JPS598067B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS598067B2 JPS598067B2 JP54011554A JP1155479A JPS598067B2 JP S598067 B2 JPS598067 B2 JP S598067B2 JP 54011554 A JP54011554 A JP 54011554A JP 1155479 A JP1155479 A JP 1155479A JP S598067 B2 JPS598067 B2 JP S598067B2
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- sealing
- opening
- semiconductor substrate
- mold
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-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は可撓性絶縁テープに形成された開口部の周縁
から互に相対して内方向に張出した複数の導体に半導体
基板を取付ることにより製造される半導体装置の製造方
法に関するものである。
から互に相対して内方向に張出した複数の導体に半導体
基板を取付ることにより製造される半導体装置の製造方
法に関するものである。
最近、ポリイミド等の有機材料で作られた可撓性絶縁テ
ープに複数群の外部導出用の導体を抱した複数のパッケ
ージ基板に半導体集積回路基板（以下ＩＣチップと呼ぶ
）を各々取付け、この後前記ＩＣチップを樹脂等により
封止するＩＣの製造方法が採用されるようになつてきた
。このような製造方法はワイヤボンドとダイボンドを同
時にすることができると共に複数のＩＣを順次高速に生
産することができるという特徴を有するためカメラ、時
計、電卓等用のＩＣに広く採用されるようになつてきた
。第１図はこのような従来のモールド型ＩＣの製造に使
用されるパッケージ基板の斜視図、第２図は第１図に示
すパッケージ基板を出発材料とする従来のモールド型Ｉ
Ｃの製造方法を示す工程別断面図である。
ープに複数群の外部導出用の導体を抱した複数のパッケ
ージ基板に半導体集積回路基板（以下ＩＣチップと呼ぶ
）を各々取付け、この後前記ＩＣチップを樹脂等により
封止するＩＣの製造方法が採用されるようになつてきた
。このような製造方法はワイヤボンドとダイボンドを同
時にすることができると共に複数のＩＣを順次高速に生
産することができるという特徴を有するためカメラ、時
計、電卓等用のＩＣに広く採用されるようになつてきた
。第１図はこのような従来のモールド型ＩＣの製造に使
用されるパッケージ基板の斜視図、第２図は第１図に示
すパッケージ基板を出発材料とする従来のモールド型Ｉ
Ｃの製造方法を示す工程別断面図である。
第１図に於て１はポリイミドフィルム等の可撓性絶縁テ
ープ、２は可撓性絶縁テープ１の中央部に形成されＩＣ
チップが配置される開口部、３は開口部２から所定距離
を隔てた状態でこれを四方から囲繞する４つのスリット
状の長孔部、４は前記開口部２と前記長孔部３との間に
形成された口字状の導体支持部、５は長孔部３の周囲に
位置する外縁部、６は外縁部５から開口部２に張出すよ
うに延在した複数の導体、Ｔは１〜６から成るパッケー
ジ基板である。
ープ、２は可撓性絶縁テープ１の中央部に形成されＩＣ
チップが配置される開口部、３は開口部２から所定距離
を隔てた状態でこれを四方から囲繞する４つのスリット
状の長孔部、４は前記開口部２と前記長孔部３との間に
形成された口字状の導体支持部、５は長孔部３の周囲に
位置する外縁部、６は外縁部５から開口部２に張出すよ
うに延在した複数の導体、Ｔは１〜６から成るパッケー
ジ基板である。
このようなパッケージ基板１は一般にポリイミドフィル
ム等の可撓性絶縁テープ１に予め前記開口部２および長
孔部３を形成後、これらの孔を含むテープ計上に銅箔等
の金属箔を被着しその後写真製版法等により前記導体６
を形成することにより製造される。第２図ａは第１図に
示すパツケージ基板ｒのａ−ａ断面図であり、このパツ
ケージ基板７を出発材料としてこの開口部２に張出した
複数の導体６の一端６ａに第２図ｂに示すようにこれら
に支持されかつ接続されるようにＩＣチツプ８を取付け
る。
ム等の可撓性絶縁テープ１に予め前記開口部２および長
孔部３を形成後、これらの孔を含むテープ計上に銅箔等
の金属箔を被着しその後写真製版法等により前記導体６
を形成することにより製造される。第２図ａは第１図に
示すパツケージ基板ｒのａ−ａ断面図であり、このパツ
ケージ基板７を出発材料としてこの開口部２に張出した
複数の導体６の一端６ａに第２図ｂに示すようにこれら
に支持されかつ接続されるようにＩＣチツプ８を取付け
る。
つぎに第２図ｃに示すように支持部４の両主面土とこの
支持部４内側に位置する導体６およびＩＣチツプ８を包
囲するように開口部２にこの両面から封止樹脂９を滴下
に凝固する、いわゆるポツテイング法により樹脂封止す
る。
支持部４内側に位置する導体６およびＩＣチツプ８を包
囲するように開口部２にこの両面から封止樹脂９を滴下
に凝固する、いわゆるポツテイング法により樹脂封止す
る。
前記導体支持部４は封止樹脂９の開口部２からの流出を
防止する作用も有する。つぎに第２図ｄに示すように外
縁部５をＩＣ本体に接続される導体６から切り離すこと
によりモールド型１Ｃ１０が完成する。
防止する作用も有する。つぎに第２図ｄに示すように外
縁部５をＩＣ本体に接続される導体６から切り離すこと
によりモールド型１Ｃ１０が完成する。
このような従来の製造方法により製造されたモールド型
１Ｃ１０は上述のようにポツテイング法により樹脂封止
するので、開口部２の両面の封止樹脂９は丸みをもつた
凸部を有する形状となり、しかも厚さ寸法が大きくなる
。
１Ｃ１０は上述のようにポツテイング法により樹脂封止
するので、開口部２の両面の封止樹脂９は丸みをもつた
凸部を有する形状となり、しかも厚さ寸法が大きくなる
。
このためモールド型１Ｃ１０を、第３図に示すようにガ
ラスエポキシまたはセラミツク等の絶縁基板１１にパタ
ーン状に形成された複数の導体１２を有する実装基板１
３等に実装しようとする場合、開口部２の両面に位置す
る封止樹脂９の厚さ寸法が大きいために多くの空間を要
することになり小型化が困難であつた。特にこの種のモ
ールド型１Ｃ１０は前述のように専らカメラ、電卓、時
計等に使用され、最近小型化、薄型化の傾向が著しいた
め上記欠点は重大な問題となつている。またモールド型
１Ｃ１０は実装基板１３に実装の際その封止樹脂９の凸
部が絶縁基板１１の表面に接するため第２図ｄに示すモ
ールド型１Ｃ１０の形状のま＼ではその姿勢が不安定に
なりやすく、このため複数の導体６の外側端部を各々同
様の曲げ加工を施して、安定的な姿勢を保つことができ
るようにして第３図に示すように装着する必要があり装
着作業に多大な工数を要する等の問題があつた。さらに
゛口字状の導体支持部４を有する構造であるため長手方
向の寸法が大きくなり装着に要する空間が大きく成ると
共に前記導体支持部４を形成するための多大な材料費お
よび加工費を要する０上述の封止樹脂９の凸部に起因す
る二つの問題については、これを解決するために例えば
第４図に示すように絶縁基板１１の封止樹脂９の凸部に
接する部分に貫通孔１４を形成し、この貫通孔１４に封
止樹脂９の凸部をはめ込むようにすれば上述の装着上の
問題は除去でき、また厚さ寸法″による問題も改善され
る。しかしながらこうすれば実装基板１３の導体１２の
収容度が低下するという別の問題を生ずる。この発明は
上記従米の問題を取除くためになされたものであり、表
面の少なくとも一方が平坦であり長手方向寸法が小さい
半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方
法を提供するものである。第５図はこの発明の一実施例
に使用されるパツケージ基板を示す斜視図、第６図はこ
のパツケージ基板を出発材料とするこの発明の一実施例
になるモールド型１Ｃの製造方法を示す工程別断面図で
ある。
ラスエポキシまたはセラミツク等の絶縁基板１１にパタ
ーン状に形成された複数の導体１２を有する実装基板１
３等に実装しようとする場合、開口部２の両面に位置す
る封止樹脂９の厚さ寸法が大きいために多くの空間を要
することになり小型化が困難であつた。特にこの種のモ
ールド型１Ｃ１０は前述のように専らカメラ、電卓、時
計等に使用され、最近小型化、薄型化の傾向が著しいた
め上記欠点は重大な問題となつている。またモールド型
１Ｃ１０は実装基板１３に実装の際その封止樹脂９の凸
部が絶縁基板１１の表面に接するため第２図ｄに示すモ
ールド型１Ｃ１０の形状のま＼ではその姿勢が不安定に
なりやすく、このため複数の導体６の外側端部を各々同
様の曲げ加工を施して、安定的な姿勢を保つことができ
るようにして第３図に示すように装着する必要があり装
着作業に多大な工数を要する等の問題があつた。さらに
゛口字状の導体支持部４を有する構造であるため長手方
向の寸法が大きくなり装着に要する空間が大きく成ると
共に前記導体支持部４を形成するための多大な材料費お
よび加工費を要する０上述の封止樹脂９の凸部に起因す
る二つの問題については、これを解決するために例えば
第４図に示すように絶縁基板１１の封止樹脂９の凸部に
接する部分に貫通孔１４を形成し、この貫通孔１４に封
止樹脂９の凸部をはめ込むようにすれば上述の装着上の
問題は除去でき、また厚さ寸法″による問題も改善され
る。しかしながらこうすれば実装基板１３の導体１２の
収容度が低下するという別の問題を生ずる。この発明は
上記従米の問題を取除くためになされたものであり、表
面の少なくとも一方が平坦であり長手方向寸法が小さい
半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方
法を提供するものである。第５図はこの発明の一実施例
に使用されるパツケージ基板を示す斜視図、第６図はこ
のパツケージ基板を出発材料とするこの発明の一実施例
になるモールド型１Ｃの製造方法を示す工程別断面図で
ある。
図中第１図、第２図と同一符号は相当部分を示すもので
あり説明は省略する。第５図に於て１５は可撓性絶縁テ
ープ１に形成され、ＩＣチツプ８とこのＩＣチツプ８に
接続される複数の導体６が各々設けられる開口部であり
、前記導体６は開口部１５の外縁部１６から互いに相対
して内方向に張出すと共に延在するように設けられる。
あり説明は省略する。第５図に於て１５は可撓性絶縁テ
ープ１に形成され、ＩＣチツプ８とこのＩＣチツプ８に
接続される複数の導体６が各々設けられる開口部であり
、前記導体６は開口部１５の外縁部１６から互いに相対
して内方向に張出すと共に延在するように設けられる。
１７は前記１，６，１５，１６から成るパツケージ基板
である。
である。
このようなパツケージ基板１７は前記従来のモールド型
１Ｃ１０の製造に使用されるパツケージ基板ｒと同様の
製造方法で作られるが前記従来のもののような長孔部３
や導体支持部４を有さない形状であるので加工費および
材料費を低減できると共にモールド型１Ｃを小型化する
ことができる。第６図ａは第５図に示すパツケージ基板
１ｒのＶＩａ−ＶＩａ断面図であり、このパツケージ基
板１７を出発材料としてこの開口部１５に張出した複数
の導体６の一端６ａに第６図ｂに示すようにこれらに支
持されかつ接続されるＩＣチツプ８を取付ける。
１Ｃ１０の製造に使用されるパツケージ基板ｒと同様の
製造方法で作られるが前記従来のもののような長孔部３
や導体支持部４を有さない形状であるので加工費および
材料費を低減できると共にモールド型１Ｃを小型化する
ことができる。第６図ａは第５図に示すパツケージ基板
１ｒのＶＩａ−ＶＩａ断面図であり、このパツケージ基
板１７を出発材料としてこの開口部１５に張出した複数
の導体６の一端６ａに第６図ｂに示すようにこれらに支
持されかつ接続されるＩＣチツプ８を取付ける。
つぎに第６図ｃに示すようにＩＣチツプ８よりもその表
面の面積が大きく前記開口部１５よりもその表面の面積
が小さい樹脂またはセラミツク等で作られた平板１８を
エポキシ等の接着樹脂１９を介してＩＣチツプ８の導体
６が接続された表面にこの表面を被うように装着する。
面の面積が大きく前記開口部１５よりもその表面の面積
が小さい樹脂またはセラミツク等で作られた平板１８を
エポキシ等の接着樹脂１９を介してＩＣチツプ８の導体
６が接続された表面にこの表面を被うように装着する。
つぎに第６図ｄに示すようにＩＣチツプ８の平板１８が
接着された表面と逆の表面側からこのＩＣチツプ８およ
びこのＩＣチツプ８に接続される複数の導体６の一端６
ａを完全に包囲するように封止樹脂９を滴下して凝固す
るいわゆるポツテイング法により樹脂封止する。
接着された表面と逆の表面側からこのＩＣチツプ８およ
びこのＩＣチツプ８に接続される複数の導体６の一端６
ａを完全に包囲するように封止樹脂９を滴下して凝固す
るいわゆるポツテイング法により樹脂封止する。
この場合封止樹脂９は可撓性絶縁テープ１まで封止しな
いように上記絶縁テープと離隔して形成する。つぎに第
６図ｅに示すように絶縁テープ１の外縁部１６を切り離
すことによりモールド型１Ｃ２０が完成する。
いように上記絶縁テープと離隔して形成する。つぎに第
６図ｅに示すように絶縁テープ１の外縁部１６を切り離
すことによりモールド型１Ｃ２０が完成する。
上記この発明の一実施例になる製造方法によれば封止樹
脂９による封止は前述の従来の製造方法と同様にポツテ
イング法により行なわれるが、この樹脂封止の前に予め
ＩＣチツプ８の一方の表面を、この表面よりも面積が大
きく開口部１５よりも面積が小さい平板１８で被つてい
るので完成したモールド型１Ｃ２０のいずれか一方の表
面は平坦に形成され、しかも前述の製造方法で製造され
たモールド型１Ｃ１０よりも厚さ寸法は小さくなる。
脂９による封止は前述の従来の製造方法と同様にポツテ
イング法により行なわれるが、この樹脂封止の前に予め
ＩＣチツプ８の一方の表面を、この表面よりも面積が大
きく開口部１５よりも面積が小さい平板１８で被つてい
るので完成したモールド型１Ｃ２０のいずれか一方の表
面は平坦に形成され、しかも前述の製造方法で製造され
たモールド型１Ｃ１０よりも厚さ寸法は小さくなる。
したがつてこの発明の一実施例になる製造方法により製
造されたモールド型１Ｃ２０を第ｒ図に示すように実装
基板１３に実装した場合、前述の従来の製造方法により
製造されたモールド型１Ｃ１０よりも占有空間を小さく
することができる。
造されたモールド型１Ｃ２０を第ｒ図に示すように実装
基板１３に実装した場合、前述の従来の製造方法により
製造されたモールド型１Ｃ１０よりも占有空間を小さく
することができる。
しかもモールド型１Ｃ２０の一表面が平坦に形成される
から、このモールド型１Ｃ２０を第７図に示すように絶
縁基板１１の表面に前記平板１８が接するように載置し
た後モールド型１Ｃ２０の導体６を実装基板１３の導体
１２に接続すれば、この接続作業は前記従来の実装方法
より格段に容易になる。また上記この発明の一実施例に
なる製造方法により製造されたモールド型１Ｃ２０は出
発材料となるパツケージ基板１７に前記従来の製造方法
によるモールド型１Ｃ１０に使用されたパツケージ基板
７のような口字状の導体支持部４を有さないので、この
モールド型１Ｃ２０を実装基板１３に取付けた場合の占
有面積を小さくできると共にパツケージ基板１７の加工
費や材料費も低減できる。
から、このモールド型１Ｃ２０を第７図に示すように絶
縁基板１１の表面に前記平板１８が接するように載置し
た後モールド型１Ｃ２０の導体６を実装基板１３の導体
１２に接続すれば、この接続作業は前記従来の実装方法
より格段に容易になる。また上記この発明の一実施例に
なる製造方法により製造されたモールド型１Ｃ２０は出
発材料となるパツケージ基板１７に前記従来の製造方法
によるモールド型１Ｃ１０に使用されたパツケージ基板
７のような口字状の導体支持部４を有さないので、この
モールド型１Ｃ２０を実装基板１３に取付けた場合の占
有面積を小さくできると共にパツケージ基板１７の加工
費や材料費も低減できる。
なおこの発明の一実施例になる製造方法により製造され
たモールド型１Ｃ２０を第ｒ図に示すように実装しても
封止樹脂９の凸部の高さが所要寸法内に入らない場合に
は第８図に示すようにモールド型１Ｃ２０の平板１８が
接する絶縁基板１１の表面に凹部２１を形成すればよい
。第９図はこの発明の他の実施例になる製造方法により
製造されたＩＣ３Ｏを示す断面図である。
たモールド型１Ｃ２０を第ｒ図に示すように実装しても
封止樹脂９の凸部の高さが所要寸法内に入らない場合に
は第８図に示すようにモールド型１Ｃ２０の平板１８が
接する絶縁基板１１の表面に凹部２１を形成すればよい
。第９図はこの発明の他の実施例になる製造方法により
製造されたＩＣ３Ｏを示す断面図である。
この他の実施例は前記一実施例の第６図ｂに示す工程を
経たＩＣ（７）ＩＣチツプ８の導体６が接続された表面
にこの表面よりもその表面の面積が大きく、その表面の
面積が開口部１５よりも小さい平板１８を接着樹脂１９
を介して前記１Ｃチツプ８の表面および導体６の一端６
ａを被うように接着すると同時に前記１Ｃチツプ８の導
体６が接続された表面と反対の表面側に前記１Ｃチツプ
８を被うように頂部に平坦面を有しセラミツク樹脂また
は金属等で作られたキヤツプ２２を前記接着樹脂１９に
より平板１８に接着してＩＣチツプ８を封止することに
より行なわれる。このような他の実施例になる製造方法
により製造されたＩＣ３Ｏも上記一実施例になる製造方
法により製造されたモールド型１Ｃ２０と同様の効果を
有すると共に厚さ寸法をさらに薄くすることができ実装
に於ける占有空間をさらに小さくできるＯ上記説明のよ
うにこの発明は可撓性絶縁テープの開口部に周縁から内
方向に複数の導体を設け、導体の先に半導体基板を接続
し、半導体基板の導体が接続された方の表面にこれを被
うように接着樹脂を介して平板を接着すると共に、半導
体基板と導体の端部とを封止部材でテープから離隔した
状態で封止することにより、半導体装置は封止部分な平
坦面が形成されるために厚さ寸法を薄くすることができ
、実装作業が容易になる。
経たＩＣ（７）ＩＣチツプ８の導体６が接続された表面
にこの表面よりもその表面の面積が大きく、その表面の
面積が開口部１５よりも小さい平板１８を接着樹脂１９
を介して前記１Ｃチツプ８の表面および導体６の一端６
ａを被うように接着すると同時に前記１Ｃチツプ８の導
体６が接続された表面と反対の表面側に前記１Ｃチツプ
８を被うように頂部に平坦面を有しセラミツク樹脂また
は金属等で作られたキヤツプ２２を前記接着樹脂１９に
より平板１８に接着してＩＣチツプ８を封止することに
より行なわれる。このような他の実施例になる製造方法
により製造されたＩＣ３Ｏも上記一実施例になる製造方
法により製造されたモールド型１Ｃ２０と同様の効果を
有すると共に厚さ寸法をさらに薄くすることができ実装
に於ける占有空間をさらに小さくできるＯ上記説明のよ
うにこの発明は可撓性絶縁テープの開口部に周縁から内
方向に複数の導体を設け、導体の先に半導体基板を接続
し、半導体基板の導体が接続された方の表面にこれを被
うように接着樹脂を介して平板を接着すると共に、半導
体基板と導体の端部とを封止部材でテープから離隔した
状態で封止することにより、半導体装置は封止部分な平
坦面が形成されるために厚さ寸法を薄くすることができ
、実装作業が容易になる。
また、導体の先が平板に接着されるため導体を互いに補
強することができる。さらに素材となる可撓性絶縁テー
プの形状が簡単かつ小型化されることにより材料費や加
工費が低減でき、実装に於る占有空間も小さくできると
いう優れた効果を有する。
強することができる。さらに素材となる可撓性絶縁テー
プの形状が簡単かつ小型化されることにより材料費や加
工費が低減でき、実装に於る占有空間も小さくできると
いう優れた効果を有する。
第１図は従来のモールド型１Ｃの製造に使用さ・れるパ
ツケージ基板の斜視図、第２図は第１図に示すパツケー
ジ基板を出発材料とする従来のモールド型１Ｃの製造方
法を示す工程別断面図、第３図、第４図は各々従来の製
造方法によるモールド型１Ｃ１０を実装基板１３に実装
した状態を示す実装状態図、第５図はこの発明の一実施
例に使用されるパツケージ基板の斜視図、第６図は第５
図に示すパツケージ基板を出発材料とするこの発明の一
実施例になるモールド型１Ｃの製造方法を示す工程別断
面図、第ｒ図、第８図は各々この発明一実施例によるモ
ールド型１Ｃ２０を実装基板１３に実装した状態を示す
実装状態図、第９図はこの発明の他の実施例によるモー
ルド型１Ｃ３０を示す断面図である。 図中同一符号は相当部分を示す。 １は可撓性絶縁テープ、６は導体、８はＩＣチツプ、９
は封止樹脂、１５は開口部、１８は平板、１９は接着樹
脂、２２はキヤツプ。
ツケージ基板の斜視図、第２図は第１図に示すパツケー
ジ基板を出発材料とする従来のモールド型１Ｃの製造方
法を示す工程別断面図、第３図、第４図は各々従来の製
造方法によるモールド型１Ｃ１０を実装基板１３に実装
した状態を示す実装状態図、第５図はこの発明の一実施
例に使用されるパツケージ基板の斜視図、第６図は第５
図に示すパツケージ基板を出発材料とするこの発明の一
実施例になるモールド型１Ｃの製造方法を示す工程別断
面図、第ｒ図、第８図は各々この発明一実施例によるモ
ールド型１Ｃ２０を実装基板１３に実装した状態を示す
実装状態図、第９図はこの発明の他の実施例によるモー
ルド型１Ｃ３０を示す断面図である。 図中同一符号は相当部分を示す。 １は可撓性絶縁テープ、６は導体、８はＩＣチツプ、９
は封止樹脂、１５は開口部、１８は平板、１９は接着樹
脂、２２はキヤツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 開口部とこの開口部の周縁から互に相対して内方向
に張出した複数の導体が設けられた可撓性絶縁テープを
準備し、つぎに上記可撓性絶縁テープの上記開口部に半
導体基板を配置すると共にこの半導体基板と上記複数の
導体を接続し、その後上記半導体基板の上記導体が接続
された方の表面にこの表面を被うように接着樹脂を介し
て平板を接着すると共に、上記半導体基板と上記導体の
上記半導体基板と接続された端部とを封止部材で封止し
、かつ封止部材を上記可撓性絶縁テープから離隔して形
成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２ 封止はホツテイング法により滴下される封止樹脂を
使用して行なわれる特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置の製造方法。 ３ 封止は平板と接着樹脂を介して結合されこの平板の
主面と並行な平面を有するキャップ状の包装容器を使用
して行なわれることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54011554A JPS598067B2 (ja) | 1979-02-02 | 1979-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54011554A JPS598067B2 (ja) | 1979-02-02 | 1979-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55103747A JPS55103747A (en) | 1980-08-08 |
| JPS598067B2 true JPS598067B2 (ja) | 1984-02-22 |
Family
ID=11781158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54011554A Expired JPS598067B2 (ja) | 1979-02-02 | 1979-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598067B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423178B2 (ja) * | 1982-07-27 | 1992-04-21 | Yazaki Corp |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089878A (en) * | 1989-06-09 | 1992-02-18 | Lee Jaesup N | Low impedance packaging |
| JP2763639B2 (ja) * | 1990-01-17 | 1998-06-11 | ローム株式会社 | 半導体部品の樹脂被覆方法 |
-
1979
- 1979-02-02 JP JP54011554A patent/JPS598067B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423178B2 (ja) * | 1982-07-27 | 1992-04-21 | Yazaki Corp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55103747A (en) | 1980-08-08 |
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