JPS5984863A - ４―メチリデン―４，５，６，７―テトラヒドロインドール誘導体 - Google Patents
４―メチリデン―４，５，６，７―テトラヒドロインドール誘導体Info
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- JPS5984863A JPS5984863A JP57193432A JP19343282A JPS5984863A JP S5984863 A JPS5984863 A JP S5984863A JP 57193432 A JP57193432 A JP 57193432A JP 19343282 A JP19343282 A JP 19343282A JP S5984863 A JPS5984863 A JP S5984863A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
（式中、几はシアノ基、カルボキシル基又はアルコキシ
カルボニル基であり、Ｒ２は水素、アルキル基、アラル
キル基又はアミ７基の保護基である。）で表わされる４
−メチリデン−４，５，６，７−チトラヒドロインドー
ル誘導体及びその製造方法に関するものである。なお、
本発明において用いるアミノ基の保護基とはトシル基゛
、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基
、アシル基等の所謂脱離容易な基を言うものである。
カルボニル基であり、Ｒ２は水素、アルキル基、アラル
キル基又はアミ７基の保護基である。）で表わされる４
−メチリデン−４，５，６，７−チトラヒドロインドー
ル誘導体及びその製造方法に関するものである。なお、
本発明において用いるアミノ基の保護基とはトシル基゛
、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基
、アシル基等の所謂脱離容易な基を言うものである。
前記一般式（１）で表わされる４−メチリデン−４゜５
．６．７−チトラヒドロインドール誘導体は変角アルカ
四イド等各穐生理活性を有する４−置換インドール合成
の鍵中間体である４−シアノメチルインドール、４−イ
ンドール酢酸およびそのエステよび下記文献参照〕。す
なわち、前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を脱水素
処理することによシ、容易に４−シアノメチルインドツ
ル、４−インドール酢酸エステル等に導くことができる
（下記参考側参照）。
．６．７−チトラヒドロインドール誘導体は変角アルカ
四イド等各穐生理活性を有する４−置換インドール合成
の鍵中間体である４−シアノメチルインドール、４−イ
ンドール酢酸およびそのエステよび下記文献参照〕。す
なわち、前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を脱水素
処理することによシ、容易に４−シアノメチルインドツ
ル、４−インドール酢酸エステル等に導くことができる
（下記参考側参照）。
従来、４−シアノメチルインドール、４−インドール酢
酸及びその誘導体の製造法としては（１）１−アセトア
ミ７−５，８−ジヒドロナフタリンを低温でオゾン分解
したのち、数工程を経て合成する方法（Ｈ，Ｐｌ ｉｅ
ｎｉｎｇｅｒ ａｎｄ Ｋ、 ５ｕｈｒ、Ｂｅｒ、 、
ｆ１３−。
酸及びその誘導体の製造法としては（１）１−アセトア
ミ７−５，８−ジヒドロナフタリンを低温でオゾン分解
したのち、数工程を経て合成する方法（Ｈ，Ｐｌ ｉｅ
ｎｉｎｇｅｒ ａｎｄ Ｋ、 ５ｕｈｒ、Ｂｅｒ、 、
ｆ１３−。
２７０（１９５６）） および２−メチ／Ｉ／−３−
二トロ安息香酸よ９１０以上の工程を経て合成する方法
（Ｇ、Ｓ 、Ｐｏｎｔｉｃｅｌｌｏ ａｎｄ Ｊ、Ｊ、
Ｂａ１ｄｖｒｉｎ、Ｊ。
二トロ安息香酸よ９１０以上の工程を経て合成する方法
（Ｇ、Ｓ 、Ｐｏｎｔｉｃｅｌｌｏ ａｎｄ Ｊ、Ｊ、
Ｂａ１ｄｖｒｉｎ、Ｊ。
Ｏｒｇ、Ｃｈｅｍ、、４４，４００３（１９７９））等
が知られているが、いずれも工程数が多く、操作が煩雑
であるため、工業的には採用し難い。
が知られているが、いずれも工程数が多く、操作が煩雑
であるため、工業的には採用し難い。
本発明者等はこれら４−シアノメチルインドール、４−
インドール酢酸およびそのエステルの工業的製法につい
て鋭意検討した結果、その前駆体として有用な前記一般
式（Ｉ）で表わされる化合物並びにその製造方法を完成
するに至ったものである。
インドール酢酸およびそのエステルの工業的製法につい
て鋭意検討した結果、その前駆体として有用な前記一般
式（Ｉ）で表わされる化合物並びにその製造方法を完成
するに至ったものである。
本発明において使用する一般式
（式中、几は前記に同じである。）で表わされる４−オ
キソ−４，５，６，フーチトラヒドロインドール誘導体
は１，６−シクロヘキサンジオンよシ容易にである一般
式 （式中、Ｒは前記に同じである。）で表わされるホスホ
ン酸エステルのアニオンは市販品として容易に入手でき
るホスホン酸エステルを、又はトリアルキルホスファイ
トとクロロ酢酸エステルやクロロアセトニトリル等のハ
ロゲン化物とのアルプゾフ反応によシ容易に合成される
ホスホン酸エステルを、水素化ナトリウム等の塩基で処
理するととＫよシ容易に調製でき、このことは当業者に
熟知されていることでもある。
キソ−４，５，６，フーチトラヒドロインドール誘導体
は１，６−シクロヘキサンジオンよシ容易にである一般
式 （式中、Ｒは前記に同じである。）で表わされるホスホ
ン酸エステルのアニオンは市販品として容易に入手でき
るホスホン酸エステルを、又はトリアルキルホスファイ
トとクロロ酢酸エステルやクロロアセトニトリル等のハ
ロゲン化物とのアルプゾフ反応によシ容易に合成される
ホスホン酸エステルを、水素化ナトリウム等の塩基で処
理するととＫよシ容易に調製でき、このことは当業者に
熟知されていることでもある。
本発明の方法は一般式（ＩＩ）で表わされる４′−オキ
ンテトラヒドロインドールと一般式＠）で表わされるホ
スホン酸エステルのアニオンを縮合させることＫよシ達
成される。
ンテトラヒドロインドールと一般式＠）で表わされるホ
スホン酸エステルのアニオンを縮合させることＫよシ達
成される。
本反応は０〜１５０°Ｃで進行するが、反応の速度およ
び副反応の防止等、反応効率の点から室温〜１００°０
で反応を行うのが好ましい。反応溶媒は使用しなくても
進行し得るが、溶媒を用いる場合には反応に直接関与し
ないもの、すなわちジエチルエーテル、テトラヒト＋２
７ラン、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系
溶媒、ヘキサンヘンセン、トルエン等の炭化水素を用い
ることができる。又、副反応を抑えるため、反応は窒素
、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好まし
い。
び副反応の防止等、反応効率の点から室温〜１００°０
で反応を行うのが好ましい。反応溶媒は使用しなくても
進行し得るが、溶媒を用いる場合には反応に直接関与し
ないもの、すなわちジエチルエーテル、テトラヒト＋２
７ラン、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系
溶媒、ヘキサンヘンセン、トルエン等の炭化水素を用い
ることができる。又、副反応を抑えるため、反応は窒素
、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好まし
い。
以下、実施例及び参考例にょ）本発明を更に詳細に説明
する。
する。
参考例１
酢酸エチル約１０Ｒ１にクロロアセトアルデヒド・４０
％水溶液２Ｍおよび水約６プを加え、さらにこの溶液に
水冷下、炭酸水素ナトリウム１．０．９（１２１モル）
を加えて攪拌した。これに１．１２ｇの１．３−、＄シ
クロヘキサンジオンを５プの水に溶かした溶液を、約０
．０５プ／分の速度で滴下し１、 滴下終了後室温で
一夜攪拌した。しかるのち、硫酸で酸性にし、１時間攪
拌、酢酸エチル層を分離した。炭阪カリ→ム水溶液で洗
浄して、未反応の１．６−シクロヘキサンジオン金除い
たのち、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、
残留物をシリカゲルカラムにかけ、ジグクロロメタンで
流し出すことにょシ、ｉ、ｏ９．ｐ（収率８ｏ％）の４
−オキノー４．５．６．７−テトンヒド胃ベンゾフラン
をえた。
％水溶液２Ｍおよび水約６プを加え、さらにこの溶液に
水冷下、炭酸水素ナトリウム１．０．９（１２１モル）
を加えて攪拌した。これに１．１２ｇの１．３−、＄シ
クロヘキサンジオンを５プの水に溶かした溶液を、約０
．０５プ／分の速度で滴下し１、 滴下終了後室温で
一夜攪拌した。しかるのち、硫酸で酸性にし、１時間攪
拌、酢酸エチル層を分離した。炭阪カリ→ム水溶液で洗
浄して、未反応の１．６−シクロヘキサンジオン金除い
たのち、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、
残留物をシリカゲルカラムにかけ、ジグクロロメタンで
流し出すことにょシ、ｉ、ｏ９．ｐ（収率８ｏ％）の４
−オキノー４．５．６．７−テトンヒド胃ベンゾフラン
をえた。
参考例２
４−オキソ−４，５，６，７−テト２ヒドロベンゾフラ
ン１．０ｇをエタノール５ｍｌとアンモニア水（２２％
）７ｍ／の溶液に加え、封管中、１５０℃で約１２時間
反応させた。反応終了後反応混合物を濃縮し、残留物を
シリカゲルカラムにかけ、アセトン−酢酸エチルで流し
出すことによシ、４−オキソニ４゜５．６．７一テト２
ヒドロインドール９５０ｍ９Ｃ収率９６％）をえた。
ン１．０ｇをエタノール５ｍｌとアンモニア水（２２％
）７ｍ／の溶液に加え、封管中、１５０℃で約１２時間
反応させた。反応終了後反応混合物を濃縮し、残留物を
シリカゲルカラムにかけ、アセトン−酢酸エチルで流し
出すことによシ、４−オキソニ４゜５．６．７一テト２
ヒドロインドール９５０ｍ９Ｃ収率９６％）をえた。
実施例１
Ｈ
５％水素化ナトリウム０．５２８ｇ（１１ミリモル）を
テトラヒドロフラン中に懸濁し、アルゴン気流中室温で
撹拌させ、これにシアノメチルホスホン酸ジエチル２．
＜Ｓ、１１４．７ミリモル）を少量づつ加工、シアノメ
チルホスホン酸ジエチルのナトリウム塩を調製した。こ
れに、４−オキソ−４，５，６。
テトラヒドロフラン中に懸濁し、アルゴン気流中室温で
撹拌させ、これにシアノメチルホスホン酸ジエチル２．
＜Ｓ、１１４．７ミリモル）を少量づつ加工、シアノメ
チルホスホン酸ジエチルのナトリウム塩を調製した。こ
れに、４−オキソ−４，５，６。
７−チトラヒドロインドール１．６５ｇ（１０ミＩＪモ
ル）を加え、２４時間加熱Ｒ流した。反応終了後、反応
混合物を水に投じ、酢酸エチルで抽出した。この抽出Ｒ
ａを水で２回洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、酢酸エ
チルを留去して濃縮した。この残留物をシリカゲルカラ
ムにかけ、ヘキサン続いてジクロ四メタンで流し出しへ
ところ、２３ニア７の立体異性体の混合物として４−シ
アノメチリデン−４，５，６，７−チトラヒドロインド
ールが１．１５！！、 ７３．０％の収率で白色固体と
して得られた。なお、酢酸エチルよシ分別結晶化を行な
うことによシ一方の異性体のみを単離できた。生成物の
倫理ゲータは表Ｉに示した。
ル）を加え、２４時間加熱Ｒ流した。反応終了後、反応
混合物を水に投じ、酢酸エチルで抽出した。この抽出Ｒ
ａを水で２回洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、酢酸エ
チルを留去して濃縮した。この残留物をシリカゲルカラ
ムにかけ、ヘキサン続いてジクロ四メタンで流し出しへ
ところ、２３ニア７の立体異性体の混合物として４−シ
アノメチリデン−４，５，６，７−チトラヒドロインド
ールが１．１５！！、 ７３．０％の収率で白色固体と
して得られた。なお、酢酸エチルよシ分別結晶化を行な
うことによシ一方の異性体のみを単離できた。生成物の
倫理ゲータは表Ｉに示した。
実施例２ 几二ＣＮ Ｒ’二ＣＨ３実施例６
几＝ＣＮ Ｒ２＝ＣＨ２Ｐｈ実施例４ Ｒ
，＝ＣＮ 几＝８０２Ｃ６Ｈ４−ＣＨ３−ｐ （以下Ｔｓと記す） ４−オキソ−４，５，６，７−テトラヒドロインドール
の代υに、１−メチル−４−オキソ−４，５，６，７−
テトラヒドロインドール、１−ベンジル−４−オキソ−
４，５，６，７−テトラヒドロインドール及び４−オキ
ソ−１−トルエンスルホニル−４，５，６，７−テトラ
ヒドロインドールを用いた以外は、実施例１と同様に反
応させ、かつ処理することにより、それぞれ相当する、
４−シアノメチリデン−１−メチル−４，５，６，７−
テトラヒドロインドール、１−ベンジル−４−シアノメ
チリデン−４，５，６，７−テトラヒドロインドール及
び４−シアノメチリデン−１−トルエンスルホニル−４
，５，６，７−テトラヒドロインドールを得た。その結
果は表■に示し実施例５ ５０％水素化ナトリウム０゜２７１１（５゜５ミリモル
）をテトラヒドロ７２ン中に懸濁し、アルゴン気流中室
温で攪拌させ、これにエトキシカルボニルメチルホスホ
ン酸ジエチル１．６ Ｎ （７，１ミリモル）を少量づ
つ加え、エトキシカルボニルメチルホスホン酸ジエチル
のナトリウム塩を調製した。これに、４−オキソ−１−
トルエンスルホニル−４，５゜６．７−テト２ヒドロイ
ンドール１．４５Ｎ（５，０ミリモル）を加え、１８時
間加熱還流した。反応終了後、反応混合物を水に投じ、
酢酸エチルで抽出した。この抽出層を水で２回洗浄、硫
酸ｉグネシウムで乾燥後、酢酸エチルを留去してｉ縮し
た。残の立体異性体の混合物として、４−エトキシカル
ボニルメチリテン−４−トルエンスルホニル−４゜５．
６．７−チトラヒドロインドールが１．５４ｊ！、８５
．６−の収率で白色同体として得られた。酢酸エチルと
ヘキサンの混合溶媒よシ分別結晶化を行なうことによシ
、一方の異性体のみを単離した。生成物の物理データは
表πに示した。
几＝ＣＮ Ｒ２＝ＣＨ２Ｐｈ実施例４ Ｒ
，＝ＣＮ 几＝８０２Ｃ６Ｈ４−ＣＨ３−ｐ （以下Ｔｓと記す） ４−オキソ−４，５，６，７−テトラヒドロインドール
の代υに、１−メチル−４−オキソ−４，５，６，７−
テトラヒドロインドール、１−ベンジル−４−オキソ−
４，５，６，７−テトラヒドロインドール及び４−オキ
ソ−１−トルエンスルホニル−４，５，６，７−テトラ
ヒドロインドールを用いた以外は、実施例１と同様に反
応させ、かつ処理することにより、それぞれ相当する、
４−シアノメチリデン−１−メチル−４，５，６，７−
テトラヒドロインドール、１−ベンジル−４−シアノメ
チリデン−４，５，６，７−テトラヒドロインドール及
び４−シアノメチリデン−１−トルエンスルホニル−４
，５，６，７−テトラヒドロインドールを得た。その結
果は表■に示し実施例５ ５０％水素化ナトリウム０゜２７１１（５゜５ミリモル
）をテトラヒドロ７２ン中に懸濁し、アルゴン気流中室
温で攪拌させ、これにエトキシカルボニルメチルホスホ
ン酸ジエチル１．６ Ｎ （７，１ミリモル）を少量づ
つ加え、エトキシカルボニルメチルホスホン酸ジエチル
のナトリウム塩を調製した。これに、４−オキソ−１−
トルエンスルホニル−４，５゜６．７−テト２ヒドロイ
ンドール１．４５Ｎ（５，０ミリモル）を加え、１８時
間加熱還流した。反応終了後、反応混合物を水に投じ、
酢酸エチルで抽出した。この抽出層を水で２回洗浄、硫
酸ｉグネシウムで乾燥後、酢酸エチルを留去してｉ縮し
た。残の立体異性体の混合物として、４−エトキシカル
ボニルメチリテン−４−トルエンスルホニル−４゜５．
６．７−チトラヒドロインドールが１．５４ｊ！、８５
．６−の収率で白色同体として得られた。酢酸エチルと
ヘキサンの混合溶媒よシ分別結晶化を行なうことによシ
、一方の異性体のみを単離した。生成物の物理データは
表πに示した。
実施例６Ｒ＝ＣＯ３Ｃ２Ｈ５１（、’＝Ｈ実施例７ 几
二ＣＯ□Ｃ２Ｈ５几２二ＣＨ３実施例８ 几＝Ｃ０２Ｃ
２Ｈ５Ｂ二ＣＨ２Ｐｈ４−オキソ−１−トルエンスルホ
ニル−４，５，６。
二ＣＯ□Ｃ２Ｈ５几２二ＣＨ３実施例８ 几＝Ｃ０２Ｃ
２Ｈ５Ｂ二ＣＨ２Ｐｈ４−オキソ−１−トルエンスルホ
ニル−４，５，６。
７−チトラヒドロインドールの代りに４−オキソ−４，
５，６，７−テトラヒト四インドール、１−メチル−４
−オキソ−４，５，６，７−テトラヒト四インドール及
び１−ベンジル−４−オキンー４．５．６．７−テトラ
ヒト四インドールを用いた以外は、実施例５と同様に反
応させ、かつ処理することによシ、それぞれ相当する４
−エトキシカルボニルメチリデン−４，５，６，７−テ
トラヒト四インドール、４−エトキシカルボニルメチリ
デン−１−メチル−４゜５．６．７−テトラヒト四イン
ドール及び１−ベンジル−４−エトキシカルボニルメチ
リテン−４，５，６゜７−テトラヒト四インドールを得
た。その結果は表■に示した。
５，６，７−テトラヒト四インドール、１−メチル−４
−オキソ−４，５，６，７−テトラヒト四インドール及
び１−ベンジル−４−オキンー４．５．６．７−テトラ
ヒト四インドールを用いた以外は、実施例５と同様に反
応させ、かつ処理することによシ、それぞれ相当する４
−エトキシカルボニルメチリデン−４，５，６，７−テ
トラヒト四インドール、４−エトキシカルボニルメチリ
デン−１−メチル−４゜５．６．７−テトラヒト四イン
ドール及び１−ベンジル−４−エトキシカルボニルメチ
リテン−４，５，６゜７−テトラヒト四インドールを得
た。その結果は表■に示した。
参考例６
Ｈ
４−シアノメチリデン−４，５，６，７−テトラヒドロ
インドール０．５０ｇ（３，２ミリモル）と、０゜２５
Ｉの５％パラジウム−炭素触媒を約５．５ｍｇのジエチ
レングリコールジエチルエーテルに加え、アルゴンガス
を反応混合物中に直接吹きこみながら、２００℃で６時
間加熱攪拌した。反応終了後、反応混合物に大量のジク
ロロメタンを加え、５チパラジウムー炭素触媒を濾過す
ることによシ除去した。
インドール０．５０ｇ（３，２ミリモル）と、０゜２５
Ｉの５％パラジウム−炭素触媒を約５．５ｍｇのジエチ
レングリコールジエチルエーテルに加え、アルゴンガス
を反応混合物中に直接吹きこみながら、２００℃で６時
間加熱攪拌した。反応終了後、反応混合物に大量のジク
ロロメタンを加え、５チパラジウムー炭素触媒を濾過す
ることによシ除去した。
濾液よシジクロロメタンを留去し、残留物にヘキサン約
３０ｍ／を加えて反応混合物を冷却したところ白色固体
として４−シアノメチルインドールが析出した。収量０
．５４ｇ、収率６８゜７％生成物の物理データを次に示
す。
３０ｍ／を加えて反応混合物を冷却したところ白色固体
として４−シアノメチルインドールが析出した。収量０
．５４ｇ、収率６８゜７％生成物の物理データを次に示
す。
融点：１１４−１１５℃
ＮＭ几（ｉｎｃＤｃ１３）’δ３．９２（８，２Ｈ）
、６．４６〜６．５８（ｍ、ＩＨ）、７．０２〜７．４
２（ｍ。
、６．４６〜６．５８（ｍ、ＩＨ）、７．０２〜７．４
２（ｍ。
４Ｈ）、８．３＋５（ｍ、ＩＨ）ｐｐｍＩＲ（ＫＢｒ）
： ！１３８０，２２４０，１５８０゜元素分析値二
〇１ｏＨ８Ｎ２として 計算値Ｃ，７６，９０：Ｈ，５，１６：Ｎ、１７゜９４
゜実測値Ｃ，７６，９０：１−１．４．９８：Ｎ、１７
゜９６゜ｌ Ａ２ 几２ 参考例４ 几＝ｃＮ Ｒ２二ＣＨ３参考例５Ｒ二
ＣＮ Ｒ＝ＣＨ２Ｐｈ参考例６Ｒ＝ＣＮＲ＝Ｔｓ ４−シアノメチリデン−４，５，６，７−テトラヒドロ
インドールの代υに４−シアノメチリデン、−１−メチ
ル−４，５，６，７−テトラヒドロインドール、１−ベ
ンジル−４−シアノメチリデン−４，５，６，７−テト
ラヒドロインドール及び４−シアノメチリデンニ１−１
ルエンスルホニル−４，５＋６．７−テ）ラヒドロイン
ドールを用いた以外は、参考例６と同様に反応させ、か
つ処理することにより、それぞれ相当する、４−シアノ
メチ／Ｉ／−１−メチルインドール、１−ベンジル−４
−シアノメチルインドール及び４−シアノメチル−１−
トルエンスルホニルインドールを得た。その結果は表■
に示した。
： ！１３８０，２２４０，１５８０゜元素分析値二
〇１ｏＨ８Ｎ２として 計算値Ｃ，７６，９０：Ｈ，５，１６：Ｎ、１７゜９４
゜実測値Ｃ，７６，９０：１−１．４．９８：Ｎ、１７
゜９６゜ｌ Ａ２ 几２ 参考例４ 几＝ｃＮ Ｒ２二ＣＨ３参考例５Ｒ二
ＣＮ Ｒ＝ＣＨ２Ｐｈ参考例６Ｒ＝ＣＮＲ＝Ｔｓ ４−シアノメチリデン−４，５，６，７−テトラヒドロ
インドールの代υに４−シアノメチリデン、−１−メチ
ル−４，５，６，７−テトラヒドロインドール、１−ベ
ンジル−４−シアノメチリデン−４，５，６，７−テト
ラヒドロインドール及び４−シアノメチリデンニ１−１
ルエンスルホニル−４，５＋６．７−テ）ラヒドロイン
ドールを用いた以外は、参考例６と同様に反応させ、か
つ処理することにより、それぞれ相当する、４−シアノ
メチ／Ｉ／−１−メチルインドール、１−ベンジル−４
−シアノメチルインドール及び４−シアノメチル−１−
トルエンスルホニルインドールを得た。その結果は表■
に示した。
参考例７
ｕ２ｐｈ
Ｈ２Ｐｈ
１−ベンジル−４−エトキシカルボニルメチリデン−４
，５，６，７−テトラヒドロインドール７８ダ（０，２
６ミリモル）と、３９ｍ９の５％パラジウム−炭素触媒
を約１Ｍのジエチレングリコールジエチルエーテルに加
え、アルゴンガスを反応混合物中に直接吹きこみながら
２００℃で６時間加熱攪拌した。反応終了後、反応混合
物に大量のジクロロメタンを加え、５ｑ６パラジウムー
炭素触媒を濾過することによシ除去した。濾液よ）ジク
ロロメタンを留去し、続いて約８０℃の湯浴につけて、
真空ポンプで減圧にすることにょシ、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテルを除いたところ、１−ベンジル−
４−エトキシカルボニルメチルインドールが、収量７６
〜、収率９７゜４％で得られた。
，５，６，７−テトラヒドロインドール７８ダ（０，２
６ミリモル）と、３９ｍ９の５％パラジウム−炭素触媒
を約１Ｍのジエチレングリコールジエチルエーテルに加
え、アルゴンガスを反応混合物中に直接吹きこみながら
２００℃で６時間加熱攪拌した。反応終了後、反応混合
物に大量のジクロロメタンを加え、５ｑ６パラジウムー
炭素触媒を濾過することによシ除去した。濾液よ）ジク
ロロメタンを留去し、続いて約８０℃の湯浴につけて、
真空ポンプで減圧にすることにょシ、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテルを除いたところ、１−ベンジル−
４−エトキシカルボニルメチルインドールが、収量７６
〜、収率９７゜４％で得られた。
生成物の物理データを次に示す。
ＮＭ几（１ｎｃＤｃ１ａ）： ａｌ−２１（ｔ 、５Ｈ
，Ｊ＝７Ｈｚ％３゜８６（ｓ、２Ｈ）、４．１１（ｑ、
２１（、Ｊ＝７Ｈｚ）、５．２２（ｓ、２Ｈ）、６．５
７（ｄ。
，Ｊ＝７Ｈｚ％３゜８６（ｓ、２Ｈ）、４．１１（ｑ、
２１（、Ｊ＝７Ｈｚ）、５．２２（ｓ、２Ｈ）、６．５
７（ｄ。
Ｉ Ｈ、Ｊ ＝５Ｈｚ ） 、 ６．９０〜７．３４（
ｍ。
ｍ。
９Ｈ）ｐｐｒ。
ＩＲ（１ｉｑｕｉｄ ｆｉ間：１７５０ 、１６０５
、１５８０ 。
、１５８０ 。
１４９５ｍ 。
ＭＳＣｍ／Ｚ）：２９５℃Ｍ 、５６）、２２０Ｃ６
７）。
７）。
９１（１００）。
参考例８ 几＝Ｃ０２Ｃ２Ｈ５Ｒ２二Ｈ参考例９Ｒ二Ｃ
Ｏ２Ｃ２Ｈ５Ｒ＝ＣＨ３参考列１０ 、 Ｒ＝Ｃ０２Ｃ
２Ｈ５Ｒ’ ＝Ｔｇ１−ベンジルー４−エトキシカルボ
ニルメチリデン−４，５，６，７−テトラヒドロインド
ールの代シに４−エトキシカルボニルメチリデン−４，
５，６，７−テトラヒドロインドール、４−エトキシカ
ルボニルメチリデン−１−メチル−４，５，６，７−テ
トラヒドロインドール及び４−エトキシカルボニルメチ
リデン−１−トルエンスルホニル−４，５，６，７−テ
トラヒドロインドールを用いた以外は、参考例７と同様
に及佑させ、かつ処理することによシ、それぞれ相督す
る、４−エトキシカルボニルメチルインドール、４−エ
トキシカルボニルメチＡ／ −１−メチルインドール及
び４−、エトキシカルボニルメチル−１−）ルエンスル
ホニルインドールを得た。その結果を表■に示した。
Ｏ２Ｃ２Ｈ５Ｒ＝ＣＨ３参考列１０ 、 Ｒ＝Ｃ０２Ｃ
２Ｈ５Ｒ’ ＝Ｔｇ１−ベンジルー４−エトキシカルボ
ニルメチリデン−４，５，６，７−テトラヒドロインド
ールの代シに４−エトキシカルボニルメチリデン−４，
５，６，７−テトラヒドロインドール、４−エトキシカ
ルボニルメチリデン−１−メチル−４，５，６，７−テ
トラヒドロインドール及び４−エトキシカルボニルメチ
リデン−１−トルエンスルホニル−４，５，６，７−テ
トラヒドロインドールを用いた以外は、参考例７と同様
に及佑させ、かつ処理することによシ、それぞれ相督す
る、４−エトキシカルボニルメチルインドール、４−エ
トキシカルボニルメチＡ／ −１−メチルインドール及
び４−、エトキシカルボニルメチル−１−）ルエンスル
ホニルインドールを得た。その結果を表■に示した。
表 ■
特許出願人
財団法人 相撲中央化学研究所
手 続 補 正 書
昭和５９年１月３ｊ日
特許庁長官 若杉和夫殿
１゜事件の表示
昭ｆｌ］５７牟特許願第１９３４３２号２゜発明の名称
４−メチリデン−４，５，６，７−チトラヒドロインド
ール誘導体及びその製造方法３゜補正をする者 事件との関係 特許出願人 ）？キＩｌクトｆ四 ダ りＹル クチ チｌＩウメ
パン ゴク住所 東京都千代田区丸の内１丁目４番５号
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５ｏ補正の内容 （１）本願明細書第６頁３行の 」 」 に訂正し、４行の「（式中・・・である。）」を「（式
中、Ｒ１は前記に同じであシ、ｔは低級アルキル基であ
る。）」に訂正する。
ール誘導体及びその製造方法３゜補正をする者 事件との関係 特許出願人 ）？キＩｌクトｆ四 ダ りＹル クチ チｌＩウメ
パン ゴク住所 東京都千代田区丸の内１丁目４番５号
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５ｏ補正の内容 （１）本願明細書第６頁３行の 」 」 に訂正し、４行の「（式中・・・である。）」を「（式
中、Ｒ１は前記に同じであシ、ｔは低級アルキル基であ
る。）」に訂正する。
（２）同第２６頁表■の参考例の項を右記の通り訂正す
る。
る。
記
訂正前 訂正後
４
５
４＃６
８
９
８ １〇
６１
Claims (2)
- （１）一般式 で表わされる４−メチリデン−４，５，６，７−チトラ
ヒドμインドール誘導体（式中 ａｌはシアノ基、カル
ボキシル基又はアルコキシカルボニル基でろｊ５ 、ｎ
Ｆは水素、アルキル基、ナラルキル基又はアミノ基の保
穫基である）。 - （２）一般式 で表わされる４−オキソ−４，５，６，７−チトラヒド
ロインドールを一般式 ％式％ で表わされるホスホン酸エステルのアニオント縮合させ
ることによυ、一般式 で表わされる４−メチリデン−４，５，６，７一テト２
ヒドロインドール誘導体を製造する方法（式中、Ｒ１は
シアノ基、カルボキシル基又はアルコキシカルボニル基
であシ、Ｒ２は水素、アルキル基、アラルキル基又はア
ミノ基の保護基であり、几は低級アルキル基である。）
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193432A JPS5984863A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | ４―メチリデン―４，５，６，７―テトラヒドロインドール誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193432A JPS5984863A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | ４―メチリデン―４，５，６，７―テトラヒドロインドール誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984863A true JPS5984863A (ja) | 1984-05-16 |
| JPH0145463B2 JPH0145463B2 (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=16307877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57193432A Granted JPS5984863A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | ４―メチリデン―４，５，６，７―テトラヒドロインドール誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984863A (ja) |
-
1982
- 1982-11-05 JP JP57193432A patent/JPS5984863A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0145463B2 (ja) | 1989-10-03 |
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