JPS5980443A - 表面改質方法 - Google Patents
表面改質方法Info
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- JPS5980443A JPS5980443A JP18917082A JP18917082A JPS5980443A JP S5980443 A JPS5980443 A JP S5980443A JP 18917082 A JP18917082 A JP 18917082A JP 18917082 A JP18917082 A JP 18917082A JP S5980443 A JPS5980443 A JP S5980443A
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- Japan
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- electric discharge
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- modification method
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高分子材料の表面改質法に関するものである。
高分子材料は従来その多くの特性から主として構造材料
として広く利用されている。最近では、その構造材料と
しての利用目的も極めて多岐にわたシ、様々な表面特性
が要求されるようになった。例えば、表面親水性付与に
よる防鍵性の改良９表面導電性付与による帯電防止とい
った目的で各方面で精力的な表面改質に関する研究が進
められている。
として広く利用されている。最近では、その構造材料と
しての利用目的も極めて多岐にわたシ、様々な表面特性
が要求されるようになった。例えば、表面親水性付与に
よる防鍵性の改良９表面導電性付与による帯電防止とい
った目的で各方面で精力的な表面改質に関する研究が進
められている。
高分子材料表面の改質法の一つに、放電による表面グラ
フト法がある。これは放電によシ、高分子材料表面を活
性化しておき、活性点よ多波処理高分子を構成する単量
体とは異なる重合性単量体をグラフト重合し、高分子材
料表面に極めて薄い異種高分子の層を形成せしめるもの
である。この種のグラフト法として今日までに知られて
いるものとしては、（１）プラズマ放電によって高分子
材料表面を活性化した後、直ちに重合性単量体を系内に
導入してグラフト重合する方法、（２）高分子粉末を［
１１１＋ｌｌｌｌＨｇのガス圧下でプラズマ処理後酸素
あるいは酸素を含有する気体に曝し、その後アクリロニ
） ＩＪル溶液中で熱重合する方法、（３）ガス圧（Ｌ
２１１１１Ｈｇ以上５０ ｇ）（ｇ以下で高電圧放電処
理した後、酸素を含む気体中に曝し、その後ラジカル重
合可能な単量体溶液中でグラフト重合する方法、等が提
案されている。
フト法がある。これは放電によシ、高分子材料表面を活
性化しておき、活性点よ多波処理高分子を構成する単量
体とは異なる重合性単量体をグラフト重合し、高分子材
料表面に極めて薄い異種高分子の層を形成せしめるもの
である。この種のグラフト法として今日までに知られて
いるものとしては、（１）プラズマ放電によって高分子
材料表面を活性化した後、直ちに重合性単量体を系内に
導入してグラフト重合する方法、（２）高分子粉末を［
１１１＋ｌｌｌｌＨｇのガス圧下でプラズマ処理後酸素
あるいは酸素を含有する気体に曝し、その後アクリロニ
） ＩＪル溶液中で熱重合する方法、（３）ガス圧（Ｌ
２１１１１Ｈｇ以上５０ ｇ）（ｇ以下で高電圧放電処
理した後、酸素を含む気体中に曝し、その後ラジカル重
合可能な単量体溶液中でグラフト重合する方法、等が提
案されている。
（１）の方法は高分子材料の表面放電処理と、それに続
くグラフト重合とを、すべて酸素を除去した系でおこな
う必要がある点で実際的でなく、（２）の方法は雑誌［
ポリマーＪ （Ｐｏｌｙｍｅｒ）１９６１年２巻２７７
頁に記載されているが、その中には高分子粉体を放電処
理する条件については詳しく述べられていない。（３）
の方法は特開昭５５−１９５８４に詳しく記載されてお
シ、上記の（１）〜（３）の中では最も工業的生産に適
した方法と考えられた。しかしながら、そこにはグラフ
ト量に関する定量的記載がまったくなく、また本発明者
達の追試によれば（３）の方法ではグラフト量が比較的
低い場合が多く、またグラフト量のコントロールが困難
であることが判明した。
くグラフト重合とを、すべて酸素を除去した系でおこな
う必要がある点で実際的でなく、（２）の方法は雑誌［
ポリマーＪ （Ｐｏｌｙｍｅｒ）１９６１年２巻２７７
頁に記載されているが、その中には高分子粉体を放電処
理する条件については詳しく述べられていない。（３）
の方法は特開昭５５−１９５８４に詳しく記載されてお
シ、上記の（１）〜（３）の中では最も工業的生産に適
した方法と考えられた。しかしながら、そこにはグラフ
ト量に関する定量的記載がまったくなく、また本発明者
達の追試によれば（３）の方法ではグラフト量が比較的
低い場合が多く、またグラフト量のコントロールが困難
であることが判明した。
本発明者達はグラフト量を任意にコントロール可能な条
件を鋭意研究した結果、意外にも、上記の特開昭５３−
１９３８４では、高分子材料表面に損傷をきたし易いと
して排除されているガス圧１１ ｍｌＨｇ以下の条件で
低出力電源を採用することにより、フィルムに何ら損傷
を与えることなく放電処理が可能であシ、更に、放電処
理時間を調節することにより、グラフト量のコントロー
ルが可能であることを見い出し、本発明を完成した。以
下、本発明の詳細な説明する。
件を鋭意研究した結果、意外にも、上記の特開昭５３−
１９３８４では、高分子材料表面に損傷をきたし易いと
して排除されているガス圧１１ ｍｌＨｇ以下の条件で
低出力電源を採用することにより、フィルムに何ら損傷
を与えることなく放電処理が可能であシ、更に、放電処
理時間を調節することにより、グラフト量のコントロー
ルが可能であることを見い出し、本発明を完成した。以
下、本発明の詳細な説明する。
本発明の最も特徴的な点は、放電処理に低出力電源を用
いることである。従来、放電処理は出力数瞑という大出
力装置により、また、交流電源使用の場合その周波数は
通常１１５６ ＭＨ２という高周波であった。本発明に
よればこのような大出力の電源を用いる必要はなく、ま
た、周波数も高周波である必要はない。また、１００Ｗ
以下の電源を用いることにより、電波法によって規制さ
れる出力域を避けることが可能である。すなわち、本発
明によれば放電出力として、５′ＷＡｒｌ以下の電源を
用いる。（単位、Ｗβは装置の出力を放電月極盤の面積
で除したものである）。また、電源は直流パルス電源で
も交流電源でも良く、特に交流電源使用の場合には、そ
の周波数は５ ＫＨｚ以下で十分である。このことは出
力と周波数で規制される電波法に関する問題にも触れる
ことなく、実施場所を限定されない点大きな利点と考え
られる。
いることである。従来、放電処理は出力数瞑という大出
力装置により、また、交流電源使用の場合その周波数は
通常１１５６ ＭＨ２という高周波であった。本発明に
よればこのような大出力の電源を用いる必要はなく、ま
た、周波数も高周波である必要はない。また、１００Ｗ
以下の電源を用いることにより、電波法によって規制さ
れる出力域を避けることが可能である。すなわち、本発
明によれば放電出力として、５′ＷＡｒｌ以下の電源を
用いる。（単位、Ｗβは装置の出力を放電月極盤の面積
で除したものである）。また、電源は直流パルス電源で
も交流電源でも良く、特に交流電源使用の場合には、そ
の周波数は５ ＫＨｚ以下で十分である。このことは出
力と周波数で規制される電波法に関する問題にも触れる
ことなく、実施場所を限定されない点大きな利点と考え
られる。
このような電源を用いて高分子材料表面の放電処理をお
こなう場合、系内のガス圧は０．１１１１＃ｌ）（ｇ以
下、ＩＩＬ０１１！ｌｌｌＨｇ以上であることが望まし
い。このことは、−見特開昭５３−１９３８４の中で述
べられている、ガス圧α１ ｍ＋Ｊ（ｇ以下では放電時
に高分子材料表面に荒れが生ずる、という記述に矛盾す
るが、本発明は比較的低出力放電処理をおこなうことに
より、この表面荒れを防ぐことができることを見出した
ことに基づいている。
こなう場合、系内のガス圧は０．１１１１＃ｌ）（ｇ以
下、ＩＩＬ０１１！ｌｌｌＨｇ以上であることが望まし
い。このことは、−見特開昭５３−１９３８４の中で述
べられている、ガス圧α１ ｍ＋Ｊ（ｇ以下では放電時
に高分子材料表面に荒れが生ずる、という記述に矛盾す
るが、本発明は比較的低出力放電処理をおこなうことに
より、この表面荒れを防ぐことができることを見出した
ことに基づいている。
本発明の特徴的な点は、上記条件において放電処理時間
とグラフト量とのあいだに相関性が見い出され、これに
よってグラフト量をコントロールすることが可能である
点にもある。後に実施例にも示すように、本発明の放電
処理条件では、単量体によって異なるが放電時間が１０
５秒以上、１０秒以下の範囲内で、放電処理時間とグラ
フト量のあいだに相関が見い出された。このことは、と
りもなおさず、放電処理時間を適当に増減することＫよ
り、グラフト量のコントロールが可能であることを示す
ものである。
とグラフト量とのあいだに相関性が見い出され、これに
よってグラフト量をコントロールすることが可能である
点にもある。後に実施例にも示すように、本発明の放電
処理条件では、単量体によって異なるが放電時間が１０
５秒以上、１０秒以下の範囲内で、放電処理時間とグラ
フト量のあいだに相関が見い出された。このことは、と
りもなおさず、放電処理時間を適当に増減することＫよ
り、グラフト量のコントロールが可能であることを示す
ものである。
被放電処理高分子材料の形態はシート状が最も適してい
るが、装置を工夫することにより、円筒状、繊維状、粉
末状の形態はもとよシ、比較的表面に凹凸のある複雑な
形状に加工されたものにも適用可能である。
るが、装置を工夫することにより、円筒状、繊維状、粉
末状の形態はもとよシ、比較的表面に凹凸のある複雑な
形状に加工されたものにも適用可能である。
被処理高分子材料としては、低密度ポリエチレン、高密
度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリ塩化
ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体およびその加水
分解物、ポリプロピレン等のビニル重合体、あるいはポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレー
ト、ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン１２等の縮重
合体が適用できる。
度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリ塩化
ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体およびその加水
分解物、ポリプロピレン等のビニル重合体、あるいはポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレー
ト、ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン１２等の縮重
合体が適用できる。
放電処理を施された高分子材料は、酸素を含有する気体
雰囲気に曝されるが、放電雰囲気が空気等の酸素を含む
気体の場合にはその必要はない。
雰囲気に曝されるが、放電雰囲気が空気等の酸素を含む
気体の場合にはその必要はない。
放電処理時の雰囲気は、水素、ヘリウム、アルゴン、窒
素、空気等の非重合性ガスであれば何でも良いが、実用
性を考えると、空気で十分である。
素、空気等の非重合性ガスであれば何でも良いが、実用
性を考えると、空気で十分である。
放電処理された高分子材料は、次に、ラジカル重合可能
な単量体蒸気または、単量体溶液に曝される。単量体溶
液中の単量体は一種類でも多種類でも良い。該単量体溶
液の濃度は任意であるが、実際的には［１１チ〜１００
％、通常はａ１〜２０％（重量）程度でおこなう。
な単量体蒸気または、単量体溶液に曝される。単量体溶
液中の単量体は一種類でも多種類でも良い。該単量体溶
液の濃度は任意であるが、実際的には［１１チ〜１００
％、通常はａ１〜２０％（重量）程度でおこなう。
グラフト反応をおこなう容器内は十分に脱酸素されてい
ることが望ましい。勿論、溶液も可能な限シ脱酸素して
おくことが望ましい。通常は系内を窒素等の不活性ガス
置換するか、あるいは減圧脱気して反応をおこなう。系
内の温度はグラフト重合に供する単量体の重合性によっ
て異なるが、通常は５０°Ｃ〜８０℃でおこなうことが
多く、特に高分子材料内部にまで拡散し易い単量体や、
熱重合を比較的起こし易い単量体を用いる場合には、溶
液内にＦｅ１２等の還元剤を加え、５０゛Ｃ以下で重合
をおこなうこともある。
ることが望ましい。勿論、溶液も可能な限シ脱酸素して
おくことが望ましい。通常は系内を窒素等の不活性ガス
置換するか、あるいは減圧脱気して反応をおこなう。系
内の温度はグラフト重合に供する単量体の重合性によっ
て異なるが、通常は５０°Ｃ〜８０℃でおこなうことが
多く、特に高分子材料内部にまで拡散し易い単量体や、
熱重合を比較的起こし易い単量体を用いる場合には、溶
液内にＦｅ１２等の還元剤を加え、５０゛Ｃ以下で重合
をおこなうこともある。
グラフト重合時間は単量体の重合性によるが実際には、
３分〜１０時間のあいだでおこなう。
３分〜１０時間のあいだでおこなう。
本発明でグラフト重合に供する単量体は、ラジカル重合
可能な単量体であればよく、例えばアクリル酸やアクリ
ル酸メチル等のアクリル酸エステル類、アクリルアミド
や、２−アクリルアミド。
可能な単量体であればよく、例えばアクリル酸やアクリ
ル酸メチル等のアクリル酸エステル類、アクリルアミド
や、２−アクリルアミド。
２−メチルプロパンスルフォン酸等のアクリルアミド誘
導体、スチレンやスチレンスルフオン酸ソーダ等のスチ
レン誘導体等、その目的に応じて選択できる。
導体、スチレンやスチレンスルフオン酸ソーダ等のスチ
レン誘導体等、その目的に応じて選択できる。
本発明によれば高分子材料表面の放電処理において、そ
の減圧度が大きく、装置的厳密性を必要とするという、
不利な点はあるものの、その利点として、（１）放電用
電源が低出力の故に電力費が低い、（２）主として、空
気中放電を利用するために、放電雰囲気の脱酸素の必要
がない、（３）放電処理時間を調節することによル、グ
ラフト量を自由にコントロールすることができる、等が
ある。
の減圧度が大きく、装置的厳密性を必要とするという、
不利な点はあるものの、その利点として、（１）放電用
電源が低出力の故に電力費が低い、（２）主として、空
気中放電を利用するために、放電雰囲気の脱酸素の必要
がない、（３）放電処理時間を調節することによル、グ
ラフト量を自由にコントロールすることができる、等が
ある。
本発明によル、例えば疎水性フィルム表面の水濡れ性の
改良、あるいは表面導電性付与による帯電防止等が可能
となる。また、本発明によるグラフト化された表面は、
通常のブレンド法と異なシ、グラフト層が高分子材料と
共有結合していることから、その耐久性は極めて優れた
ものとなる。
改良、あるいは表面導電性付与による帯電防止等が可能
となる。また、本発明によるグラフト化された表面は、
通常のブレンド法と異なシ、グラフト層が高分子材料と
共有結合していることから、その耐久性は極めて優れた
ものとなる。
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例１
高密度ポリエチレンフィルム（Ｆｌ約５０μｍ）片を、
メタノールを用い、ソックスレー抽出器によ９約２０時
間洗浄し、その後真空で約５時間乾燥し、試料とした。
メタノールを用い、ソックスレー抽出器によ９約２０時
間洗浄し、その後真空で約５時間乾燥し、試料とした。
これらのフィルム片をプラズマ照射装置（島津製作所製
ＬＯＶＤ−１２型）により５ ＫＨｚの周波数にてア
ルゴンプラズマ処理を施した。系内の圧力は［１０３〜
０．０５ 韻Ｈｇ、 フルボンガスの流ｊｊｋは２０
ｃｃ ７分であり、出力分、４分であった。これらのフ
ィルム片を空気中に取り出し、１０重重量子クリルアミ
ド水溶液中に浸漬し、系内をＮ、ガス置換後、封管した
。グラフト重合は、封管のまま、５０°Ｃで２時間おこ
ない、重合終了後、封管より取り出し、ホモ重合体を水
洗により取り除いた後、減圧乾燥した。
ＬＯＶＤ−１２型）により５ ＫＨｚの周波数にてア
ルゴンプラズマ処理を施した。系内の圧力は［１０３〜
０．０５ 韻Ｈｇ、 フルボンガスの流ｊｊｋは２０
ｃｃ ７分であり、出力分、４分であった。これらのフ
ィルム片を空気中に取り出し、１０重重量子クリルアミ
ド水溶液中に浸漬し、系内をＮ、ガス置換後、封管した
。グラフト重合は、封管のまま、５０°Ｃで２時間おこ
ない、重合終了後、封管より取り出し、ホモ重合体を水
洗により取り除いた後、減圧乾燥した。
グラフトしたアクリルアミドの定量は以下の様におこな
った。
った。
先ず、２．５規定の塩酸中にグラフト化ポリエチレンフ
ィルムを浸Ｉ管、グラフトしたポリアクリルアミドを加
水分解後、該分解液中に一定量のニンヒドリンを加えて
発色させ、比色法によって分解液中の−ＮＨ８基を定量
した。結果を次表に示す。
ィルムを浸Ｉ管、グラフトしたポリアクリルアミドを加
水分解後、該分解液中に一定量のニンヒドリンを加えて
発色させ、比色法によって分解液中の−ＮＨ８基を定量
した。結果を次表に示す。
１５秒以上のプラズマ処理ではほとんどグラフトしてい
ない。
ない。
また、プラズマ処理時間が５秒のものは濡れた状態で手
で触れると、ヌルヌルし、明らかに、他のフィルム片と
は異なっていた。
で触れると、ヌルヌルし、明らかに、他のフィルム片と
は異なっていた。
実施例２
ポリプロピレンフィルム（厚さ約３０μｍ）を−昼夜、
アセトン中に浸漬し、これを減圧乾燥して試料とした。
アセトン中に浸漬し、これを減圧乾燥して試料とした。
このフィルムをイオンクリーナー（英米社製）により、
空気中で放電処理した。放電出力ＣＬ ２４ 欧鍼圧力
α０５順Ｈｇのであジ、装置の周波数は６０ Ｈ２であ
った。８枚のフィルム片を各々放電時間を変えて処理し
、その後、濃度ａ５ｍｏｌ／ｌのスチレンスルフオン酸
ソーダ水溶液中に浸漬し、脱気封管後７０°Ｃで２時間
グラフト重合した。これらのフィルムは重合終了後、封
管より取シ出し、よく水洗して減圧乾燥した。
空気中で放電処理した。放電出力ＣＬ ２４ 欧鍼圧力
α０５順Ｈｇのであジ、装置の周波数は６０ Ｈ２であ
った。８枚のフィルム片を各々放電時間を変えて処理し
、その後、濃度ａ５ｍｏｌ／ｌのスチレンスルフオン酸
ソーダ水溶液中に浸漬し、脱気封管後７０°Ｃで２時間
グラフト重合した。これらのフィルムは重合終了後、封
管より取シ出し、よく水洗して減圧乾燥した。
グラフト量の定量は滴定によった。結果を次表に示す。
得られたグラフト化フィルムの表面電気抵抗を次表に示
す。
す。
特許出願人 東洋曹達工業株式会社
手続補正書
昭和５８年 ３月３０日
特許庁長官 若 杉 和 夫 殿
１事件の表示
昭和５７年特許願第 １８９１７０号
２発明の名称
表面改質方法
３補正をする者
代表者 森 嶋 東 三
４補正命令の日付
自 発
５補正により増加する発明の数 ０
６補正の対象
明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の欄
７補正の内容
（１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおシに補
正する。
正する。
（２） 明細書第１２頁５〜６行の記述を次の様に訂
正する。
正する。
（英米社製）によ）、圧力０．０５ ａｓＨｇの空気中
で放電処理した。放電出力は（Ｌ ２４ ｗＡ！であり
、装置 ２、特許請求の範囲 １、 高分子材料表面を放電処理した後、該高分子材料
表面に重合性単量体をグラフト重合せしめるととＫより
高分子材料表面を改質する手法において、雰囲気の圧力
１１１１１１ＴＩｇ以下Ｑ、 ０１ 龍Ｈｇ以上、出力
５シ保以下Ｑ、 ０１ ｗ／ｄ以上の装置で放電処理を
行うことを特徴とする表面改質方法。
で放電処理した。放電出力は（Ｌ ２４ ｗＡ！であり
、装置 ２、特許請求の範囲 １、 高分子材料表面を放電処理した後、該高分子材料
表面に重合性単量体をグラフト重合せしめるととＫより
高分子材料表面を改質する手法において、雰囲気の圧力
１１１１１１ＴＩｇ以下Ｑ、 ０１ 龍Ｈｇ以上、出力
５シ保以下Ｑ、 ０１ ｗ／ｄ以上の装置で放電処理を
行うことを特徴とする表面改質方法。
２ 放電処理の雰囲気が酸素を含有する気体である特許
請求の範囲第１項記載の表面改質方法。
請求の範囲第１項記載の表面改質方法。
＆ 放電処理の雰囲気が空気である特許請求の範囲第１
項記載の表面改質方法。
項記載の表面改質方法。
４、放電処理の雰囲気がアルゴン、クリプトン等の不活
性ガスであ如、放電処理後、被処理高分子材料を酸素を
含む気体に曝す特許請求の範囲第１項記載の表面改質方
法。
性ガスであ如、放電処理後、被処理高分子材料を酸素を
含む気体に曝す特許請求の範囲第１項記載の表面改質方
法。
ｉ 放電処理に１Ｗβ以下ＣＬ ０１ Ｗ７ｆｍ以上の
出力の交流あるいは直流電源を用いる特許請求の範囲第
１項記載の表面改質方法。
出力の交流あるいは直流電源を用いる特許請求の範囲第
１項記載の表面改質方法。
＆ 放電処理に周波数が５０ Ｈｚ以上５ ＫＨｚ以下
の交流電源を用いる特許請求の範囲第１〜５項のいづれ
かに記載の表面改質方法。
の交流電源を用いる特許請求の範囲第１〜５項のいづれ
かに記載の表面改質方法。
ｌ 放電処理が（１０５秒以上１０秒以下の範囲内で行
われる特許請求の範囲第１〜６項のいづれかに記載の表
面改質方法。
われる特許請求の範囲第１〜６項のいづれかに記載の表
面改質方法。
手続補正書（方式）
％式％
１事件の表示
昭和５７年特許願第１８９１７０ 号２発明の名称
表面改質方法
３補正をする者
代表者 森 嶋 東 三
４補正命令の日付
昭和５８年２月２日（発送日 昭和５８年２月２２日）
５補正により増加する発明の数 Ａ ６補正の対象 願書の発明者の欄および明細書 タト国人各Ｅ録う百家Ｌｓｆ４＠％よｔｌを枚う良を正
ｊ１７補正の内容 （１）発明者、朴 東旭の居所 別紙訂正願書の通シ（外国人登録済証明書添付） Ｃｔ
ｌ ｌｊ ｔＬ省漆４ｑ ）Ｑ）明細書の浄書（内容に
変更なし） ３６４−
５補正により増加する発明の数 Ａ ６補正の対象 願書の発明者の欄および明細書 タト国人各Ｅ録う百家Ｌｓｆ４＠％よｔｌを枚う良を正
ｊ１７補正の内容 （１）発明者、朴 東旭の居所 別紙訂正願書の通シ（外国人登録済証明書添付） Ｃｔ
ｌ ｌｊ ｔＬ省漆４ｑ ）Ｑ）明細書の浄書（内容に
変更なし） ３６４−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 高分子材料表面を放電処理した後、該高分子材料
表面に重合性単量体をグラフト重合せしめることにより
高分子材料表面を改質する手法において、雰囲気の圧力
ＣＬ １１＋ｌｌｌＨｇ以下［１１０１１ＩＩＩＨ以上
、出力５を保以下０．０１ 殿侃以上で放電処理を行う
ことを特徴とする表面改質方法。 λ 放電処理の雰囲気が酸素を含有する気体である特許
請求の範囲第１項記載の表面数！方法。 五 放電処理の雰囲気が空気である特許請求の範囲第１
項記載の表面改質方法。 ４、放電処理の雰囲気がアルゴン、クリプトン等の不活
性ガスであり、放電処理後、被処理高分子材料を酸素を
含む気体に曝す特許請求の範囲第１項記載の表面改質方
法。 １ 放電処理に１Ｗβ以下α０１Ｗβ以上の出力の交流
あるいは直流電源を用いる特許請求の範囲第１項記載の
表面改質方法。 ＆ 放電処理に周波数が５０ Ｈ２以上５ ＫＩ（Ｚ以
下の交流電源を用いる特許請求の範囲第１〜５項のいづ
れかに記載の表面改質方法。 ｌ 放電処理が［１０５秒以上１０秒以下の範囲内で行
われる特許請求の範囲第１〜６項のいづれかに記載の表
面改質方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18917082A JPH0229094B2 (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | Hyomenkaishitsuhoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18917082A JPH0229094B2 (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | Hyomenkaishitsuhoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980443A true JPS5980443A (ja) | 1984-05-09 |
| JPH0229094B2 JPH0229094B2 (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=16236641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18917082A Expired - Lifetime JPH0229094B2 (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | Hyomenkaishitsuhoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0229094B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016378A1 (en) * | 1990-04-20 | 1991-10-31 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Cell growth substrates |
| JP2001229936A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 電解質膜およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP18917082A patent/JPH0229094B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016378A1 (en) * | 1990-04-20 | 1991-10-31 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Cell growth substrates |
| AU654131B2 (en) * | 1990-04-20 | 1994-10-27 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Cell growth substrates |
| JP2001229936A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 電解質膜およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0229094B2 (ja) | 1990-06-27 |
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