JPS5990801A - 導電性の反射防止コ−テイングを有する光学物品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は反射防止コーテイングに関し、特に導電性の
反射防止コーテイングに関する。

反射防止コーテイングは、例えば空気とガラスの光学的
境界面における反射率を減少させる方が好ましかつたり
、その必要がある光学や電気光学の分野で広く使われて
いる。これらの応用分野には、カメラのレンズ、コピー
機械のプラテン（原稿台）、機器用のカバーガラス、陰
極線管用パネルのぎらつき減少コーテイング、その他の
表示装置等がある。各種の応用分野で使われている光学
的な薄膜コーテイングには、マグネシウムフツ化物から
成るコーテイング等の単一層コーテイング、Ｖコートと
呼ばれ一つの波長領域における反射率を最小にする２層
のコーテイング、さらにアメリカ特許第３，１８５，０
２０号に開示されているような、比較的広い波長領域例
えば可視スペクトルの範囲にわたつて低い反射率を生じ
る多層の広帯域コーテイングがある。さらに最近は、電
気的導電性や高い光学的透過性が必要なところで、透明
な導電性コーテイングも広く使われている。こうした目
的のため、インジウム錫酸化物やカドミウム錫酸塩、ア
ンチモン酸化物等の膜が各種のデイスプレイ、例えば液
晶デイスプレイ、航空機の窓に使う可視域透過窓の加熱
要素、静電気防止コーテイング、電球の外囲ガラスに使
われる熱保持用の可視光透過コーテイング等で用いられ
ている。

しかし、現在使われている周知の透明な導電膜材料は、
一般に１．８〜２．２の範囲の高い屈折率を有する。と
ころでこうした高い屈折率を持つ材料の使用は、しばし
ば次のような好ましくない効果をもたらす。つまり、ガ
ラス基材の上に施されたこれら材料の膜が可視域での反
射率を増加させ、装置やシステムの光学的性能を低下さ
せることが多い。又、透明な導電材料が高い屈折率を有
するため、導電性を備えた反射防止コーテイングの設計
が著しく制約されていた。目下使われている導電性を持
つた広帯域の反射防止コーテイングでは、従来の１／４
波長−１／２波長−１／４波長設計の基材に最も近接さ
せて、半波長層又は変形の４分の１波長層の一部が使わ
れている。このような設計によると、コンダクタンスは
それぞれ比較的高いか低い値となる。この種コーテイン
グの光学的性能は、基礎としている非導性設計の性能と
匹敵しているが、一般に効率の点で劣る。さらに、この
種の導電性反射防止コーテイングを実際に使うためには
、非導電層をひつかいて穴を開けたり、マスクを使つて
導電層が被覆されるのを防いだり、バスバーを設けて導
電層と必要な物理的接触を図つたり等各種の方法を用い
導電層に対する電気的接触を得なければならなかつた。

こうした接触構造は、最終的に得られる製品の複雑さと
コストを増加させる。従つて、新規な改良された導電性
反射防止コーテイングの必要が望まれている。

本発明の主な目的は、導電性の反射防止コーテイングを
その表面に有する光学物品を提供することにある。

本発明の別の目的は、入射媒体（空気）に隣接した層が
容易にアクセス可能な高屈折率の導電性材料の層からな
るようなコーテイングを提供することにある。

本究明の更に別の目的は、コーテイングの各層が非導電
性コーテイングにおける光学的性能と非常に近似した性
能を与えるコーテイングを提供することにある。

本発明の更に別の目的は、上記したような特徴を持ち、
光学的な反射防止特性と電気的な導電特性を有するコー
テイングを備えた光学物品を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、上記のような特徴を持ち、高
い透過性と低い吸収性を有するコーテイングをその表面
に備えた光学物品を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、上記したような特徴を持ち、
導電層への直接的な電気接触を可能とするコーテイング
をその表面に備えた光学物品を提供することにある。

この発明の更に他の目的及び特徴は、添付の図面を参照
して好適実施例を詳述した以下の説明から明らかになる
であろう。

第１図に、本発明を実施化した導電性反射防止コーテイ
ングをその表面に有する光学物品を示す。

図示のように、光学物品１０は屈折率が１．５〜２．０
の範囲、一般的には１．５２の屈折率を有するガラス等
過当な透明基材から成る。透明基材１１は、第１と第２
の光学表面１２、１３を有する。基材１１の両表面１２
、１３のいずれか一方によつて反射防止コーテイング１
４が担持され、第１図では一例として表面１３によつて
担持されている。

導電性の反射防止コーテイング１４は、１．３５〜１．
４６の範囲の低い屈折率を有する材料、例えば屈折率が
１．３８のマグネシウムフツ化物から成る層１６で構成
されている。一般にこの低屈折率材料の層は、可視領域
で使われる場合ほゞ５５０ｎｍ（ナノメータ）の設計波
長に対し約４分の１波長の光学的厚さを有する。薄い透
明な導電層１７もコーテイング１４の一部を形成し、低
屈折率材料層の上に施されている。この透明な導電薄層
１７の厚さに応じ、以下に延べる理由から、層１６の厚
さは従来の４分の１波長光学厚よりもわずかに小さくさ
れる。透明な導電薄層１７の適当な厚さは１．０〜１０
．０ｎｍの範囲であるが、中でも１．０〜６．０ｎｍの
範囲の厚さが好ましい。又透明な導電薄層１７として適
当な材料は、インジウム錫酸化物、カドミウム錫酸塩、
アンチモン酸化物等である。マグネシウムフツ化物の層
は、当業者にとつて周知な従来の方法で付着できる。透
明な導電薄層を形成する材料も、従来周知の方法で施す
ことができる。例えば、インジウムと錫の金属を舟形容
器中に入れ、従来のコーテイングチヤンバ内において酸
素雰囲気下で蒸発し、基板の上に凝縮させる。これらの
物質を施すのには、その他スパツタリングや化学蒸着法
等も使える。

導電性の反射防止コーテイング１４の設計に際して用い
る設計概念は、光学的な厚さが波長に対して極めて小さ
い非吸収性材料の薄層を設計に加えると、反射防止コー
テイングの光学的性能に相対的に小さな変化が生ずると
いう前提に基いている。さらに、反射防止コーテイング
の初期設計による最外層の光学的厚さを、追加した導電
層の光学的厚さ分だけ減少させると、光学的性能に生じ
る変化は最小になることも見い出された。

第１図に示した光学的コーテイングは、一般に上記した
ごとく、４分の１波長の光学的厚さで、以下の値にでき
るだけ近い屈折率を持つ膜を用いて成る単一層の反射防
止コーテイングとして特徴付けられる： Ｎｆ−■ こゝで、Ｎｆ、Ｎｏ及びＮｓはそれぞれ膜、入射媒体及
び基材の屈折率である。この種反射防止膜の最も一般的
な例は、第１図に示したようにガラス基材上に施したマ
グネシウムフツ化物の４分の１波長層である。そして第
１図に関連して前述したような透明の導電薄層１７を加
えることで、単一層のコーテイングを変形し、導電性の
反射防止コ−テイングを形成している。

第１図に示した導電性の反射防止コーテイング１４を用
いて得られるスペクトル性能を第２図に示す。第２図の
各曲線を与えるコーテイングは、それぞれ５５０ｎｍ（
曲線２１）、４４０ｎｍ（曲線２２）、３３０ｎｍ（曲
線２３）の４分の１波長層に４．５ｎｍの導電材料を加
えたものである。第２図から明らかなように、導電材料
の薄層を追加すると、スペクトル曲線はわずかに長波長
側へシフトするが、マグネシウムフツ化物の単一層と匹
敵する低反射率を保つ。マグネシウムフツ化物の各層は
ほゞ同じように、厚さをわずかに減らし、初期の厚さで
反射率を最小に維持することができる。いずれの場合に
も薄い導電層を追加することが、単一の反射防止コーテ
イングの持つ基本的な特性を保持する上で重要なポイン
トである。従来の厚さを持つマグネシウムフツ化物のコ
ーテイング上に透明な導電薄層を施すと、コーテイング
の性能が増大するため、可視領域の中心に合わなくなり
適切な反射防止特性が得られなくなるので、これは許容
できないことが誌められている。つまりコーテイングの
性能を減少させ、良好な視覚像を与えるためには、マグ
ネシウムフツ化物の光学的厚さを減少し、透明な導電薄
層の光学的厚さ追加分を補償する必要がある。又、最小
の反射防止曲線は、マグネシウムフツ化物層と透明な等
電薄層両方を組合せた光学的厚さによつて決まる傾向を
持つことも見い出されている。従つて、組合せた光学的
厚さを実質上一定に保つためには、マグネシウムフツ化
物層の厚さを減らし、透明な導電薄層の光学的厚さを補
う必要がある。

第２図において、曲線２１を与える導電性コーテイング
１４の場合、透明な導電薄層１７は４，５００ｎｍの物
理的厚さ、３６．００ｎｍの４分の１波長光学厚を持ち
、マグネシウムフツ化層１６は９９．６３７７ｎｍの物
理的厚さ、５５０．０００ｎｍの４分の１波長光学厚で
あつた。すなわち、コーテイング１４の合計の物理的厚
さは、１０４．１３８ｎｍ（０．００４１０ｍｉｌｓ）
であつた。曲線２２を与える光学的コーテイング１４の
透明な導電薄層１７は４．５０００ｎｍの物理的厚さ、
３６．００ｎｍの４分の１波長光学厚を持ち、そのマグ
ネシウムフツ化物層１６は７９．７１０１ｎｍの物理的
厚さ、４４０．０００ｎｍの４分の１波長光学厚で、合
計の物理的厚さは８４．２１０ｎｍ（０．００３３２ｍ
ｉｌｓ）であつた。又曲線２３を与える光学的コーテイ
ング１４の透明な導電薄膜層１７は４．５０００ｎｍの
物理的厚さ、３６．００ｎｍの４分の１波長光学厚を持
ち、そのマグネシウムフツ化物層１６は、５９．７８２
６ｎｍの物理的厚さ、３３０．０００ｎｍの４分の１波
長光学厚で、光学的コーテイング１４の合計の物理的厚
さは６４．２８３ｎｍ（０．００２５３ｍｉｌｓ）であ
つた。

以上から、第２図に示した３種の設計例のそれぞれにつ
いて透明な導電薄層１７は同じ厚さである一方、マグネ
シウムフツ化層の厚さは変化していることが明らかであ
る。良くバランスされた設計としては、反射防止コーテ
イングの光学的性能が可視領域の中心に合つているため
、曲線２２に対応したマグネシウムフツ化物の厚さにす
るのが望ましいことを、上記３つの曲線は示している。

設計に際しては、まず透明な導電薄層の厚さを決め、そ
の後マグネシウムフツ化物層を再設計し、透明な導電薄
層の厚さ分を補償するのが妥当である。透明な導電薄層
１７の厚さは一般に、所望のシート抵抗率に基いて決め
られる。例えば、静電荷を全て排除したいプラテンに用
いる場合には、１０１０オーム／スクエア以下のシート
抵抗率が望ましい。又、透明な導電薄層１７の厚さを決
める際には、コーテイングの耐久性、電気的安定性、全
般的な性能及び作成の反復性も考慮することが必要であ
る。従つて、この発明の最終的な目的は、反射防止コー
テイングとして所望の光学的特性を実質上損うことなく
、透明な導電薄層の厚さを充分な量にまで増大させるこ
とにある。但し、容易に推測されるように、シート抵抗
率を増大させていくと、最終的に全体の光学的性能が許
容できないものとなるため、それには限界がある。こう
した制約から、３００オーム／スクエアという低いシー
ト抵抗率を持つ透明な導電薄層が提供される。

第３図は本発明の別の実施例による反射防止コーテイン
グを備えた光学物品を示しており、この例では単一又は
非常に狭い波長域における反射率を０へ近づけることが
できる。第３図に示した光学物品２４は、第１図の実施
例で用いた基材１１と同じ特性を持つガラス等適当な材
料から成る基材２６で構成されている。基材２６は、２
つの光学的表面２７、２８を有する。一方の表面２８上
に反射防止コーテイング２９が施され、このコーテイン
グ２９は層３１、３２、３３を含む複数の層から成る。

まず、導電性か非導電性いずれかである層３１が、表面
２８の上に施される。この層は例えば、２．００の高い
屈折率と約２０ｎｍの光学的厚さを有するインジウム錫
酸化物等の透明な導電材料で構成できる。次に層３２が
層３１の上に施され、この層３２は１．３８の屈折率を
持つマグネシウムフツ化物等の低屈折率材料から成る。

層３２の上に透明な導電薄層３３が施され、これは、２
．０００の高い屈折率を持つインジウム錫酸化物等適当
な材料から成る。所望の特性によつて異るが、一般にマ
グネシウムフツ化物層は約１１０ｎｍの厚さを持つ一方
、導電薄層は１．０〜１０．０ｎｍの範囲の厚さを持つ
。

第１図に示した実施例が基本的に単一層の反射防止コー
テイングであるのに約し、第２図に示した実施例は基本
的に２層の反射防止コーテイングである。第４図のグラ
フは、第３図に示したような２層型コーテイングの性能
特性を表わしている。

第４図には４つの特性曲線３６、３７、３８及び３９を
示す。曲線３６は、屈折率が２．０００で、２８．４３
７５ｎｍの物理的厚さ、２２７．５ｎｍの４分の１波長
光学厚を持つインジウム錫酸化物で層３１を形成し、１
１１．８６５９ｎｍの物理的厚さ、６１７．５ｎｍの４
分の１波長光学厚を持つマグネシウムフツ化物で低屈折
材料層３２を形成し、さらに屈折率が２．０００で、１
．２１８７ｎｍの物理的厚さ、９．７５ｎｍの４分の１
波長光学厚を持つインジウム錫酸化物で層３３を形成し
、合計の物理的厚さを１４１．５２２ｎｍ（０．００５
５７ｍｉｌｓ）とした導電性の反射防止コーテイング２
９によつて得られたものである。この設計は一般にＶコ
ートと呼ばれ、導電性の外側層を含むように変形されで
いる。

曲線３７は、層３１が３８５．００ｎｍの物理的厚さを
持つインジウム錫酸化物で形成され、層３２が６２．２
７３５ｎｍの物理的厚さ、３４３．７５ｎｍの４分の１
波長光学厚を持つマグネシウムフツ化物で形成され、最
外層３３が２２．３４３ｎｍの物理的厚さを持つインジ
ウム錫酸化物で形成され、合計の物理的厚さが１３２．
７４２ｎｍ（０．００５２ｍｉｌｓ）の導電性反射防止
コーテイング２９によつて得られたものである。このコ
ーテイング２９は、厚みの大きい透明な最外導電層を持
つた２層のＶコート反射防止コーテイングとして特徴付
けられる。

又曲線３８は、２０．６２５０ｎｍの物理的厚さ、１６
５．００ｎｍの４分の１波長光学厚を持つインジウム錫
酸化物の層３１と、１２９．５２９０ｎｍの物理的厚さ
、７１５．００ｎｍの４分の１波長光学厚を持つマグネ
シウムフツ化物の層３２とから成り、層３３は省略され
、合計の物理的厚さが１５０．１５ｎｍ（０．００５９
１ｍｉｌｓ）のコーテイング２９によつて得られたもの
である。

曲線３８で示したコーテイング２９は、曲線３６を生ず
るＶコートに匹敵するが、上塗りを成す外側のインジウ
ム錫酸化物層を含まないＶコートとして特徴付けられる
。

曲線３６と３８との比較は、外側表面上に導電薄層を設
けるか設けないかによるＶコートの性能層を示している
。又曲線３６と３７は、外側表面に導電コーテイングを
加えても、反射率が最小となる領域に生じる劣化は無視
し得るものであることを示している。

曲線３６は、第１図に示した本発明の実施例で用いた設
計原理によるものだが、マグネシウムフツ化物層と基材
の間に追加の層を加えた例の光学的性能を表わしており
、外側表面の上に設けた非常に薄い導電層は反射防止コ
ーテイングの性能をそれほど低下させず、可視領域の一
部で０に近い反射率を与えることを示している。又曲線
３７は、厚みの大きい導電材料の外側層を設けた場合で
も、実質上０の反射率が得られることを示しているが、
反射率は短い波長域の方で減少している。但し、導電層
が入射媒体に隣接しているので、直接的な電気接触が可
能である。さらに、その光学的厚さが比較的大きいため
、電気抵抗はかなり低い値、つまり１０００オーム／ス
クエア以下となる。

第４図に示した曲線３９は、約２５０Åの厚さを持つイ
ンジウム錫酸化物のコーテイングによつて得られた特性
曲線である。同曲線３９は、この種のコーテイングが非
常に高い反射率を持ち、低反射率が必要な応用分野にお
いては有用でないことを実証している。

本発明による導電性反射防止コーテイングを有する光学
物品の更に別の実施例を第５図に示す。

この実施例は第３図に示した設計例と似ているが、透明
な外側導電層の厚みを大きくできる点で変形されている
。第５図に示すごとく、光学物品４０は上記の各実施例
について説明したのと同種の基材４１から成り、２つの
光学的表面４２と４３を持ち、表面４３の上に導電性の
反射防止コーテイング４４が施されている。このコーテ
イング４４は、一般に透明な導電層である層４６と、そ
の上のマグネシウムフツ化物等の低屈折材料から成る層
４７と、その上の１５．０〜３０．０ｎｍの厚さ好まし
くは２０．０〜２５．０ｎｍの厚さを持つインジウム錫
酸化物等の高屈折率材料から成る厚みの大きい透明な導
電層４８とで構成されている。透明な導電層４６は一般
に２５〜６０ｎｍの範囲の物理的厚さを持ち、特に４０
〜５０ｎｍの物理的厚さが好ましい。マグネシウムフツ
化物層４７は４０〜８０ｎｍの物理的厚ヲを持ち、特に
５５〜７０ｎｍの範囲が好ましい。厚みの大きい外側の
透明導電層により、１０００オーム／スクエアより充分
低いシート抵抗率を得ることができる。このような導電
性の高いコーテイングは、ラジオ周波数干渉（ＫＦＩ）
を適量遮蔽することが必要な陰極線管デイスプレイで使
うのに適している。

本発明を実施化した導電性の反射防止コーテイングを持
つ光学物品５０を第６図に示す。光学物品５０は上記の
各実施例について説明したのと同種の基材５１から成り
、２つの光学的表面５２と５３を持ち、表面５３の上に
導電性の反射防止コーテイング５４が施されている。こ
のコーテイング５４は、アメリカ特許第３，１８５，０
２０号及び第３，４３２，２２５号に開示されているよ
うな従来のＨＥＡコーデイングとして特徴付けられるが
、透明な導電薄層を加えた点が変形されている。つまり
コーテイング５４は、約２．０〜２．１の屈折率と１１
５〜１３０ｎｍの４分の１波長光学厚を持つ高屈折材料
の層５６を含む。コーテイング５４はさらに、１６０〜
１７０ｎｍの４分の１波長光学厚を持つマグネシウムフ
ッ化物等の低屈折材料から成る層５７と、２．０〜２．
１の屈折率と約１０７０ｎｍの４分の１波長光学厚を持
つ高屈折材料から成る別の層５８と、その上の低い屈折
率を持ち、可視領域で約４２５ｎｍの４分の１波長光学
厚を持つマグネシウムフッ化物等の材料から成る更に別
の層５９とで構成されている。各層５６〜５９は、アメ
リカ特許第３，１８５，０２０号及び第３，４３２，２
２５号の開示内容に従つて設計される。

コーテイング５４は更に、１．０〜１０．０ｎｍの範囲
の厚さ好ましくは４．５ｎｍの厚さを持ち、インジウム
錫酸化物等の薄い透明な導電材料から成る層６１を含む
。本発明のこの実施例では、従来のＨＥＡコーテイング
と比べ、最外層として約５．０ｎｍ厚のインジウム錫酸
化物層を加え、このインジウム錫酸化物層の分を補償す
るためマグネシウムフッ化物層の厚さを調整して、可視
スペクトル範囲での色消し反射率を低く保つようにした
点が変形されている。この補償を行うため、マグネシウ
ムフッ化物の厚さが５００ｎｍの４分の１波長光学厚か
ら４２５ｎｍへと減少されている。

第７図中の曲線６２、６３及び６４は、第６図に示した
ような種類のコーテイングが持つ光学的性能を表わした
ものである。曲線６３は、従来のＨＥＡ広域反射防止コ
ーテイングについて計算した反射率を示している。曲線
６２は同じコーテイングだが、外側のマグネシウムフッ
化物層５９が約１５％薄い場合を示している。これに約
４．５ｎｍの物理的厚さを有する最外層６１として、イ
ンジウム錫酸化物の薄層を加えると、曲線６４で示した
ような光学的性能が得られる。両曲線６３、６４から明
らかなごとく、この追加により非導電性のＨＥＡコーテ
イングの光学的性能と実質上等しい性能を持つ導電性の
ＨＥＡコーテイングが得られ、外側導電層への直接的な
接触を可能とする。

マグネシウムフッ化物層５９の厚さの減少に対応して導
電層６１の厚さを増加させていくと、コーテイングの光
学的性能は次第に低下し、やがて計容不能な性能となる
。

第６図に関連して上述した設計方法は、半波長層５８に
導電層を用いた設計とすることもできる。

又、追加の導電薄層を担持する外側のマグネシウムフッ
化物層を変形したことで、広帯域の反射防止コーテイン
グが得られ、全体的に高い反射率を与えながら導電層の
一つへの直接的な接触を可能とする。このようなコーテ
イングは、ＲＦＩ遮蔽の分野で特に有用である。

以上の説明から明らかなように、各実施例で設けた比較
的薄い導電層は、ほゞ無限大の値から数千オーム／スク
エアの値まで調整可能なシート抵抗レベルを与えるもの
である。又上記した狭帯巾の変形２層コーテイングで厚
い半波長層を持つ設計例は、厚さの大きい導電層を持ち
、１００オーム／スクエア以下のシート抵抗値を持ち得
る。しかしいずれの場合にも、コンダクタンスが増加す
るとそれだけ光学的性能が低下する。

本発明における基本的な発見は、最外マグネシウムフッ
化物層の一部を次の点を条件として、反射性能を顕著に
失うことなく導電性の高屈折率層で置き換えられるとい
う点にある：１）高屈折率層の厚さが適当な小さい範囲
の値に限定されている、２）外側のマグネシウムフッ化
物層の厚さがこれに対応して適切に減少されている。

一般に、静電気防止の分野で便われる薄い透明な導電性
コーテイングを使うと、最大反射率が約０．１％増加す
るのに対し、総合的な反射率の増加けこの値より実質上
低い。又、有効なパンド巾は事実上、透明な導電薄層を
含まない従来のコーテイングによつて得られるものより
わずかに増大する。一方前にも触れたように、外側のマ
グネシウムフッ化物層の厚さを不適正に調整し減少させ
ると、スペクトル曲線が短波長側で一定なだけ傾斜が増
し、それに伴つて色消し機能も使われる。

薄い導電層の厚さにおける低限値は、その妥当な導電度
と安定性によつて決まる。又その上限の厚さは、反射率
の増加の点で許容できる範囲によつて定まる。透明な導
電薄層を形成するのに用いる材料の層と、時間反射率の
レベルが顕著に上昇し始める一定の点まで厚くすること
により、適切な色消しコーテイングの性能が維持される
。幾つかの適用分野で共通な設計を完全に最適化するた
めには、最上又は最外のマグネシウムフッ化物層に限ら
ず、設計に含まれる全ての層を同時に調整することが必
要である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施化した導電性の反射防止コーテイ
ングを有する光学物品の断面図；第２図は第１図に示し
たコーテイングの性能を示すグラフ； 第３図は本発明の別の実施例を具体化したコーテイング
を有する別の光学物品の断面図；第４図は第２図に示し
たコーテイングの性能を示すグラフ； 第５図は本発明の更に別の実施例を具体化したコーテイ
ングを有する更に別の光学物品の断面図；第６図は本究
明の更に別の実施例を具体化したコーテイングを有する
更に別の光学物品の断面図；及び 第７図は第６図に示したコーテイングの性能を示すグラ
フである。 １０、２４、４０、５０・・・光学物品、１１、２６、
４１、５１・・・基材、１２、１３、２７、２８、４２
、４３、５２、５３・・・光学表面、１４、２９、４４
、５４・・・反射防止コーテイング、１６、３２、４７
、５７、５９・・・低屈折率材料層、１７、３３、６１
・・・導電薄層、３１、４６・・・透明な導電層、４８
・・・厚い導電層、５６、５８・・・高屈折率材料層。 図面グ品’、　；’；　（内−°ｉ１．ＨＩｈ、、：　
ｐｙな１−）ＦＩＧ、−５ ＦＩＧ、−６ ｎｍ１ ＦＩＧ、−７ 手続補正書（方式） 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１４５６２５号 ２、発明の名称　　　導電性の反射防止コーテイングを
有する光学物品 ３、補正をする者 事件との関係　　出　廓　人 ４、代理人

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）基材が第１と第２の表面及び該第１の表面上に施
   された導電性の反射防止コーテイングを有し、該導電性
   の反射防止コーテイングが該第１の表面上に担持された
   低屈折材料から成る少くとも１つの層と、該低屈折材料
   層に担持され、直接の電気的接触が可能な電出表面を与
   える高い屈折率を持つた材料から成る透明な導電薄層と
   を含み、該透明な導電層が１．０〜３０．０ｎｍ（ナノ
   メータ）の範囲の光学的厚さを有し、該低屈折材料層が
   透明な導電薄層の厚さ分を補償するように減少された設
   計厚さを有し、導電薄層の存在がコーテイング全体の光
   学的性能を、その透明な導電薄層を使用しないときに得
   られる光学的性能と比べ著しく劣化させないような光学
   物品。
2. （２）上記の導電薄層が１．０〜１０．０ｎｍの範囲の
   厚さを有する特許請求の範囲第（１）項に記載の光学物
   品。
3. （３）上記の導電薄層が４．０〜６．０ｎｍの範囲の厚
   さを有する特許請求の範囲第（１）項に記載の光学物品
   。
4. （４）上記の導電薄層が２０．０〜２５．０ｎｍの範囲
   の厚さを有する特許請求の範囲第（１）項に記載の光年
   物品。
5. （５）上記コーテイングが、基材の第１表面と低い屈折
   率を持つ材料から成る層との間に、高い屈折率を持つ材
   料から成る追加の層を含む特許請求の範囲第（１）項に
   記載の光学物品。
6. （６）上記の追加層が透明の導電層から成る特許請求の
   範囲第（５）項に記載の光学物品。
7. （７）上記の透明な導電薄層を形成する材料が、インジ
   ウム錫酸化物、カドミウム錫酸塩、アンチモン酸化物の
   中から選ばれた特許請求の範囲第（１）項に記載の光学
   物品。
8. （８）低い屈折率を持つ材料から成る上記の層がマグネ
   シウムフツ化物から成り、上記の透明な導電薄層がイン
   ジウム錫酸化物から成る特許請求の範囲第（７）項に記
   載の光学物品。
9. （９）上記コーテイングが低屈折率の杓料から成る少く
   とも２つの層と、高屈折率の材料から成る少くとも２つ
   の層を含む特許請求の範囲第（１）項に記載の光学物品
   。