JPS5979574A - 静電誘導型トランジスタ - Google Patents

静電誘導型トランジスタ

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JPS5979574A
JPS5979574A JP19019582A JP19019582A JPS5979574A JP S5979574 A JPS5979574 A JP S5979574A JP 19019582 A JP19019582 A JP 19019582A JP 19019582 A JP19019582 A JP 19019582A JP S5979574 A JPS5979574 A JP S5979574A
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JP
Japan
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type
sit
channel
layer
channel width
Prior art date
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Pending
Application number
JP19019582A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Yamanaka
英二 山中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tohoku Metal Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tohoku Metal Industries Ltd filed Critical Tohoku Metal Industries Ltd
Priority to JP19019582A priority Critical patent/JPS5979574A/ja
Publication of JPS5979574A publication Critical patent/JPS5979574A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/7722Field effect transistors using static field induced regions, e.g. SIT, PBT
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices
    • H01L29/72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は静電誘導型トランジスタ(StaticInd
uction Transistor ;以下SITと
略称する)に関するものである。
近年、バイポーラトランジスタ(以下BPTと略称する
)の周波数特性の限界や駆動電力が大きいこと、更には
熱的不安定性等の問題を補う観点からSITが脚光をあ
びてきていることば周知の通りである。しかし、ケート
バイアスが零の状態でドレイン電流が流れる所謂ノーマ
リオン型のSITは、内部抵抗RDが大きく、この点で
BPTよりも劣るという唯一の欠点があった。
本発明の目的は、従来のノーマリオン型SITよりも内
部抵抗Rnの小さなSITを提供することにある。
以下9本発明について9図面を参照しながら説明する。
第1図は通常の埋込みケート構造型SITの断面略図で
あり、第2図は周波数特性を更に改良した通常の切込ゲ
ート構造型SITの断面略図である。又、第6図は同様
に改良された通常の表面配線型SITの断面略図である
。第1図〜第6図に於て、1はドレインオーミック層と
なるN+シリコン基板、2はNドレイン層、4及び4′
はP ゲート領域、5はNノース層、6はN ンースオ
ーミンク層である。いずれのケート構造のSITに於て
も、電気的特性を決めるのはチャンネル部Aであり、チ
ャンネル部Aの不純物密度Ndとチャンネル部Aの幅W
とチャンネル部Aの長さLとによって特性は支配される
第4図及び第5図は各々、第1図及び第2図のチャンネ
ル部Aの拡大図である。埋込みケート構造の場合を示す
第4図に於ては通常、チャンネル長さしは5〜8μmの
値がとられる。又。
チャンネル幅WはN ドレイン層2の不純物密度Ndが
5X1.[) l  の場合で5μm以上に設定される
一方、切込みケート構造の場合を示す第5図表 に於ては、チャンネル@Lは通常1〜4μmに選ばれ、
チャンネル幅WidN  ドレイン層2の不純物密度N
dが5×10儂 の場合で5μm以上に設定される。
以上の如き通常9ノーマリオン型SITの場合。
ケートの構造いかんにかかわらず、チャンネル内の空乏
層はケートバイアス■。が零の時、対向する両側のケー
ト端からせり出す各々の空乏層の端が丁度液する一ジャ
ストピンチオフ状態、又はわずかに空乏層端が重なり合
う状態に作られるのが普通である。この場合、ドレイン
電流工。
は流れ、そのドレイン電流IDとドレイン電圧vSDと
の関係゛はケートバイアスVGをパラメ、−りにとると
、第6図に示す様になる。
一方、丙ヤンネル幅Wを更に狭くして(又はチャンネル
幅Wを一定にして、チャンネル部の不純物密度を小さく
して)、対向ケート間の空乏層がケートバイアスVGが
零の時、犬きく重なり合う様に作ることにより、  S
ITは零ゲート/(イアス時に、ドレイン電流が流れな
い所謂ノーマリオフ型になる。第7図にその電流■D−
電圧v8D特性を示す。
第6図のノーマリオン型と第7図のノーマリオ、)型と
の1゜−VDS特性で着目すべき点は、前者が電流不飽
和性で後者が電流飽和性の特徴を示すことの他に、内部
抵抗RD(又はR8n)の値が前者に比べ後者が一桁以
上小さいという点である。
本発明は、ノーマリオン型がノーマリオン型よシも内部
抵抗が小さいという事実に着目して。
ケート構造が埋込みケート構造であろうと、切込みケ−
1・構造であろうと9表面配線ケート構造であろうと、
チャンネル部構造が、零ゲートバイアス時にノーマリオ
ン特性を示す第1のチャンネル部と零ケートバイアス時
にノーマリオフ特性を示す第2のチャンネル部との両方
を兼ね備えていることを特徴とするSITを得たもので
、これによって従来のノーマリオン型SIT、よりも小
さい内部抵抗を得たものである。
第8図は本発明の一実施例に係るSITについて示した
ものであり、チャンネル部を除けば第1図に示した従来
型埋込ゲート構造SITとほとんど同じである。チャン
ネル部は図中Bて示した様なノーマリオン特性を実現す
る様なチへ・ンネル幅の第1のチャンネル部分と2図中
Cで示した様なノーマリオフ特性を実現する様な狭いチ
ャンネル幅の第2のチャンネル部分とが同一素子内に同
時に埋込1れておシ、これが従来のSITと異なる点で
ある。第8図の如きSITを作る工程としては、以下の
点を除くと、従来とほとんと同じである。即ち、ケート
形成時の選択拡散用のマスクとして、ストライブ形状又
はメツシー形状のマスク乾板のパターンサイズが。
従来一定ピツチのものを用いていたのを2本発明に於て
は狭いピンチと広いピッチとの二種類が適当に混在する
様なマスク乾板を使用することによって4行なわれる。
具体的には、N ドレインオーミック層1の上にN ド
レイン層2を気相成長によって形成し、酸化の後、ゲー
ト選択拡散用マスク処理(上述の二種ピッチ乾板を使用
)を経て、P ゲート選択拡散、更にNソース層5を気
相成長により形成し、P′ケート層4を埋込む。その後
、ゲート電極4′を選択エツチングしT−tU 出L 
t N  ンースオーミノク層6を選択拡散で施すとい
うものである。実施に当ってばNドした。又Pゲート4
の拡散は表面密度NSが2〜3X10 (m  とした
。 更にケートの選択拡散用マスクには、遮光線幅が2
μmで透明部幅が15μmの17μmピッチの部分と、
遮光線幅は211mと同じで透明部幅が12μmの14
μmピンチの部分とが、2:1の割合で周期的にくり返
される様なものを用いた。結果として、第8図に示さレ
ルチャンネルBE対応する幅は5μm、チャン得られた
第9図に第8図のチャンネル構造を持っSITの■。−
■Ds特性を示す。第8図の特性を、第6図の従来型S
ITの特性と比較すれば、明らかなように、ケートバイ
アスvGを+〇、7Vまで印加した時、内部抵抗RD値
が約−桁小さく改善されている。結局9本発明の構造の
SITの場合。
その動作機構は、ケートバイアス零の時、第8図のチャ
ンネルBに対応する広いチャンネル幅の部分がチャンネ
ルとして働きノーマリオン形状を示す。そし丁ダートバ
イアスを負に印加した場合、従来型と全く同様の■。−
■Ds特性を示す。更にゲートバイアスを正に印加する
領域では、第8図のCに対応する狭いチャンネル幅の部
分がチャンネルとしてもっばら働き9通常のノーマリオ
フ型SITと同様、極めて小さ゛な内部抵抗値を実現す
るのである。
以上の様に同一素子内に同時に二種類の幅のチャンネル
を形成するという本発明の構造を採ることにより、従来
型ノーマリオンSITの唯一の欠点であった内部抵抗の
問題が著しく改善される。
尚、上記実施例に於ては埋込みゲート構造の場合に関し
てのみ示したが1本発明が切込みケート構造(第2図)
にも表面配線構造(第5図)にも適用可能であることは
言う壕でもない。
尚、参考までにノーマリオンとノーマリオフとを区別す
るチャンネル幅とチャンネルの不純物密度(通常ドレイ
ンN層の不純物密度に一致)NchあるいはNdとの関
係を第10図に実用的範囲で示しておく。第10図より
ノーマリオンとノーマリオフとが実現される条件を読み
取って。
本発明に従って二種類以上の異なったチャンネル幅を有
するところのSITを製造することにより、低内部抵抗
化が可能となる。又ノーマリオンを特性づけるチャンネ
ル幅の領域とノーマリオフを特性づけるチャンネル幅の
領域上の混在比率も9本実施例では2:1としたが、必
ずしもこの比率に限るものではなく、要求される特性に
最も適合した比率を選ぶへきであることは当然のことで
ある。
別に示した断面概略図で、第1図は埋込みケート構造、
第2図は切込みケート構造、第6図は表面配線ケート構
造を示す。第4図は第1図のチャンネル近傍の拡大図、
第5図は第2図のチャンネル近傍の拡大図を示す。第6
図は通常のノーマリオン型SITの電流電圧特性を示す
図。
第7図は通常のノーマリオフ型SITの電流電圧特性を
示す図である。第8図は本発明の一実施例に係るSIT
の断面概略図を示し12図中B、Cは幅の異なる二種類
のチャンネルを表わす。第9図は第8図のSITの電流
電圧特性を示す図である。第10図はノーマリオン型S
ITとノーマリオフ型SITとを境界づけるチャンネル
幅と不純物密度との関係を示した図である。
1・・・N 7リコ/基板(N トレインオーミック層
)、2・・・N トレイン層、4.4’・・P ケート
層。
5・・・Nノース層、6・・・N ソースオーミック層
范1図 宅2図 第6図 ドルイン電圧Vso(V) ドルイン電圧Vso(V) 范8図 児9図 tS゛レイン電几VsoCV) 宅10図 チャンネル幅W(p、祠

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. t 零’j−)バイアス時にノーマリオン特性を示す第
    1のチャンネル部と、零ゲートバイアス時にノーマリオ
    フ特旨を示す第2のチャンネル部とを備えたチャンネル
    構造を有することを特徴とする静電誘導型トランジスタ
JP19019582A 1982-10-29 1982-10-29 静電誘導型トランジスタ Pending JPS5979574A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0568269A2 (en) * 1992-04-28 1993-11-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Diode and method for manufacturing the same
US5391897A (en) * 1992-09-16 1995-02-21 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Status induction semiconductor device

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JPS4884577A (ja) * 1972-02-12 1973-11-09

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