JPS60103866A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS60103866A JPS60103866A JP58210922A JP21092283A JPS60103866A JP S60103866 A JPS60103866 A JP S60103866A JP 58210922 A JP58210922 A JP 58210922A JP 21092283 A JP21092283 A JP 21092283A JP S60103866 A JPS60103866 A JP S60103866A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- image sensor
- original
- curvature
- illuminance
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ファクシミリ送信機などの読み取り系に使用
する原稿に対応し、原稿に密着して読み取りを行なうこ
とが可能な密着型イメージセンサに関するものである。
する原稿に対応し、原稿に密着して読み取りを行なうこ
とが可能な密着型イメージセンサに関するものである。
近年ファクシミリ等に用いられる画像読み取り装置を小
型化するために、密着型イメージセンサの開発が盛んで
ある。密着型イメージセンサは、原稿と同一幅に所望の
解像度で光電変換素子を一列に配し、原稿を近接させて
画像情報を読み収るイメージセンサである。
型化するために、密着型イメージセンサの開発が盛んで
ある。密着型イメージセンサは、原稿と同一幅に所望の
解像度で光電変換素子を一列に配し、原稿を近接させて
画像情報を読み収るイメージセンサである。
まず、第１図および第２図を参照して、従来の密着型イ
メージセンサのセンサ部を説明する。同一絶縁基板（１
）上に光電変換素子（３）と、光電変換素子（３）を駆
動する駆動用ＩＣ（集積回路）（６）が実装されている
。すなわち、絶縁基板（＋）上には共通″１（ｉ極（２
）および個別電極（５）が設けられ、この個別電極（５
）上には光電変換素子（３）が設けられている。この光
電変換素子（３）と共通電極（２）」二には透光性共：
Ｍ ”ｉｉ：極（４）が設けられている。この絶縁基板
（１）上には駆動用ＩＣ（６）が設けられ、この駆動用
ＩＣ（６１と個別電極（５）とはワイヤポンディングに
よって接続される。すなわち、共通電極（２１、（４）
により光電変換素子（３）に電圧を印加し、駆動用ＩＣ
（６）のスイッチング素子により順次光電変換素子（３
）を選択していくことにより、原稿の画像°情報を電気
信号に時系列に読み出すことができる。このセンサ部を
用いた密着イメージセンサは、螢光灯等の照明光源で照
明された送信原稿からの反射光をロンド・レンズ・アレ
イまたはオプティカルファイバ等の導光系を通じてセン
サ部の光電変換素子に導びくものである。
メージセンサのセンサ部を説明する。同一絶縁基板（１
）上に光電変換素子（３）と、光電変換素子（３）を駆
動する駆動用ＩＣ（集積回路）（６）が実装されている
。すなわち、絶縁基板（＋）上には共通″１（ｉ極（２
）および個別電極（５）が設けられ、この個別電極（５
）上には光電変換素子（３）が設けられている。この光
電変換素子（３）と共通電極（２）」二には透光性共：
Ｍ ”ｉｉ：極（４）が設けられている。この絶縁基板
（１）上には駆動用ＩＣ（６）が設けられ、この駆動用
ＩＣ（６１と個別電極（５）とはワイヤポンディングに
よって接続される。すなわち、共通電極（２１、（４）
により光電変換素子（３）に電圧を印加し、駆動用ＩＣ
（６）のスイッチング素子により順次光電変換素子（３
）を選択していくことにより、原稿の画像°情報を電気
信号に時系列に読み出すことができる。このセンサ部を
用いた密着イメージセンサは、螢光灯等の照明光源で照
明された送信原稿からの反射光をロンド・レンズ・アレ
イまたはオプティカルファイバ等の導光系を通じてセン
サ部の光電変換素子に導びくものである。
このようなセンサ部を用いた密着型イメージセンサは従
来のＣＣＤを用いた画像読取装置と比較し、長光路のレ
ンズ系が不要となるため、密着型イメージセンサの小型
化が可能となる。しかしながら、発光源の端部の照度が
中央部の照度に比べて暗い現像（ｉ／ニーディング効果
と称す）を防止するため、読み収り有効長以上の螢光発
光源を使用することにより小型化が充分なされない。ま
た、これを回避するには、ＬＥＤ等の高価な発光源を使
用せざるを得なくなり、安価な密着イメージセンサを要
求する需要者を満足させるものではなくなる。
来のＣＣＤを用いた画像読取装置と比較し、長光路のレ
ンズ系が不要となるため、密着型イメージセンサの小型
化が可能となる。しかしながら、発光源の端部の照度が
中央部の照度に比べて暗い現像（ｉ／ニーディング効果
と称す）を防止するため、読み収り有効長以上の螢光発
光源を使用することにより小型化が充分なされない。ま
た、これを回避するには、ＬＥＤ等の高価な発光源を使
用せざるを得なくなり、安価な密着イメージセンサを要
求する需要者を満足させるものではなくなる。
次に第３因及び第４図を参照して従来のイメージセンナ
の問題点を詳述する。なお第４図において横軸ｌは照明
光源［１１）ので端を原点とした時の、その原点からの
距離を示し、縦軸Ｌ （ｘ）は密着型イメージセンサに
対する原稿の走査方向に対する原稿０３）面上の照度を
示す。
の問題点を詳述する。なお第４図において横軸ｌは照明
光源［１１）ので端を原点とした時の、その原点からの
距離を示し、縦軸Ｌ （ｘ）は密着型イメージセンサに
対する原稿の走査方向に対する原稿０３）面上の照度を
示す。
第３図において、密着イメージセン＋ｆ（２０）は、螢
光灯等の照明光源αυから照射された光（１渇が送信原
稿α翅で反射し、この反射光Ｏηをロンド・レンズ・ア
レイα荀を通して、センサ部α９上の光電変換素子（Ｉ
Ｇ）へ導かれる。ところが、前述した如く、照明光源ａ
υ自体の発光ｂ（の不均一性により、第４図の特性曲線
が示す様に、端部に照射量が少ないという照度むらが生
じる。この照度むらにより、一般に原稿面端部じおける
照度が減少する。即ち、シェーデング効果のため、密着
イメージセンサにおける光電変換素子α６）（１生じる
電流にもむらが生じることになり、原稿端部の読取誤入
力が発生することになり、正確な原稿の読取が不可能と
なる危険がある。
光灯等の照明光源αυから照射された光（１渇が送信原
稿α翅で反射し、この反射光Ｏηをロンド・レンズ・ア
レイα荀を通して、センサ部α９上の光電変換素子（Ｉ
Ｇ）へ導かれる。ところが、前述した如く、照明光源ａ
υ自体の発光ｂ（の不均一性により、第４図の特性曲線
が示す様に、端部に照射量が少ないという照度むらが生
じる。この照度むらにより、一般に原稿面端部じおける
照度が減少する。即ち、シェーデング効果のため、密着
イメージセンサにおける光電変換素子α６）（１生じる
電流にもむらが生じることになり、原稿端部の読取誤入
力が発生することになり、正確な原稿の読取が不可能と
なる危険がある。
上述の問題点に鑑みて、本発明の目的は簡易かつ安価に
シエーデング補正効果を持つ発光源を有する密着イメー
ジセンサを提供すること；二ある。
シエーデング補正効果を持つ発光源を有する密着イメー
ジセンサを提供すること；二ある。
上述の目的を達成するために、本発明はイメージセンナ
用光源に有限の曲率を持たせたので、照度の不足してい
る原稿両端付近に対して原稿と光源との間の距離とイ目
対的に近すけ、原稿面上の照度を均一化することにより
、原稿端部の読取誤入力を防止することができる。
用光源に有限の曲率を持たせたので、照度の不足してい
る原稿両端付近に対して原稿と光源との間の距離とイ目
対的に近すけ、原稿面上の照度を均一化することにより
、原稿端部の読取誤入力を防止することができる。
以下第５図を参照して本発明の詳細な説明する。
第５ 図＋： オいて、密着イメージセンナ（３ｏ）は
ある曲率な有する螢光灯等の照明光源（３υから照射さ
れた光（３２が送信原稿（３３）で反射し、この反射光
（３４）をロンド・アレイ・レンズ（図示せず）を通し
てセンサ部ｔ３ω上の光電変換素子（図示せず）へ尋く
。
ある曲率な有する螢光灯等の照明光源（３υから照射さ
れた光（３２が送信原稿（３３）で反射し、この反射光
（３４）をロンド・アレイ・レンズ（図示せず）を通し
てセンサ部ｔ３ω上の光電変換素子（図示せず）へ尋く
。
次に第６図を参照して、照明光源０１）の曲率半径の設
計値を示す。
計値を示す。
第６図において、曲率半径を几、照明光源即ち螢光光源
ランプＯυの長手方向の有効長を４、画像すなわち原稿
（３３）から螢光光源ランプ（３１）までの最長距離を
Ｚｍａｘ 、原点を原稿（至）の中心とし、原稿長の各
点の座標なＸで示し、原稿ｌ３３）の個々の点と光源ラ
ンプＯυの個々の点との距離をＺ （ｘｉで示す。
ランプＯυの長手方向の有効長を４、画像すなわち原稿
（３３）から螢光光源ランプ（３１）までの最長距離を
Ｚｍａｘ 、原点を原稿（至）の中心とし、原稿長の各
点の座標なＸで示し、原稿ｌ３３）の個々の点と光源ラ
ンプＯυの個々の点との距離をＺ （ｘｉで示す。
ＸとＺ （ｘｌとの関係式は次のようになる。
△ａｂｃの各辺は、ａｂ＝ｘ 、 ｃａ＝Ｒ，。
ｂ ｃ ＝ Ｚ （Ｘｌ＋几−Ｚｍａｘ となるから、
１％２＝ ｘ２＋（Ｚ （ｘ）＋Ｒ−Ｚｍａｙ ）２−
・＝■となる。この式■をｎ （ｘｉの関数式に変形
すると、となる。但し、曲率半径ＪＪｘ）は個々の光電
変換素子に必要な照度を保証するための螢光発汁ランプ
の局部的曲率半径を示すものとする。
１％２＝ ｘ２＋（Ｚ （ｘ）＋Ｒ−Ｚｍａｙ ）２−
・＝■となる。この式■をｎ （ｘｉの関数式に変形
すると、となる。但し、曲率半径ＪＪｘ）は個々の光電
変換素子に必要な照度を保証するための螢光発汁ランプ
の局部的曲率半径を示すものとする。
ここで螢光光源ランプ（３１）の設計照度をＬｏどじ、
その発光量をｆ （ｘｌとすると、理想的な原稿と光源
ランプとの間の距離Ｚ （ｘ）は、 で表わせる。０式に０式を代入すれば、となる。
その発光量をｆ （ｘｌとすると、理想的な原稿と光源
ランプとの間の距離Ｚ （ｘ）は、 で表わせる。０式に０式を代入すれば、となる。
そこで、曲率半径はＲ（ｘ）の平均値としてめるものと
すれば、この螢光光源ランプＯＤの曲亭半径玉により決
定する。
すれば、この螢光光源ランプＯＤの曲亭半径玉により決
定する。
すなわち、螢光光源ランプは有限の曲率な好ましくはＱ
式の如くすれば、ＬＥＤアレイ等の高価な光源を用いる
ことなく、簡易的かつ安価にシェーディング補正の効果
を得ることができる。換言するならば、有限な曲率な有
する螢光光源ランプを用いることにより、原稿に均一な
照度を与えることができる。即ち、原稿面照度の均一な
状態に補正することができるので、密着型イメージセン
サの出力電流のむらにより生じる画像の濃淡を防止する
ことが出来、原稿の全文の面に対して均一な濃淡を得る
ことができる。
式の如くすれば、ＬＥＤアレイ等の高価な光源を用いる
ことなく、簡易的かつ安価にシェーディング補正の効果
を得ることができる。換言するならば、有限な曲率な有
する螢光光源ランプを用いることにより、原稿に均一な
照度を与えることができる。即ち、原稿面照度の均一な
状態に補正することができるので、密着型イメージセン
サの出力電流のむらにより生じる画像の濃淡を防止する
ことが出来、原稿の全文の面に対して均一な濃淡を得る
ことができる。
さらに、従来の密着型イメージセンサに用いる原稿幅以
上の長尺の直管型螢光光源ランプを使用した補正法と比
較すると、本発明の密着型イメージセンサの螢光光源ラ
ンプは原稿幅と略同−の長さとなるので、密着型イメー
ジセンサのより小型化が安価に可能になる。
上の長尺の直管型螢光光源ランプを使用した補正法と比
較すると、本発明の密着型イメージセンサの螢光光源ラ
ンプは原稿幅と略同−の長さとなるので、密着型イメー
ジセンサのより小型化が安価に可能になる。
−Ｆ述した構成をとること（二より、本発明はイメージ
センサ用光源に有限の曲率を持たせたので、照度の不足
している原稿両端付近に対し原稿と光源との間の距離を
相対的に近すけ、原稿面上の照度を均一化することによ
り、原稿端部の読取り誤入力の発生を防止できる。
センサ用光源に有限の曲率を持たせたので、照度の不足
している原稿両端付近に対し原稿と光源との間の距離を
相対的に近すけ、原稿面上の照度を均一化することによ
り、原稿端部の読取り誤入力の発生を防止できる。
第１図は、密着型イメージセンサのセンサ部の構造原理
を説明するための一部切欠略斜視図、第２図は第１図の
断面略図、第３図は、従来の密着型イメージセンサを示
す略ぢ用視図、第４図は従来の密着型イメージセンサの
問題点を説明するための説明略図、第５図は本発明の密
着イメージセンサの実施例の概略を示す模式図、第６図
は本発明の密着イメージセンサのイメージセンサ用光源
の曲率なめるための説明略図である。 （１）・・・絶縁基板 （３） 、 （＋〔；）・・・光電変換素子（１５）
、 Ｃ殉・・・センナ部 （１３） 、 （，３：；）・・原稿 （１，１） 、 ＋３１）・・・密着型イメージセンサ
用光源（２０） ＋ ｔ３ｔ）・・・密着型イメージセ
ンナ代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第
１ 図 第３図 ７ρ 第４図 ｔ／ 象
を説明するための一部切欠略斜視図、第２図は第１図の
断面略図、第３図は、従来の密着型イメージセンサを示
す略ぢ用視図、第４図は従来の密着型イメージセンサの
問題点を説明するための説明略図、第５図は本発明の密
着イメージセンサの実施例の概略を示す模式図、第６図
は本発明の密着イメージセンサのイメージセンサ用光源
の曲率なめるための説明略図である。 （１）・・・絶縁基板 （３） 、 （＋〔；）・・・光電変換素子（１５）
、 Ｃ殉・・・センナ部 （１３） 、 （，３：；）・・原稿 （１，１） 、 ＋３１）・・・密着型イメージセンサ
用光源（２０） ＋ ｔ３ｔ）・・・密着型イメージセ
ンナ代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第
１ 図 第３図 ７ρ 第４図 ｔ／ 象
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に複数個の光電変換素子が配置された
センサ部と、このセンサ部の光電変換素子と対向して置
かれる原稿に照射する密着型イメージセンサ用光源とか
らなる密着型イメージセンサにおいて、前記密着型イメ
ージセンサ用光源は有限の曲率を持つことを特徴とする
密着型イメージセンサ。 - （２） 前記センサ部に配置された複数個の光電変換素
子は実質的に一列に並べられていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58210922A JPS60103866A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58210922A JPS60103866A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103866A true JPS60103866A (ja) | 1985-06-08 |
Family
ID=16597290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58210922A Pending JPS60103866A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103866A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171251U (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-30 |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP58210922A patent/JPS60103866A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171251U (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-30 |
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