JPS599049B2 - 像形成部材および像形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般的にはゼログラフィ一に関する。

さらに詳しくは新規な光導電装置およびその使用法に関
する。ゼログラフイ一技術において像形成を行なうには
、光導電性絶縁層を有するゼログラフプレートの表面に
まず静電荷を均一に帯電させる。

次いでこのプレートに励起電磁波たとえば光のパターン
を当てると、光導電性絶縁体の照射領域では電荷が選択
的に散逸し、一方非照射領域には静電潜像が残る。次い
で微粉末の検電性現像性粒子を光導電性絶縁層の表面に
付着させて、この静電潜像を現像し可視像を形成する。
ゼログラフイ一用の光導電性層は、単一物質たとえばガ
ラス状セレンの均一層、または光導電体および他の材料
より成る複合層である。

ゼログラフイ一用の複合光導電層の１種は、米国特許第
３１２１００６号〔ミドルトン（ＭｉｄｄｌｅｔＯｎ）
およびレイノルズ（ＲｅｙｎＯｌｄｓ）〕−に例示があ
り、この特許には、微粉末光導電性無機化合物を電気絶
縁性有機樹脂バインダー中に分散して成る多数の層に関
する記載がある。現在の実用化された形式では、バイン
ダー層は、樹脂バインダー中に酸化亜鉛粒子を均一に分
散したものを紙の裏当て上に塗布している。上記特許記
載の個々の例においては、バインダー材料は、光導電体
粒子が発生し且つ注入した電荷キヤリヤを有意の距離だ
け輸送できない。

そのため、上記特許開示の特定の材料においては、光導
電性粒子は層中で実質的に連続した粒子一粒子接触を成
して循環操作に必要な電荷の散逸を可能とするものでな
くてはならない。従つて、上記特許記載の如く光導電体
粒子を均一に分散させるには、通常、比較的高濃度の、
たとえば約５０容量％の光導電体を用いて光導電体を充
分に粒子一粒子接触させ速やかに放電させる必要がある
。しかしながら、バインダー中に多量の光導電体を充填
すると樹脂の物理的連続性が破壊され、そのためバイン
ダ１９機械的性質が著しく低下することが確かめられた
。また、光導電体を多量に充填しフｊ た系はしばしば屈曲性が僅かしかないかまたは全然ない
という短所を有する。

その反面、光導電体濃度を約５０容量％より低くすると
光誘起放電速度が低下し、高速循環像形成すなわち高速
反復像形成が困難ないし不可能に成る。米国特許第３１
２１００７号（ミドルトンほか）教示の他の形式の感光
体は、均一な光導電性絶縁マトリクス中に光導電性絶縁
粒子を分散して成る２相光導電性層を有する。

この感光体は粒状の光導電性無機顔料であり、開示する
ところによればその存在量は約５〜８０重量％と広範囲
にわたる。光放電＆ζ光導電性絶縁マトリクス材料中で
発生した電荷キヤリヤと光導電性顔料から光導電性絶縁
マトリクス中へ注入された電荷キヤリヤとの組み合わせ
によつて生じるとしている。米国特許第３０３７８６１
号〔ヘーゲル （ＨＯｅｇｅｌ）ほか〕−の教示するところによればポ
リ（Ｎ−ビニルカルバゾール）はある種の長波長紫外線
に対する感光性を有し、また該特許の示唆するところに
よれば、染料増感剤を添加することによりそのスペクト
ル感度を可視スペクトル域にまで拡張ことができる。

この特許のさらに示唆するところに従えば、他の添加剤
たとえば酸化亜鉛もしくは二酸化チタンをポリ（Ｎ−ビ
ニルカルバゾール）と組合わせて使用することもできる
。この特許においては、スペクトル感度を拡張する添加
物の有無に関係なく、光導電体としてポリ（Ｎ−ビニル
カルバゾール）を使用している。上記のほかに、特に反
射像形成用として、ある種の特殊な層構造物が提示され
ている。

たとえば、米国特許第３１６５４０５号〔ヘスタリ一（
Ｈ６ｅｓｔｅｒｅｙ）〕一では、反射像形成用として２
層の酸化亜鉛バインダー構造を用いる。

この特許においては、異なるスペクトル感度を有する２
種の別々の連続光導電性層を用いて個々Ｏ一連の反射像
形成を行なう。この装置は多重光導電性層の性質を利用
してそれぞれの光導電性層の光応答を有禾ｋ組合わせて
いる。上に引用した従来から用いられている光導電層を
検討してみると、光に露出されると、ガラス質セレンか
ら成る均一層（あるいは、その他の均一層）の場合には
、光導電層全体を通る電荷移送によつて層構造内の光導
電が達成されることが判る。

ミドルトン等の米国特許第３１２１００６号目己載され
ているような不活性電気絶縁性樹脂を含む光導電性結合
剤構造を用いる装置においては、電荷輸送は光導電性粒
子の粒子一粒子間接触を行わせた高濃度の光導電性顔料
を通つて達成される。ミドルトン等の米国特許第３１２
１００７号に例示されるような、光導電性マトリクス内
に分散された光導電性粒子の場合には、光導電性は光導
電性マトリクスと光導電性顔料粒子の両方の電荷キャリ
ャの生成によつて生じる。上で引用した諸特許は、光導
電層を通る放電の明瞭な機構に基づくものではあるが、
そのような機構に基づく像形成は、操作中に光導電性表
面が周囲の状況に影響され、特に、操り返してゼログラ
フ複写が行なわれる場合には、摩擦、化学的腐食、熱お
よび多数回の露光によつて影響されるという欠点を有す
る。

これらの影響によつて、光導電層の電気的特徴は次第に
劣化させられ、表面のきずやひつかききずを印写し、泳
続的な導電性を有する領域が局部的に生じて静電荷を保
持しなくなり、また、高度の暗放電を起すようになる。
土述の問題に加えて、それらの光導電層は、ガラス質セ
レン層のように１００％光導電体から成る層にするか、
結合剤中に多量の光導電性物質を含むように・しなけれ
ばならない。光導電層全体を光導電性物質から構成し、
あるいは多量の光導電性物質から光導電層を構成すると
、最終的に得られるプレード、ドラムまたはベルトの物
理的特性が制限される。なぜならば、柔軟性や支持基質
への光導電体の付着性のごとき物理的特性は、主として
、光導電体の物理的性質によつて定まり、少量で存在す
ることが好ましい樹脂またはマトリクス物質によつては
定まらないからである。同じく従来より考えられている
複合感光性層の他の形式として、比較的厚いプラスチツ
ク層で被覆し支持基体上にコートした光導電性材料の層
がある。

米国特許第３０４１１６６号〔バーデイーン（Ｂｅｒｄ
ｅｅｎ）」記載の層構造においては、透明なプラスチツ
ク材料がガラス質セレン層を蔽い、セレン層は支持基体
上に被覆されている。

使用時には、この透明プラスチツクの自由表面を所定の
極性に帯電させる。次いでこの装置を励起電磁波に当て
ると光導電性層にホール一電子対が発生する。電子はプ
ラスチツク層中を移動しプラスチツク層の自由表面上の
正電荷を中和し、これにより静電潜像を形成する。しか
しながら、この特許はこのように機能する好適なプラス
チツク材料を一切教示していないし、その実施例は光導
電体を上層として用いる構造のみに限られている。仏国
特許第１５７７８５５〔ヘリツク （Ｈｅｒｒｉｃｋ）ほか〕−には、偏光による反射露光
に適した特殊用感光性装置に関し記載がある。

その一態様においては、支持基体上に二色性有機光導電
性粒子を配向させて含有させた層と、この：色性材料の
配向層上に形成したポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）層
とを用いる。これを帯電させ、二色性層に対して垂直に
偏光した光に露光した場合、配向した二色性層およびポ
リ（Ｎ−ビニルカルバゾール層はいずれも最初の露光に
対して実質的に透明である。偏光が複写すべき資料の白
色の背景に当たるとその光は偏光を解消し、この装置を
通して反射され、二色性光導電性材料により吸収される
。また、他の態様においては、二色性光導電性材料を配
向させてポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）層中に分散さ
せる。米国特許第３８３７８５１号〔シャタック（Ｓｈ
ａｔｔｕｃｋ）ほか〕開示の特殊な電子写真用部材は、
電荷発生層と、他の電荷輸送層とを有する。

電荷輸送層は少くとも１種のトリアリールピラゾリン化
合物を含有する。これらのピラゾリン化合物はバインダ
ー材料たとえば当業者公知の樹脂中に分散していてもよ
い。米国特許第３７９１８２６号〔チエリ一 （Ｃｈｅｒｒｙ）ほか〕側示の電子写真用部材は、導電
性基体、バリヤ層、無機電荷発生層、および少くとも２
０重量％のトリニトロフルオレノンを含有する有機電荷
輸送層より成る。

ペルキー特許第７６３５４０号〔１９７１年８月２６日
発行、対応米国特許出願第９４１３９号（１９７０年１
２月１日出願）は現在放棄済み〕開示の電子写真用部材
は、少くとも２層の電気的に作用する層を有する。

第１層は、電荷キャリャを光発生させて光発生したホー
ルを連続活性層へ注人し得る光導電性層より成る。この
活性層は透明有機材料より成り、この材料は用いるべき
スベクトル域において実質的に無吸収であるが、光発生
したホールの光導電性層からの注入を可能としまたこれ
らのホールの活性層への輸送を可能とするという点で「
活性」である。活性ポリマーは不活性ポリマーもしくは
非ポリマー材料と混合してもよい。防衛公告（Ｄｅｆｅ
ｎｓｉｖｅＰｕｂｌｉｃａｔｉＯｎ）用に出願された米
国特許出願第９３４４９号〔ギルマン（Ｇｌｌｍａｎ）
、１，９７０年１１月２７日出願、１９７０年７月２０
日発行の官報８８８号第７０７頁、防衛公告第Ｐ８８８
．Ｏｌ３、米国特許分類９６／１．５〕の開示するとこ
ろによれば、無機光導電体たとえば無定形セレンのスピ
ードを向上させるためには、電子写真用部材中に有機光
導電体を含有させればよい。

たとえば、絶縁性樹脂バインダーはＴｉＯ２を分散させ
て含有するか、または無定形セレンを含有する。この層
を、有機光導電体たとえば４・４′−ジエチルアミノ−
２・２′−ジメチルトリフエニルメタンを分散して含有
する電気絶縁性バインダー樹脂層で被覆する。゛多活性
光導電性部材”、マーチン．エ一．バーウイツク（Ｍａ
ｒｔｉｎＡ．Ｂｅｒｗｉｃｋ）、チヤールズ．シュー．
フオツクス（ＣｈａｒｌｅｓＪ．ＦＯｘ）、ウイリアム
・エ一．ライト（ＷｉｌｌｉａｍＡ．Ｌｉｇｈｔ）リサ
ーチ．デイスクロージヤ（Ｒｅ８ｅａｒｃｈＤｉｓｃｌ
Ｏｓｕｒｅ）第１３３巻第３８頁ないし第４３頁、１９
７５年５月がインダストリアル．オポチユニテイーズ．
リミテイツド（ＩｎｄｕｓｔｒｉａｌＯＰＰＯｒｔＵｎ
ｉｔｉｅ８Ｌｔｄ）、英国バンプシャー州ハバント（Ｈ
ａｖａｎｔ）在ホームウエル（ＨＯｍｅｗｅｌｌ）から
出版されている。この開示内容は、電荷輸送層およびこ
れと電気的に接続した結合体型電荷発生層を具備した有
機光導電体とより成る少くとも２層を有する光導電性部
材に関する。電荷発生層および電荷輸送層はいずれも本
質的に有機組成物である。電荷発生層を叡連続した電気
絶縁性ポリマ一相と、（１）繰返し単位としてアルキリ
デンジアリーレン基を有する少くとも１種のポリマーお
よび（２）少くとも１種のピリリウム系染料塩の微粉砕
粒状共晶錯体より成る不連続相とを含む。電荷輸送層は
、電荷発生層から注入される電荷キヤリヤを受容し且つ
輸送し得る有機材料である。この層は絶縁性樹脂材料と
その内に分散した４・イービス（ジエチルアミノ）−２
・２′−ジメチルトリフエニルメタンとから成る。米国
特許第３２６５４９６号（フオツクス）の開示するとこ
ろによれば、Ｎ−Ｎ−Ｎ′−Ｎ′−テトラフエニルベン
ジジンは電子写真用部材の光導電性材料として使用し得
る。

しかしながら、この化合物ば本発明の樹脂バインダー中
に充分に溶解せず、充分な光励起放電速度を与えない。
米国特許第３３１２５４８号〔ストローガン（Ｓｔｒ映
畑ｎ）〕−に開示のゼログラフプレートは、セレン、ヒ
素およびハロゲンの組成物より成る光導電性絶縁層を有
する。

ハロゲンの存在量は約１０〜１００００ｐｐｍである。
この特許がさらに開示するゼログラフプレートは、支持
体、セレン層ならびにガラス状セレン、ヒ素およびハロ
ゲンの混合物より成る光導電性材料の上層を有する。本
発明の化合物は式〔式中、Ｘはオルト位ＣＨ，、メタ位
ＣＨ，、７ゞラ位ＣＨ３、オルト位Ｃｌ、メタ位Ｃｌお
よびパラ位Ｃｌより成る群から選ばれる。

〕を有し、電気的に不活性な有機樹脂材料中に分散して
、電荷発生層と電荷輸送層より成る多層感光体における
電荷輸送層を形成する。電荷輸送層は用いるべきスベク
トル域において実質的に吸収を有してはならないが、光
発生したホールの光導電性層すなわち電荷発生層からの
注入を可能としまたこれらのホールの電荷輸送層中での
輸送を可能にするという点では「活性」でなければなら
ない。有機バインダー材制中に分散した活性材料を用い
る多くの有機電荷輸送層は繰返し電子写真法に用いた場
合、不適当な残留電位を形成して電荷キヤリヤをトラツ
プしてしまうことが確かめられている。

また、公知の有機電荷輸送材料のほとんどは、無定形セ
レンの電荷発生層に接触した層次構造として使用すると
両層の対向面で電荷をトラツプすることも確かめられて
いる。この結果、これらの構造を明暗像に露光した場合
、照射領域と非照射領域との電位差が小さく成る。これ
は逆に最終製品すなわち電子写真法複写物の印写濃度を
低下させる。さらにまた、従来公知の多くの有機電荷輸
送材料は、紫外線たとえば各種のコロトロンおよびラン
プなどから放射された紫外線に当たると劣化することも
確かめられている。

そのほか、この系に関してはガラス転移温度（Ｔｇ）に
ついての考察が必要である。

電荷輸送層のＴｇは通常の操作温度より実質的に高温で
なくてはならない。有機バインダー材料中に分散した活
性材料を用いる有機電荷輸送層は多くＫ活性材料を有機
バインダー材料中へ充分な電荷輸送に必要なだけ充填し
た場合、不適当に低いＴｇを有する。この結果、層のマ
トリクスが軟化し、逆に乾性現像剤およびトナーによる
衝撃の影響を受けるように成る。低Ｔｇの他の不適当な
点は、活性材料を有機バインダー材料からリーチングす
なわち浸出して電荷輸送層の電荷輸送特性を低下させる
ことが問題となることである。上記した欠点に加えて低
Ｔｇ層においては小型分子の拡散速度が増加してその結
晶化が起こる。本発明者らの見出したところでは、式 〔式中、Ｘはオルト位ＣＨ３、メタ位ＣＨ３、パラ位Ｃ
Ｈ３、オルト位Ｃｌｌメタ位Ｃｌおよびパラ位Ｃｌより
成る群から選ばれる。

′）な有する化合物を有機バインダー中に分散して成る
層は、電荷発生層に接触させて使用し電子写真法におい
て帯電一光放電サイクルに供した場合に、電荷を一切ト
ラツプすることなく極めて効率的に電荷を輸送する。数
千回にわたり反復使用しても残留電位は少しも形成され
ない。可溶化基たとえばメチル（ＣＨ３）もしくは塩素
（Ｃｌ）が存在するので前記した小型分子はここに記載
する樹脂バインダー中に実質的に一層可溶と成るが、未
置換テトラフエニルベンジジンではここに記載した目的
とする樹脂バインダー中に充分に溶解しない。

さらに、本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ′−Ｎ′−テトラフエ
ニル一〔１・１′−ビフエニル〕−４・４仁ジアミメ類
をバインダー中に分散させて電荷発生層に接触した電荷
輸送層として使用する場合に、電荷発生層で光発生した
電荷を電荷輸送層へ注入する際に界面で電荷のトラップ
が生じることがない。

紫外線に当てても、本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ／−Ｎ′−
テトラフエニル一〔１●１′−ビフエニル〕−４・４′
−ジアミン類を含有するこれらの電荷輸送層の電荷輸送
特性には何らの劣化も観察されない。さらにまた、バイ
ンダー中に本発明の置換Ｎ・Ｎ−Ｎ／−Ｎ′−テトラフ
エニル一〔１・Ｖ−ビフエニル〕−４・４′−ジアミン
類を分散して成る電荷輸送層は大充填量が大きい場合で
も充分に高いＴｇを有し、そのため低Ｔｇに関連する前
記の問題点が解消されることが確かめられた。さきに述
べた従来技術はいずれも前記の問題点を克服し得ない。

また、さきに掲げた従来技術はいずれも電気的に不活性
な樹脂材料より成る電気絶縁性樹脂マトリクス中に本発
明の置換Ｎ−Ｎ・Ｎ′−Ｎ′−テトラフエニル一〔１・
１仁ビフエニル〕−４・４′−ジアミン類を分散して成
る電荷輸送層でオーバーコートした好適な電荷発生材料
の独立層を開示していない。電荷輸送材料は用いるべき
スペクトル域に実質的に吸収を有しないが、光発生した
ホールの電荷発生層からの注入を可能としまたこれらの
ホールの電荷輸送層中での輸送を可能にするという点で
活性である。電荷発生層は光導電性層であつてホールの
光発生と接触する電荷輸送層中へのその注入とを成し得
る。本発明者らのさらに見出したところでは、ハロゲン
を含有するセレンおよびヒ素の合金を電荷キャリヤ発生
層として、これに接触した電荷キャリヤ輸送層を有する
多層装置に使用した場合、この独特な電荷発生層を用い
た結果としてその部材は他の電荷発生層を用いた同様の
多層部材に比し予想以上に高いコントラスト電位（ＣＯ
ｎｔｒａｓｔｐＯｔｅｎｔｉａｌ）を有する。

コントラスト電位は印写濃度を決定する重要な特性であ
る。したがつて、本発明の目的は、新規な像形成装置を
提供するにある。

本発明の他の目的は、さきに列挙した欠点を克服し得る
反復像形成に適した新規な光導電性装置を提供するにあ
る。

本発明のさらに他の目的は、電荷発生層と、電気的に不
活性な樹脂材料中に式〔式中、Ｘはオルト位ＣＨ３、メ
タ位ＣＨ３、パラ位ＣＨ３、オルト位Ｃｌｌメタ位Ｃｌ
およびパラ位Ｃ１より成る群から選ばれる。

〕−を有する化合物を分散して成る電荷輸送層とより成
る光導電性部材を提供するにある。上式の化合物の化学
名は、Ｎ−Ｎ仁ジフエニル一Ｎ−Ｎ仁ビス（アルキルフ
エニル）−〔１・１仁ビフエニル〕−４・４仁ジアミン
〔但し、アルキルは２−メチル、３−メチルおよび４−
メチルより成る群から選ばれる。〕またはＮ−Ｎ仁ジフ
エニル一Ｎ−マービス（ハロフエニル）−〔１・１′−
ビフエニル〕−４・４′−ジアミン〔但し、ハロは２−
クロロ、３−クロロおよび４−クロロより成る群から選
ばれる。〕である。本発明のさらに他の目的は、屈曲性
を保ち、しかも長時間反復作用して周囲環境すなわち酸
素、紫外線および高温などに曝されたのちも電気的特性
を保持する新規な像形域部材を提供するにある。

本発明のさらに他の目的は、長時間反復作用してもバル
クの電荷トラツプを生じない新規な像形成部材を提供す
るにある。上記した目的およびその他の目的を達成する
本発明は、少くとも２層の作用層を有する光導電性部材
を提供する。

第！層は、ホールを光発生しこれに接触ないし隣接した
電気的活性層にホールを注入し得る光導電性材料より成
る。この電気的活性層は、電気的に不活性な樹脂材料中
に約１０〜約７５重量％の式ノ 〔式中、Ｘはオルト位ＣＨ，、メタ位ＣＨ３、パラ位Ｃ
Ｈ３、オルト位Ｃｌｌメタ位Ｃｌおよびパラ位Ｃｌより
成る群から選ばれる。

〕を有する化合物を分散して成る。この化合牧を命名す
るならば、Ｎ−Ｎ′−ジリJャGニル一Ｎ−Ｎ′−ビス（
アルキルフエニル）−〔１・１′−ビフエニル〕−４・
４′−ジアミン〔式中、アルキルは２−メチル、３−メ
チルおよび４−メチルより成る群から選ばれる。〕また
はＮ−Ｎ仁ビス（ハロフエニル）−〔１・Ｖ−ビフエニ
ル〕−４・４′−ジアミン〔式中、ハロは２−クロロ、
３−クロロおよび４−クロロより成る群から選ばれる。
〕である。活性オーバーコート層すなわち電荷輸送層は
、可視光もしくは用いるべきスペクトル域では吸収を示
さないが、光導電性層すなわち電荷発生層で光発生した
ホールの注入とこれらのホールの活性電荷輸送層中での
輸送とを可能として活性層表面の表面電荷を選択的に放
電させるという点では「活性」である。本発明者らの見
出したところでは、本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ′−Ｎ′−
テトラフエニル一〔１・ν−ビフエニル〕−４・４′−
ジアミン類を有機バインダー中に分散させて成る層仄従
来技術とは異なり、電荷発生層に接触させて使用し電子
写真法における帯電一光放電サイクルに共した場合、電
荷を一切トラツブすることなく電荷を極めて効率的に輸
送する。また、数千回にわたり使用しても残留電位が形
成されることはない。２ さらに、本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ′・Ｎ仁テトラフエニ
ル一〔１・１′−ビフエニル〕−４・イージアミン類を
バインダー中に分散して成る層は、大充寥おいても充分
に高いＴｇを有し、そのため低Ｔｇに関連した問題点を
解消することが確かめられた。

従来技術においてはかかる欠陥を免れ得ない。さらにま
た、本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ′・Ｎ′−テトラフエニル
一〔１・Ｐ−ビフエニル〕−４・４′−ジアミン類をバ
インダー中に分散して成るこれらの電荷輸送層を、ゼロ
グラフ装置の通常の使用環境で遭遇する紫外線に曝して
も電荷輸送特性には何らの劣化も起らない。

従来技術においてはかかる欠陥も免れ得ない。従つて、
電気的に不活性な樹脂材料中に本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ
′−Ｎ−テトラフエニル一〔１゜１′−ビフエニル〕−
４・４′−ジアミン類を分散して成る電荷輸送層を有す
る部材はこれを周囲環境、すなわち酸素および紫外線な
どに曝しても、これらの層は安定でありその電気特性を
失うことがない。

また、本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ／−Ｎ仁テトラフエニル
一〔１・１′−ジフエニル〕４・４′−ジアミィ類は電
気的に不活性な樹脂材料中に分散された状態で結晶化し
たり不溶化したりすることがない。従つて、本発明の置
換Ｎ−Ｎ−マ・Ｎしテトラフエニル一〔１・１′−ビフ
エニル〕−４・ｌ−ジアミン類は、通常のゼログラフ装
置の使用環境で遭遇する酸素と反応したり紫外線の影響
を受けたりすることがなく、そのため、電気的に不活性
な樹脂材料中に本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ′・Ｎ仁テトラ
フエニル一〔１・１′−ビフエニル〕−４・４′−ジア
ミン類を分散して成る電荷輸送層は、光導電性層すなわ
ち電荷発生層からの光発生したホールの充分な注入とこ
れらのホール活性層中での反復輸送とを可能にして活性
層の自由表面の表面電荷を充分に放電させその結果満足
すべき静電潜像を形成し得る。さきにも述べた通り、前
記の目的およびその他の目的を達成する本発明は、少く
とも２層の作用層を有する特に好ましい光導電性部材を
提供するものである。

最も好ましい第１層は本質的に無定形セレン、ヒ素およ
びハロゲンの混合物より成る。ヒ素の存在量は約０．５
〜約５０重量％であり、ハロゲンの存在量は約１０〜約
１０００ｐｐｍであり、残余は無定形セレンである。こ
の層はホ＝ルを光発生させ、これに接触ないし隣接した
電荷輸送層中へそのホールを注入し得る。電荷輸送層は
本質的に、電気的に不活性な樹脂材料と、この中に約１
０〜約７５重量％分散した本発明の置換Ｎ−Ｎ・Ｎ′・
Ｎ仁テトラフエニル一〔１・１′−ジフエニル〕−４・
４′−ジアミン類とから成る。活性層１５を知定する用
語「電気的に活性」はその材料が電荷発生材料からの光
発生したホールの注入を支持し、これらのホールの活性
層中での輸送を可能として活性層表面の表面電荷を放電
させ得ることを意味するものとする。

本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ′−Ｎ仁テトラフエニル一〔１
・１′−ビフエニル〕−４・４′−ジアミン類を含有し
ない有機材料を規定する用語ｌ電気的に不活性」＆ζそ
の材料が電荷発生層からの光発生ホールの注入を支持し
得ず、その材料中でのこれらのホールの輸送を成し得な
いことを意味するものとする。

いうまでもないことであるが、電気的に不活性な樹脂材
料は、約１０〜約７５重量％の置換Ｎ・Ｎ−Ｎ／−Ｎ′
−テトラフエニル一〔１・１′−ビフエニル〕−４・４
′−ジアミン類を含有して電気的に活性となつたときで
も用いるべき波長域では光導電体として機能しない。

さきに記した如く、ホール一電子対は光導電性層中で光
発生し、次いでホールは活性層中へ注入され、この活性
層を通してホールの輸送が起こる。本発明の代表的な用
例には、層状部材としての使用があり、この部材の一態
様は支持基体（たとえば導電体）とその上の光導電性層
とから成る。

たとえば、光導電性層は、無定形、ガラス状もしくは三
方晶系セレンまたはセレンの合成たとえばセレンーヒ素
、セレンーテルルーヒ素およびセレン−テルルである。
電気的に不活性な樹脂材料たとえばポリカーボネート類
中に約１０〜約７５重暑量％のＮ−Ｎしジフエニル一Ｎ
−Ｎしビス（４一メチルフエニル）−〔１．１′−ビフ
エニル〕−一４．４′−ジアミンなどを分散させて成る
電荷輸送層はホールの注入と輸送を可能とするが、この
ものをセレン光導電性層でオーバーコートする。一般に
、光導電性層と基体とはその間に薄い界面バリヤ層もし
くはプロツキング層（ＢｌＯｄｄｎｇｌａｙｅｒ）を挟
持している。このバリヤは任意の適当な電気絶縁性材料
たとえば金属酸化物もしくは有機樹脂より成る。置換Ｎ
−Ｎ−Ｎ′−Ｎ′−テトラフエニルーノ 〔１・１′−
ビフエニル〕−一４・４′−ジアミン類を含有するポリ
カーボネートを用いれば、光導電性層を支持基体に隣接
して好適に配設し光導電性層を上層で保護し、この上層
が光導電体からの光発生ホールを輸送し、同時に光導電
性層を周囲環境から物理的に保護する作用を成すように
し得る。この構造によれば帯電、光学的像の投影および
現像などを含む通常のゼログラフイ一法により像形成を
行なうことができる。本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ′−Ｎ仁
テトラフエニル一〔１・１′−ビフエニル〕−一４・４
′−ジアミン類の式は下記の通りである。

但し、Ｘはオルト位ＣＨ３、メタ位ＣＨ３、パラ位ＣＨ
，、オルト位Ｃｌおよびパラ位Ｃ１より成る群から選ば
れる。

この物質を命名するならば、Ｎ・Ｎ仁ジフエニル一Ｎ−
Ｎ′−ビス（アルキルフエニル）−〔１・１′−ビフエ
ニル〕−４・４′−ジアミン〔但し、アルキルは２−メ
チル、３−メチルおよび４−メチルより成る群から選ば
れる。〕またはＮ−Ｎ仁ジフエニル一Ｎ−Ｎ仁ビス（ハ
ロフエニル）−〔１・１′−ビフエニル〕−４・ｌ−ジ
アミン〔但し、ハロは２−クロロ、３−クロロおよび４
−クロロより成る群かう選ばれる。〕である。前記の如
く、ハロゲンを含有するセレンとヒ素 ．二との合金を
電荷キヤリャ発生層として、これに接触した電荷キヤリ
ヤ輸送層を有する多層装置に用いると、この特異な電荷
発生層を用いたことによりその部材は異なる電荷発生層
材料を用いた同様の多層装置に比して予想外に高い対比
電位を有す ｊる。６４．５重量％の無定形セレン、３
５．５重量％のヒ素および８５０ｐｐｍのヨウ素を含有
する厚さ６０μＱ単一層と、本発明の多層部材との比較
を行なつてみる。

比較に用いた本発明部材は、３５．５重量％のヒ素、６
４．５重量％の無定形セレンおよび８５０ｐｐｍのヨウ
素を含有する厚さ０．２μの電荷発生層を有する。この
電荷発生層をマクロロン〔ＭａｋｒＯｌＯｎｌフアルベ
ンフアプリケン・）バイエル・アクチエンゲゼルシヤフ
ト （ＦａｒｂｅｎｆａｂｒｉｃｋｅｎＢａｙｅｒＡ．Ｇ．
）のポリカーボネートの商標〕中に４０重量％のＮ−Ｎ
仁ジフエニル一Ｎ●Ｎ仁ビス（３−メチルフエニル）一
〔２・２′−ジメチル−１・１′−ビフエニル〕−４・
４′−ジアミンを分散して成る厚さ３０μの電荷輸送層
でオーバーコートする。

両部材を定電流帯電法により試験する。

これは、試験すべき各部材上に同量の電荷を担持させる
方法である。本発明の多層装倉ま厚さ６０μの単一層感
光体に比し６０％以上の対比電位を示す。次に両部材を
定電圧帯電法により試験する。これは、各部材に同一の
電圧を印加する方法である。本発明の多層装置は厚さ６
０μの単一層部材のゼログラフイ一感度より約３０％高
いゼログラフイ一感度を示す。驚くべきことに、上記よ
り明らかな如く本発明の多層装置のグログラフイ一感度
は厚６０μの単］部材のゼログラフィ一感度に比し遥力
収高い。

優れた本発明部材と本発明の像形成法の有する他の利点
は下記の記載より明らかに成るであろう。次に添付した
図面に即し本発明をさらに詳しく説明する。第１図に示
すプレート状像形成部材１０は、支持基体１１、その上
に載置されたバインダー層１２およびバインダー層１２
の上に位置する電荷輸送層１５より成る。

基体１１は任意の導電性材料で形成することが好ましい
。代表的な導電体には、アルミニウム、鋼、黄銅、グラ
フアィト、分散性導電性塩類および導電性ポリマーなど
がある。基材は剛性もしくは屈曲性であり、常用の任意
の厚さを有する。２代表的な基体には屈曲性ベルトもし
くはスリーブ、シート、ウエブ、プレート、シリンダお
よびドラムがある。

基体すなわち支持体は複合構造たとえばアルミニウムも
しくは銅の酸化物またはガラスをクロムもしくはスズの
酸化物の薄い導電性被膜で被覆した導電性薄層などでも
よい。特に好ましい基体はポリエステルたとえばマイラ
〔Ｍｙｌａｒ、デユポン社の商品〕を金属化したもので
ある。所望により、さらに電気絶縁性基体もし用し得る
。

この場合を゛瓢絶縁性部材に電荷を担持させるのには当
業界公知のダブルコロナ帯電法を用いる。絶縁性基体を
用いるか、または基体を全く使用しない他の変更例では
、像形成部材を導電性裏当て部材もしくはプレート上に
配設し上記裏当て部材と接触させたままで帯電させる。
像形成に次いで、像形成部材を導電性裏当て部材から引
き剥がす。バインダー層１２はバインダー１４中に光導
電性粒子１３を配向することなくランダムに分散して成
る。光導電性粒子は任意の適当な無機もしくは有機の光
導電体およびその混合物より成る。無機材料には、無機
結晶性光導電性化合物および無機光導電性ガラスがある
。代表的な無機結晶性化合物にはスルホセレン化カドミ
ウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムおよびこれ
らの混合物がある。代表的な無機導電性ガラスには、無
定形セレン、セレン合金たとえばセレン−テルル、セレ
ンーテルルーヒ素およびセレンーヒ素、ならびにこれら
の混合物がある。セレンは三方晶系セレンとして知られ
る結晶性の形態でも使用し得る。三方晶系セレンを用い
て光導電性像形成部材を製造するには、ガラス状セレン
の薄層を基体上に真空蒸着し、このセレン層上に電気的
に活性な有機材料の比較的厚い層を形成し、次いで装置
を高温たとえば１２５〜２１０℃に、充分な時間たとえ
ば１〜２４時間加熱してガラス状セレンを三方晶系の結
晶に転化する。三方晶系セレンを用いて光導電性部材を
製造する他の方法においては、微粉砕ガラス状セレ７粒
子を液状有機樹脂溶液中に分散し、次いでこの液を支持
基体上に塗布し、これを乾燥して、有機樹脂マトリクス
中にガラス状セレン粒子を含有せしめて成るバインダー
層を形成する。次いでこの部材を高温たとえば１００〜
１４０℃に充分な時間たとえば８〜２４時間加熱してガ
ラス状セレンを三方晶系の結晶に転化する。電荷発生体
として使用し得る代表的な有機光導電性材料には、フタ
ロシアニン系顔料、たとえば米国特許第３３５７９８９
号〔パーツ（Ｂｙｒ？）ほか〕記載のＸ型の無金属フタ
ロシアニン、金属フタロシアニン類たとえば銅フタロシ
アニン、デユポン社の製品であるモナストラル・レツド
（ＭＯｎａｓｔｒａｌＲｅｄ）、モナストラル・バイオ
レツドおよびモナストラル・レツドＹなどのキナクリド
ン類、米国特許第３４４５２２７号〔ワインバーガ一（
Ｗｅｉｎｂｅｒｇｅｒ）〕側示の置換２・４−ジアミノ
トリアジイ類、米国特許第３４４２７８１号（ワインバ
ーガ一）開示のトリフエノジオキサジン類ならびにアラ
イド・ケミカル・コーポレーション（ＡｌｌｌｅｄＣｈ
ｅｍｉｃａｌＣＯｒｐＯｒａｔｉ＠）の製品であるイン
ドフアースト・ダブル・スカーレツト（ＩｎｄＯｆａｓ
ｔＤＯｕｂｌｅＳｃａｒｌｅｔ）、インドフアースト・
バイオレツト・レーキＢ１インドフアースト・ブリリア
ント・スカーレツト（１１］ＩＯｆａＳｔＢｒｉｌｌｉ
ａｎｔＳＱｒｌｅｔ）およびインドフアースト・オレン
ジなどの多環式芳香族キノン類がある。

分子間電子移動複合体たとえばポリ（Ｎ−ビニルカルバ
ゾーノリ（ＰＶＫ）とトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ
）との混合物も電荷発生材料として使用し得る。

これらの材料は光発生したホールを電荷移動材料中へ注
入し得る。さらに分子内電子移動複合体、たとえば米国
特許出願第４５４４８４号〔リンパーク（Ｌｉｍ穎Ｒｇ
）ほか、１９７４年３月２５日出願、放棄済〕一、同第
４５４４８５号（同人 １９７４年３月２５日出願、放
棄済）、，同第４５４４８６（同人、１９７４年３月２
５日出願、放棄済）、同第４５４４８７号（同人、１９
７４年３月２５日出願、放棄済）、同第３７４１５７号
（同人、１９７３年６月２７日出願、放棄済）および同
第３７４１８７号（同人、１９７３年６月２７日出願、
放棄済）開示の複合体も光発生したホールを電荷輸送材
料中へ注入し得る電荷発生材料として使用することがで
きる。

最も好ましい態様の１種は、３５．５重量％のヒ素、６
４．５重量％の無定形セレンおよび８５０ｐｐｍのヨウ
素より成る厚さ０．２μの電荷発生層である。

この電荷発生層を、マクロロン（前出のポリカーボネー
ト樹脂）中に本発明の置換Ｎ−Ｎ−ＮζＮ仁テトラフエ
ニル一〔１・１′−ビフエニル〕−４・４′−ジアミン
４０重量％を分散して成る厚さ３０μの電荷輸送層でオ
ーバーコートする。上記に列挙した光導電体は好適材料
の単なる例示であり、本発明を少しも限定するものでは
ない。光導電性粒子の粒径は特に本質的なものではない
が、粒径範囲約０．０１〜５．０μは特に満足すべき結
果を与える。バインダー材料は電気的に不活性な任意の
絶縁性樹脂たとえば前記の米国特許第３１２１００６号
（ミドルトンほか）記載の樹脂より成る。

電気的に不活性なすなわち絶縁性の樹脂を使用する場合
には、光導電性粒子が粒子一粒子接触していることが重
要である。これを達成するためには、光導電性材料がバ
インダー層に対して少くとも約１０容量％存在すること
が必要である。なお、バインダー層中の光導電体の存在
量に上限はない。マトリクスすなわちバインダーが活性
材料より成る場合には、バインダーに対して約１容量％
もしくはそれ以下の光導電性材料で充分である。但し、
バインダー層中の光導電体の存在量に上限はない。光導
電性層の厚みは本質的ではない。満足すべき層厚は約０
．０５〜２０．０μであり、層厚約０．２〜５．０μで
は特に優れた結果が得られ好ましい。他の態様において
は、光導電性材料は粒子１３として図示した無定形セレ
ンーヒ素−ハロゲンであり、このものは約０．５〜約５
０重量％のヒ素、約１０〜１００００ｐｐｍのハロゲン
および残余の無定形セレンより成る。好ましいヒ素の存
在量は約２０〜約４０重量％であり、３５．５重量％が
最も好ましい。好ましいハロゲンは、ヨウ素、塩素もし
くは臭素である。最も好ましいハロゲンはヨウ素である
。合金ないし混合物の残余はセレンであることが好まし
い。活性層１５は、電気的に不活性な透明有機樹脂材料
中に約１０〜約７５重量％の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ′・Ｎ′−
テトラフエニル一〔１・１′−ビフエニル〕−４・４′
−ジアミン類すなわちＮ−Ｎ仁ジフエニル一Ｎ−Ｎ仁ビ
ス（２−メチルフエニル）−〔１・１′−ビフエニル〕
−４・４′−ジアミン、Ｎ−Ｎ′−ジフエニル一Ｎ−Ｎ
仁ビス（３−メチルフエニル）−〔１・１′−ビフエニ
ル〕−４・ｌ−ジアミン、Ｎ−Ｎ仁ジフエニル一Ｎ−Ｎ
しビス（４−メチルフエニル）−〔１●１′−ビフエニ
ル〕−４・４′−ジアミン、Ｎ−ＮＬジフエニル一Ｎ−
Ｎ′−ビス（２−クロロフエニル）−〔１・１′−ビラ
エニル〕−４゜４／−ジアミン、Ｎ−Ｎ′−ジフエニル
一Ｎ− （Ｎ仁ビス（３−クロロフエニル）−〔１・１
仁ビフエニル〕−一４・４′−ジアミンおよびＮ−Ｎ仁
ジフエニル一Ｎ−Ｎ仁ビス（４−クロロフエニル）一〔
１・１′−ビフエニル〕−４・ｌ−ジアミンを分散して
成る。

本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ゛・Ｎ′−テ ４トラフエニル
一〔１・１′−ビフエニル〕−一４・４′一ジアミンを
電気的に不活性な有機樹脂材料に添加すると電荷輸送層
が形成され、その結果電荷輸送層は光導電性層からの光
発生ホールの注入を支持し、これらのホールの有機層中
での輸送を可能となして表面電荷を選択的に放電させ得
るように成る。従つて、活性層１５は光導電性層からの
光発生ホールの注入を支持しこれらのホールが活性層中
を充分に輸送されるようにしその表面電荷を選択に放電
させ得るものでなくてはならない。一般に、活性層１５
の厚さは約５〜１００，であるが、この範囲外の厚さで
も使用し得る。活性層１５は電気的に輸送不活性な任意
の樹脂材料たとえば前記の米国特許第３１２１００６号
（ミドルトンほカリ記載の樹脂材料より成るが、その全
内容については上記文献を参照されたい。電気的に不活
性な有機材料はまた少くとも１５重量％の式〔式中、ｘ
はオルト位ＣＨ３、メタ位ＣＨ３、パラ位ＣＨ３、オル
ト位Ｃ１、メタ位Ｃ１およびパラ位Ｃｌより成る群より
選ばれる。

〕の化合物を含有する。土式の化合物の化学名は、Ｎ−
Ｎ−ジフエニル一Ｎ−Ｎ′−ビス（アルキルJャGニル）
−〔１・１仁ビフエニル〕−一４・ｌ−ジアミン〔但し
、アルキルは２−メチル、３−メチルおよび４−メチル
より成る群から選ばれる。〕またはＮ−Ｎ仁ジフエニル
一Ｎ−Ｎ仁ビス（ハロフエニル）−〔１・１′−ビフエ
ニル〕−４・４′−ジアミン〔但し、ハロは２−クロロ
、３−クロロおよび４−クロロより成る群から選ばれる
。〕であり、含有量は約１０〜約７５重量％が好ましい
。活性層１５は光導電性層からの光発生ホールの注入を
支持しこれらのホールが有機層中を輸送されるようにし
てその表面電荷を選択的に放電させ得るものでなくては
ならなＸ．′ｏ電気的に不活性な有機材料の代表例には
、ポリカーボネート類、アクリレート系ポリマー、ビ０
ル系ポリマー、セルロース系ポリマー、ポリエステル類
、ポリシロキサン類、ポリアミド類、ポリウレタン類お
よびエポキシド類ならびにこれらのプロツクコポリマ一
、ランダムコポリマー、交互コポリマーもしくはブロツ
クコポリマ一がある。米国特許第３１２１００６号（ミ
ドルトンほ力りのほかにも、米国特許第３８７０５１６
号には電気的に不活性な適当な樹脂材料の広汎なリスト
が開示されている。その全内容については上記文献を参
照されたい。好ましい電気的に不活性な樹脂材料はポリ
カーボネート樹脂である。

好ましいポリカーボネート樹脂の分子量（Ｍｗ）は約２
００００〜約１２００００であり、約５００００〜１２
００００はさらに好ましい。

電気的に不活性な樹脂材料として最も好ましい材料は、
分子量（Ｍｗ）約３５０００〜約４００００のポリ（４
・４′−イソプロピリデンージフエニレンカーボネート
）〔市販品レキサン１４５（Ｌｅふ山１４５）、ジエネ
ラル・エレクトリツク・カンパニー（Ｇ′Ｅｎｅｒａｌ
ＥｌｅｃｔｒｉｃＣＯｍｐａｎｙ）製｝、分子量（Ｍｗ
）約４００００〜約４５０００のポリ（４・４！−イソ
プロピリデンージフエニレンカーボネート）〔市販品レ
キサン１４１、ジエネラル・エレクトリツク・カンパニ
ー製〕く分子量（Ｍｗ）約５００００〜約１２００００
のポリカーボネート樹脂〔市販品、前出のマクロロン〕
、および分子量（Ｍｗ）約２００００〜約５００００の
ポリカーボネート樹脂〔市販品メルロン（ＭｅｒｌＯｎ
）、モーベイ・ケミカル・カンパニー（ＭＯｂａｙＣｈ
ｅｍｉｃａｌＣＯｍｐａｎｙ）製〕である。

本発明の他の態様においては、第１図の構造を変更して
、光導電性粒子がバインダー層１２の全厚にわたり連続
した鎖状を成するようにする。

この態様を図示した第２図においては、基本的な構造お
よび材料は第１図のそれと同様である。但し、光導電性
粒子は連続した鎖状を成している。さらに詳しくは第２
図の層１４は、層１４の全厚にわたり相互に絡み合つて
いる多数の光導電性連続通路を含み、光導電性通路の存
在量は上記層の容量に対し約１〜２５容量％である。第
２図の層１４の他の変更例においては、層内の光導電性
材料は上記部材の全厚にわたつて絡み合つた多数の光導
電性通路中にあつて実質的に粒子一粒子接触している。

光導電性通路の存在量Ｂ層の容量に対して約１〜２５容
験％である。別法として、光導電性層全体を、実質的に
均一な光導電性材料たとえば無定形セレンもしくはセレ
ン合金、または粉末もしくは焼結光導電性層たとえばス
ルホセレン化カドミウムもしくはフタロシアニンをもつ
て構成することもできる。この変更例を図示する第３図
においては、感光性部材３０は、基体１１、光導電性均
一層１６およびこの上に位置する活性有機輸送層１５よ
り成る。輸送層１５は電気的に不活性な有機樹脂材料中
に本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ／−マーテトラフエニル一〔
１・１１−ビフエニル〕−４・ｌ−ジアミンを約１０〜
約７５重量％分散して成る。第１図、第２図および第３
図に示した層構造の他の変更例では基本と光導電体との
対向面にバリヤ層１７を用いる。

この構成を図示する第４図の感光性部材４０においては
、バリヤ層１７が基体１１と感光性層１６とを隔ててい
る。バリヤ層１７は、基体から光導電性層への電荷キャ
リャの注入を阻止する作用を成す。任意の適当なバリヤ
層材料を使用し得る。代表的な材料には、ナイロン、エ
ポキシおよび酸化アルミニウムがある。いうまでもなく
、第１図ないし第４図の層構造においては、光導電性材
料は無定彫セレン、三方晶系セレンおよびセレン合金よ
り成る群より選択することが好ましい。セレン合金＆ζ
本質的にセレン〜テルル、セレンーテルルーヒ素、セレ
ンヒ素およびこれらの混合物より成る群から選ばれる。
好ましい光導電性材料の一ダ１は三方晶系セレンである
。活性層１５すなわち電荷輸送層を亀電気的に不活注な
有機樹脂材料中に約１０〜７５重量％の式〔式中、ｘは
オルト位ＣＨ３、メタ位ＣＨ３ パラ 位ＣＨ，、オルト位Ｃ１、メタ位Ｃｌおよびパラ位Ｃｌ
より成る群から選ばれる。

〕の化合牧な分散して成る。この化合物を命名すれば、
Ｎ−Ｎ仁ジフエニル一Ｎ−Ｎしビス（２−メチルフエニ
ル）−〔１・１′−ビフエニル〕−一４・ｌ−ジアミン
、Ｎ−Ｎしジフエニ、ル一Ｎ−Ｎ仁ビス（３−メチルフ
エニル）−〔１司５−ビフエニル〕−４●４′−ジアミ
ン、Ｎ−Ｎ仁ジフエニル一Ｎ−Ｎ仁ビス（４−メチルフ
エニル）一〔１・１′−ビフエニル〕一４・ｌ−ジアミ
ン、Ｎ−Ｎ仁ジフエニル一Ｎ・Ｎ′−ビス（２−クロロ
フエニル）−〔１・１′−ビフエニル〕−４・ｌ−ジア
ミン、Ｎ−マージフエニル一ＮＩＮしビス（３−クロロ
フエニル）−〔１・１′−ビフエニル〕−４・４仁ジア
ミンおよびＮ−Ｎ′−ジフエニル一Ｎ−Ｎ′−ビス（４
−クロロフエニル）−〔１●１１−ビフエニル〕−一４
●４′−ジアミンであり、このものは光導電性層中に電
荷キヤリヤを発生させるのに用いる波長域の光に対して
透明である。ゼログラフイ一に用いるこの好適波長域は
約４０００〜約８０００λである。また、パンクロ応答
を必要とする場合には、光導電性層は４０００〜８００
０λの全波長に応答しなければならない。本発明の光導
電体一活性層の組合せのいずれによつても、光導電体と
活性材料との物理的界面を介してホールの注入と引続く
輸送とが起こる。活性層１５すなわち電荷輸送層が透明
でなければならない理由は、入射光の大部分を電荷キャ
リャ発生層での効率的な光発生に用いるからである。

電荷輸送層１５すなわち電気的に不活性な有機樹脂材料
中に本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ″・Ｎ″−テト゜ラフエニ
ル一〔１・１′−ビフエニル〕−４・ｌ−ジアミン類を
含有せしめて成る層は、ゼログラフイ一に用いる波長す
なわち４０００〜８０００λの光に当つても殆んど全く
放電を示さない。従つて、本発明の２層装置を用いて明
らかに性能の向上が見られるのは、活性材料すなわち本
発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ′−Ｎ仁テトラフエニル一〔１・
１′−ビフエヱル〕−４・ｌ−ジアミン類を含有する電
気的に不活性な有機樹脂材料が光導電体を用いるべき波
長域の光線に対し前記の如く実質的に透明である場合で
ある。その理由仄必要な光線を活性層が吸収してしまう
と、その光線がより効果的に利用されるべき光導電性層
に到達し得ないからである。従゛）て、電気的に不活性
な有機樹脂材料中に本発明の置換Ｎ−Ｎ−Ｎ′−Ｎ′−
テトラフエニル一〔１・１′−ビフエニル〕−４・４′
−ジアミン類を約１０〜約７５重量％分散して成る活性
層は、約４０００〜８０００λの波長域では実質的に非
光導電性であり、光導電性層からの光発生ホールの注入
を支持する。この材料はさらに、電子写真法において発
生する最小の電界によつても電荷キヤリヤを輸送し得る
という特徴を有する。本発明において光導電性層と共に
使用する活性輸送層哄この活性輸送層に担持された靜電
荷が光照射の不存在下で＆よ充分な速度で移動してその
表面上での静電潜像の形成と保持とを妨害しない程度の
絶縁体である。

一般に、活性層の厚さは約５〜１００μが好ましいが、
この範囲外の厚さも使用し得る。

活性層すなわち電荷輸送層の厚さの光導電性層すなわち
電荷発生層の厚さに対する比は約２：１〜２００：１に
保つことが好ましいが、場合により４００：１程度まで
高くてもよい。次に感光性部材の製造法に関する実施例
を示し本発明をさらに具体的に説明する。

実施例で製造する感光性部影は、光導電性層すなわち電
荷発生層と、これに接触した活性有機層すなわち電気的
に不活性な有機樹脂材料中に本発明の置換Ｎ−Ｎ・Ｎ／
−Ｎ′−テトラフエニル一〔１・１′−ビフエニル〕一
４・４′−ジアミンを約１０〜約７５重量％分散して成
る電荷輸送層とを有している。下記における「％」は特
記しないかぎり「重量％」である。

下記の実施例は本発明の種々の好適態様を例示するもの
である。実施例 １ 本実施例は、Ｎ−Ｎ′−ジフエニル一Ｎ−Ｎ仁ビス（３
−メチルフエニル）−〔１・１′−ビフエニル〕−４・
４′−ジアミンの調製に関する。

機械的攪拌装置を取り付けアルコ關１換した５０００ｄ
の丸底３０フラスコ内に３３６ｒ（１モル）のＮ−Ｎ仁
ジフエニルベンジジン、５５０１（２．５モル）のｍ−
ヨードトルエン、５５０ｒ（４モル）の炭酸カリウム（
無水）、５０ｆ７の銅−青銅触媒および１５００ｄのジ
メチルスルホキシド（無水）を装入した。この不均一混
合物を６日間還流させた。この混合牧な放冷して、２０
００ｄのベンゼンを加えた。得られた暗色スラリーを沢
過した。沢液を水で４回抽出した。次いで沢液を硫酸マ
グネシウムで乾燥し沢過した。ベンゼンは減圧下で除去
した。ウエルム（ＷＯｅｌｍ）中性アルミナを用いて黒
色生成物をカラムクロマトグラフイ一分離した。ｎ−オ
クタン中より生成物を再結晶して無色の結晶質生成物を
得た。このものの融点は１６７〜１６９℃であつた。収
量は３６０７（収率６５％）であつた。実施例 ２ アルミニウム化マイラ製基体、基体上に位置する層厚１
μの無定形セレン層、および無定形セレン層上に位置し
２５重量％のＮ−マージフエニル一Ｎ−Ｎ′−ビス（３
−メチルフエニル）一〔１・１′−ビフエニル〕−４・
４′−ジアミンと７５重量％のビスフエノールＡポリカ
ーボネート（前出のレキサン１４５）とより成る層厚２
２μの電荷輸送層を有する第３図の如き感光性層構造を
下記の手法に従つて形成した。

常用の真空蒸着法たとえば米国特許第 ２７５３２７８号〔ビクスビ一（Ｂｉｘｂｙ）〕および
同第２９７０９０６号（同人）開示の方法によつて、ア
ルミニウム製マイラ上に層厚１μのガラス状セレン層を
形成した。

電荷輸送層を形成するために、１３５７のメチレンクロ
リド中に３．３４７の（実施例１で調製した）Ｎ−Ｎ／
−ジフエニル一Ｎ−Ｎ／−ビス（３−メチルフエニル）
−〔１・１′−ビフエニル〕−４・ｌ−ジアミンおよび
１０７のビスフエノールＡポリカーボネート（レキサン
１４５）を溶解した。

ガラス状セレン層上にパート（Ｂｉｒｄ）フイルムアプ
リケータを用いて上記混合物の層を形成した。次いで被
膜を４０℃にて１８時間真空乾燥して電荷輸送材料の乾
燥した厚さ２２μの層を形成した。次いで上記の部材を
約１２５℃にて１６時間加熱してガラス状セレンを三方
晶系の結晶に転化した。このプレートを６０ボルト／μ
の電界を形成するまで負に帯電させ、波長４２００λの
光線を用いて光子数２Ｘ１０１２／Ｃｄ−？ｃにて放電
させて電気的試験を行なつた。

その結果、このプレートは上記の電界にて満足すべき放
電を示し、可視像の形成に使用し得た。実施例 ３ アルミニウム化マイラ製基体、基体上に位置す）る層厚
１μの三方晶系セレ１、および５０重量％のＮ−マージ
フエニル一Ｎ−Ｎ５−ビス（３−メチノレフエニノレ）
−〔１・丁一ビフエニノレ〕−４・４′−ジアミンと５
０重量％のビスフエノールＡポリカーボネート（レキサ
ン１４１）とより成り三方晶系セレン層をオーバーコー
トする層厚２２μの電荷輸送層を有する第４図の如き感
光性層構造を下記の通り形成した。

常用の真空蒸着法たとえば米国特許第 ２７５３２７８号および同第２９７０９０６号（共にビ
クスビ一）開示の方法により層厚１μの無定形セレンを
３ミルのアルミニウム基体上に真空蒸着した。

基体上に無定形セレンを蒸着するに先立ち、アルミニウ
ム上に浸漬被覆法により層厚０．５μのエポキシーフエ
ノール系バリヤ層を形成した。真空蒸着は真空度１０−
６１１Ｈｇで行ない、真空蒸着の間基体の温度は約５０
℃に保つた。５０重量％のＮ−Ｎ／−ジフエニル一Ｎ−
Ｎ／−ビス（３−メチノレフエニノレ）−〔１・丁一ビ
フエニノレ〕−４．４′−ジアミンおよび分子量（Ｍｗ
）約４００００のポリ（４・４′−イソプロピリデンジ
フエニレンカーボネート）（前出のレキサン１４１）５
０重量％より成る層厚２２μの電荷輸送材料で無定形セ
レ巧響を被覆した。

電荷輸送層を形成するために、１３５７のメチレンクロ
リド中に１０Ｖｆ）Ｎ−Ｎ′−ジフエニル一Ｎ−Ｎ′−
ビス（３−メチルフエニル）一〔１．１′ービフエニル
〕−４・４′−ジアミンおよび１０ｔのポリ（４・４′
−イソプロピリデンージフエニレンカーボネ一（へ）（
レキサン１４１、Ｍｗ約４００００を有するジエネラル
・エレクトリツク・カンパニーの商品）を溶解した。

前記の如くパート・フイルムアプリケータを用いて無定
形セレン層上に上記混合物の層を形成した。次いで被膜
を４０℃にて１８時間乾燥して層厚２２μの乾燥した電
荷輸送材料層を形成した。次いで装置全体を１２５℃に
加熱し同温度に１６時間保ち無定形セレン層を三方晶系
の結晶に転化した。１６時間経過後に、この装置を室温
にまで冷却した。

このプレートを６０ボルト／μの電界を形成するまで負
に帯電させ、波長４２００λの光線を用いて光子数２Ｘ
１０１２／ＣｆｆＬ−Ｓｅｃにて放電させて電気的試験
を行なつた。このプレートは上記の電界にて満足すべき
放電を示し、優れた可視像の形成に使用し得た。実施例
４ アルミニウム化マイブ製基体、基体上に位置する層厚０
．２μのハロゲン含有無定形セレンーヒ素層、および無
定形セレンーヒ素−ハロゲン層上に位置し２５重量％の
Ｎ−Ｎ５−ジフエニル一Ｎ−Ｎ′−ビス（３−メチルフ
エニル）−〔１・１／−ビフエニル〕−４・４′−ジア
ミンと７５重量％のビスフエノールＡポリカーボネート
（レキサン１４５、ジエネラル・エレクトリツク・・・
・・・カンバニ一の商品）とより成る層厚３０μの電荷
輸送層を有する第３図の如き感光性層構造を下記の通り
形成した。

約３５．５重量％のヒ素、約６４．５重量％のセレンお
よび８５０ｐｐｍのヨウ素の混合物をパイレツクス（米
国コーニング社の商品）製試薬ピンに封入して約５２５
℃にて約３時間揺動炉中で反応させた。次いで混合物を
およそ室温に冷却し、パイレツクス製試薬ピンから取出
し、ガラス鐘内の石英るつぼへ入れた。アルミニウムプ
レートをこのるつぼの上方約１２インチに支持し温度約
７０℃に保つた。次いでガラス鐘を約５Ｘ１０−５１１
Ｈｇまで排気し、石英るつぼを温度約３８０℃まで加熱
し、上記混合物をアルミニウムプレート土に蒸着させた
。るつぼは蒸発温度に約３０分間保持した。この期間の
終了時にるつぼを放冷し、蒸着プレートをガラス鐘から
取出した。電荷輸送層を形成するために、１３５ｔのメ
チレンクロリド中に、３．３４ｔの実施例は調製のＮ・
Ｎ′−ジフエニル一Ｎ−Ｎｌ−ビス（３−メチルフエニ
ル）一〔１・１′−ビフエニル〕−４・４′−ジアミン
およびビスフエノールＡポリカーボネート（レキサン１
４５、ジエネラル・エレクトリツク・カンパニーの商品
）を溶解した。

パート・フイルムアプリケ一６夕を用いてガラス状セレ
ンーヒ素一ヨウ素層上にこの混合物の層を形成した。次
いで被膜を８０℃にて１８時間真空乾燥して厚さ３０μ
の乾燥した電荷移動材料の層を形成した。このプレ一・
卜を６０ボルト／μの電界を形成するまで負に帯電させ
、波長４２００λの光線で光子数２Ｘ１０１２／Ｃｄ−
？ｃにて放電させて電気的試験を行なつた。このプレー
トＢ上記の電界にて満足すべき放電を示し、可視像の形
成に使用し得た。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明部材のそれぞれ第１ないし
第４の態様を示す模式図である。 １０，２０，３０および４０・・・・・・像形成部材、
１１・・・・・・支持基体、１２・・・・・・バインダ
ー層、１３・・・・・・光導電性粒子、１４・・・・・
・バインダー材料、１５・・・・・・電荷輸送層、１６
・・・・・恍導電性均一層、１７・・・・・・バリヤ層
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 光導電性材料の層より成る電荷発生層と、電気的に
   不活性な有機樹脂材料中にＮ・Ｎ′−ジフエニル−Ｎ・
   Ｎ′−ビス（２−メチルフェニル）−〔１・１′−ビフ
   ェニル〕−４・４′−ジアミン、Ｎ・Ｎ′−ジフェニル
   Ｎ・Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１・１′−
   ビフェニル〕−４・４′−ジアミン、Ｎ・Ｎ′−ジフェ
   ニルＮ・Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−〔１・１
   ′−ビフェニル〕−４・４′−ジアミン、Ｎ・Ｎ′−ジ
   フエニル−Ｎ・Ｎ′−ビス（２−クロロフェニル）−〔
   １・１′−ビフエニル〕−４・４′−ジアミン、Ｎ・Ｎ
   ′−ジフエニル−Ｎ・Ｎ′−ビス−（３−クロロフェニ
   ル）−〔１・１′−ビフェニル〕−４・４′−ジアミン
   およびＮ・Ｎ′−ジフエニル−Ｎ・Ｎ′−ビス（４−ク
   ロロフェニル）−〔１・１′−ビフェニル〕−４・４′
   −ジアミンより成る群から選ばれた物質約１０〜約７５
   重量％を分散して成り上記電荷発生層に接触した電荷輸
   送層とから構成され、上記光導電性層はホールを光発生
   し且つ該ホールを注入する能力を示し、さらに上記電荷
   輸送層は上記光導電性層が光発生ホールを発生し且つ注
   入するスペクトル域において実質的に無吸収であるが上
   記光導電性層からの光発生ホールの注入を支持し且つ上
   記電荷輸送層中を上記ホールが輸送され得るよう構成さ
   れることを特徴とする像形成部材。 ２ 電気的に不活性な有機樹脂材料がポリカーボネート
   樹脂である特許請求の範囲第１項記載の部材。 ３ ポリカーボネート樹脂が、約２００００〜約１２０
   ０００の分子量を有する特許請求の範囲第２項記載の部
   材。 ４ ポリカーボネート樹脂が、約２００００〜約５００
   ００の分子量を有する特許請求の範囲第２項記載の部材
   。 ５ ポリカーボネート樹脂が、約５００００〜約１２０
   ０００の分子量を有する特許請求の範囲第２項記載の部
   材。 ６ ポリカーボネート樹脂が、約３５０００〜約４００
   ００の分子量を有するポリ（４・４′−イソプロピリデ
   ン−ジフエニレンカーボネート）である特許請求の範囲
   第２項記載の部材。 ７ ポリカーボネート樹脂が、約４００００〜約４５０
   ００の分子量を有するポリ（４・４′−イソプロピリデ
   ン−ジフエニレンカーボネート）である特許請求の範囲
   第２項記載の部材。 ８ 光導電性材料が無定形セレン、三方晶系セレン、も
   しくはセレン−テルル、セレン−テルル−ヒ素およびセ
   レン−ヒ素より成る群から選ばれたセレン合金、または
   これらの混合物である特許請求の範囲第１項記載の部材
   。