TW201923920A - 核柱的安裝方法 - Google Patents

Abstract

〔課題〕本發明的目的係提供一種核柱的安裝方法，係於電極焊墊上載置核柱所形成的凸塊電極時，可使核柱不傾斜或不倒塌而形成凸塊電極。 〔解決手段〕具有：將於成為柱狀的核層之芯材的一例的Cu柱13上形成鍍焊料層24的核柱的一例的Cu核柱50，搭載於基板11的電極焊墊12上的步驟；以及加熱被覆於Cu柱13的鍍焊料層24，使Cu核柱13接合於電極焊墊12上的加熱步驟。在鍍焊料層24的加熱步驟中的焊料14的熔點附近，將基板11的平均升溫速度設定在0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。

Description

核柱的安裝方法

本發明係關於一種使用成為柱狀的核層之芯材以焊料被覆的核柱，將核柱安裝於半導體晶片或基板上的方法。

近年來，由於電子組件的小型化，故作為將電子組件焊附於基板的焊附部位的電極焊墊的間距進行狹小化。因此，形成於電極焊墊的凸塊電極，可使用核柱替代膏狀或球狀的焊料。一般而言，核柱係在成為核層的芯材的表面被覆焊料而形成(例如參照專利文獻1)。此外，為了對應更高密度組裝的需求，而使用了將電子組件於高度方向堆疊而成的3維積層構造(例如參照專利文獻2)。

一般而言，將核柱安裝於基板時係使用回焊爐。作為此安裝方法的一例，首先，於基板的電極焊墊上對齊金屬遮罩，隔著形成在金屬遮罩上的複數個開口部，於電極焊墊上塗佈助焊劑或焊膏。接著，於塗佈有助焊劑或焊膏的電極焊墊上，使用具有核柱可插入開口的柱專用遮罩，進行核柱載置。將載置有核柱的基板加熱時，核柱的焊料層溶融。此外，助焊劑去除焊料層的氧化膜，形成表面的氧化膜經去除的狀態的焊料。加熱後將基板冷卻時，核柱接合於電極焊墊上而形成凸塊電極。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特許3344295號公報 專利文獻2：日本特開2016-32033號公報

(發明欲解決的問題)

但是，根據往例的核柱的安裝方法，有如下的問題。 使核柱接合於電極焊墊上時，由於加熱使焊料溶融，於溶融狀態的焊料中將核柱押入，而核柱或傾斜或倒塌。當核柱傾斜或倒塌時，連帶著載置於相鄰電極焊墊上的核柱，引起焊料橋。關於此等問題，上述專利文獻1、2皆未考慮到。

因此，本發明係解決此等問題者，其目的係提供一種核柱的安裝方法，規劃將焊料加熱而使核柱接合於電極焊墊上的加熱步驟，可使核柱不傾斜、不倒塌，而形成凸塊電極。 (解決問題的手段)

為了解決上述課題所採用的本發明的技術手段係如下述。 (1)一種核柱的安裝方法，係具有：將於成為柱狀的核層之芯材上由焊料所被覆的核柱，搭載於基板的電極焊墊上之步驟；以及加熱被覆於芯材的焊料，使核柱接合於電極焊墊上的加熱步驟，於焊料的加熱步驟中的焊料的固相線溫度±15℃的範圍內，將基板的平均升溫速度設定為0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。本發明中，「平均升溫速度」係將基板的加熱溫度由下限至上限為止的溫度差除以加熱時間的值。 (2)一種核柱的安裝方法，係具有：將於成為柱狀的核層之芯材上由焊料所被覆的核柱，搭載於基板的電極焊墊上的步驟；以及加熱被覆於芯材的焊料，使核柱接合於電極焊墊上的加熱步驟，於焊料的加熱步驟中的焊料的固相線溫度±15℃的範圍內，基板的平均升溫速度設定為0.3[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。 (3)上述(1)或(2)所記載的核柱的安裝方法，其中，於焊料的加熱步驟中，基板的平均升溫速度設定為0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。 (4)上述(1)或(2)所記載的核柱的安裝方法，其中，在焊料的加熱步驟中，將基板的平均升溫速度設定為0.3[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。 (5)上述(1)~(4)中任一項所述的核柱的安裝方法，其中，將核柱搭載於電極焊墊上時，使用助焊劑。 (6)上述(1)~(4)中任一項所述的核柱的安裝方法，其中，將核柱搭載於電極焊墊上時，使用焊膏。 (7)上述(1)~(4)中任一項所述的核柱的安裝方法，其中，於芯材的表面被覆由1元素以上選自Ni及Co而成的鍍覆層。 (8)上述(1)~(7)中任一項所述的核柱的安裝方法，其中，於具有20μm以上1000μm以下的線徑的芯材上，被覆1μm以上500μm以下膜厚的焊料。 (發明效果)

根據本發明，可使核柱不傾斜、不倒塌而形成凸塊電極。因此，可接合性或導電性良好的安裝核柱。

以下，參照圖示的同時，作為本發明相關的核柱的安裝方法的實施形態，說明關於Cu核柱的安裝方法。且，本說明書中，「加熱」係包括加熱對象物的溫度從預定溫度使其上升，在從該預定溫度使其上升的狀態下進行保溫。此外，焊料的「加熱步驟」係包括焊料從預定溫度使其上升的步驟，在從該預定溫度使其上升的狀態下進行保溫的步驟，但不包括從已經上升的溫度使其下降，或在使其下降的狀態下保溫。

＜核柱的構成例＞ 首先，針對於本實施形態的核柱的安裝方法中使用的核柱加以說明。 如圖1所示，Cu核柱50係核柱的一例，係由作為成為核層的芯材的圓柱狀Cu柱13，被覆Cu柱13的鍍鎳層17，以及被覆其表面的鍍焊料層24所構成。

Cu柱13係在構成半導體晶片的基板與印刷基板等之間確保間隔。鍍鎳層17在Cu柱13的表面以均勻的厚度被覆，係作為防止構成Cu柱13的Cu擴散至鍍焊料層24的防止擴散層而設置。

鍍焊料層24係在鍍鎳層17的表面以均勻的厚度被覆。鍍焊料層24係在焊料14的表面形成氧化膜的狀態。焊料14由Sn-3質量%Ag-0.5質量%Cu合金所構成。

Cu核柱50的線徑(直徑)D1為220μm，Cu核柱50的長度L1為470μm。Cu柱13的線徑(直徑)D2為200μm，Cu柱13的長度L2為450μm。鍍焊料層24的膜厚為單側8μm，鍍鎳層17的膜厚為單側2μm。

＜基板的構成例＞ 接著，說明有關於載置核柱的基板的構成例。 如圖2A所示，於基板11設置電極焊墊12。電極焊墊12藉由在銅箔基板圖案化圓形狀的平面電極(焊盤佈局)可獲得。雖然圖未繪示，但此電極焊墊12於基板11上以預定間距設置複數個。於基板11上的電極焊墊12的周圍設置絕緣膜15。基板11係使用樹脂基板(開口徑：240μm、阻劑厚：15μm、表面處理：Cu-OSP)。

＜核柱的安裝方法的例子＞ 接著，說明有關於核柱的安裝方法的例子。於具有電極焊墊12的基板11上載置Cu核柱50，經由下述各步驟，形成安裝有Cu核柱50的凸塊電極30。如圖2D所示，凸塊電極30係由電極焊墊12、Cu柱13、鍍鎳層17及焊料14所構成。

首先，如圖2B所示，於基板11的電極焊墊12上塗佈助焊劑16。詳言之，複數個電極焊墊對齊圖未繪示的金屬遮罩，於金屬遮罩上使刮板滑動，隔著形成在金屬遮罩的複數個開口部塗佈助焊劑16。於電極焊墊12上塗佈助焊劑16，將金屬遮罩從基板11上脫離。本例係使用Sparkle Flux WF-6455(千住金屬工業製)作為助焊劑16。

接著，使用設置插入有Cu核柱50的開口的未繪示的柱專用遮罩，將助焊劑16塗佈於電極焊墊12上，如圖2C所示。載置Cu核柱50。Cu核柱50係預先在Cu柱13形成鍍鎳層17，於此表面再形成鍍焊料層24。使Cu核柱50承載後，將柱專用遮罩從基板11上脫離。

接著，將乘載有Cu核柱50狀態的基板11，使用迴焊爐，作為加熱步驟的加熱溫度的下限的一例，從常溫開始加熱。加熱助焊劑16時，去除與Cu核柱50的助焊劑16連接面的氧化膜及電極焊墊12的表面的氧化膜。加熱溫度係升溫至焊料14的液相線溫度附近為止，使焊料14溶融。本例中，作為加熱步驟的加熱溫度上限的一例，加熱至較焊料14的液相線溫度(220℃)更高的245℃為止。

焊料14溶解後，當基板11冷卻至常溫時，Cu核柱50與電極焊墊12接合，如圖2D所示，於基板11上形成凸塊電極30。若在Cu核柱50與電極焊墊12的接合處有助焊劑殘渣殘留，將此洗淨並去除。且，若是助焊劑16無殘渣的情況，不進行洗淨。

過往核柱的安裝方法，焊料14的加熱步驟中，如圖3所示，Cu柱13押入熔融狀態的焊料14中，有時會傾斜或倒塌。當Cu柱13傾斜或倒塌時，雖然圖未繪示，但載置在相鄰的電極焊墊的Cu柱會產生焊料橋。

本發明者等推測在形成凸塊電極30時的焊料14的加熱步驟中，基板11的平均升溫速度與核柱的傾斜或倒塌有密切關係。在此，如表1所示，改變助焊劑16的印刷膜厚，以及在焊料14的加熱步驟中平均升溫速度，在將Cu核柱50安裝於基板11時，確認Cu柱13是否倒塌。且，除了助焊劑16的印刷膜厚及平均升溫速度以外，各實施例及比較例為相同條件，經由上述步驟安裝Cu核柱50於基板11上。

準備8片的基板11，於設置在各個基板11上30處的電極焊墊12上，塗佈助焊劑16，於其上載置各1支的Cu核柱50。將載置有Cu核柱50的基板11，使用高溫觀察裝置：SMT Scope Light SL-1(山陽精工製)，從20℃(常溫)起至245℃為止，以預定的平均升溫速度加熱。加熱後，各實施例及比較例一同以5.0[℃/sec]使其自然冷卻至20℃(常溫)。安裝有Cu核柱50的各基板11以肉眼目視，觀察Cu柱13是否有倒塌。各實施例及比較例的各30支的Cu柱13中，倒塌支數作為柱倒塌的支數表示於表1中。

本發明中，在焊料的加熱步驟中的預定時間內的平均升溫速度係定義為從基板的加熱溫度下限起至上限的溫度差除以加熱時間的值。例如本例的實施例1、2的情況，從20℃(常溫)起至245℃為止加熱450秒，其計算式可以如下述的式(1)所示。

[式1]

實施例3、4係從20℃(常溫)起至245℃為止加熱225秒，其計算式可以如下述的式(2)所示。

[式2]

實施例5、6係從20℃(常溫)起至245℃為止加熱112.5秒，其計算式可以如下述的式(3)所示。

[式3]

比較例1、2係從20℃(常溫)起至245℃為止加熱75秒，其計算式可以如下述的式(4)所示。

[式4]

圖4係表示各實施例及比較例中加熱時間[sec]與加熱溫度[℃]的關係。實線的粗線為實施例1、2，平均升溫速度為0.5[℃/sec]的情況。虛線為實施例3、4，平均升溫速度為1.0[℃/sec]的情況。一點鏈線的粗線為實施例5、6，平均升溫速度為2.0[℃/sec]的情況。二點鏈線為比較例1、2，平均升溫速度為3.0[℃/sec]的情況。

[表1]

實施例1~6皆平均升溫速度為2.0[℃/sec]以下者，在每一實施例的凸塊電極30，如圖2D所示，能夠Cu柱13不傾斜或不倒塌地形成凸塊電極30。

比較例1、2皆平均升溫速度為3.0[℃/sec]，比較例1、2係如圖3所示，見到傾斜或倒塌的Cu柱13。此係推測在比較例1、2中的平均升溫速度較其他實施例中的平均升溫速度更快，由於焊料14熔化且押入Cu柱13速度太快之故。

雖然實施例1、3、5、比較例1係助焊劑印刷膜厚同為0.1mm，實施例2、4、6、比較例2係同為0.02mm，但是在助焊劑16的印刷膜厚與Cu柱13是否傾斜或倒塌之間係未見相關關係。

由以上的結果可知，焊料14的加熱步驟中，由於平均升溫速度為2.0[℃/sec]以下，可抑制凸塊電極30中的Cu柱13的傾倒或倒塌。此係推測由於比起過去的加熱步驟平均升溫速度更慢，焊料14溶融並擴散速度亦變慢，在焊料14溶融時柱變得不易流動之故。因此，由於平均升溫速度成為2.0[℃/sec]以下，除了可抑制Cu柱13傾斜或倒塌外，更可形成接合性或導電性變佳，可靠度高的凸塊電極30。

且，當各實施例的凸塊電極30的剖面拍攝X射線照片並觀察時，焊料14中未見孔洞，然而各比較例的剖面則有看到孔洞的電極。在加熱中產生孔洞，以焊料14中有孔洞的狀態使其冷卻且焊料14固化，孔洞成為凸塊電極30的接合性或導電性降低的原因。因此，各實施例的凸塊電極30中沒有孔洞，能夠形成接合性或導電性良好的凸塊電極30。

另一方面，雖然表格中沒有表示，當焊料14的加熱步驟中平均升溫速度未達0.1[℃/sec]時，由於長時間的加熱，助焊劑中的活性劑成分熱分解，造成活性損失，發生焊料14的濕潤擴散性不佳。由於平均升溫速度過低亦成為量產性低下的原因，考慮到焊料14的濕潤擴散性及量產性，以平均升溫速度為0.1[℃/sec]以上為佳。

因此，焊料14的加熱步驟中平均升溫速度，以0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下為佳。且，考慮到Cu柱13的量產性時，焊料14的加熱步驟中平均升溫速度，以0.3[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下較佳。此外，雖然表格中未表示，但即使加熱步驟全程的平均升溫速度未達0.1[℃/sec]或超過2.0[℃/sec]時，加熱步驟中的每1分的平均升溫速度為0.05[℃/sec]以上2.5[℃/sec]以下時，則Cu柱13不傾斜、不倒塌。

再者，雖然表格中未表示，但加熱步驟中的焊料14的熔點附近，換言之，焊料14在固相線溫度(本例中所使用的焊料14的固相線溫度為217℃)±15℃的範圍加熱的期間，若平均升溫速度為0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下，即使在加熱步驟中的焊料的熔點附近以外的時間點，平均升溫速度在0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下之外，能夠Cu柱13不傾斜、不倒塌地形成凸塊電極30。如此一來，只要在焊料14的熔點附近，以平均升溫速度為0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下加熱，在其他溫度時平均升溫速度不在0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下亦無妨。且，考慮到Cu柱13的量產性，焊料的熔點附近的平均升溫速度以0.3[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下更佳。

且，雖然表格中未表示，在平均升溫速度為0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下即使設定為複數個階段，亦能夠Cu柱13不傾斜、不倒塌地形成凸塊電極30。此外，焊料14的加熱步驟設計成作為第1加熱步驟的予備加熱步驟及作為第2加熱步驟的主加熱步驟等，在平均升溫速度為0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下即使設定為複數個階段，亦能夠形成接合性或導電性良好的凸塊電極30。無庸置疑地，在主加熱步驟中平均升溫速度亦可設定為複數個階段，亦可省略予備加熱步驟。予備加熱步驟係從室溫上升至焊料14的熔點起-15℃左右的溫度為止的步驟，主加熱步驟係以從焊料14的熔點起-15℃前後的溫度起，上升至迴焊高峰溫度或焊料14的熔點起+20℃以上的步驟為佳。焊料14的加熱步驟具有予備加熱步驟及主加熱步驟時，考慮到量產性，在予備加熱步驟中的平均升溫速度亦可相較於在主加熱步驟中的平均升溫速度快2.0[℃/sec]。

且，本實施形態中，雖然作為凸塊電極30的核層的芯材，係使用Cu，但不限於此。芯材可由Cu之外，其他具有在焊料14溶融的溫度中不溶融的熔點的Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mg的金屬單體、金屬氧化物、金屬混合氧化物，或是合金所構成，可獲得同樣的效果。芯材在本例雖然為圓柱狀，但不限於此，例如是多角柱亦可。

此外，芯材亦可由具有較焊料14更高熔點的樹脂材料、碳材料，或是陶瓷等絕緣體所構成。雖然樹脂材料、碳材料、陶瓷本身不具通電性，但由於在芯材被覆金屬，樹脂材料、碳材料、陶瓷作為核層的核柱接合在電極焊墊上時，藉由被覆的金屬，仍可在電極間順利地通電。於芯材採用絕緣物係旨在高頻的信號傳送時的蒙皮效應者。

作為芯材的樹脂材料，例如可列舉苯乙烯、α-甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯、p-氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯等苯乙烯衍生物；氯乙烯；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯類；丙烯腈等不飽和腈類；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸硬脂醯酯、(甲基)丙烯酸乙二醇酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸五氟丙酯、(甲基)丙烯酸環己酯等(甲基)丙烯酸酯衍生物等將單體聚合可獲得的樹脂，可單獨使用此等單體，亦可併用2種以上。

本實施形態中，雖然Cu核柱50的線徑D1為220μm，Cu柱13的線徑D2為200μm，但不限於此等。核柱的線徑以22μm以上2000μm以下為佳，芯材的線徑以20μm以上1000μm以下為佳。在此範圍時，可穩定地形成芯材，此外，可抑制當端子間為窄間距時的連接短路。雖然Cu核柱50的長度L1為470μm，Cu柱13的長度L2為450μm，但不限於此等。核柱的長度以20μm以上1000μm以下為佳，芯材的長度以20μm以上1000μm以下為佳。

本實施形態中，雖然於Cu柱13的表面被覆鍍鎳層17，但不限於此等。芯材為金屬時，作為在芯材表面的防止擴散層，亦可被覆由1種元素以上選自Ni或Co等而成的鍍覆層施行鍍覆處理，亦可省略此處理。藉由設置防止擴散層，可防止構成芯材的金屬對於鍍焊料層24進行擴散。芯材為樹脂等絕緣物時，對芯材實施Cu鍍覆處理，亦可在Cu鍍覆層的表面被覆由1種元素以上選自Ni或Co等而成的鍍覆層實施鍍覆處理。一旦實施鍍Cu，凸塊電極形成時在Cu部分變成通電。對絕緣物的芯材的鍍覆係使用無電解鍍覆。雖然本實施形態係鍍鎳層17的膜厚為單側2μm，但不限於此。防止擴散層的厚度以1.0μm以上10.0μm以下為佳，以2.0μm以上5.0μm以下較佳。

本實施形態中，從掉落衝擊特性的觀點來看，焊料14係使用Sn-3質量%Ag-0.5質量%Cu合金，但不限於此。焊料14的組成元素係由Sn、Ag、Cu、Bi、In、Ni、Sb、Zn、Ge、Ga、Co、Fe、P、Cr、Pb、Fe、Al當中至少1者以上所構成，只要是使用較芯材液相線溫度更低的金屬或合金即可。此時，芯材與焊料合金的組成必定相異。本實施形態係鍍焊料層24的膜厚為單側8μm，但不限於此。鍍焊料層24的膜厚以1μm以上500μm以下為佳，以3.0μm以上50μm以下較佳。

基板11係使用開口徑：240μm、阻劑厚：15μm、表面處理：Cu-OSP的樹脂基板，但不限於此。亦可使用例如基板11，作為表面處理，使用Ni/Au、Ni/Pd/Au、Bare-Cu等。

且，本實施形態中，作為助焊劑16的塗佈方法，雖然採用於金屬遮罩上使刮板滑動，隔著形成在金屬遮罩的複數個開口部，於電極焊墊12塗佈的方法，但不限於此。不僅助焊劑16，其他的助焊劑或焊膏等亦可塗佈於電極焊墊上。本發明中使用的助焊劑可使用習知的助焊劑。關於焊膏，同樣地可使用由習知的助焊劑與合金組成而成的焊膏。且，當使用焊膏時，焊膏的熔點附近，換言之，在焊膏的固相線溫度±15℃的範圍的平均升溫速度、及在焊料14的熔點附近的平均升溫速度，以0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下為佳。此外，作為此等對於電極焊墊上的塗佈方法，其他亦可採用轉印方式、配發方式、噴霧方式等。

且，在本實施形態中，雖然在加熱基板11後，以5.0[℃/sec]使其自然冷卻至20℃(常溫)，但不限於此。 (產業可利用性)

本發明非常適合將可適用成為柱狀的核層之芯材上被覆焊料的核柱的凸塊電極形成在基板的方法。

11‧‧‧基板

12‧‧‧電極焊墊

13‧‧‧Cu柱(芯材)

14‧‧‧焊料

15‧‧‧絕緣膜

16‧‧‧助焊劑

17‧‧‧鍍鎳層

24‧‧‧鍍焊料層

30‧‧‧凸塊電極

50‧‧‧Cu核柱(核柱)

[圖1]A及B係表示Cu核柱50的構成例的斜視圖及X-X剖面圖。 [圖2]A至D係表示Cu核柱50的安裝例的剖面圖。 [圖3]表示過去安裝例的剖面圖。 [圖4]加熱時間與加熱溫度的關係的表示圖。

Claims (10)

1. 一種核柱的安裝方法，係具有： 將於成為柱狀的核層之芯材上由焊料被覆的核柱，搭載於基板的電極焊墊上之步驟；以及 加熱被覆於上述芯材的上述焊料，使上述核柱接合於上述電極焊墊上的加熱步驟， 在上述焊料的上述加熱步驟中的上述焊料固相線溫度的±15℃的範圍內，將上述基板的平均升溫速度設定為0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。
2. 一種核柱的安裝方法，係具有： 將於成為柱狀的核層之芯材上由焊料被覆的核柱，搭載於基板的電極焊墊上之步驟；以及 加熱被覆於上述芯材的上述焊料，使上述核柱接合於上述電極焊墊上的加熱步驟， 於上述焊料的上述加熱步驟中的上述焊料固相線溫度的±15℃的範圍內，將上述基板的平均升溫速度設定為0.3[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。
3. 如申請專利範圍第1項之核柱的安裝方法，其中，在上述焊料的上述加熱步驟中，將上述基板的平均升溫速度設定為0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。
4. 如申請專利範圍第2項之核柱的安裝方法，其中，在上述焊料的上述加熱步驟中，將上述基板的平均升溫速度設定為0.1[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。
5. 如申請專利範圍第1項之核柱的安裝方法，其中，在上述焊料的上述加熱步驟中，將上述基板的平均升溫速度設定為0.3[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。
6. 如申請專利範圍第2項之核柱的安裝方法，其中，在上述焊料的上述加熱步驟中，將上述基板的平均升溫速度設定為0.3[℃/sec]以上2.0[℃/sec]以下。
7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之核柱的安裝方法，其中，在將上述核柱搭載於上述電極焊墊上時，使用助焊劑。
8. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之核柱的安裝方法，其中，在將上述核柱搭載於上述電極焊墊上時，使用焊膏。
9. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之核柱的安裝方法，其中，於上述芯材的表面上被覆由1種元素以上選自Ni或Co而成的鍍覆層。
10. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之核柱的安裝方法，其中，於具有20μm以上1000μm以下線徑的上述芯材上，被覆1μm以上500μm以下膜厚的焊料。