JPS6157901A - レ−ザ−用光学体 - Google Patents
レ−ザ−用光学体Info
- Publication number
- JPS6157901A JPS6157901A JP59178428A JP17842884A JPS6157901A JP S6157901 A JPS6157901 A JP S6157901A JP 59178428 A JP59178428 A JP 59178428A JP 17842884 A JP17842884 A JP 17842884A JP S6157901 A JPS6157901 A JP S6157901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- dielectric
- transparent conductive
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は平面板あるいはレンズによる基板に誘電体膜を
付着してレーザー光を反射又は透過させるレーザー用光
学体に関するものである。
付着してレーザー光を反射又は透過させるレーザー用光
学体に関するものである。
（従来技術とその問題点）
この種のレーザー用光学体では、ガラス、石英、プラス
チック等によって平面板あるいはレンズを形成する基板
上に、二酸化チタン、二ｎ２化ゾルコン、二酸化珪素等
による誘電体膜を蒸着させ、これによって反射又は透過
性能を向上させている。
チック等によって平面板あるいはレンズを形成する基板
上に、二酸化チタン、二ｎ２化ゾルコン、二酸化珪素等
による誘電体膜を蒸着させ、これによって反射又は透過
性能を向上させている。
しかしながら、前記基板洗浄の残りカスや蒸発蒸気の異
常粒子（電子銃によるイオン化率の進んた粒子）等のコ
ンタミネーション（汚染物）が基板上や誘電体膜中に生
ずると、コンタミネーションの持っているイオンは基板
の表面や誘電体膜の表面が絶縁体であるために伝導せず
、一部に核として残ってしまう。
常粒子（電子銃によるイオン化率の進んた粒子）等のコ
ンタミネーション（汚染物）が基板上や誘電体膜中に生
ずると、コンタミネーションの持っているイオンは基板
の表面や誘電体膜の表面が絶縁体であるために伝導せず
、一部に核として残ってしまう。
この核の持つイオンによって蒸着粒子の持つイオンが集
合し、イオン化され膜成長や結晶化が促進され、その他
の部分に比べ異質な膜構造を形成して散乱や吸収の原因
となって特性を低下させると共に、こうしてできた膜欠
陥は膜厚が増えるに従って成長して大きくなっていく。
合し、イオン化され膜成長や結晶化が促進され、その他
の部分に比べ異質な膜構造を形成して散乱や吸収の原因
となって特性を低下させると共に、こうしてできた膜欠
陥は膜厚が増えるに従って成長して大きくなっていく。
更に、複数の蒸着物質からなる多層膜の場合には、その
境界面は異なる蒸着物質が分子オーダで入り組んでいる
ために各蒸着物質のイオン化率の違いが境界面に発生す
る。そしてこれら蒸着物質は全て絶縁体なので、電位差
がそのまま核として残ってしまう。このため前記同様に
この核を中心として蒸着粒子の持つイオンが集合して膜
成長や結晶化が促進され、この部分が異質な膜構造を形
成して膜欠陥を生ずると共に、境界面の数が多い多層に
なる程助長され特性の低下が増大する。特に高精度を要
求されるレーザーシステムの場合、組込まれた光学体の
前記膜欠陥による散乱や吸収は、誤動作、出力低下、耐
久性の低下、レーザーグメーソ耐力低下等を引き起こす
ものであシ、その改善が強く望まれている。
境界面は異なる蒸着物質が分子オーダで入り組んでいる
ために各蒸着物質のイオン化率の違いが境界面に発生す
る。そしてこれら蒸着物質は全て絶縁体なので、電位差
がそのまま核として残ってしまう。このため前記同様に
この核を中心として蒸着粒子の持つイオンが集合して膜
成長や結晶化が促進され、この部分が異質な膜構造を形
成して膜欠陥を生ずると共に、境界面の数が多い多層に
なる程助長され特性の低下が増大する。特に高精度を要
求されるレーザーシステムの場合、組込まれた光学体の
前記膜欠陥による散乱や吸収は、誤動作、出力低下、耐
久性の低下、レーザーグメーソ耐力低下等を引き起こす
ものであシ、その改善が強く望まれている。
（発明の目的）
そこで本発明では前記欠点を改善し、イオンが原因とな
る膜欠陥を除去したレーザー用光学体の提供を目的とす
るものである。
る膜欠陥を除去したレーザー用光学体の提供を目的とす
るものである。
（発明の構成）
本発明の要旨は、平面板らるい（はレンズによる基板と
これに付着される誘電体との間、更には多層状の各誘電
体膜間に透明導電膜を設けたものであり、これによって
各境界面における集合したイオンを伝導拡散させて電位
差をなくし、核の成長を阻止させるようにしたレーザー
用光学体である。
これに付着される誘電体との間、更には多層状の各誘電
体膜間に透明導電膜を設けたものであり、これによって
各境界面における集合したイオンを伝導拡散させて電位
差をなくし、核の成長を阻止させるようにしたレーザー
用光学体である。
（実施例）
以下に本発明の実施例を図面によシ説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示し、符号１は基板、２
は誘電体膜、３は基板１と誘電体膜２との間に設けられ
た透明導電膜である。
は誘電体膜、３は基板１と誘電体膜２との間に設けられ
た透明導電膜である。
尚、前記基板１がガラス、石英、プラスチック等によっ
て平面板あるいはレンズを形成し、誘電体膜２は二酸化
チタン、二酸化ジルコン、二酸１ヒ珪素等が用いられる
ことは前記従来技術の場合と同様である。基板１は予め
洗浄するが残りカスが付着しているので誘電体膜２を蒸
着する前に透明導電膜３を蒸着させその上に誘電体膜２
を蒸着する。
て平面板あるいはレンズを形成し、誘電体膜２は二酸化
チタン、二酸化ジルコン、二酸１ヒ珪素等が用いられる
ことは前記従来技術の場合と同様である。基板１は予め
洗浄するが残りカスが付着しているので誘電体膜２を蒸
着する前に透明導電膜３を蒸着させその上に誘電体膜２
を蒸着する。
この透明導電膜３は、酸化インジウム、二酸化錫あるい
は両者の混合物質からな９、高周波イオンブレーティン
グ等によって蒸着される。この透明導電膜３の膜厚はレ
ーザー元の波長よシ充分短くすると共に、ＩＭΩ／ａｄ
以上の導電度を有することが望ましく、これによって前
記コンタミネーションの持つイオンやその核に集まろう
とする誘電体蒸発粒子のイオンが膜面上を伝導して拡散
され、誘電体２の膜面上には電位差を生じないのでイオ
ンを吸引するような電位差を持つ核は存在しなくなる。
は両者の混合物質からな９、高周波イオンブレーティン
グ等によって蒸着される。この透明導電膜３の膜厚はレ
ーザー元の波長よシ充分短くすると共に、ＩＭΩ／ａｄ
以上の導電度を有することが望ましく、これによって前
記コンタミネーションの持つイオンやその核に集まろう
とする誘電体蒸発粒子のイオンが膜面上を伝導して拡散
され、誘電体２の膜面上には電位差を生じないのでイオ
ンを吸引するような電位差を持つ核は存在しなくなる。
このように透明導電膜３を設けることによって基板１と
誘電体膜２間における核の成長を阻止することができる
。
誘電体膜２間における核の成長を阻止することができる
。
しかし、誘電体蒸着粒子は必ずしもイオン化率は一定で
はなく、誘電体膜２が薄い１４′合には余シ問題になら
ないが膜厚が増加するに従って膜面上に核となるような
電位差が生じ、核の部分にイオンが集合して他の部分と
は異質の膜構造を形成して成長していく、 そこで同質物質からなる誘電体ｉ１ゾ２金任意に分割し
て前記と同様の透明尋電’：ＤＩ ４ ｆｆｉ各層間に
設け、これにより集合したイオンを伝導拡散させて膜面
上の電位差をなくし、核が、膜欠陥にならないうちに成
長を止めるものであるａ 尚、これら透明導電膜４が光学的な特注に影響を与えな
い範囲で設けられることはもちろんである。
はなく、誘電体膜２が薄い１４′合には余シ問題になら
ないが膜厚が増加するに従って膜面上に核となるような
電位差が生じ、核の部分にイオンが集合して他の部分と
は異質の膜構造を形成して成長していく、 そこで同質物質からなる誘電体ｉ１ゾ２金任意に分割し
て前記と同様の透明尋電’：ＤＩ ４ ｆｆｉ各層間に
設け、これにより集合したイオンを伝導拡散させて膜面
上の電位差をなくし、核が、膜欠陥にならないうちに成
長を止めるものであるａ 尚、これら透明導電膜４が光学的な特注に影響を与えな
い範囲で設けられることはもちろんである。
次に本発明の第二実施例を第２国により説明する。符号
５は基板、符号６と７は透明導電膜、符号８〜１１は各
々誘電体膜である一基板１と透明導電膜６と７は前記第
１実施例の場合と同様の材質で構成され、基板１と誘電
体、；良８の間にある透明導電膜６の作用も前記と四柱
である。
５は基板、符号６と７は透明導電膜、符号８〜１１は各
々誘電体膜である一基板１と透明導電膜６と７は前記第
１実施例の場合と同様の材質で構成され、基板１と誘電
体、；良８の間にある透明導電膜６の作用も前記と四柱
である。
しかしこの実施例の場合のように、誘電体膜８゜１０と
誘電体膜９，１１とが異った物質で構成されて交互に配
設されている。従って各層の境界は分子オーダーで入り
組んでお９、イオン化の違いによってイオン化の進んだ
部分が核となってこれが成長すると膜欠陥になると共に
、この膜欠陥は境界面が多い多層膜になる程増加するー
そこで本発明ではこれらの各層間に前記同様に透明導電
、１摸７を各々設け、これら各境界面で核を形成しよう
とするイオンを伝導拡散して電位差をなくし、膜欠陥と
なる核の成長を阻とするものである。
誘電体膜９，１１とが異った物質で構成されて交互に配
設されている。従って各層の境界は分子オーダーで入り
組んでお９、イオン化の違いによってイオン化の進んだ
部分が核となってこれが成長すると膜欠陥になると共に
、この膜欠陥は境界面が多い多層膜になる程増加するー
そこで本発明ではこれらの各層間に前記同様に透明導電
、１摸７を各々設け、これら各境界面で核を形成しよう
とするイオンを伝導拡散して電位差をなくし、膜欠陥と
なる核の成長を阻とするものである。
前記第２実施例によって製作したものと従来品“ と
の膜欠陥を比較すると次のとおシである。
の膜欠陥を比較すると次のとおシである。
比較対象は誘電体膜に二酸化ツルコン（ＺｒＯ２）と二
酸化珪素（ＳＩＯＺ）を交互に２０層としたもので、本
発明のものには各層間に透明導電膜として酸化インソウ
ム（Ｉ ｎ２０３）とα（Ｓｎ）の混合物質を用い、従
来品にはこれがないものとし、膜欠陥の程度を判定する
ものとして散乱率を測定した。
酸化珪素（ＳＩＯＺ）を交互に２０層としたもので、本
発明のものには各層間に透明導電膜として酸化インソウ
ム（Ｉ ｎ２０３）とα（Ｓｎ）の混合物質を用い、従
来品にはこれがないものとし、膜欠陥の程度を判定する
ものとして散乱率を測定した。
この結果、従来品の散乱率が８３０〜８７０（ｐｐｍｌ
であるのにχ・１し、本発明のものｌ−Ｊ：２５０〜３
１０ ［ｐｐＩｎ）と顕著な差異があることがわかつ／
こ。
であるのにχ・１し、本発明のものｌ−Ｊ：２５０〜３
１０ ［ｐｐＩｎ）と顕著な差異があることがわかつ／
こ。
又、散乱率とダメージスレンンヨウルドとの関係を測定
した第３図によると、散乱率が低いほど（すなわち膜欠
陥が少ないほど）ダメ−シスレノ７ヨウルドが上がって
いることがわかる。
した第３図によると、散乱率が低いほど（すなわち膜欠
陥が少ないほど）ダメ−シスレノ７ヨウルドが上がって
いることがわかる。
尚、前記第１実症例および第２実施例において、各透明
４電膜中に過剰なイオンが存在した場合当該透明導電膜
にアース線を接触させて大地へ数社させることもできる
。
４電膜中に過剰なイオンが存在した場合当該透明導電膜
にアース線を接触させて大地へ数社させることもできる
。
（発明の効果）
以上の実癩例でも明らかなとおり、本発明のレーザー用
元学体は、基板と誘電体膜間や各誘電体膜間に透明導電
膜を設けたことによシ、各境界面に集合して核を成長さ
せるイオンを透明導電膜中に伝導拡散させるものである
。これによってイオンを原因とする基板洗浄の残りカス
などによる膜欠陥や膜厚依存性のある膜欠陥および層数
依存性のある膜欠陥を取除き、従来のこのｌ！１！元学
体に比べて散乱率が良好となって反射や透過あるいは位
相等の光学特性を向上させることができる。
元学体は、基板と誘電体膜間や各誘電体膜間に透明導電
膜を設けたことによシ、各境界面に集合して核を成長さ
せるイオンを透明導電膜中に伝導拡散させるものである
。これによってイオンを原因とする基板洗浄の残りカス
などによる膜欠陥や膜厚依存性のある膜欠陥および層数
依存性のある膜欠陥を取除き、従来のこのｌ！１！元学
体に比べて散乱率が良好となって反射や透過あるいは位
相等の光学特性を向上させることができる。
第１図は本発明の第１実施例によるレーザー用光学木の
構成を説明する断面図、第２図は第２実施例Ｖこよる同
様の断面図、第３図は散乱率とダメーソスレツンヨウル
ドとの関係を示す測定クランである。 符号の説明 １．５・・・基板 ２，８〜１１・・・誘電体膜
３、・１，６．７ ・・透明導電膜 特許出願人 新技術開発事業団 同 口化１日光機製造株式会社第１図
第２図 ご 第３図 ゛よ 散 乱 卆 （ｏｏｍ、１
構成を説明する断面図、第２図は第２実施例Ｖこよる同
様の断面図、第３図は散乱率とダメーソスレツンヨウル
ドとの関係を示す測定クランである。 符号の説明 １．５・・・基板 ２，８〜１１・・・誘電体膜
３、・１，６．７ ・・透明導電膜 特許出願人 新技術開発事業団 同 口化１日光機製造株式会社第１図
第２図 ご 第３図 ゛よ 散 乱 卆 （ｏｏｍ、１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、平面板あるいはレンズによる基板に誘電体膜を付着
してレーザー光を反射又は透過させるレーザー用光学体
において、前記基板と誘電体膜の間に透明導電膜を設け
たことを特徴とするレーザー用光学体。 ２、平面板あるいはレンズによる基板に誘電体膜を付着
してレーザー光を反射又は透過させるレーザー用光学体
において、前記基板と誘電体の間に透明導電膜を設ける
と共に、前記誘電体膜中にも透明導電膜を設けて当該透
明導電膜によつて誘電体膜が多層状に区分されているこ
とを特徴とするレーザー用光学体。 ３、前記多層状の各誘電体膜は各層が各々同一物質から
なる請求の範囲第２項記載のレーザー用光学体。 ４、前記多層状の各誘電体膜は少くとも隣接する各層が
異つた物質からなる請求の範囲第２項記載のレーザー用
光学体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178428A JPS6157901A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | レ−ザ−用光学体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178428A JPS6157901A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | レ−ザ−用光学体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157901A true JPS6157901A (ja) | 1986-03-25 |
Family
ID=16048333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59178428A Pending JPS6157901A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | レ−ザ−用光学体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6157901A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4912614U (ja) * | 1972-05-10 | 1974-02-02 | ||
| JPS5328214A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-16 | Hitachi Metals Ltd | Cylindrical matrix magnet and method of producing same |
| JPS5990801A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-05-25 | オプチカル・コ−テイング・ラボラトリ−・インコ−ポレ−テツド | 導電性の反射防止コ−テイングを有する光学物品 |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59178428A patent/JPS6157901A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4912614U (ja) * | 1972-05-10 | 1974-02-02 | ||
| JPS5328214A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-16 | Hitachi Metals Ltd | Cylindrical matrix magnet and method of producing same |
| JPS5990801A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-05-25 | オプチカル・コ−テイング・ラボラトリ−・インコ−ポレ−テツド | 導電性の反射防止コ−テイングを有する光学物品 |
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