算増
幅器1に帰還を掛けるものであり、ホールド容量6より
見たアナログゲートスイッチ3,4のオン抵抗を低下さ
せるものである。同図の抵抗5は、スイッチ3,4がオ
フとしたとき、演算増幅器1がラッチアップしないため
の帰還抵抗である。第4図は出力端子8より演算増幅器
1の入力端子へ帰還を掛けることにより追従性の改善を
図っている。そして、スイッチ3がオフしたとき演算増
幅器1がラツチアツプしないようにダイオード5,6で
クランブを施している。これらの回路に共通な事は、共
に帰還を掛けることにより、基板バイアス効果によるオ
ン抵抗の変動を軽減させようとするものであり、本質的
にこの変動を醸すことができない。
幅器1に帰還を掛けるものであり、ホールド容量6より
見たアナログゲートスイッチ3,4のオン抵抗を低下さ
せるものである。同図の抵抗5は、スイッチ3,4がオ
フとしたとき、演算増幅器1がラッチアップしないため
の帰還抵抗である。第4図は出力端子8より演算増幅器
1の入力端子へ帰還を掛けることにより追従性の改善を
図っている。そして、スイッチ3がオフしたとき演算増
幅器1がラツチアツプしないようにダイオード5,6で
クランブを施している。これらの回路に共通な事は、共
に帰還を掛けることにより、基板バイアス効果によるオ
ン抵抗の変動を軽減させようとするものであり、本質的
にこの変動を醸すことができない。
更に、第4図に示す方式では、クランプダィオード5,
6の順方向電圧間で演算増幅器7が振動し、動作状態の
過渡期にスパイクを生じ、これが立上り速度を悪化する
。
6の順方向電圧間で演算増幅器7が振動し、動作状態の
過渡期にスパイクを生じ、これが立上り速度を悪化する
。
以上の如く、第5図にその基本形を示すようにアナログ
ゲートスイッチを介してホールド容量へ充放電させる形
式のサンプル・ホールド回路では前記アナログ・ゲート
スイッチの特性の影響を直接受けることになり、本質的
特性の改善を望めない。
ゲートスイッチを介してホールド容量へ充放電させる形
式のサンプル・ホールド回路では前記アナログ・ゲート
スイッチの特性の影響を直接受けることになり、本質的
特性の改善を望めない。
本発明は以上のような点から、従釆のアナログゲート・
スイッチを備えたサンプル・ホールド回路の基本形より
脱却した、ひずみ無く高速化を図った新しい構成のサン
プル・ホールド回路を提供するものである。
スイッチを備えたサンプル・ホールド回路の基本形より
脱却した、ひずみ無く高速化を図った新しい構成のサン
プル・ホールド回路を提供するものである。
本発明による一実施例の構成図を第6図に示し、以下同
図に従って本発明を説明する。
図に従って本発明を説明する。
第6図に示すトランジスタ1,4は、アクティブ負荷形
式の差動増幅器を構成する。
式の差動増幅器を構成する。
即ち、トランジスター,2が増幅素子として働き、トラ
ンジスタ3,4が負荷素子として働く。該差動増幅器の
出力は、トランジスタ2及びトランジスタ4の共通接続
されたコレクタ電極より取り出される。
ンジスタ3,4が負荷素子として働く。該差動増幅器の
出力は、トランジスタ2及びトランジスタ4の共通接続
されたコレクタ電極より取り出される。
トランジスタ1,2に供聯合される電流はトカレントミ
ラー接続したトランジスタ11及びトランジスタ9によ
って与えられる。更に、この電流は、トランジスタ6及
び7によって構成される電流スイッチによって開閉され
る。即ち、トランジスタ15に、サンプリングパルスS
Pが印加されると、抵抗14により直流・レベルシフト
され、このサンプリングパルスSPは、前記電流スイッ
チのトランジスタ6に伝達される。サンプリングパルス
SPが伝達されると、トランジスタ6はオフする。した
がって、トランジスタ9によって供V給される電流は、
オンしているトランジスタ7を通って、前記差敷増幅器
へバイアス電流として供孫台される。一方、前記差動増
幅器の出力は、高入力インピーダンス素子5、すなわち
MOS型トランジスタまたは接合型電界効果トランジス
タ等によって増幅される。(この場合、増幅率は特に考
慮する必要はない。)更に、前記高入力インピーダンス
素子5による増幅出力は、前記差動増幅器の入力端子ト
ランジスタ2のベースへ負帰還される。ホールド容量1
6は、前記差動増幅器の出力部に接続される。以上の構
成によって、トランジスタ1〜4及びMOS型トランジ
スタ5は、利得1の電圧フオロワ回路を形成し、トラン
ジスタ1のベース電極に印加したアナログ入力信号Vi
nは、トランジスタ2のベース電極及びMOS型トラン
ジスタ5のソース電極より、位相反転せずにV側として
V1nそのままが出力される。
ラー接続したトランジスタ11及びトランジスタ9によ
って与えられる。更に、この電流は、トランジスタ6及
び7によって構成される電流スイッチによって開閉され
る。即ち、トランジスタ15に、サンプリングパルスS
Pが印加されると、抵抗14により直流・レベルシフト
され、このサンプリングパルスSPは、前記電流スイッ
チのトランジスタ6に伝達される。サンプリングパルス
SPが伝達されると、トランジスタ6はオフする。した
がって、トランジスタ9によって供V給される電流は、
オンしているトランジスタ7を通って、前記差敷増幅器
へバイアス電流として供孫台される。一方、前記差動増
幅器の出力は、高入力インピーダンス素子5、すなわち
MOS型トランジスタまたは接合型電界効果トランジス
タ等によって増幅される。(この場合、増幅率は特に考
慮する必要はない。)更に、前記高入力インピーダンス
素子5による増幅出力は、前記差動増幅器の入力端子ト
ランジスタ2のベースへ負帰還される。ホールド容量1
6は、前記差動増幅器の出力部に接続される。以上の構
成によって、トランジスタ1〜4及びMOS型トランジ
スタ5は、利得1の電圧フオロワ回路を形成し、トラン
ジスタ1のベース電極に印加したアナログ入力信号Vi
nは、トランジスタ2のベース電極及びMOS型トラン
ジスタ5のソース電極より、位相反転せずにV側として
V1nそのままが出力される。
すなわち、このように電圧フオロヮ回路は、インピーダ
ンス変換を行うのである。ところで、サンプリングパル
スSPがトランジスタ15に印加されれば、アナ。
ンス変換を行うのである。ところで、サンプリングパル
スSPがトランジスタ15に印加されれば、アナ。
グ入力信号Vinはそのまま出力端OUTにVinとし
て出力される。このとき、ホールド容量16には、アナ
ログ入力信号電圧V,nよりもMOSトランジスタ5の
ゲートしき値電圧V山だけ高い電圧が蓄積されている。
サンプリングパルスSPの印加が停止すればトランジス
タ1及び2へバイアス電流の供給が止まる。それゆえ、
アナログ入力信号の増幅は停止するが、高インピーダン
ス点である前記差動増幅器の出力端子に接続されている
ホールド容量16の蓄積電荷量は、高入力インピーダン
スであるゆえに変化することがない。それゆえ、MOS
型トランジスタ5のソース電極には、前記ホールド容量
の蓄積電圧より該MOS型トランジスタのしき値電圧V
thを引いた値Vinに保持される。第7図a〜cは、
サンプリングパルス、アナログ入力信号、およびサンプ
ル・ホールド波形を示す。以上に説明した如く、本発明
によるサンプル・ホールド回路は、高利得の差動増幅回
路に負帰還を施し、特性の改善を向上させると共に、ホ
ールド容量への充放電はアナログゲートスイッチに依ら
ないため、従来のスイッチ素子に基因する基板バイアス
効果によるひずみ発生を防ぐことができる。更に、従来
、高利得の差動増幅器には発振防止のため位相補償容量
を付加するのが通例であるが、本発明によるサンプル・
ホールド回路では、ホールド容量が前記位相補償容量を
も兼用する。そして、前記差動増幅器の高インピーダン
スの出力部に存在するストレー容量も、前記ホールド容
量に並列に接続され吸収されるため、ストレー容量によ
るスピード低下の影響を遮ることができ、高速サンプル
ホールド回路が実現できる。
て出力される。このとき、ホールド容量16には、アナ
ログ入力信号電圧V,nよりもMOSトランジスタ5の
ゲートしき値電圧V山だけ高い電圧が蓄積されている。
サンプリングパルスSPの印加が停止すればトランジス
タ1及び2へバイアス電流の供給が止まる。それゆえ、
アナログ入力信号の増幅は停止するが、高インピーダン
ス点である前記差動増幅器の出力端子に接続されている
ホールド容量16の蓄積電荷量は、高入力インピーダン
スであるゆえに変化することがない。それゆえ、MOS
型トランジスタ5のソース電極には、前記ホールド容量
の蓄積電圧より該MOS型トランジスタのしき値電圧V
thを引いた値Vinに保持される。第7図a〜cは、
サンプリングパルス、アナログ入力信号、およびサンプ
ル・ホールド波形を示す。以上に説明した如く、本発明
によるサンプル・ホールド回路は、高利得の差動増幅回
路に負帰還を施し、特性の改善を向上させると共に、ホ
ールド容量への充放電はアナログゲートスイッチに依ら
ないため、従来のスイッチ素子に基因する基板バイアス
効果によるひずみ発生を防ぐことができる。更に、従来
、高利得の差動増幅器には発振防止のため位相補償容量
を付加するのが通例であるが、本発明によるサンプル・
ホールド回路では、ホールド容量が前記位相補償容量を
も兼用する。そして、前記差動増幅器の高インピーダン
スの出力部に存在するストレー容量も、前記ホールド容
量に並列に接続され吸収されるため、ストレー容量によ
るスピード低下の影響を遮ることができ、高速サンプル
ホールド回路が実現できる。
第1図は従来のサンプル・ホールド回路構成図、第2図
a〜cは従来の匁点を説明するめのアナログ入力信号波
形、サンプリングパルス波形、およびサンプル・ホール
ド波形を示す図、第3図、および第4図は特性改善をし
た従釆のサンプルホールド回路を示す図、第5図はサン
プル・ホールド回路の基本形を示す図、第6図は本発明
のサンプル・ホールド回路の一実施例を示す回路図、第
7図a〜cは同実施例の各部の波形図である。 1〜4・・・・・・差動増幅器構成用トランジスタ、5
……MOSトランジスタ、6,7……電流スイッチ構成
用トランジスタ、8〜11・・・・・・定電流源構成用
トランジスタ、12〜14・…・・抵抗、15・・・・
・・サンプリングパルス入力用トランジスタ、16..
・..・ホールド容量。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
a〜cは従来の匁点を説明するめのアナログ入力信号波
形、サンプリングパルス波形、およびサンプル・ホール
ド波形を示す図、第3図、および第4図は特性改善をし
た従釆のサンプルホールド回路を示す図、第5図はサン
プル・ホールド回路の基本形を示す図、第6図は本発明
のサンプル・ホールド回路の一実施例を示す回路図、第
7図a〜cは同実施例の各部の波形図である。 1〜4・・・・・・差動増幅器構成用トランジスタ、5
……MOSトランジスタ、6,7……電流スイッチ構成
用トランジスタ、8〜11・・・・・・定電流源構成用
トランジスタ、12〜14・…・・抵抗、15・・・・
・・サンプリングパルス入力用トランジスタ、16..
・..・ホールド容量。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
Claims (1)
- 1 パルス信号によって一定電流が供給・遮断せられる
定電流源スイツチと、エミツタ電極が共通接続せられた
第1のトランジスタ対と、前記第1のトランジスタ対と
逆極性でカレントミラー接続せられた第2のトランジス
タ対と、高入力インピーダンス増幅器と、ホールド容量
と、電圧源とを有し、前記電圧源に前記第2のトランジ
スタ対のエミツタ電極を接続し、前記第1のトランジス
タ対のコレクタ電極を前記第2のトランジスタ対のコレ
クタ電極に各々接続し、前記第1のトランジスタ対のエ
ミツタ電極を前記電流源スイツチ接続して差動増幅器を
構成し、前記差動増幅器の出力端子に前記ホールド容量
を接続すると共に前記高入力インピーダンス増幅器を接
続し、前記高入力インピーダンス増幅器の出力端子を前
記差動増幅器の逆相入力端子に接続してなり、前記差動
増幅器の同相入力端子に印加したアナログ入力信号を、
前記パルス信号によって前記ホールド容量で抽出保持し
た出力を、前記高入力インピーダンス増幅器の出力器の
出力端子より得ることを特徴とするサンプル・ホールド
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53010971A JPS6010397B2 (ja) | 1978-02-01 | 1978-02-01 | サンプル・ホ−ルド回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53010971A JPS6010397B2 (ja) | 1978-02-01 | 1978-02-01 | サンプル・ホ−ルド回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54103652A JPS54103652A (en) | 1979-08-15 |
| JPS6010397B2 true JPS6010397B2 (ja) | 1985-03-16 |
Family
ID=11765037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53010971A Expired JPS6010397B2 (ja) | 1978-02-01 | 1978-02-01 | サンプル・ホ−ルド回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010397B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875922A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-07 | Toshiba Corp | 半導体スイツチ回路 |
-
1978
- 1978-02-01 JP JP53010971A patent/JPS6010397B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54103652A (en) | 1979-08-15 |
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