JPS5988332A - フオト・マスク基板の再生方法 - Google Patents
フオト・マスク基板の再生方法Info
- Publication number
- JPS5988332A JPS5988332A JP57195514A JP19551482A JPS5988332A JP S5988332 A JPS5988332 A JP S5988332A JP 57195514 A JP57195514 A JP 57195514A JP 19551482 A JP19551482 A JP 19551482A JP S5988332 A JPS5988332 A JP S5988332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- glass substrate
- laser beam
- photomask
- damaged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B29/00—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins
- C03B29/02—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a discontinuous way
- C03B29/025—Glass sheets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はフォト・マスク用ガラス基板の形成方法に係り
、峙にフォト・マスク用ガラス基板の再生方法に関する
。
、峙にフォト・マスク用ガラス基板の再生方法に関する
。
（ｌ」）技術の背景
フＪトーマスク（ハード・マスク）は、通常ソーダ・ガ
ラス基板又は石英ガラス基板上にスパッタリング法等を
用いてクロム（Ｃｒ）若しくは酸化クロム（Ｃｒｙ）等
の遮光体を成膜して在るブランク板を用い、該遮光膜ケ
パターンニングすることによって形成される０このよう
なフォト・マスクに於て、パターンＸ’ｌ’７度ｋｆｉ
Ｋｆ、持するために、現在ガラス基板に要求されている
平面度は５インチ角基板に於て２〜５［７ｚｍ］１１度
である０このような亮平面度を有するガラス基板は非常
に高価であるために、汚染したフォト−マスクは不良と
せず、偵雑な化学洗Ｍを行って繰シ返えし使用される。
ラス基板又は石英ガラス基板上にスパッタリング法等を
用いてクロム（Ｃｒ）若しくは酸化クロム（Ｃｒｙ）等
の遮光体を成膜して在るブランク板を用い、該遮光膜ケ
パターンニングすることによって形成される０このよう
なフォト・マスクに於て、パターンＸ’ｌ’７度ｋｆｉ
Ｋｆ、持するために、現在ガラス基板に要求されている
平面度は５インチ角基板に於て２〜５［７ｚｍ］１１度
である０このような亮平面度を有するガラス基板は非常
に高価であるために、汚染したフォト−マスクは不良と
せず、偵雑な化学洗Ｍを行って繰シ返えし使用される。
しかし、半導体装置のウェーハ・プロセスに於てけ、マ
スク・パターンを半導体基板上に転写する際、密着露光
法が多く用いられるため、半導体基板面とフメト・マス
クの接触によシマスフ面に２〜３ ’Ｃμｍ ）’ （
塘れに１５（μｍ））程度の深さの損傷を受は易く、こ
の場合フォト・マスクは不良になる〇 そこで損傷を受けたフォト・マスクの遮光膜を除去した
後、該ガラス基板を所定の平面度に形成し直し、該ガラ
ス基板をフォト・マスク基板として再ｒＬ使用すること
によりマスク費用の節減が図られる。
スク・パターンを半導体基板上に転写する際、密着露光
法が多く用いられるため、半導体基板面とフメト・マス
クの接触によシマスフ面に２〜３ ’Ｃμｍ ）’ （
塘れに１５（μｍ））程度の深さの損傷を受は易く、こ
の場合フォト・マスクは不良になる〇 そこで損傷を受けたフォト・マスクの遮光膜を除去した
後、該ガラス基板を所定の平面度に形成し直し、該ガラ
ス基板をフォト・マスク基板として再ｒＬ使用すること
によりマスク費用の節減が図られる。
（ｃ） 従来技術と問題点
従来上記ガラス基板の再生処理は、通常のボリッヅング
・マシンを用いる機械的な研摩処理によってなされてい
た。即ち第１図（イ）に示すように凹部状の損傷部１を
有する被処理ガラス基板２′を、点線で示した損傷部の
底面を越える深さまで研摩することにより第１図（ロ）
に示すような所定の平面度を有するガラス基板２に再生
せしめていた。
・マシンを用いる機械的な研摩処理によってなされてい
た。即ち第１図（イ）に示すように凹部状の損傷部１を
有する被処理ガラス基板２′を、点線で示した損傷部の
底面を越える深さまで研摩することにより第１図（ロ）
に示すような所定の平面度を有するガラス基板２に再生
せしめていた。
第２図は上記ポリッシング・マシンの構造の一例を示し
た要部断面模式図で、図中３は回転研摩板、４は自転す
る基板固定ドラム、５は被処理ガラス基板、６は研摩側
容器、７は研摩剤、８は回転方向矢印し、９は接着剤で
ある。
た要部断面模式図で、図中３は回転研摩板、４は自転す
る基板固定ドラム、５は被処理ガラス基板、６は研摩側
容器、７は研摩剤、８は回転方向矢印し、９は接着剤で
ある。
しかし上記のようにガラス基板表面の機械的な研摩によ
ってなされる従来の再生方法に於ては、粒度の異なる研
摩剤によシ多重に研摩しなければならず、又その都度洗
浄処理が必要である等によシ再生処理が煩雑であり、且
つ研摩速度が遅いために例えば深さ１５〔μｍ〕程度の
損傷部を除去するのに１〔時間〕程度の長い研摩時間を
要し、再生能率も極めて悪いという問題があった〇（ｄ
） 発明の目的 本発明はガラス基板の上面部のみを再溶融させることに
より世傷部を除去する７オト・マスク基板の再生方法を
提供するものであシ、その目的とするところは、フォト
・マスク基板の再生を容易且つ高能率にするにある。
ってなされる従来の再生方法に於ては、粒度の異なる研
摩剤によシ多重に研摩しなければならず、又その都度洗
浄処理が必要である等によシ再生処理が煩雑であり、且
つ研摩速度が遅いために例えば深さ１５〔μｍ〕程度の
損傷部を除去するのに１〔時間〕程度の長い研摩時間を
要し、再生能率も極めて悪いという問題があった〇（ｄ
） 発明の目的 本発明はガラス基板の上面部のみを再溶融させることに
より世傷部を除去する７オト・マスク基板の再生方法を
提供するものであシ、その目的とするところは、フォト
・マスク基板の再生を容易且つ高能率にするにある。
（ｅ） 発明の構成
即ち本発明はフォト・マスク基板の再生方法に於て）ガ
ラス基板の表面部をレーザ・ビーム走査により溶融し平
坦化することを特徴とする。
ラス基板の表面部をレーザ・ビーム走査により溶融し平
坦化することを特徴とする。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明を一実施例について、第３図（イ）乃至（ロ
）に示す工程断面図及び第４図に示すレーザ・ビーム加
熱装置の要部断面模式図を用い詳細に説明する。
）に示す工程断面図及び第４図に示すレーザ・ビーム加
熱装置の要部断面模式図を用い詳細に説明する。
本発明の方法を用いて損傷を受けたハード拳マスク例え
ばクロム・マスクのガラス基板を再生するに際しては、
先ず該クロム・マスクを硝酸第２セリウム・アンモン等
からなる通常のクロムのエツチング液で処理しクロム膜
を除去した後、水洗を充分に行って表面の清浄な被処理
ガラス基板を形成する。該被処理ガラス基板を示したの
が第３図（イ）で、該被処理ガラス基板１１の表面には
前述したように多くは２〜３〔μｍｊまれに１５（μｍ
３０度の深さを有する凹部状の損傷部１２が形成されて
いる。
ばクロム・マスクのガラス基板を再生するに際しては、
先ず該クロム・マスクを硝酸第２セリウム・アンモン等
からなる通常のクロムのエツチング液で処理しクロム膜
を除去した後、水洗を充分に行って表面の清浄な被処理
ガラス基板を形成する。該被処理ガラス基板を示したの
が第３図（イ）で、該被処理ガラス基板１１の表面には
前述したように多くは２〜３〔μｍｊまれに１５（μｍ
３０度の深さを有する凹部状の損傷部１２が形成されて
いる。
次いで該被処理ガラス基板１１を、例えば第４図に示す
ようなレーザ・ビーム加熱装置の、高速連続動作が可能
で且つ基板加熱装置１３を具備するｘ−ｙ＠ステージ１
４上に固定し、被処理ガラス基板１１を２００〜３００
（’Ｃ）程度の温度に加熱した状態で、該ステージ１４
をＸ及びＹ方向に所定の速度で移動することによりレー
ザ発生装置１５から放出される連続波（ＣＷ）レーザー
ビーム１６で被処理ガラス基板１１の全面を走査し、該
被処理ガラス基板１１の上面部を所望の一定深さに順次
溶融し、第３図（ロ）に示すように被処理ガラス基板１
１の上面全域に一様な所望の深さを有する再溶融層１７
を形成する。
ようなレーザ・ビーム加熱装置の、高速連続動作が可能
で且つ基板加熱装置１３を具備するｘ−ｙ＠ステージ１
４上に固定し、被処理ガラス基板１１を２００〜３００
（’Ｃ）程度の温度に加熱した状態で、該ステージ１４
をＸ及びＹ方向に所定の速度で移動することによりレー
ザ発生装置１５から放出される連続波（ＣＷ）レーザー
ビーム１６で被処理ガラス基板１１の全面を走査し、該
被処理ガラス基板１１の上面部を所望の一定深さに順次
溶融し、第３図（ロ）に示すように被処理ガラス基板１
１の上面全域に一様な所望の深さを有する再溶融層１７
を形成する。
なおガラス基板は１０〔μｍ〕近傍の波長の光を良く吸
収するので、上記再溶融処理に用いるレーザとしては９
．２〜１０．８（ｘｍ）・程度の発振波長を有する炭酸
ガス（Ｃｏｔ）レーザが最も適している０そして再溶融
条件は例えば石英からなるガラス基板に於て損傷部の深
さが２〜３〔８ｍ３８度の場合、ＣＷ ” ＣＯｔレー
ザ出力４５０〜１０００（Ｗ）、ビーノ、・スポット径
ｉｏ（ｍｍ：ｌ、走査スピード１０〜３０〔朋／汀〕程
度が適切である。４Ｊｉ傷部の深さが１５〔μｍ）程度
ある場合は、ＣＷ＠Ｃｏ！レーザの出力を更に高めるか
、走査スピードを遅くするかして、再溶融深さが損傷部
の深さを僅かに越えるように調節する。
収するので、上記再溶融処理に用いるレーザとしては９
．２〜１０．８（ｘｍ）・程度の発振波長を有する炭酸
ガス（Ｃｏｔ）レーザが最も適している０そして再溶融
条件は例えば石英からなるガラス基板に於て損傷部の深
さが２〜３〔８ｍ３８度の場合、ＣＷ ” ＣＯｔレー
ザ出力４５０〜１０００（Ｗ）、ビーノ、・スポット径
ｉｏ（ｍｍ：ｌ、走査スピード１０〜３０〔朋／汀〕程
度が適切である。４Ｊｉ傷部の深さが１５〔μｍ）程度
ある場合は、ＣＷ＠Ｃｏ！レーザの出力を更に高めるか
、走査スピードを遅くするかして、再溶融深さが損傷部
の深さを僅かに越えるように調節する。
メガラス基板がソーダ・ガラスからなる場合は、石英に
比べて融点が低いので、上記実施例よりもレーザ出力を
弱めるか、若しくけ走査スピードを上げて再溶融深さを
調節する。（融点二石英ガラス約り５００℃、ソーダｅ
ガラス約６００℃）上記再溶融処理により前記損傷部は
埋められ、再溶融Ｍ１７０表面は平坦化される。そして
レーザ出力、ビーム・スポット径、走査スピードを厳密
に一定に保つことにより再溶融層１７の深さは基板面全
面にわたって一様になるので、該再溶融層１７の表面に
は損傷部に維持していたガラス基板の平面度が峰のま゛
ま再現される。
比べて融点が低いので、上記実施例よりもレーザ出力を
弱めるか、若しくけ走査スピードを上げて再溶融深さを
調節する。（融点二石英ガラス約り５００℃、ソーダｅ
ガラス約６００℃）上記再溶融処理により前記損傷部は
埋められ、再溶融Ｍ１７０表面は平坦化される。そして
レーザ出力、ビーム・スポット径、走査スピードを厳密
に一定に保つことにより再溶融層１７の深さは基板面全
面にわたって一様になるので、該再溶融層１７の表面に
は損傷部に維持していたガラス基板の平面度が峰のま゛
ま再現される。
次いで該ガラス基板に通常の化学洗浄処理（重クロム４
を酸洗性成るいは硫酸ボイル）及び水洗を施しだ後、通
常の方法で該基板の平面度検査を行い、然る後、該再生
ガラス基板は遮光膜の成膜工程に送られる。
を酸洗性成るいは硫酸ボイル）及び水洗を施しだ後、通
常の方法で該基板の平面度検査を行い、然る後、該再生
ガラス基板は遮光膜の成膜工程に送られる。
（ｇ） 発明の効果
上記実施例に示したように、本発明によれば１０〔耐〕
程度のビーム拳スポット径を有するレーザを用い１０〜
３ Ｑ 〔ｙｓｍ ／５ｅｅ）程度の速度でガラス基板
面を一回走査することによシ、該基板面をガラス基板本
来の平面度を有する面に再溶融再生することができる。
程度のビーム拳スポット径を有するレーザを用い１０〜
３ Ｑ 〔ｙｓｍ ／５ｅｅ）程度の速度でガラス基板
面を一回走査することによシ、該基板面をガラス基板本
来の平面度を有する面に再溶融再生することができる。
従って５インチ角のガラス基板に対する再生時間は１〜
３〔分〕程度の短時間となり、ガラス基板の再生能率が
大幅に向上する。
３〔分〕程度の短時間となり、ガラス基板の再生能率が
大幅に向上する。
又再生作業及びその精度出しは従来に比べ極めて簡単に
なり、且つ研摩剤等の汚染物質を使用しないので再生処
理後の洗浄も容易になシ、ガラス基板の再生作業が極め
て容易に・なる。
なり、且つ研摩剤等の汚染物質を使用しないので再生処
理後の洗浄も容易になシ、ガラス基板の再生作業が極め
て容易に・なる。
第１図（イ）及び（ロ）は従来の研摩方法の工程断面図
、第２図は従来の方法に用いていたポリッシング・マシ
ンの要部断面模式図で、第３図（イ）及び（ロ）は本発
明の方法の一実施例に於ける工程断面図、第４図は本発
明の方法に用いるレーザ・ビーム加熱装置の要部断面模
式図である。 図に於て、１１はガラス基板、１２は損傷部、１３は基
板加熱装置、１４はＸ−Ｙ・ステージ、１５はレーザ発
生装置、１６はレーザ・ビーム、１７け再溶帛層を示す
。 不 １ ｍ ６イ）（０） 第 Ｚ 図 午づ・図 （イ ） ＋１”’１１ 羊 ４ ｍ
、第２図は従来の方法に用いていたポリッシング・マシ
ンの要部断面模式図で、第３図（イ）及び（ロ）は本発
明の方法の一実施例に於ける工程断面図、第４図は本発
明の方法に用いるレーザ・ビーム加熱装置の要部断面模
式図である。 図に於て、１１はガラス基板、１２は損傷部、１３は基
板加熱装置、１４はＸ−Ｙ・ステージ、１５はレーザ発
生装置、１６はレーザ・ビーム、１７け再溶帛層を示す
。 不 １ ｍ ６イ）（０） 第 Ｚ 図 午づ・図 （イ ） ＋１”’１１ 羊 ４ ｍ
Claims (1)
- ガラス基板の表面部をレーザ・ビーム走査によシ溶融し
平坦化することを特徴とするフォト中マスク基板の再生
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195514A JPS5988332A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | フオト・マスク基板の再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195514A JPS5988332A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | フオト・マスク基板の再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988332A true JPS5988332A (ja) | 1984-05-22 |
Family
ID=16342340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57195514A Pending JPS5988332A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | フオト・マスク基板の再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988332A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616440A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Sharp Corp | 透明板表面の欠陥修正方法 |
| US7712333B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-05-11 | Asahi Glass Company, Limited | Method for smoothing a surface of a glass substrate for a reflective mask blank used in EUV lithography |
| JP2012042499A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Hoya Corp | マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| JP2012053120A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Hoya Corp | マスクブランク用基板及びマスクブランクの製造方法 |
| CN103018650A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-04-03 | 无锡圆方半导体测试有限公司 | 一种晶圆检测系统 |
| JP2018045253A (ja) * | 2012-09-26 | 2018-03-22 | 大日本印刷株式会社 | ガラス再生処理方法および再生ガラス基板とそれを用いたフォトマスクブランクスとフォトマスク |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57195514A patent/JPS5988332A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616440A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Sharp Corp | 透明板表面の欠陥修正方法 |
| US7712333B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-05-11 | Asahi Glass Company, Limited | Method for smoothing a surface of a glass substrate for a reflective mask blank used in EUV lithography |
| JP2012042499A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Hoya Corp | マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| JP2012053120A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Hoya Corp | マスクブランク用基板及びマスクブランクの製造方法 |
| JP2018045253A (ja) * | 2012-09-26 | 2018-03-22 | 大日本印刷株式会社 | ガラス再生処理方法および再生ガラス基板とそれを用いたフォトマスクブランクスとフォトマスク |
| CN103018650A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-04-03 | 无锡圆方半导体测试有限公司 | 一种晶圆检测系统 |
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