JPS5979562A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5979562A JPS5979562A JP57188967A JP18896782A JPS5979562A JP S5979562 A JPS5979562 A JP S5979562A JP 57188967 A JP57188967 A JP 57188967A JP 18896782 A JP18896782 A JP 18896782A JP S5979562 A JPS5979562 A JP S5979562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- resin
- leads
- subassembly
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は樹脂モールド型の半導体装置に係り、特に全波
整流回路を有する半導体装置に関するものである。
整流回路を有する半導体装置に関するものである。
例えば、４個のダイオードペレットを用い、全波整流回
路を構成させた従来の樹脂モールド型の半導体装置とし
て、第１図、第２図に示す２種類の形状がある。
路を構成させた従来の樹脂モールド型の半導体装置とし
て、第１図、第２図に示す２種類の形状がある。
第１図に示すものは、４個の長方形の導電材１ａ〜１ｄ
を井字状に組み、それらの交差部に４個のダイオードペ
レット２ａ〜２ｄをろう付し、各導電材１ａ−１ｄの一
端部からリード３８〜３ｄを引き立てたサブアセンブリ
４を略菱形のケース５の凹部内に納め、エポキシ樹脂等
のモールド樹脂を注型硬化させたものである。ケース５
には、放熱面積を向上さぜるため、空間５ａ〜５ｄが設
けられており、モールド樹脂はサブアセンブリ４が収納
された空間５ｅ内に各リードが露出する形で、ケース５
の開口端部まで注型硬化されている。向、モールド樹脂
は第１図では省略している。また、導電材１ａ〜１ｄは
リード３ａ〜３ｄと一体物から成型により加工されたも
のである場合もある。
を井字状に組み、それらの交差部に４個のダイオードペ
レット２ａ〜２ｄをろう付し、各導電材１ａ−１ｄの一
端部からリード３８〜３ｄを引き立てたサブアセンブリ
４を略菱形のケース５の凹部内に納め、エポキシ樹脂等
のモールド樹脂を注型硬化させたものである。ケース５
には、放熱面積を向上さぜるため、空間５ａ〜５ｄが設
けられており、モールド樹脂はサブアセンブリ４が収納
された空間５ｅ内に各リードが露出する形で、ケース５
の開口端部まで注型硬化されている。向、モールド樹脂
は第１図では省略している。また、導電材１ａ〜１ｄは
リード３ａ〜３ｄと一体物から成型により加工されたも
のである場合もある。
第２図に示すものは、Ｌ字状の４個の導電材１１ａ〜１
１ｄを口字状に組み、それらの交差部に４個のダイオー
ドペレット１２ａ〜１２ｄをろう付し、各導電材１１ａ
〜１１ｄの折れ曲り部からリード１３ａ〜１３ｄを引き
立てたサブアセンブリ１４を略方形のケース１５に納め
、エポキシ樹脂等のモールド樹脂を同様に注顧硬化させ
たものである。尚、第１図の場合と同様、モールド樹脂
は省略されている。
１ｄを口字状に組み、それらの交差部に４個のダイオー
ドペレット１２ａ〜１２ｄをろう付し、各導電材１１ａ
〜１１ｄの折れ曲り部からリード１３ａ〜１３ｄを引き
立てたサブアセンブリ１４を略方形のケース１５に納め
、エポキシ樹脂等のモールド樹脂を同様に注顧硬化させ
たものである。尚、第１図の場合と同様、モールド樹脂
は省略されている。
第１図に示すものは、各ダイオードペレット１２ａ〜１
２ｄ相互間の距離が短かく、従って、モールド樹脂が注
屋硬化する時や、温度サイクルが加わった時に、尋電材
１ａ〜１ｄとモールド樹脂の熱収縮の差によって、各ダ
イオードベレット１８〜１ｄに加わる熱応力が小さいが
、リード３ａ”３”の引き立てられている位置がケース
５の各辺の中火部であるだめ、ケース５が大きい問題が
あつた。
２ｄ相互間の距離が短かく、従って、モールド樹脂が注
屋硬化する時や、温度サイクルが加わった時に、尋電材
１ａ〜１ｄとモールド樹脂の熱収縮の差によって、各ダ
イオードベレット１８〜１ｄに加わる熱応力が小さいが
、リード３ａ”３”の引き立てられている位置がケース
５の各辺の中火部であるだめ、ケース５が大きい問題が
あつた。
これに対し、第２図に示すものは、リード１３ａ〜１３
ｄの引き立てられている位置がケース１５の角部である
ためケース１５は小さくて済むが、各ダイオードペレツ
ト１２ａ〜１２ｄ間の距離が長く、各ダイオードペレッ
ト１２ａ〜１２ｄに加わる熱応力が大きくなる問題があ
った。
ｄの引き立てられている位置がケース１５の角部である
ためケース１５は小さくて済むが、各ダイオードペレツ
ト１２ａ〜１２ｄ間の距離が長く、各ダイオードペレッ
ト１２ａ〜１２ｄに加わる熱応力が大きくなる問題があ
った。
従って、本発明の目的は、装置全体が小型で、しかも、
ダイオードペレットに加わる熱応力が小さく、．特性が
安定で信頼性の高い樹脂モールド型の半導体装置を提供
することにある。
ダイオードペレットに加わる熱応力が小さく、．特性が
安定で信頼性の高い樹脂モールド型の半導体装置を提供
することにある。
本発明の特徴とするところは、第１図に示すようなザブ
アセンブリをそのリードの引き立て位置が第２図に示す
ようなケースの角部にあるように納めて樹脂モールドす
ることにある。
アセンブリをそのリードの引き立て位置が第２図に示す
ようなケースの角部にあるように納めて樹脂モールドす
ることにある。
以下、本発明を一実施例を示す第３図によ＃）説明する
。
。
第３図において、２４は第１図に示したサブアセンブリ
４と同様、導電材２１ａ〜２１ｄを井字状に絹み、それ
らの交差部に４個のダイオードベレント２２ａ〜２２ｄ
をろう付し、各導電材２１》ａ〜２１ｄの一端部からリ
ード２３ａ〜２３ｄを引き立てだサブアセンブリである
。このサブアセンブリ２４は、各リード２３ａ〜２３ｄ
が第２図に示したケース１５と同様な略方形のケース２
５の角部に位匝するように納められている。従って、図
示するように、サブアセンブリ２４とケース２５Ｑ」、
それらの平面的な縦軸および横軸方向かある角仄をもっ
て配置された形となっている。そして、図示していない
が、サブ，アセンブリ２４が納められた後、ケース２５
内にエポキシ樹脂等のモールド｛νＩ脂が注型硬化され
る。
４と同様、導電材２１ａ〜２１ｄを井字状に絹み、それ
らの交差部に４個のダイオードベレント２２ａ〜２２ｄ
をろう付し、各導電材２１》ａ〜２１ｄの一端部からリ
ード２３ａ〜２３ｄを引き立てだサブアセンブリである
。このサブアセンブリ２４は、各リード２３ａ〜２３ｄ
が第２図に示したケース１５と同様な略方形のケース２
５の角部に位匝するように納められている。従って、図
示するように、サブアセンブリ２４とケース２５Ｑ」、
それらの平面的な縦軸および横軸方向かある角仄をもっ
て配置された形となっている。そして、図示していない
が、サブ，アセンブリ２４が納められた後、ケース２５
内にエポキシ樹脂等のモールド｛νＩ脂が注型硬化され
る。
ケース２５には、サブアセンブリ２４の位置決めのため
に、内壁部にサブアセンブリ２４が納められる形に沿っ
て突出部２５ａ〜２５ｄが設けられでいる。そして、各
突阻部．２５ａ〜２５ｄの頂部には、サブアセンブリ２
４の収納を容易に，するだめ、傾斜面２５６〜２５ｈが
設けられている。
に、内壁部にサブアセンブリ２４が納められる形に沿っ
て突出部２５ａ〜２５ｄが設けられでいる。そして、各
突阻部．２５ａ〜２５ｄの頂部には、サブアセンブリ２
４の収納を容易に，するだめ、傾斜面２５６〜２５ｈが
設けられている。
傾斜面２５ｅ〜２５ｈはケース２５の頂面よシ少し降っ
た位置から始まる。この形状を第４図が示している喘従
って、サブアセンブリ２４がケース２５の開口頂面に持
ってこられ、落下されても、各突出部２５ａ〜２５ｄ，
傾斜面２５ｅ〜２５１１の存在によシ、サブアセンブリ
２４は、第３図に示すような所定位置に自動的に納って
しまう。
た位置から始まる。この形状を第４図が示している喘従
って、サブアセンブリ２４がケース２５の開口頂面に持
ってこられ、落下されても、各突出部２５ａ〜２５ｄ，
傾斜面２５ｅ〜２５１１の存在によシ、サブアセンブリ
２４は、第３図に示すような所定位置に自動的に納って
しまう。
各ダイオードベレント２２ａ〜２２ｄは前もってパシベ
ーション処理を施しておいてもよいし、ケース２５内に
納めてからシリコーンゴム等を注型して処で■シてもよ
い。
ーション処理を施しておいてもよいし、ケース２５内に
納めてからシリコーンゴム等を注型して処で■シてもよ
い。
サブアセンブリ２４は、ケース２５に接触しないように
配１坑させることが望ましい。その理由は、外気からケ
ース２５とモールド樹脂の界面を通して各ダイオードベ
レント’２２ａ〜２２ｄに至る経路を長くして、湿気の
侵入をできるだけ阻止し、電気的特性の劣下を起さない
ようにすることにある。各突出部２５ａ〜２５ｄに設け
られた傾斜面２５６〜，２５ｈは、上記経路を長くする
ことにおいても有効である。
配１坑させることが望ましい。その理由は、外気からケ
ース２５とモールド樹脂の界面を通して各ダイオードベ
レント’２２ａ〜２２ｄに至る経路を長くして、湿気の
侵入をできるだけ阻止し、電気的特性の劣下を起さない
ようにすることにある。各突出部２５ａ〜２５ｄに設け
られた傾斜面２５６〜，２５ｈは、上記経路を長くする
ことにおいても有効である。
ケース２５の内底部にセラミック等の無機絶縁材を設け
ておいて、サブアセンブリ２４をその上に固着してもさ
しつかえない。
ておいて、サブアセンブリ２４をその上に固着してもさ
しつかえない。
また、ダイオードペレットに係らず、サイリスタペレッ
ト等他のペレットも利用できる。
ト等他のペレットも利用できる。
以上の構成を持つ本発明装置では、サブアセンブリ２４
が井字状であるため、各ダイオードペレツト２２；１〜
２２ｄ間の距離は短く、従つて、各ダイオードペレツト
２２ａ〜２２ｄに加わる熱応力は小さく、装置の信頼性
は高い。また、リード２３ａ〜２３ｄが、ケース２５の
角部に位置するため、装置全体は小型である。
が井字状であるため、各ダイオードペレツト２２；１〜
２２ｄ間の距離は短く、従つて、各ダイオードペレツト
２２ａ〜２２ｄに加わる熱応力は小さく、装置の信頼性
は高い。また、リード２３ａ〜２３ｄが、ケース２５の
角部に位置するため、装置全体は小型である。
以上説明したように、本元明によれば、装置全体が小型
で、特性が安定で信頼性の高い樹脂モールド型の半導体
装置を得ることができる。
で、特性が安定で信頼性の高い樹脂モールド型の半導体
装置を得ることができる。
第１図、第２図はそれぞれ従来の半導体装置をモールド
樹脂を省略して示す上面図、第３図は本発明の一実痛例
をモールド樹脂を省略して示す上面図、第４図は第３図
に示すケースをＡ−Ａ切断線に沿って示す断面図である
。 ２１ａ〜２１ｄ−導電材、２２ｐ〜２２ｄ−ダイオード
ペレット、２３ａ〜２３ｄ・・・リード、２４・・・サ
ンアセンブリ、２５・・・ケース、２５３〜２５ｄ・・
・突出部、２５ｅ〜２５ｈ・・・傾斜面。
樹脂を省略して示す上面図、第３図は本発明の一実痛例
をモールド樹脂を省略して示す上面図、第４図は第３図
に示すケースをＡ−Ａ切断線に沿って示す断面図である
。 ２１ａ〜２１ｄ−導電材、２２ｐ〜２２ｄ−ダイオード
ペレット、２３ａ〜２３ｄ・・・リード、２４・・・サ
ンアセンブリ、２５・・・ケース、２５３〜２５ｄ・・
・突出部、２５ｅ〜２５ｈ・・・傾斜面。
Claims (1)
- １．４個の導電材を井字状に組み、それらの交差部に半
導体ペレットをろう付し、各導電材の一端部から同一方
向にリードを引き立ててなるサブアセンブリをケースの
凹部内に収納し、該凹部内にモールド樹脂を各リードが
露出するように注型硬化さぜた半導体装置において、ケ
ースは略方形であり、ケースの角部にリードが引き立て
られていることを特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項にいて、サブアセンブリとク
ースの平面的な縦軸および横軸方向はそれぞハある角度
をもっており、ケース内壁には、サブアセンブリの形に
沿って突出部が設けられ、突出部のケース開口端部側に
は傾斜面が設けられていることを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188967A JPS5979562A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57188967A JPS5979562A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979562A true JPS5979562A (ja) | 1984-05-08 |
Family
ID=16233059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57188967A Pending JPS5979562A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979562A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3249684A1 (en) * | 2016-05-23 | 2017-11-29 | Delta Electronics, Inc. | Power module |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57121257A (en) * | 1981-01-21 | 1982-07-28 | Hitachi Ltd | Resin-molded semiconductor device |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57188967A patent/JPS5979562A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57121257A (en) * | 1981-01-21 | 1982-07-28 | Hitachi Ltd | Resin-molded semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3249684A1 (en) * | 2016-05-23 | 2017-11-29 | Delta Electronics, Inc. | Power module |
| US10136545B2 (en) | 2016-05-23 | 2018-11-20 | Delta Electronics, Inc. | Power module |
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