JPS5987459A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、導電性支持体上に、キャリア発生相とキャリ
ア輸送層とを組合せて成る感光層を設けた電子写真感光
体に関するものである。

現在までに、可視光を吸収して荷電キャリア（以下単に
「キャリア」という。）を発生するキャリア発生物質（
以下−１００ＭＪという。）全含有して成るキャリア発
生層（以下ＩＣ、Ｇ　Ｌ　）という。）と、このＣＧＬ
において発生した正又は負のキャリアの何れか一方又は
両方を輸送するキャリア輸送物質（以下１−ＣＴＭＪと
いう。ンを含有して成るキャリア輸送層（以下（ＣＴＬ
Ｊという。）とを組会せることにより、霜、子写真感光
体の感光層を構成せしめることが提案されている。吐の
ように、キャリアの軸化と、その輸送という感光層にお
・いて必要な２つの基礎的機能を、別個の層に分担せし
めることにより、感光層の構成に用い得る物質の選択範
囲が広馳となる上、各機能を最適に果す物質又は物質系
を独立に選定することが可能となり、又そうすることに
より、電子写真プロセスにおいて要求される緒特性、例
えば帯電せしめたときの表面電位が高く、電荷保持能が
大きく、光感度が商く、又反復使用における安定性が大
きい等の優れた特性を有する電子写真感光体を構成せし
めることが可能となる。

従来このような感光層としては、例えば次のようなもの
が知られている。

（１１無定形セレン又は硫化カドミウムより成るＣＧＬ
と、ボＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾールよ構成るＣＴＬと
を積層せしめた構成。

（２）　　ｍ定形セレン又は硫化カドミウムより成るＣ
ＧＬと、２．４．７−ドリニトロー９−フルオレノンを
含有するＣＴＬとを積層せしめた構成。

（３）ヘリレン誘導体より成るＣＧＬと、オキサジアゾ
ール誘導体を含有するＣＴＬとを積層ぜしめた構成（米
国特許第３８７１８８２号明細書参月）。

（４）　　クロルダイヤンノ゛ルー又はメチルスカリリ
ウムより成るＣＧＬと、ピラゾリン訪導体を含有するＣ
ＴＬとを積層せしめた構成（特開昭５１−９０８２７号
公報参照）。

（５）無定形セレン又はその合金より成るＣＧＬと、ポ
リアリールアルカン系芳香族アミノ化合物を含有するＣ
ＴＬとを積層せしめた構成（特願昭５２−１４７２５１
４７２５１号 明細書ペリレン誘導体を含有するＣＧＬと、ポリアリー
ルアルカン系芳香族アミノ化合物を含有するＣＴＬとを
積層せしめた構成（特願昭５３−１９９０７号明細書）
。

このようにこの鐘の感光層としては多くのものが知られ
てはいるが、斯かる感光層を有する従来の電子写真感光
体□においては反復して電子写真プロセスに供したとき
の感光層の電気的疲労が檄しくて使用寿命が非常に短い
欠点を有する。

例えば、繰り返して電子写真プロセスに供したときに、
当該電子写真感光体の電位の履歴状態が安定に維持され
ず、安定した画像形成特性を得ることができない。

また、特定のビスアゾ化合物をＣＧＭとして用いること
が例えば特開昭５５−１１７１５１号公報、特開昭５４
−１４５１４２号公報等に開示杯れているが、とのＣＧ
Ｍと組会せ得るとされているＣＴＭとの組合せにおいて
も、なお１述の欠点が相当に太きい。このことからも理
解されるように、ある特定のキャリア発生物質にべして
有効なキャリア輸送物質が、他のキャリア発生物質に対
して常に有効な訳ではなく、又特定のキャリア輸送物質
に対して有効なキャリア発生物質が、他のキャリア輸送
物質に対して常に有効であるとも言うことはできない。

両物質の組合せが不適当な場合には電子写真感Ｋが低く
なるばかりでなく、特に低電界時の放電効率が悪いため
、所請残留電位が大きくなり、最悪の場合には反復して
使用する度に電位が蓄積し、実用上電子写真の用途に供
し得なくなる。

このようにキャリア発生相の構成物質とキャリア輸送相
の構成物質との好適な組合せについては法則的な選択手
段はなく、多くの物質群の中から有利な組合せを実践的
に決定する必侠がある。

本発明は、キャリア発生相とキャリア輸送相とを組合せ
て成る感光層を具え、大きな感度を有し、しかも繰υ返
して電子写真プロセスに供したときにも電位の履歴状態
が安定に維持され、常に良好な可視画像を形成すること
のできる電子写真感光体を提供することを目的とする。

以上の目的は、キャリア発生相とキャリア輸送相とを組
合せて成る感光層を導電性支持体上に設けて成る電子写
真感光体に１＝・いて、前記キャリア発生相が下記一般
式（Ｉｌで示されるビスアゾ化合物を宮有し、前記キャ
リア輸送相が下記一般式（Ｉｔ）で示されるスチリル化
合物または一般式（Ｉｌｌ）で示されるアミン誘導体ま
たは一般式〔Ｉ〕で示されるスチリル化合物及び一般式
［１１１１で示されるアミン誘導体を含有することを％
徴とする電子写真感光体によって達成される。

一般式ＣＩ〕 Ａ　−Ｎ　＝Ｎ−Ａｒ　１−−　Ｃ＝　ＣＨ−４ｒ、−
ＣＨ＝　Ｃ−−Ａｒ、−−−Ｎ　＝Ｎ　−Ａ〔式中 ＡｒＩ、　ＡｒｃおよびＡｒ３　：それぞれ置換・未置
換の炭素環式芳香族環基またＩｆｉ置換・未置換の複素
環式芳香族環基、 Ｒ８およびＲ２；それぞれ宵、子吸引性基、Ｙ：水素原
子、・・ログン原子、置換・未置換のアルキル基、アル
コヤシ基、カルホキクル基、スルホ基、置換・未置捗の
カル−くモイル基または置換・未置換のツノルバモイル
基または置換・未置換のスルファモイル基、 ２：置換・未置換の戻素環式芳香族環または置換・未置
換の複素環式芳香族環を構成するに必要な原子群、 Ｒキ：水素原子、Ｒ換・未置換のアミ７基、置換・未置
換のカルバモイル基またはそのエステル基、Ａ−：置換
・未ｗ侠のアリール基、 ｎ：１またｒま２の整数、 ｍ：Ｑ、１または２の鷲数を表わす。Ｊ〔式中 Ｒ，ｌ　Ｒ１１’置換・未置換のアルキル基、フェニル
基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基
、フェニル基を用いる。

ａｏ：ｔ、換・未置換のフェニル基、ナフチル基、アン
トリル基、フルオレニル基まだは複素環基を表わし、置
換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子
、水酸基、フェニル基を用いる。

Ｒａｎ　：水素原子、／・ログン原子、アルキル基、ア
ルコキシ基まだはアルキルアミノ基を表わす。〕一般式
（Ｉｌｌ） 〔式中 Ａｒ４　＋　Ａｒ５　’　ｆｉｘ　ｍ・未置換のフェニ
ル基を表わし、置換基としてはハロゲン原子、アルキル
基、ニトロ基、アルコキシ基を用いる。

Ａｒｅ：ｆｆｋ・未置換のフェニル基、ナフチル基、ア
ントリル基、フルオレニル基、複素環基を表わし、置換
基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
水酸基、アリールオキＳ／基、アリール基、アミノ基、
ニトロ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ナフチル基、
アンスリル基及ヒｆｉｔｍアミノ基の置換基としてアシ
ル基、アルキル基、アリール基、アラルキル基を用いる
。〕前記−一般式Ｉ）で示されるビスアゾ化付物のうち
好筐しいものは次の一般式（ｌａ）で示される吃のであ
る。

一般式し１ａｌｌ ＣＮ　　　　　　　　ＣＮ １ Ａ　　Ｎ−Ｎ　　Ａｒｌ　　ｃ＝＝ｃＨＡｒｔＣＨ−Ｃ
ＡｒＢ　−Ｎ−Ｎ　　Ａ〔式中Ａｒｔ　ｌ　Ａｒｔ　ｒ
　Ａｒ、１１及びＡニ一般式（Ｉ）で定義されたものと
同じである。〕 更に好ましいものは前記一般式ＣＩ’ｌで示されるビス
アゾ化合物のうち、次の一般式〔ｌｂ〕で示されるもの
でめる。

一般式（Ｉｂ’１ ＣＮ　　　　　　　　ＣＮ １ Ａ　−Ｎ　＝Ｎ−−Ａｒ７−Ｃ＝　ＣＨ−ＡｒＢ−ＣＭ
　＝　Ｃ−Ａｒｇ−Ｎ　＝　Ｎ　−Ａ〔式中Ａニ一般式
［Ｉ）で定義されたものと同じ、Ａｒｃ、　Ａｒ４およ
びＡｒＢ　：置換・未置換のフェニル基を表わし、置換
基としては、メチル基、エチル基などのアルキル基、メ
トキシ基、エトキン基などのアルコキシ基、塩素原子、
臭素原子などのハロゲン原子、水酸基およびシア／基か
ら遠択爆れたものが好ましい。〕 即ち本発明に２いては前記一般式［１’］で示されるビ
スアゾ化合物をＣＧＭとして用いるど共に、前記一般式
（■〕で示されるヒドラゾン化合物または前記一般式〔
口１〕で示されるヒドラゾン化合物をＣＴＭとして用い
てこれらを組汗せることにより、キャリアの発生と輸送
とをそれぞれ別個の物質で行なういわゆる機能分離型感
光体の感光層を構成する。（ｒｌ、てこのことによ、す
、感度が太きく、シかも繰り返し′電子写真プロセスに
供したときにも電位の履歴状態が安定に維持され従って
常に良効な可視画庫を形成し得る電子写真感光体を提供
することができる。

また本発明電子写真感光体においτは、特に波長６００
〜７００　ｎｍの長波長城にも大きな分光感度が得られ
、従って例えば波長６３２８λのヘリウム−ネオンレー
ザを潜像形成用光源として用いることかで′さ、更に低
電界時におけるいわゆる電５位の裾切れが良好で現像時
に非画像部の電位が零またはこれに近い状態となるので
、大きな実効バイアスケ得ることのできないトナーのみ
より成る一成分現保剤によっても良好な現像を行なうこ
とができる。

前記一般式ＣＩ］で示されるビスアゾ化合物の具体例と
しては、例えば次の構造式を有するものを挙けることが
できるが、これらに限定されるものでｔまない。

＼ノ　　　　　　　　　　　　　ト噛　　　　　　　　
　　　　　−一ノ　　　　　　　　　　　　　　−ノ％
Ｊ己巳 − ト４ Ｑ巳− 一ノ 前記一般式（ＩＩ）で示されるスチリル化合物の具体例
としては、例えば次の構造式を有するものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。

例示化合物 （ｎ−１） （ＩＩ−２） （ＩＩ−３） （［−４） （［−５） （ＩＩ−６） （１−７） （ＩＩ−８） （ＴＩ−９） （ＩＩ　−１６） （ＩＩ−１７） （ｎ−１８） （ＩＩ−１９） （Ｌ［−２０） （Ｉｆ−２１） （，１１−２２） （ｌｌ−２３） （ｎ−２４） （ＩＩ−２６） （ＩＩ−２７） Ｃ！、　Ｈ＠ （［−３３） （ｎ−３４） 前記一般式Ｃ，ＩＩＩ〕−ｒ：示でれるアミン誘導体の
具体例としては、例えば次の構造式を有するものを挙げ
ることができるが、これらに限定されるものではない。

例示化合物 （ＩＩＩ−３１ （ＩＩＩ−４） （ＩＩＩ−５１ （Ｉ［−６） （ＩＩ［−８） （ＩＩＩ−９） （ＩＩ−１０） （ＩＩＩ−１１） （Ｉｌｌ−１３） （ＩＩＩ　−１４） （ＩＴＩ　−１５） （ＩＩＩ−１６） （ｍ−１８） （ＩＩＩ−１９） （ｉｎ−２０） （ＩＩＩ−２１） （ＩＩＩ−２２３ （ｌｌｌ−田） （ＩＩＪ−２４） （Ｊｕｌ−２５） （ｍ−２６） （Ｉｎ−２７） （ＩＩＩ−２８） （Ｉｎ−２９） 四ｍ−３１） （Ｉｎ−３３） て説明する。

本発明の−［ＦＩにおいては、第１図に示すように、導
電性支持体１ｈに既述のビスアゾ化合物を主成分として
含有して成る０ＧＬ２を形成し、との０ＧＬ２上に既述
のスチリル化合物、アミン誘導体またはスチリル化合物
及びアミン誘導体を主成分として含有して成る０ＴＬ３
を積層して形成し、これらのＯＧＬ’２とＯＴＩ、３と
により感光層４を構成する。

ことに前記導電性支持体１の材質としては、例えばアル
ミニウム、ニッケＩし、銅、亜鉛、パラジウム、銀、イ
ンジウム、錫、白金、金、ステンレスＭ、Ｊｌ等の金（
カのシートを用いることができる。しかしこれらに限定
されるものではなく、例えば第２図に示すように、絶縁
性基体１人、ｌ：に導電層ＩＢを設けて導電性支持体■
を構成せしめることもでき、このＱ％において基体ＩＡ
としては紙、プラスチックシート等の可撓性を有し、し
かも曲げ、引張り等の応〕Ｊに対して十分なｌＪ！ｔｔ
度を有するものが適当である。又導電層ＩＢは金属ソー
トをラミネートし或いは余鴎を真空蒸音ぜしめることに
より、又はその池の方法によって設けることができる。

前記０ＧＬ２は、既述のビスアゾ化師□吻により、父は
これに適当なバインダー樹脂を加えたものにより、或い
は史に特定又は非特定の閘注のキャリアに対する移動度
の大きい物質即ちＯＴＭを添加したものにより形成する
ことができる。

具体的な方法としてｔよ、前記支持体とに、既述のビス
アゾ化合物を適当な重刑に単独で或いは適当なバインダ
ー樹脂と共にＩｉ　ｌＱ”４若しくは分散せしめたもの
を塗布して乾燥せしめる方法が好便に利用される。ここ
に、酊媒或いは分散媒としては、ｎ−ブチツレアミン、
ジエチルアミン、エチレンジアミン、イソプロパノ−！
ジアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、トリエチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、アセトン、メチｒレエチルケトン、シクロヘキ？
／ン、ベンゼン、トノレニン、キシレン、クロロポｌレ
ム、１．２−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラ
ピドロフラシ、ジオキサン、メタノール、エタノ−Ｉし
、イソプロパツール、酢酸エチル、酢酸ブチｒし、ジメ
ヂｌレスルホキシド等が挙げられ、またバインダー（１
１４脂としては、ｆ”＋１えはポリエチレン、ポリプロ
ピレン、アクリｔし樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル
樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹
脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アｊレギッド
樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコンゼｔＪ脂、メラ
ミン樹脂等のイ」加重金型１ｇＪ脂、重イ・］加型）・
＋１脂、重縮合型樹脂、Ｖｌｆ２ひにこれらの１ｆｌ↑
脂の繰り返し？を位のうちの２つ以Ｆを含む共重合体樹
脂、例えばＩＡ化化工ニル酢酸ビニｌし共屯＠一体１０
４脂、塩化ビニｌシー酢ばビニル−無水マレイン１゛ア
共暇分体圏脂等の絶縁性樹脂の龍、ボＩＪ　−Ｎ−ビニ
ル力！レバシー？し等の高分子有機半Ｊｉ体を挙げるこ
とができる。そして、このバインダーｊｌ　、１１旨の
ビスアゾ化ａ物に対する割げは、０〜１００重袖チ、特
に０〜１０屯−チの範囲である。

前記ＣＧ　Ｌ２には、必要に応じて適宜のＯＴ　Ｍを添
加してもよい。

以上のようにして形成される前記ＣＧＬ２の厚さをよ、
好走しくは０．００５〜′２Ｌ〕ミクロン、時に好”ま
しくは屹０５〜５ミクロンである。９．００５ミクロン
未ｌ＾では充分な光感度が肖られず、また２０ミクロン
を越えると光分な電荷作詩性が得られない。

また前記０ＴＬ３は、既述のスチリｌし化合物により、
上述のＣ（Ｊ　ＩＪ２と同様にして、即ち単独で或いは
バインダー樹脂と共に形成することができる。そして、
１１ｈのＣＴＭを含有せしめてもよい。

とのＣＴＬ３の厚さは２〜１０（）ミクロン、好ましく
は５〜：３！）ミクロンである。

本発明電子写真感光体は、［２の機械的構成とすること
ができる。向えば第３図に示すように、導電性支持体１
Ｊ：に適当表中間層５を設け、これをづｉ−してＣＧ　
Ｌ　２を形成し、このＣＧ　Ｌ２　ｈに０ＴＬ３を形成
するようにしてもよい。この中間層５には、感光層４の
帯電時において＝ｉｆ屯性女性支持体１感光層４にフリ
ーキャリアが注入されることを阻止する機能、或いは感
光層４を導電性支持体に７１１．て一体的に接着せしめ
る接漸層としての機能を付すしぬることができる。斯か
る中間層５の才４″内としては、酸化アＩレミニウム、
酸化インジウム等の金）・１慝１鷲化物、アクリル樹脂
、メタクリｔし樹脂ｉ’ｆ　％　ｌ”、ｌ　（ｔｓ　ｅ
　二ｌしくｖ１月旨、Ｉ′ｉ１；酸ビニｌしＩＩＩ　１
ｌｌＷ、エポキシ（酊脂、ポリウレタン＋？１脂、フェ
ノ−Ｉし樹脂、ポリエステｔｌ／ｊｈ１脂、アルキッド
］ひｊ脂、ポリカーボネートｌ１ｔＪ　詣、シリコンＩ
ｉＪ脂、メラミン樹脂、塩化ビニル−＋’ｉｔｔ酸ビニ
ル共爪合体蛸脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイ
ン酸共嘱合体樹脂等の高分子り勿質を用いることができ
る。

又弔４図に示すように、−４成性支持体１Ｌに、［）１
１記中−１７Ｐｊ５を弁して又ンよブｒさｆＶＣｌＯＴ
　Ｌ　３　ｉ形成し、このＣＴ　Ｌ　３１：に（＋　Ｕ
　Ｌ　２を形成して感光層４をｔ７９成ぜしめてもよい
。

更に成２・本のビスアゾ化自物を、既述のヒドラゾン誘
碍体がよ有されたギヤリア・涌送相中に分欣含・Ｈせし
めでキャリア発生層を形成し、単一層状の感光層を形成
することも可能である。

なお、本発明における感光層ケ構成する層には、必要に
応じて種々の添加剤を加えることができる。

以Ｆ本発明の実施ヒｌについて説明するが、これらによ
って本発明が限定されるものではない。

寿ＭＪＪ［２リ　１ アｌレミニウムを蒸着した厚さ１００ミクロンのポリエ
チレンテレフタレートより成る導ｉ１　ＩＩ支持体上に
、塩化ビニＩレー酢酸ビニルー無水マレイン酸共重合体
「エスレックＭＰ−１０Ｊ（漬水化学工業社製）より成
る１ワさ約０．０５ミクロンの中１ｉ４１層を設け、例
示化舒物（Ｌ−９）で示したビスアゾ化ば′１辺１　、
５．’７を１．２−ジクロルエタ７１０（１ｍｌと共に
８時１１１１ボーｆレミＩしにより分計し、ここに得ら
れた分散液を前記中間１８Ｆにドクターブレードを用い
て塗布し、十分乾燥（７てｊｏｌさ約０．５ミクロンの
ＣＧＬを形成した。

一方、舒す単化合物ＣＩ＋−３２）で示したスチリル化
合物１１．．２５ｇとポリカーボネート（ｆｆ、ｊ脂［
パンライトＬ１２５０Ｊ（帝人化成社製）１５＆とを１
．２−ジクロル−タン１００ｍＪにＷｉｌｌし、得られ
た酢液を前記０ＧＬ）にドクターブレードを用いて塗布
し、十分乾燥して厚さ１２ミクロンのＣＴＬを形成１〜
、以って本発明↑ｈ、子写真感光体を製造した。これを
１試料１」とする。

実Ｍｒ１列２〜４ ０ＧＬ−の形成において、ビスアゾ仕合物として例示化
合物（■−１１１）、（１−４３）及び（Ｉ−５・）で
示したものの各々をｆ［１いた雌かは実施列１と全く同
様にして３種の本発明市、子写真感光体を製造した。こ
れらをそれぞれ「試料２−１、ｒ試料３」及び「試料４
」とする。

実施例 ＣＴＬの形成において、ＣＴＭとして１ｒ１１示化合物
（Ｉｌ、　−２］　）で示したスチリル化汗物４・Ｉｌ
’ｌいたほかは実施１＋！Ｉ　］と全く同様にして本発
明由、千草真感光体を製造した。これを１試料５」とす
る。

実施例 ０ＴＬの形成において、ＣＴＭとして［１］示化合物（
１，＋１−８）及び（１，１ｌ−９）で示したアミン誘
導体を用いたほかｔま実施レリ１と全く同様にしてホウ
へ明電子写真感光体を製造した。これらケそれぞれ「試
料６」及び［試別７」とする。

実施例 ＣＴＬの形成において、例示化合物、１Ｉｌ−１ｓ）で
示しまたスグリＪし化合物７．５〃と、例示化合物（Ｉ
ＩＩ−８）で示したーアミン誘導体７．５ｇとを用いた
ほかは実施例１と同様にして本祐明ｔ（１，千草真Ｒｅ
＜光体を製造ｊ−た。こＪｌを「試別８」と−４る。

実施例 ＣＴＬの形成において、例示化合物（、［［−２２）で
示したスヂリＩし化合物６ｇと、例示化汀’４Ｉ）Ｊ（
ｌｌｌ−９］で示したアミン誘導体９ｇとを用いたほか
は実施例１と同様にして本発明゛市、子写真感光体を製
造した。これを［−試料９」とする。

実施例 実＃ｉ　ｌ＋！ｌ　１におけると同様にして４■、性支
持体上に中間層を設け、例示化縫物（Ｉ−９）で示した
ビスアゾ化合物１．５ｇとポリカーボネー）ｔｌ脂「パ
ンライトＬ−１２５０Ｊ　　１．５．Ｖとを１，２−ジ
クロルエタン１００ｍ１に加えて１２時間ボールミ！し
により分１；（１〜、ここに得られた分散液を＾１（記
中間層上にドクターブレードを用いて塗布し、十分乾燥
して厚さ約１ミクロンのＯＧＬを形成した。

このＯＧ　Ｌ　、１１に、実施例１におけるＯＴＬの形
成と同様にしてＯＴＬを形成し、以って本発明翫−ｒづ
／、？直感光体を製造した。これを「試料１０」とする
。

比較１グＩＪ　］ 実施例１のＯＴ　Ｔ、の形成において、スチリル化合物
の代りに次の構造式を有するピラゾリン誘導体を用いた
ほかは、実施列１と同様にして比較用電子写Ｊｊｊ感光
体を・製造した。これを「１■７較試料１」とする。

珪較例２ 実施Ｆ！ｉｌＩ　１のＣＴＬの形成において、スチリル
化合物の代りに次の構造弐牙有するオキザジアゾール誘
導体を用いたほかは、実施例１と同陣にして比較用電子
写真感光体を製造した。これを「比較試料２」とする。

以北のようにしてｔ４ｈられた重子写真感光体、試料１
〜試料６並びに比較試別１〜叱較Ｋ・（刺３の各々につ
いで、［エレクトロメーターＳＰ　−４２８型Ｊ（川口
電機製作所要）ケ用いて、そのｒ［２，千草Ａ　！ｉ’
：ｒ性を調べた。即ち感光体）゛（面を帯電′市圧−６
ＫＶで５イ・１２間帯ｌ民さぜた時の受容電位ＶＡ（Ｖ
）と、５秒間暗１威Ｈさせた後の山７位Ｖ□（初ｇ　電
位）を１／２に減封きぜる／乙めに必要な棒先ｉ４ｉ、
’　Ｅ　　’／　２　（ｌｕｘ・秒）、更ニ暗減衰率（
ｖｔ、　　Ｖｚ　）　／　ＶＡＸ　１００　（％　）　
　とを：Ｌ′４べた。結果は柩１衣に示す辿りである。

この第１六の結果より、本発明市、子（４Ｊ＋〜感光体
は大きな感鹿を有するものでル］石ことが明かである。

また試料ｌ−試第１１０並びに比較試料Ｉ〜比較試料３
の各々を乾式重子複写ｐ　ｌ　Ｕ　−Ｂｉｘ　２０００
ＲＪ（小西六写真工業社製）Ｗ睦漸して連続複写を行な
い、４に尤絞り値１．０における黒紙１１位ｖｂ（’ｖ
）及び白紙ＩＥ位Ｖｍ（Ｖ）を「エレクトロスタチック
ボルトメーター１４４Ｄ　−１１）型」　（モンローエ
レクトロニクスインコーボレーテッド調）を１（］い、
現１象する（σ前において測定した。結果＆−１〜１．
２表に示す通りである。

尚ここでいう黒紙電位とは反射＋ＵＩｆＬ３の黒紙を原
稿と（７、Ｌ述の複写サイクルを売施したときの感光体
の表面７１テ位ｆ：表わし、白俄市５位とｔ、ｉ　ｌ−
Ｉ　ＭＸ；を・原稿としｆ（ときのＦｌべ光体の衣面也
位を表わす。

鳴２表 （１旦し、表中Δｖｂ　（’ｖ）及びΔＶｗ　（Ｖ）は
それぞれ黒峨屯位ｖｂ（ｖ）及び白紙電位Ｖｗ　（Ｖ）
の震動袖を示し、弯＋ｕｌ）　、ｌｄの＋は増加を−は
減少をぺわす。）この第２表の結果から明かなように、
本う青明電千草真感尤体は、繰り返し電子写真プロセス
に供したときにもｆ電位の１１シ歴状態が安定に維持さ
れ、良好な画質の司祝画１６Ｒを多数安定に構成するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明゛電子写真感光体の１１に成の一ビ１１
を示す説明用断面図、第２図は本発明Ｈ］；子写真感光
体の曲の構成１列を示す説明用断面図、ｅｉ’ｓ３図及
び第４図はそれぞれ本発明ん４千草真ｔネ光体の更に池
の構成１＋ｌＪを示す説明用断面図である。 ■・・・４電性支持体 ２・・・キャリア発生層（ＯＧＬ） ３・・・キャリア輸送層（ＣＴＬ） ４・・・感光層　　　　５・・・中間層ＩＡ・・・絶縁
性基体　ＩＢ−・導電１侍代理人　桑　原　義　美 堵１図 第２図 菊５図 ′ｇｓ＋図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ）キャリア発生相とキャリア輸送相とを組合せて成る
   感光層を導電性支持体上に設けて成る電子写真感光体に
   おいて、前記キャリア発生相が下記一般式ＣＩ）で示さ
   れるビスアゾ化合物を含有し２、前記キャリア輸送相が
   下記一般式（ｎ）で示されるスチリル化合物、一般弐皿
   〕で示されるアミン訪導体または一般式（ＩＩＩ）で示
   されるスチリル化合物及び一般式（Ｉｌｌ）で示される
   アミン篩導体を含有することを特徴とする′−電子写真
   感光体 １式中 ＡｒＩ＋　Ａｒ２およびＡｒｇ　：それぞれ置換・未置
   換の炭素環式芳香族環基または置換・未置換の複素環式
   芳香族環基。 Ｉｔ、＆よびＲ２：それぞれ、継子吸引性基Ａ’ ／ＲＡ Ｘ：ヒドロキシ基、−ＮＸＲ１１ｉたは−ＮＨ８Ｏ！−
   へＹ：水素原子、ハロゲン原子、置換・未置換のアルキ
   ル基、アルコキシ基、カルボキシル基、スルホ基、置換
   Ｏ未置換のカルバモイル基Ｊ毒４置換・未置換のカルバ
   モイル基または置換・未置換のスルファモイル基、 ２：置換・未置換の炭素環式芳香族環または置換・未置
   換の複素環式芳香族環を構成するに必要な原子群、 Ｒ３：水素原子、置換・未置換のアミン基、置換・未置
   換のカルバモイル基またはそのエステル基、 Ａ′：置換・未置換のアリール基、 ｎ：１まだは２の整数、 ｍ：ｏ、１または２の整数を表わす。）〔式中 Ｒｙ　、Ｒｓ　：　置換・未ｆ４．換のアルキル基、フ
   ェニル基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコ
   キシ基、フェニル基を用いる。 Ｒｏ：置換・未置換のフェニル基、ナフチル基、アント
   リル基、フルオレニル基または複素環基を表わし、置換
   基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
   水酸基、フェニル基を用いる。 Ｒ＋ｏ　：水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、″γ
   アルコキシ基たはアルキルアミ７基ヲ表わす。〕 一般式（ＩＩＩ） 〔式中 Ａｒ４　、　Ａｒ５　：置換・未置換のフェニル基を表
   わ（７、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、ニ
   トロ基、アルコキシ基を用いる。 Ａｒｓ　：　ｆｉｔ換・未置換のフェニル基、ナフチル
   基、アントリル基、フルオレニル基、複素環基を表わし
   、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、〕・ログ
   ン原子、水酸基、アリールオキ７基、アリール基、アミ
   ７基、ニトロ基、ピペリジ７基、モルホリノ基、ナフチ
   ル基、アンスリル基及び置換アミノ基の置換基としてア
   シル基、アルキル基、アリール基、アラルキル基を用い
   る。〕