JPS5999730A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野Ｄ″′ □
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。′〔発明の
技術的背景コ′ □ ゛□□従来、半導体基板Ｊ□
Ｊ：に半導体装♀２を装着す劣場合、例えば第１図（５
）に示子如＜、”’単導体素子２よりも長い目に切断し
た半ｍ リボン３ａを半導体基板１上に載置するか、或
は、同図（Ｂ）に示す如□く、□半導体素子２よりも短
い目に切断した半田□リボン３ｂを半導体基板１上に載
置する。また、・同図（ｑに示す如く、必要に応じてワ
イヤニ状め半田棒３Ｃを切断したものや、同図側に示筆
如く、円板状の半田塊３ｄを半導体基板ｊ王に載直子る
。次し）で、半田リボン３ａ′等を溶融じた後、半導体
素子２を振動させながらこれ番ヒ押し付けて装着してい
た。而して、半導体装’ ＋２’ （７）裏面側の接合
面には、通常、半田とのなじみを良くするためにＮｉ；
Ｃ診等がらな乞メツ・キ層２ａ□を形成している。′更
に、メツチ鳴２ａの酸化を防止子るために、メッキ層２
ａの表面にＡｕ’、” Ｐｔ 等の貴金属層２′ｂを
荊成しでいる。 ″ □・
・〔背景技術の問題点〕 しが０ながら、従来の半導体装置の製造方法で′Ｇ１９
□半ｉ体木板１の表面がＪＮｉやＣｕ＃′のメツ□キ層
そ形成されている場合には、半田リボノ３ａ□□番溶融
するために加熱すると半導体基坂トの表面に酸化膜が形
成され、半田とのなじみが悪くなる。その結果、半導体
素子２を半導体基板１に装着する際に、溶融した半田５
が半導体素子２の直下の領域からはみ出した所に広がっ
て存在する（第２図（５）及び同図（Ｂ） ）。このた
め、半導体素子２の半導体基板１上に確実に装着するこ
とができない。また、溶融した半田６と半導体基板１と
のなじみが悪くなっているため、第３図（２）及び同図
但）に示す如く、半田６が十分に広がらずに小さな粒状
のまま半導体基板１上に載置されていたり、第４図（５
）及び同図（Ｂ）、第５図（２）及び同図（ハ）に示す
如く、半導体素子２の下方の領域の片寄ったところに載
置された状態になっていることが起きる。このような場
合には、半導体素子２が半田６に対して十分に大きくな
いと、半導体素子２の下方の領域から半田６が外れて存
在することになり、半導体素子２を装着することができ
ない。特に半導体素子２の大きさが約２．ＯＵより小さ
くなるとこの現象は更に顕著になる。また、溶融した半
田６が半導体素子２よりも極端に小さい場合には、半導
体素子２の下面の全域を半田６を介して半導体基板１に
装着できず、半導体素子２の取付は作業を確実に達成で
きない問題があった。
技術的背景コ′ □ ゛□□従来、半導体基板Ｊ□
Ｊ：に半導体装♀２を装着す劣場合、例えば第１図（５
）に示子如＜、”’単導体素子２よりも長い目に切断し
た半ｍ リボン３ａを半導体基板１上に載置するか、或
は、同図（Ｂ）に示す如□く、□半導体素子２よりも短
い目に切断した半田□リボン３ｂを半導体基板１上に載
置する。また、・同図（ｑに示す如く、必要に応じてワ
イヤニ状め半田棒３Ｃを切断したものや、同図側に示筆
如く、円板状の半田塊３ｄを半導体基板ｊ王に載直子る
。次し）で、半田リボン３ａ′等を溶融じた後、半導体
素子２を振動させながらこれ番ヒ押し付けて装着してい
た。而して、半導体装’ ＋２’ （７）裏面側の接合
面には、通常、半田とのなじみを良くするためにＮｉ；
Ｃ診等がらな乞メツ・キ層２ａ□を形成している。′更
に、メツチ鳴２ａの酸化を防止子るために、メッキ層２
ａの表面にＡｕ’、” Ｐｔ 等の貴金属層２′ｂを
荊成しでいる。 ″ □・
・〔背景技術の問題点〕 しが０ながら、従来の半導体装置の製造方法で′Ｇ１９
□半ｉ体木板１の表面がＪＮｉやＣｕ＃′のメツ□キ層
そ形成されている場合には、半田リボノ３ａ□□番溶融
するために加熱すると半導体基坂トの表面に酸化膜が形
成され、半田とのなじみが悪くなる。その結果、半導体
素子２を半導体基板１に装着する際に、溶融した半田５
が半導体素子２の直下の領域からはみ出した所に広がっ
て存在する（第２図（５）及び同図（Ｂ） ）。このた
め、半導体素子２の半導体基板１上に確実に装着するこ
とができない。また、溶融した半田６と半導体基板１と
のなじみが悪くなっているため、第３図（２）及び同図
但）に示す如く、半田６が十分に広がらずに小さな粒状
のまま半導体基板１上に載置されていたり、第４図（５
）及び同図（Ｂ）、第５図（２）及び同図（ハ）に示す
如く、半導体素子２の下方の領域の片寄ったところに載
置された状態になっていることが起きる。このような場
合には、半導体素子２が半田６に対して十分に大きくな
いと、半導体素子２の下方の領域から半田６が外れて存
在することになり、半導体素子２を装着することができ
ない。特に半導体素子２の大きさが約２．ＯＵより小さ
くなるとこの現象は更に顕著になる。また、溶融した半
田６が半導体素子２よりも極端に小さい場合には、半導
体素子２の下面の全域を半田６を介して半導体基板１に
装着できず、半導体素子２の取付は作業を確実に達成で
きない問題があった。
本発明は、半田ぬれ性の悪い半導体基板上に。
約２．０１０以下の微小な半導体素子を容易番こ。
かつ、確実に装着することができる半導体装置の製造方
法を提供することをその目的とするものである。
法を提供することをその目的とするものである。
本発明は、ろう材の融点以上に加熱されたヘラの先端部
になじみろう材を付着して、この先端部で半導体基板上
のろう材を引き伸した後、半導体素子を押潰する工程を
設けて、ろう材のぬれ性の悪い半導体基板上に約２，０
１口以下の微小の半導体素子を容易に装着することがで
きる半導体装置の製造方法である。
になじみろう材を付着して、この先端部で半導体基板上
のろう材を引き伸した後、半導体素子を押潰する工程を
設けて、ろう材のぬれ性の悪い半導体基板上に約２，０
１口以下の微小の半導体素子を容易に装着することがで
きる半導体装置の製造方法である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
先ず、第６図囚に示す如く、非酸化性或は遺児性の雰囲
気中に設置した例えば銅からなる半導体基板１０を約２
５０°Ｃに加熱し、この半導体基板１０上にろう材１１
として、所定長さに切ったＰｂ −８ｎ半田プリフオー
ムを圧接する。
気中に設置した例えば銅からなる半導体基板１０を約２
５０°Ｃに加熱し、この半導体基板１０上にろう材１１
として、所定長さに切ったＰｂ −８ｎ半田プリフオー
ムを圧接する。
次゛いで、同図（Ｂ）に示す如く、半導体基板１０をろ
う材１１の融点以上の温度（この場合には３５０〜４０
０℃）に加熱してろう材１ノを溶融する。溶けたろう材
′１１′は、表面に酸化膜が形成されるので、半導体基
板１０上に大きな接触角をなして丸くなって存在する。
う材１１の融点以上の温度（この場合には３５０〜４０
０℃）に加熱してろう材１ノを溶融する。溶けたろう材
′１１′は、表面に酸化膜が形成されるので、半導体基
板１０上に大きな接触角をなして丸くなって存在する。
次いで、同図（ｑに示す如く、銅等の金属からなるヘラ
１２の先端部をろう材１１′の融点以上に加熱すると共
に、半導体基板１０上に載置されたろう材１１′と同じ
組成からなるなじみろう材１３をヘラ１２の先端部に付
着させる。この状態でヘラ１２をろう材１１′上に沿っ
て摺動させ、同図（Ｄ）に示す如く、ろう材１１′を平
坦に引き伸して半導体基板１０になじませる。半導体基
板１０にろう材１１′が、はぼ均一に平坦に引き伸され
たところで、同図（ト）に示す如く、ろう材１１′上に
所望の半導体素子１４を押付けて装着し、半導体装置を
得る。
１２の先端部をろう材１１′の融点以上に加熱すると共
に、半導体基板１０上に載置されたろう材１１′と同じ
組成からなるなじみろう材１３をヘラ１２の先端部に付
着させる。この状態でヘラ１２をろう材１１′上に沿っ
て摺動させ、同図（Ｄ）に示す如く、ろう材１１′を平
坦に引き伸して半導体基板１０になじませる。半導体基
板１０にろう材１１′が、はぼ均一に平坦に引き伸され
たところで、同図（ト）に示す如く、ろう材１１′上に
所望の半導体素子１４を押付けて装着し、半導体装置を
得る。
このようにこの半導体装置の製造方法によれば、ろう材
１１′と同じ組成のなじみろう材１３を先端部に付着し
たヘラ１２を、ろう材１１′の融点以上の温度に加熱し
た状態でろう材１１′上を摺動させることによりろう材
１１′の引き伸しを行うので、ろう材１１′は第６図（
均に示す如く、極めて速やかにかつ確実に半導体基板１
０上の所定領域に引き伸ばされる。つまり、なじみろう
材１３がろう材１１′に接触した際にろう材１１′の表
面に形成された酸化膜が破れ、なじみろう材１３を介し
てろう材１１′全体かヘラ１２と一体化する。しかも、
ヘラ１２は、ろう材１１′とのなじみ性が良い銅などの
金属で形成されていること、及びヘラ１２がろう材１１
′の融点以上に加熱されていることにより、ろう材１１
′とヘラ１２との一体化作用は助長される。
１１′と同じ組成のなじみろう材１３を先端部に付着し
たヘラ１２を、ろう材１１′の融点以上の温度に加熱し
た状態でろう材１１′上を摺動させることによりろう材
１１′の引き伸しを行うので、ろう材１１′は第６図（
均に示す如く、極めて速やかにかつ確実に半導体基板１
０上の所定領域に引き伸ばされる。つまり、なじみろう
材１３がろう材１１′に接触した際にろう材１１′の表
面に形成された酸化膜が破れ、なじみろう材１３を介し
てろう材１１′全体かヘラ１２と一体化する。しかも、
ヘラ１２は、ろう材１１′とのなじみ性が良い銅などの
金属で形成されていること、及びヘラ１２がろう材１１
′の融点以上に加熱されていることにより、ろう材１１
′とヘラ１２との一体化作用は助長される。
その結果、ろう材１１′を半導体基板１０上に容易にし
かも十分に引き伸すことができる。このため約２０藺口
以下の微小な半導体素子１４であっても、その直下に引
き伸されたろう１材１１′。
かも十分に引き伸すことができる。このため約２０藺口
以下の微小な半導体素子１４であっても、その直下に引
き伸されたろう１材１１′。
が存在するので、半導体素子１４の下面全体を □ろう
材１１′を介して半導体基板１ｏに密着せしめて、確実
に半導体基板１０上に装着することができる。
材１１′を介して半導体基板１ｏに密着せしめて、確実
に半導体基板１０上に装着することができる。
また、ろう材Ｈ′の引き伸しを容易番；できるので、半
導体基板１θの表面がＮｉ、Ｃｕ 等の酸化膜礼騰が
できやすいメッキ竺で形成されていても、半導体素子１
４を確実に装着することができる。
導体基板１θの表面がＮｉ、Ｃｕ 等の酸化膜礼騰が
できやすいメッキ竺で形成されていても、半導体素子１
４を確実に装着することができる。
また、ろう材１１′の広がり度合は、ヘラ１２の摺動範
囲を制御することにより容易に設定できるので、半導体
素子１４下に存在するろう材１１′の広がりを一嫌の大
きさにして、辰熱特！のばらつきを小さくすることがで
きる。
囲を制御することにより容易に設定できるので、半導体
素子１４下に存在するろう材１１′の広がりを一嫌の大
きさにして、辰熱特！のばらつきを小さくすることがで
きる。
また、ろう材１１′の表面に形成された酸化膜を破壊し
て半導体素子１４を装着するので、その際にろう材１ノ
′中にボイドができるのを阻止して、半導体装置の品質
を向上させることができる。
て半導体素子１４を装着するので、その際にろう材１ノ
′中にボイドができるのを阻止して、半導体装置の品質
を向上させることができる。
また、半導体装４１４は、ろう材Ｊ Ｊ’が十分にかつ
均一な肉厚で広がった上に装着されるので、傾かずｉこ
高い水平度を保って装着される。
均一な肉厚で広がった上に装着されるので、傾かずｉこ
高い水平度を保って装着される。
このため、後の工程で施すワイヤボンディング、作業を
容易にすることができる。
容易にすることができる。
また、ろう材１１′の表面の酸化膜を破壊した状態で半
導体素子１４を装着できるので、半導体素子１４り装着
作業時に撮動を加える必要がなく、工程檗簡略にするこ
とかで゛きる。
導体素子１４を装着できるので、半導体素子１４り装着
作業時に撮動を加える必要がなく、工程檗簡略にするこ
とかで゛きる。
なお、実施例では、銅からなるヘラ１２を使用したが、
この他にもろう材となじみ性の高いものであれば、ニッ
ケルや鉄からなるヘラ等を用いても良い。□また。ヘラ
１２の先端部の形状は、その先ｉ面が平坦面になってお
り、ろう材１１′を高い水平度で広げることができるも
のであれば良く、例えば断面が長方形のもの、正方形の
もの、円形のもの等如何なる形状にしても良い。また、
実施例で（ｉ半田プリフォームをろう材１１に用いたが
、この他にもワイヤー状の半田部材を切断したもの、ド
ツト状のもの、粒状のもの等如何なる形状のろう材１）
を用いても良い。更に、このろう材１ノの半導体基板１
０への載置は、圧接法に限らず、予め半導体基板１０を
十分に高温に加熱しておき、ろう材１１を十分に溶融さ
せて半導体基板ｌｏ上に載置するようにしても良い。
この他にもろう材となじみ性の高いものであれば、ニッ
ケルや鉄からなるヘラ等を用いても良い。□また。ヘラ
１２の先端部の形状は、その先ｉ面が平坦面になってお
り、ろう材１１′を高い水平度で広げることができるも
のであれば良く、例えば断面が長方形のもの、正方形の
もの、円形のもの等如何なる形状にしても良い。また、
実施例で（ｉ半田プリフォームをろう材１１に用いたが
、この他にもワイヤー状の半田部材を切断したもの、ド
ツト状のもの、粒状のもの等如何なる形状のろう材１）
を用いても良い。更に、このろう材１ノの半導体基板１
０への載置は、圧接法に限らず、予め半導体基板１０を
十分に高温に加熱しておき、ろう材１１を十分に溶融さ
せて半導体基板ｌｏ上に載置するようにしても良い。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、半田ぬれ性の悪い半導体基板に、約２．Ｏｕ
口林下の微小な半導体素子を容易に、かつ、確実に装着
することができる等顕瘤な効果を素するものである。
によれば、半田ぬれ性の悪い半導体基板に、約２．Ｏｕ
口林下の微小な半導体素子を容易に、かつ、確実に装着
することができる等顕瘤な効果を素するものである。
第１図囚乃至同図（ロ）は、半導体素子の装着に用いる
ろう材の種類を示す説明図、第２図（イ）及び同図（Ｂ
ｌは半導体素子の取付は領域からはみ出した所にろう材
が偏在している状態を示す説明図、第３図（５）乃至第
５図の）は、ろう材が微小になって半導体素子の取付け
、領域の局所に偏在している状態を示す説明図、第６図
（イ）乃至同図（均は、本発関方法を工程順に示す説明
図である。 ′：″゛°”導体基板・ ′、・イ・ｌ １’−６５材
・１２・・・）う、１３・・・なじみろう材、１４・・
・半導体素子。□ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ （Ａ） （Ｂ） 第２図 第３囚 （Ａ） （Ａ） （Ｃ） （Ｄ） 第４図 第５ｖＡ （Ａ） （Ａ） 第６図 （Ｃ） （Ｄ） （Ｅ） 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特劇昭５７−２０９０３６号 発明の名相・ 半導体装置の製造方法 ３、補正をする渚 事件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦亀気株式会社 代理人 住所 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビ
ル〒１．０５ 電話０３ （５０２） ３１８１
（大代表）昭和５７年３月２９日 補止の対象 明 細 書 ７、補正の内容 明細書、第１０負、第１行目に「第３図囚乃至第５図（
Ｂ）は、」とおるのを「第３囚（８）（Ｂ）乃至第５図
（Ａ） （Ｂ）は、」と訂正する。
ろう材の種類を示す説明図、第２図（イ）及び同図（Ｂ
ｌは半導体素子の取付は領域からはみ出した所にろう材
が偏在している状態を示す説明図、第３図（５）乃至第
５図の）は、ろう材が微小になって半導体素子の取付け
、領域の局所に偏在している状態を示す説明図、第６図
（イ）乃至同図（均は、本発関方法を工程順に示す説明
図である。 ′：″゛°”導体基板・ ′、・イ・ｌ １’−６５材
・１２・・・）う、１３・・・なじみろう材、１４・・
・半導体素子。□ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ （Ａ） （Ｂ） 第２図 第３囚 （Ａ） （Ａ） （Ｃ） （Ｄ） 第４図 第５ｖＡ （Ａ） （Ａ） 第６図 （Ｃ） （Ｄ） （Ｅ） 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特劇昭５７−２０９０３６号 発明の名相・ 半導体装置の製造方法 ３、補正をする渚 事件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦亀気株式会社 代理人 住所 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビ
ル〒１．０５ 電話０３ （５０２） ３１８１
（大代表）昭和５７年３月２９日 補止の対象 明 細 書 ７、補正の内容 明細書、第１０負、第１行目に「第３図囚乃至第５図（
Ｂ）は、」とおるのを「第３囚（８）（Ｂ）乃至第５図
（Ａ） （Ｂ）は、」と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の所定領域にろう材を載置する工程と、前記
ろう材をその融点以゛主の温度に加熱する工程と、金Ｒ
製のへらあ先端部を鹸記融薫以上に加熱すると共に、該
先端１と前記名う材と同じ組成からムるなじみろう材を
付着して、該先端部にて前記ろう材を引き伸ばす至ｉと
。 引き伸ばされん前記ろち材上に半導採素享を押着奢る工
程とを具備することを特徴とす永牟連体装虐の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20903682A JPS5999730A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20903682A JPS5999730A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999730A true JPS5999730A (ja) | 1984-06-08 |
Family
ID=16566188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20903682A Pending JPS5999730A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999730A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4942140A (en) * | 1987-03-25 | 1990-07-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of packaging semiconductor device |
| JP2008056176A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 空気入りタイヤ |
| JP2011009632A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8002530B2 (en) | 2006-05-30 | 2011-08-23 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Mold for vulcanization of tire |
| US8256479B2 (en) | 2006-05-24 | 2012-09-04 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Pneumatic tire |
-
1982
- 1982-11-29 JP JP20903682A patent/JPS5999730A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4942140A (en) * | 1987-03-25 | 1990-07-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of packaging semiconductor device |
| US8256479B2 (en) | 2006-05-24 | 2012-09-04 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Pneumatic tire |
| US8002530B2 (en) | 2006-05-30 | 2011-08-23 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Mold for vulcanization of tire |
| JP2008056176A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 空気入りタイヤ |
| JP2011009632A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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