JPS60103515A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS60103515A JPS60103515A JP21087183A JP21087183A JPS60103515A JP S60103515 A JPS60103515 A JP S60103515A JP 21087183 A JP21087183 A JP 21087183A JP 21087183 A JP21087183 A JP 21087183A JP S60103515 A JPS60103515 A JP S60103515A
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- Japan
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- zirconium oxide
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- magnetic head
- film magnetic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/486—Fine ceramics
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係シ、特に磁気ディスクとの
摺動特性および、機械加工特性の良好なスライダに関す
る。
摺動特性および、機械加工特性の良好なスライダに関す
る。
「 発明１７″１費佃 ）
従来、薄膜ヘッド用スライダ材料としては、米国特許第
４２５１８４１号の明細書で述べられている如く機械加
工性に優れ、薄膜ヘッドの如き高精度部品２形成に適し
た材料が望まれていた。しかし磁気ディスク装置に使用
される場合には、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触に
よる事故いわゆるヘッドクラッシュに対して十分な信頼
性が必要である。例えば、定常時において磁気ヘッドは
０．２〜０．５μｍの浮上すきまを保って磁気ディスク
上に浮上しているが、磁気ディスクが停止状態及び定常
回転状態に至るまでの過渡状態においては通常コンタク
トスター１・ストップとして表現きれるいわゆる磁気デ
ィスクとへラドスライダがお互いに摺動する状態を生起
する。この摺動特性の良否が装置信頼性を左右する。前
記米国特許第４２５１８４１号明細男に述べられている
材料＃ ２ （Ｊ５ 、 Ｔｌ（、：はとの装置信頼性
を満していないことが分った。このため摺動性を改善す
るために多くの提案が為されている。
４２５１８４１号の明細書で述べられている如く機械加
工性に優れ、薄膜ヘッドの如き高精度部品２形成に適し
た材料が望まれていた。しかし磁気ディスク装置に使用
される場合には、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触に
よる事故いわゆるヘッドクラッシュに対して十分な信頼
性が必要である。例えば、定常時において磁気ヘッドは
０．２〜０．５μｍの浮上すきまを保って磁気ディスク
上に浮上しているが、磁気ディスクが停止状態及び定常
回転状態に至るまでの過渡状態においては通常コンタク
トスター１・ストップとして表現きれるいわゆる磁気デ
ィスクとへラドスライダがお互いに摺動する状態を生起
する。この摺動特性の良否が装置信頼性を左右する。前
記米国特許第４２５１８４１号明細男に述べられている
材料＃ ２ （Ｊ５ 、 Ｔｌ（、：はとの装置信頼性
を満していないことが分った。このため摺動性を改善す
るために多くの提案が為されている。
例えば、特開昭５６−１ １ １ １ ６６号公報、特
開昭５６−４７９５６号公報、特開昭５６−１０７３２
６号公報、特開昭５６−１’６９２６４号公報に述べら
れている如くである。これらはいずれもスライダのエア
ベアリング面に潤滑性のある液体、固体を塗布、含浸、
オーバーコートす□るものであり、確かに摺動性の改善
は認められる。例えば、固体潤滑材をスライダのエアベ
アリング面にコートする場合にはその膜厚が厚いと効果
的である。しかし、磁気記録の高密度化に伴い浮上すき
まを小さくすることへの弊害になる。この弊害を小さく
するために膜厚を薄くすると期待する摺動性を得ること
が出来ない。また液体潤滑材を含浸もしくｔ／ｉ塗布し
た場合にはスライダと磁気ディスクとが液体を介′し粘
着するという不具合を生じる。
開昭５６−４７９５６号公報、特開昭５６−１０７３２
６号公報、特開昭５６−１’６９２６４号公報に述べら
れている如くである。これらはいずれもスライダのエア
ベアリング面に潤滑性のある液体、固体を塗布、含浸、
オーバーコートす□るものであり、確かに摺動性の改善
は認められる。例えば、固体潤滑材をスライダのエアベ
アリング面にコートする場合にはその膜厚が厚いと効果
的である。しかし、磁気記録の高密度化に伴い浮上すき
まを小さくすることへの弊害になる。この弊害を小さく
するために膜厚を薄くすると期待する摺動性を得ること
が出来ない。また液体潤滑材を含浸もしくｔ／ｉ塗布し
た場合にはスライダと磁気ディスクとが液体を介′し粘
着するという不具合を生じる。
本発明の目的はこれら従来の不具合を解消し磁気ディス
クとの摺動性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
クとの摺動性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
薄膜磁気ヘッド用基体に要求される性質は、第１に薄膜
素子形成プロセスにおいて基体が、薬品、熱等を経験し
ても腐食や変形等を起さず安定であること、第２には基
体を機械加工してスライダに成形するに当り寸法精度が
出し易くかが゛ つ切削、研削、研摩等橋し易いこと、第３には磁気ディ
スクとの摺動性に缶れていること等が望まれる。
素子形成プロセスにおいて基体が、薬品、熱等を経験し
ても腐食や変形等を起さず安定であること、第２には基
体を機械加工してスライダに成形するに当り寸法精度が
出し易くかが゛ つ切削、研削、研摩等橋し易いこと、第３には磁気ディ
スクとの摺動性に缶れていること等が望まれる。
前述したようにＭ２Ｏ５，ＴｉＣ焼成体は磁気ディスク
との摺動性に劣るため、摺動性の良好な基体材料を探索
する過程で酸化ジルコニウム（Ｚｒｏ２ ）が優れた摺
動性を示すことを発見した。
との摺動性に劣るため、摺動性の良好な基体材料を探索
する過程で酸化ジルコニウム（Ｚｒｏ２ ）が優れた摺
動性を示すことを発見した。
しかじな７５：ら酸化ジルコニウムには各温度領域で安
定な単斜晶、正方晶、立方晶の５種の結晶構造が存在し
、このために高温で焼成した酸化ジルコニウムを室温に
冷却する過程で、立方晶から正方晶へ、正方晶から単斜
晶へと相変態をし、その都度体８１ｔ変化を伴い、焼成
体に割れを生じたりして焼成が困難な材料であった。し
かしその後、酸化シリコニウム中に酸化イツトリウム（
Ｙｚ Ｑｓ ）や酸化カルシウム等を固溶させることに
より、高温で安定な相を室温でも安定に存在させ揚るよ
うになった。例えば、近年高温高靭材料、高温摺動部材
として注目されている部分安定化ジルコニアもその例で
ある。この材料は酸化ジルコニウムに例えば酸化イツト
リウムを２〜４ｍｏ１％固溶させることにより、室温で
は不安定な正方晶を安定に存在させたものである。この
部分安定化ジルコニアを薄膜ヘッド用基板として使用す
ると、基板上に絶縁層、導体、磁性体等を積層し、しか
もこの間にヒートサイクルを経験させると、正方晶は単
斜晶に変態を生じ、これに伴う体積膨張が生ずる結果プ
ロセスの初期に形成したパターンと、後期に形成したパ
ターンとに位置ずれを起してしまう。
定な単斜晶、正方晶、立方晶の５種の結晶構造が存在し
、このために高温で焼成した酸化ジルコニウムを室温に
冷却する過程で、立方晶から正方晶へ、正方晶から単斜
晶へと相変態をし、その都度体８１ｔ変化を伴い、焼成
体に割れを生じたりして焼成が困難な材料であった。し
かしその後、酸化シリコニウム中に酸化イツトリウム（
Ｙｚ Ｑｓ ）や酸化カルシウム等を固溶させることに
より、高温で安定な相を室温でも安定に存在させ揚るよ
うになった。例えば、近年高温高靭材料、高温摺動部材
として注目されている部分安定化ジルコニアもその例で
ある。この材料は酸化ジルコニウムに例えば酸化イツト
リウムを２〜４ｍｏ１％固溶させることにより、室温で
は不安定な正方晶を安定に存在させたものである。この
部分安定化ジルコニアを薄膜ヘッド用基板として使用す
ると、基板上に絶縁層、導体、磁性体等を積層し、しか
もこの間にヒートサイクルを経験させると、正方晶は単
斜晶に変態を生じ、これに伴う体積膨張が生ずる結果プ
ロセスの初期に形成したパターンと、後期に形成したパ
ターンとに位置ずれを起してしまう。
また、スライダへの機械加工時には加工の進行する先端
部が正方晶に到達すると加工歪により正方晶が単斜晶に
変態して膨張し加工歪を吸収して、クラックの進行をさ
またけるため難加、工これらの不具合を解消するために
は、酸化イツトリウムや酸化カルシウム等を史らに冷加
する必要がある。例えは、酸化イツト・ラムを酸化ジル
コニウム中ＶＣ６〜１１ｍｏ１％添加して焼成すると更
らに高温で安定な立方晶を室温で存在させることが出来
、その絵果、機械加工性は向上ししかもプロセス中での
変態を１りｈげ、かつ磁気ディスクとの摺動性の優れた
酸化ジルコニウムが得られた。
部が正方晶に到達すると加工歪により正方晶が単斜晶に
変態して膨張し加工歪を吸収して、クラックの進行をさ
またけるため難加、工これらの不具合を解消するために
は、酸化イツトリウムや酸化カルシウム等を史らに冷加
する必要がある。例えは、酸化イツト・ラムを酸化ジル
コニウム中ＶＣ６〜１１ｍｏ１％添加して焼成すると更
らに高温で安定な立方晶を室温で存在させることが出来
、その絵果、機械加工性は向上ししかもプロセス中での
変態を１りｈげ、かつ磁気ディスクとの摺動性の優れた
酸化ジルコニウムが得られた。
以下に実施例をもって詳＋ｏＢ＆こ説明する。
純度９９．５％の酸化ジルコニウム（２，ｒ（ｈ ）粉
床に純度９９．５％の酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ，）粉
末を３．４．６．１０ｍｏ１％添加してボールルで混合
後、真空中でホットプレスにより焼成して得た酸化ジル
コニウムを基体として薄膜磁気ヘッドを形成した。第１
図がその１例で、薄膜磁気ヘッドは前記基体を機械加工
により成形したスライダ部１と薄膜磁気ヘッド素子部２
がら成る。表１にＸ線回折およｒγコンタクトスタ−ト
ストップ（Ｃ８Ｓ ）寿命ならびに切断抵抗を示す。
床に純度９９．５％の酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ，）粉
末を３．４．６．１０ｍｏ１％添加してボールルで混合
後、真空中でホットプレスにより焼成して得た酸化ジル
コニウムを基体として薄膜磁気ヘッドを形成した。第１
図がその１例で、薄膜磁気ヘッドは前記基体を機械加工
により成形したスライダ部１と薄膜磁気ヘッド素子部２
がら成る。表１にＸ線回折およｒγコンタクトスタ−ト
ストップ（Ｃ８Ｓ ）寿命ならびに切断抵抗を示す。
表 １
Ｘ線回析はＣｕターゲットを使用し加速電圧４０ＫＶ、
電流ｓｏｍＡの条件下で測定した。ＣＢＳ寿命は周速５
０ｍ／Ｓ で行い、ヘッドクラツシエに至るまでの回数
をＡ１２ｖａ 、 ＴｉＣ材のそれで規格化して示した
。切断抵抗は＃４００のダイヤモンド砥粒をメタルボン
ディングした砥石により厚さ４藺の基体を切断するに要
した電力をＡｌ ２０ｓ −ＴｉＣに対して規格化して
示した。
電流ｓｏｍＡの条件下で測定した。ＣＢＳ寿命は周速５
０ｍ／Ｓ で行い、ヘッドクラツシエに至るまでの回数
をＡ１２ｖａ 、 ＴｉＣ材のそれで規格化して示した
。切断抵抗は＃４００のダイヤモンド砥粒をメタルボン
ディングした砥石により厚さ４藺の基体を切断するに要
した電力をＡｌ ２０ｓ −ＴｉＣに対して規格化して
示した。
ＸＩＭ回析によれば、酸イｔジルコニウム中に酸化イツ
トリウムを３．４ｍｏ１％添加して得だ基体は単斜晶と
正方晶の二相から成る酸化ジルコニウムであるが、６．
１０ｍｏ１％添加すると立方晶単相から成る酸化ジルコ
ニウムであり、スライダに機械加工した後も正方晶や単
斜晶への変態は認められない。この結果は前述した３、
４ｍｏ１％酸化イツトリウムを添加した部分安定化ジル
コニアの難加工性を示すもので、表中の切断抵抗の比較
からも明らかである。
トリウムを３．４ｍｏ１％添加して得だ基体は単斜晶と
正方晶の二相から成る酸化ジルコニウムであるが、６．
１０ｍｏ１％添加すると立方晶単相から成る酸化ジルコ
ニウムであり、スライダに機械加工した後も正方晶や単
斜晶への変態は認められない。この結果は前述した３、
４ｍｏ１％酸化イツトリウムを添加した部分安定化ジル
コニアの難加工性を示すもので、表中の切断抵抗の比較
からも明らかである。
ＣＳＳ寿命ｕ ｋｉ２ｅｓ 、 ’ｌ’ｉｃ Ｋ 比へ
、いずレノ酸化ジルコニウムも優れているが、加工性も
含めて考慮すれば型温で安定な立方晶からなる酸化ジル
コニウムが薄膜ヘッド用基体として優れていることは明
らかである。
、いずレノ酸化ジルコニウムも優れているが、加工性も
含めて考慮すれば型温で安定な立方晶からなる酸化ジル
コニウムが薄膜ヘッド用基体として優れていることは明
らかである。
次に純度９９．５％の酸化ジルコニウム粉末に純度９９
．５％の酸化イツトリウム粉末を５〜１３ｍｏｌチの範
囲で１％毎に添加してボ゛−ルミルで混合後にＣ８Ｓ寿
命は、酸化イツトリウム添加量が３〜１０ｍｏ１％の場
合には変化がないが、１１ｍ０１％以上になると減少し
てくる。前者は次のように説明できる。酸化ジルコニウ
ム焼結体中には単斜晶は存在しないが、機械加工または
粉砕加工することによって、焼結体中の残留正方晶が単
斜晶に応力誘起変態し、体積膨張を伴うことは周知であ
る。従って、酸化ジルコニウム焼結体中の酸化イツトリ
ウム添加量を増すと、焼結体中の残留正方晶が減少し、
立方晶が増加するので薄膜素子形成時の応力誘起変態に
伴う体積膨張が減少し、基板変形量は低減する。
．５％の酸化イツトリウム粉末を５〜１３ｍｏｌチの範
囲で１％毎に添加してボ゛−ルミルで混合後にＣ８Ｓ寿
命は、酸化イツトリウム添加量が３〜１０ｍｏ１％の場
合には変化がないが、１１ｍ０１％以上になると減少し
てくる。前者は次のように説明できる。酸化ジルコニウ
ム焼結体中には単斜晶は存在しないが、機械加工または
粉砕加工することによって、焼結体中の残留正方晶が単
斜晶に応力誘起変態し、体積膨張を伴うことは周知であ
る。従って、酸化ジルコニウム焼結体中の酸化イツトリ
ウム添加量を増すと、焼結体中の残留正方晶が減少し、
立方晶が増加するので薄膜素子形成時の応力誘起変態に
伴う体積膨張が減少し、基板変形量は低減する。
以上のことから、酸化ジルコニウムの相変態に伴う基板
の変形量が少なく、しかもＣ８Ｓ寿命および加工性に優
れた酸化イツトリウム添加量の範囲としては６〜１１ｍ
ｏ１％、望ましくは８〜１０ｍｏ１％が良い。
の変形量が少なく、しかもＣ８Ｓ寿命および加工性に優
れた酸化イツトリウム添加量の範囲としては６〜１１ｍ
ｏ１％、望ましくは８〜１０ｍｏ１％が良い。
本発明によれば、酸化ジルコニウムの摺動性力（ΦＴイ
ル７ンし代／ 書画」土７担−一−１−した。第２図は
酸化ジルコニウム中の酸化イツトリウム添加量を横軸に
とり、酸化ジルコニウム焼結体粉砕中の単斜晶存在率０
、薄膜素子形成時の基板変形量の、及びＣ８Ｓ寿命のを
表わしたものである。単斜晶存在率の測定にはＸ紗回折
法を用い、測定条件は、Ｃｕターゲットを使用して加速
電圧４ｏＫＶ、電流５０ｍＡとした。基板変形量は３イ
ンチ角、厚さ４顛の基板にＴ？、Ｆ’バイアス装置によ
ってアルミナ保拘膜を３０μ口］スパッタし、その時の
基板平面度変化量を測定し、Ｃ乙Ｓ寿命は周速５０ｍ／
Ｓで行ない、−＼ソドクラッシュに至るまでの回数をめ
た。両者とも酸化イツトリウムの添加量が３１１１０１
％の場合を１として、規格化して示したものである。
ル７ンし代／ 書画」土７担−一−１−した。第２図は
酸化ジルコニウム中の酸化イツトリウム添加量を横軸に
とり、酸化ジルコニウム焼結体粉砕中の単斜晶存在率０
、薄膜素子形成時の基板変形量の、及びＣ８Ｓ寿命のを
表わしたものである。単斜晶存在率の測定にはＸ紗回折
法を用い、測定条件は、Ｃｕターゲットを使用して加速
電圧４ｏＫＶ、電流５０ｍＡとした。基板変形量は３イ
ンチ角、厚さ４顛の基板にＴ？、Ｆ’バイアス装置によ
ってアルミナ保拘膜を３０μ口］スパッタし、その時の
基板平面度変化量を測定し、Ｃ乙Ｓ寿命は周速５０ｍ／
Ｓで行ない、−＼ソドクラッシュに至るまでの回数をめ
た。両者とも酸化イツトリウムの添加量が３１１１０１
％の場合を１として、規格化して示したものである。
第２図に見るごとく、酸化ジルコニウム中ｌζ醇化イツ
トリウムを添加すると、その象加翔゛が増すとともに薄
膜素子形成時の基板変形量は低減し、８〜９ｍｏ１％の
添加でほぼ零になる、次における安定性を同上できる。
トリウムを添加すると、その象加翔゛が増すとともに薄
膜素子形成時の基板変形量は低減し、８〜９ｍｏ１％の
添加でほぼ零になる、次における安定性を同上できる。
第１図Ｆ′ｉ、薄朕磁気ヘッドの斜視図、第２図は酸化
ジルコニウム中の酸化インドリウム添加量と単斜晶存在
率、基板変形量及びＣ８Ｓ寿命との関係を示す図である
。 符号の説明 １・・・スライダ部 ２・・・薄膜破気ヘッド素子部 第 １ 図 ！
ジルコニウム中の酸化インドリウム添加量と単斜晶存在
率、基板変形量及びＣ８Ｓ寿命との関係を示す図である
。 符号の説明 １・・・スライダ部 ２・・・薄膜破気ヘッド素子部 第 １ 図 ！
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 基体上に磁性体、導体、絶縁体を積層して必要な磁
気回路を構成し、該基体を所望する形状に加工し、基体
がスライダの大部分を構成する薄膜磁気ヘッドにおいて
、基体の材料に室温でも安定な立方晶から成る酸化ジル
コニウムを用いたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、 前記基体の材料は酸化ジルコニウムに６〜１１ｍ
ｏ１％の酸化イツトリウムを添加させた立方晶からなる
酸化ジルコニウムであることを特徴とする請求 ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21087183A JPS60103515A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 薄膜磁気ヘツド |
| EP84113479A EP0142781A3 (en) | 1983-11-11 | 1984-11-08 | Magnetic head slider assembly |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21087183A JPS60103515A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103515A true JPS60103515A (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=16596478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21087183A Pending JPS60103515A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0142781A3 (ja) |
| JP (1) | JPS60103515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6435016B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-08-20 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Head gimbal assembly, test device and slider for use therewith |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3478162D1 (en) * | 1983-09-21 | 1989-06-15 | Hitachi Metals Ltd | A magnetic head having a non-magnetic substrate |
| US5031064A (en) * | 1988-09-17 | 1991-07-09 | Tokin Corporation | Magnetic head having a slider member characterized by improved wear resistance |
| JPH0730465B2 (ja) * | 1989-01-09 | 1995-04-05 | 日本碍子株式会社 | 負圧形磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 |
| JP2977867B2 (ja) * | 1990-06-21 | 1999-11-15 | 住友特殊金属株式会社 | 磁気ヘッドスライダ用材料 |
| US6556389B1 (en) * | 1998-06-04 | 2003-04-29 | Seagate Technology, L.L.C. | Method for thermally isolating a magnetoresistive element from thermal asperities |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4826527B1 (ja) * | 1969-02-13 | 1973-08-11 | ||
| JPS52137313A (en) * | 1976-05-12 | 1977-11-16 | Seiko Epson Corp | Magnetic head |
| FR2475531A1 (fr) * | 1980-02-08 | 1981-08-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation de pieces en electrolyte solide a base de zircone stabilisee et les pieces obtenues par ce procede |
| US4360598A (en) * | 1980-03-26 | 1982-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Zirconia ceramics and a method of producing the same |
| JPS581854A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ヘツド・スライダ−用複合材料及びその製造方法 |
| JPS5977611A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-04 | Nec Home Electronics Ltd | 磁気ヘツド用コア |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP21087183A patent/JPS60103515A/ja active Pending
-
1984
- 1984-11-08 EP EP84113479A patent/EP0142781A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6435016B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-08-20 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Head gimbal assembly, test device and slider for use therewith |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0142781A3 (en) | 1987-01-14 |
| EP0142781A2 (en) | 1985-05-29 |
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