JPS5976687A - レ−ザ切断方法 - Google Patents
レ−ザ切断方法Info
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- JPS5976687A JPS5976687A JP57184644A JP18464482A JPS5976687A JP S5976687 A JPS5976687 A JP S5976687A JP 57184644 A JP57184644 A JP 57184644A JP 18464482 A JP18464482 A JP 18464482A JP S5976687 A JPS5976687 A JP S5976687A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/22—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising
- B28D1/221—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising by thermic methods
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/30—Organic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はダイヤモンドまたはダイヤモンドに近接する硬
さをもつ材料を対象としたレーザ切断方法に関する。
さをもつ材料を対象としたレーザ切断方法に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕レーザ光は各種
の材料の切断加工に適用されているが、近年ダイヤモン
ドに対しても適用が試みられている。第１図はダイヤモ
ンドに対する一般的なレーザ切断の例を示すもので、ダ
イヤモンド（１） Ｋ 集−１，レンズ（２）で集束さ
れた波長が１μｍ近くのレーザ光（３）を照射すると、
深さくｄ）の溝（４）が形成されたところで加工の進行
が停止してしまう。これは透明体の被加工物では集光パ
ワー密度を高めるため、開口数の大きな集束光とする必
要があシ、この条件ではレーザ″Ｉｔ、（３）の焦点法
度が浅くなることによるものである。上６己では、レー
ザ光（３）の照射を続行しても、ダイヤモンド＋１）
’に加熱するだけで、切断するまでに至らない。この場
合、レーザ光（３）のエネルギを高めて行うことが考え
られるが、熱衝撃によりダイヤモンド（１）自体を粉砕
してることがあシ、むやみにエネルギを高めて照射する
ことはできない。したがって、実用的には０，５朋以上
の厚さをもつダイヤモンドの切断は困難であった。
の材料の切断加工に適用されているが、近年ダイヤモン
ドに対しても適用が試みられている。第１図はダイヤモ
ンドに対する一般的なレーザ切断の例を示すもので、ダ
イヤモンド（１） Ｋ 集−１，レンズ（２）で集束さ
れた波長が１μｍ近くのレーザ光（３）を照射すると、
深さくｄ）の溝（４）が形成されたところで加工の進行
が停止してしまう。これは透明体の被加工物では集光パ
ワー密度を高めるため、開口数の大きな集束光とする必
要があシ、この条件ではレーザ″Ｉｔ、（３）の焦点法
度が浅くなることによるものである。上６己では、レー
ザ光（３）の照射を続行しても、ダイヤモンド＋１）
’に加熱するだけで、切断するまでに至らない。この場
合、レーザ光（３）のエネルギを高めて行うことが考え
られるが、熱衝撃によりダイヤモンド（１）自体を粉砕
してることがあシ、むやみにエネルギを高めて照射する
ことはできない。したがって、実用的には０，５朋以上
の厚さをもつダイヤモンドの切断は困難であった。
ダイヤモンドおよびダイヤモンドに近接する硬さをもち
、かつ比較的厚い材料をイｉＩ［ｉ実に切断する方法を
提供することにある。
、かつ比較的厚い材料をイｉＩ［ｉ実に切断する方法を
提供することにある。
切断走汗を多段にし、しかも後段の切断走査幅を前段よ
りも狭くして行うことより、切断溝を深めてゆくことに
より、切断するようにしたものである。
りも狭くして行うことより、切断溝を深めてゆくことに
より、切断するようにしたものである。
本発明の一′実施例を図に基いて説明する。第２図は本
発明を実施するため装置の構成を示すものである。この
図において、被加工物であるダイヤモンド（１）は架台
（１０）上で環状の固定具（ｌ］）およびこの固定具Ｕ
υ？神通し架台（１〔に螺合するねじ（１２・・・）に
よシ固定されている。上記固定具（ｌＤはダイヤモンド
（１）の上面の一部に接し、両側部における窒ｌ１ａ１
部には熱伝導ペーストなどからなるバッキング材（１３
１が充填されている。なお、架台Ｕ＠に長溝状の貫通孔
Ｉが形成されていて、ダイヤモンド（１）はその切断部
を貫通孔Ｉの位置に対峙させて固定されている。架台（
ｔｌは支持部ｕ（ｔｉを介しＺテーブル装ｇＬＵ６）に
支持されている。Ｚテーブルｕｅは、壜台ｕ’ｌ）に設
けられているＹテーブル装置ｔ （１１に載架きれでい
るＸテーブル装置μｌに支持されている。上Ｈ己Ｘ、Ｙ
およびＺテーブルの各装置ｕ’ｉ、 ｔｕａ、 ｕｅは
１ｂり御装Ｕｔ（至）によシそれぞれ４多勤制御される
ようになっている。
発明を実施するため装置の構成を示すものである。この
図において、被加工物であるダイヤモンド（１）は架台
（１０）上で環状の固定具（ｌ］）およびこの固定具Ｕ
υ？神通し架台（１〔に螺合するねじ（１２・・・）に
よシ固定されている。上記固定具（ｌＤはダイヤモンド
（１）の上面の一部に接し、両側部における窒ｌ１ａ１
部には熱伝導ペーストなどからなるバッキング材（１３
１が充填されている。なお、架台Ｕ＠に長溝状の貫通孔
Ｉが形成されていて、ダイヤモンド（１）はその切断部
を貫通孔Ｉの位置に対峙させて固定されている。架台（
ｔｌは支持部ｕ（ｔｉを介しＺテーブル装ｇＬＵ６）に
支持されている。Ｚテーブルｕｅは、壜台ｕ’ｌ）に設
けられているＹテーブル装置ｔ （１１に載架きれでい
るＸテーブル装置μｌに支持されている。上Ｈ己Ｘ、Ｙ
およびＺテーブルの各装置ｕ’ｉ、 ｔｕａ、 ｕｅは
１ｂり御装Ｕｔ（至）によシそれぞれ４多勤制御される
ようになっている。
一方、（Ｉ！ｖはモードセＶクタ（図示せｒ）をもつＹ
ＡＧ等のＱスイッチ固体レーザ発振器で、とのケ４振器
から放出されたレーザ光（Ｌ）は凹レンズ（ｉ３、凸レ
ンズ（２３）からなるビーム拡大器しａで拡大され、さ
らにダイクロイックミラー（２′３および第１の集光レ
ンズ（イ）を経てダイヤモンド（１）の切断部に集束照
射するように導かれる。Ｃ！ηは第２の巣元レンズで照
射加工中におけるダイヤモンド（１）のｆｊＩ］工部か
ら反射し、ダイクロイックミラー０５１をｉＡ過してく
る反射光（Ｌ）全光電検出器（至）からの出力信号は１
ｌｉｌＪ ？Ｌ’Ｊ信号発生器０■に人力し、この発生
器において設定信号と比較され設定信号より低レベルに
なった場合に制御装置０１に位置制御信号を入力するよ
うになっている。
ＡＧ等のＱスイッチ固体レーザ発振器で、とのケ４振器
から放出されたレーザ光（Ｌ）は凹レンズ（ｉ３、凸レ
ンズ（２３）からなるビーム拡大器しａで拡大され、さ
らにダイクロイックミラー（２′３および第１の集光レ
ンズ（イ）を経てダイヤモンド（１）の切断部に集束照
射するように導かれる。Ｃ！ηは第２の巣元レンズで照
射加工中におけるダイヤモンド（１）のｆｊＩ］工部か
ら反射し、ダイクロイックミラー０５１をｉＡ過してく
る反射光（Ｌ）全光電検出器（至）からの出力信号は１
ｌｉｌＪ ？Ｌ’Ｊ信号発生器０■に人力し、この発生
器において設定信号と比較され設定信号より低レベルに
なった場合に制御装置０１に位置制御信号を入力するよ
うになっている。
次に上記の装置によ如ダイヤモンドの切断について説明
する。
する。
第３図＜８）乃至（ｅ）は加工タイミングチャート図で
、先ず、加工の開始時点（１＋）ではＸ、ＹおよびＺテ
ーブル装置（ｔｌ、 ｔｌ１９．αｅによリレーザ光（
Ｌ）の集光点位置は第４図２よびｍ５図に示すように切
断中心から距離をおいた個所、すなわち（イ）あるいは
平面的には（Ａ）点に合わせられる。この点から時刻１
゜〜ｔ２の間にＸテーブル装置（ｌｉで反対側の（Ｂ）
点にまで走査され、さらに時刻ｔ、〜ｔ３の間にＹテー
ブル装置α槌で直角に（Ｃ）点まで走査される。このよ
うにして時刻ｔ６までの間にＸおよびＹテーブル装置（
１１，ＱＳの移動制御でＣＢ）点と対称になる（Ｆ）点
までその間の（１））および（Ｗ）点を縫うようにして
移動走査式れる。
、先ず、加工の開始時点（１＋）ではＸ、ＹおよびＺテ
ーブル装置（ｔｌ、 ｔｌ１９．αｅによリレーザ光（
Ｌ）の集光点位置は第４図２よびｍ５図に示すように切
断中心から距離をおいた個所、すなわち（イ）あるいは
平面的には（Ａ）点に合わせられる。この点から時刻１
゜〜ｔ２の間にＸテーブル装置（ｌｉで反対側の（Ｂ）
点にまで走査され、さらに時刻ｔ、〜ｔ３の間にＹテー
ブル装置α槌で直角に（Ｃ）点まで走査される。このよ
うにして時刻ｔ６までの間にＸおよびＹテーブル装置（
１１，ＱＳの移動制御でＣＢ）点と対称になる（Ｆ）点
までその間の（１））および（Ｗ）点を縫うようにして
移動走査式れる。
以上の走畳の繰）返しによって、幅（Ｗ箇）の範囲にわ
たシ全面照射されるので、レーザスポット径で形成する
よシも幅広の溝が深さΔｆ１で形成される。この場合、
レーザスポットの直径は約３０μｍ〜０．１門と十分小
さく集光できるので加工時に切断部以外の周囲に衝撃を
与えて割れを発生するようなことはおこさないですむ。
たシ全面照射されるので、レーザスポット径で形成する
よシも幅広の溝が深さΔｆ１で形成される。この場合、
レーザスポットの直径は約３０μｍ〜０．１門と十分小
さく集光できるので加工時に切断部以外の周囲に衝撃を
与えて割れを発生するようなことはおこさないですむ。
上０己の溝の形成加工中、光電検出器（ハ）には十分な
光量の反射光が検出されるが、加工が進行し加工部分が
レーザ集光点から遠ざかるにつれ加工量が減少し加工部
における発光も弱くなシ光篭検出器ｃ！８）における検
出信号のレベルは低下する。検出信号のレベルが一定値
以下に低下した時点で制御信号発生器（２９１よシ制御
装置ｆ ｔ２１に所定の信号が発せられ、時刻ｔ６〜ｔ
７においてレーザ集光点位置が変化される。すなわち、
上記所定の信号によシ、Ｙテーブル装置（１樽とともに
２テーブルｕＱがｇ １の集光レンズ（イ）側に向けて
一定量移動する。この移動はレーザ集光点位置が上記幅
（％’ｖ＋）の溝の深さΔｆ１の底部にくるように行わ
れる。以上の制御動作の終了後、上記（Ａ）、 （Ｂ）
。
光量の反射光が検出されるが、加工が進行し加工部分が
レーザ集光点から遠ざかるにつれ加工量が減少し加工部
における発光も弱くなシ光篭検出器ｃ！８）における検
出信号のレベルは低下する。検出信号のレベルが一定値
以下に低下した時点で制御信号発生器（２９１よシ制御
装置ｆ ｔ２１に所定の信号が発せられ、時刻ｔ６〜ｔ
７においてレーザ集光点位置が変化される。すなわち、
上記所定の信号によシ、Ｙテーブル装置（１樽とともに
２テーブルｕＱがｇ １の集光レンズ（イ）側に向けて
一定量移動する。この移動はレーザ集光点位置が上記幅
（％’ｖ＋）の溝の深さΔｆ１の底部にくるように行わ
れる。以上の制御動作の終了後、上記（Ａ）、 （Ｂ）
。
（ｇ）、 （Ｆ）で囲われる幅、（Ｗυよす狭い幅、す
なわち第６図に示す（Ｇ）、 （Ｈ）、 （ｉ）、 （
Ｊ）で囲われる幅（Ｗ、）を形成すべく時刻１８〜ｔｌ
ｌの間で走査されレーザ照射加工が行われる。この照射
で深さはΔｆ２まで進行し、最終的に第７図の（Ｋ）、
（Ｌ）で示すレーザスポットの直径に相当する幅での
走査によ９幅（Ｗ、）の溝を時刻１＋２〜ｔ１６の間で
繰シ返して形成しダイヤモンド（１）の切断が完了する
。
なわち第６図に示す（Ｇ）、 （Ｈ）、 （ｉ）、 （
Ｊ）で囲われる幅（Ｗ、）を形成すべく時刻１８〜ｔｌ
ｌの間で走査されレーザ照射加工が行われる。この照射
で深さはΔｆ２まで進行し、最終的に第７図の（Ｋ）、
（Ｌ）で示すレーザスポットの直径に相当する幅での
走査によ９幅（Ｗ、）の溝を時刻１＋２〜ｔ１６の間で
繰シ返して形成しダイヤモンド（１）の切断が完了する
。
なお、上記実施例では溝を広く加工するのに平行な直線
走査を複数本位置をずらして行ったが、直線でなく溝幅
相当の円径でスパイラル状に走査しレーザスポット径よ
シ広い幅の溝加工を行い、引き続酉レーザ集光点を内部
に送シ小径の円で加工を行うようにしてもよい。溝幅方
向に振幅させて行うようにしても加工できる。さらに切
断形状が直線以外に円弧９曲線の切断に適用できること
はいう′までもない。
走査を複数本位置をずらして行ったが、直線でなく溝幅
相当の円径でスパイラル状に走査しレーザスポット径よ
シ広い幅の溝加工を行い、引き続酉レーザ集光点を内部
に送シ小径の円で加工を行うようにしてもよい。溝幅方
向に振幅させて行うようにしても加工できる。さらに切
断形状が直線以外に円弧９曲線の切断に適用できること
はいう′までもない。
このようにダイヤモンドの内部に表面は広い溝幅を形成
し、そのあとで溝幅を徐々に狭くシ、集光点を内部に設
定しながら加工を進行させるようにしたので、レーザ集
光ビームは無駄なく加工境界面に照射する条件が保たれ
る。このことは加工が絶えずとどこおりなしに進行する
ことになる。
し、そのあとで溝幅を徐々に狭くシ、集光点を内部に設
定しながら加工を進行させるようにしたので、レーザ集
光ビームは無駄なく加工境界面に照射する条件が保たれ
る。このことは加工が絶えずとどこおりなしに進行する
ことになる。
すなわち、レーザ光のエネルギはダイヤモンドの加工に
消費され、加工物の蒸発とともに周囲に消散されるから
加工物の温度上昇が低く抑えられるため熱影響を小さく
できる。なお、溝形成はＶ形に断面を形成したが、港の
開き角度は集光ビームの形状に応じて必要最小限に設定
するのがよい。
消費され、加工物の蒸発とともに周囲に消散されるから
加工物の温度上昇が低く抑えられるため熱影響を小さく
できる。なお、溝形成はＶ形に断面を形成したが、港の
開き角度は集光ビームの形状に応じて必要最小限に設定
するのがよい。
すなわち開き角が大きすぎるとダイヤモンド累月の損失
が大きく、小さすさ゛ると能率的に加工を進行さぜるこ
とのできる錦深さが浅くなり、厚いダイヤモンドの切断
がで趣なくなる。この場合、ダイヤモンドの位置を上下
反転して画面から切断溝を形成すれば切断可能な溝深さ
の２倍までの厚味をもったダイヤモンドの切断ができる
。
が大きく、小さすさ゛ると能率的に加工を進行さぜるこ
とのできる錦深さが浅くなり、厚いダイヤモンドの切断
がで趣なくなる。この場合、ダイヤモンドの位置を上下
反転して画面から切断溝を形成すれば切断可能な溝深さ
の２倍までの厚味をもったダイヤモンドの切断ができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の方法を示す概略図、第２図は本発明を実
施するだめの装置の一列を示す構成図、第３図（ａ）乃
至（ｅ）は本発明の工程を示すタイムチャート図、第４
図乃至第７図は本発明の切断工程を説明するための図で
ある。 ′″ｉ＋図 策２０ 軍３図 策４図
施するだめの装置の一列を示す構成図、第３図（ａ）乃
至（ｅ）は本発明の工程を示すタイムチャート図、第４
図乃至第７図は本発明の切断工程を説明するための図で
ある。 ′″ｉ＋図 策２０ 軍３図 策４図
Claims (2)
- （１）被加工物の一方の血に向かって集光光学系で集光
されたレーザ光を照射し上記一方の面に投影されるレー
ザスポット径よシ広幅になる第１の溝を形成する第１の
工程と、上記一方の而と集光光学系との離間距離を相対
的に縮めてレーザ光の集光点を被加工物内部に設定する
とともに上記第１の溝幅よυ狭幅の第２の溝全形成する
第２の工程と、上記第１と第２の工程の関係に相当する
第３以降の溝を形成する工程とを備えることを特徴とす
るレーザ切断方法。 - （２）第２の工程以降の工程は第１の工程の工程におけ
る被加工物からの発光量の減少ｆ：＠出したのちに開始
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレ
ーザ切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57184644A JPS6054151B2 (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | レ−ザ切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57184644A JPS6054151B2 (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | レ−ザ切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976687A true JPS5976687A (ja) | 1984-05-01 |
| JPS6054151B2 JPS6054151B2 (ja) | 1985-11-28 |
Family
ID=16156834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57184644A Expired JPS6054151B2 (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | レ−ザ切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054151B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62224487A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-02 | Res Dev Corp Of Japan | 人工ダイヤモンド膜の切断加工方法 |
| US5767479A (en) * | 1994-02-28 | 1998-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser beam machining apparatus and corresponding method which employs a laser beam to pretreat and machine a workpiece |
| WO2003070441A1 (en) * | 2002-02-21 | 2003-08-28 | Arvindbhai Lavjibhai Patel | A novel laser diamond sawing machine |
| EP2204255A2 (en) | 2000-09-13 | 2010-07-07 | Hamamatsu Photonics K. K. | Laser processing apparatus with controller for positioning the focus point at different levels in the object to be processed |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| JP2015044230A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 日本特殊陶業株式会社 | レーザ切断方法 |
| WO2020241275A1 (ja) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | 株式会社フジクラ | 加工方法および加工装置 |
| WO2020241276A1 (ja) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | 株式会社フジクラ | 加工方法および加工装置 |
| CN114959246A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-08-30 | 沈阳工业大学 | 一种提高航空用轴承钢材料关键构件力学性能的激光冲击强化方法 |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP57184644A patent/JPS6054151B2/ja not_active Expired
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62224487A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-02 | Res Dev Corp Of Japan | 人工ダイヤモンド膜の切断加工方法 |
| US5767479A (en) * | 1994-02-28 | 1998-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser beam machining apparatus and corresponding method which employs a laser beam to pretreat and machine a workpiece |
| US8946591B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method |
| EP2204255A2 (en) | 2000-09-13 | 2010-07-07 | Hamamatsu Photonics K. K. | Laser processing apparatus with controller for positioning the focus point at different levels in the object to be processed |
| EP2204255A3 (en) * | 2000-09-13 | 2010-07-21 | Hamamatsu Photonics K. K. | Laser processing apparatus with controller for positioning the focus point at different levels in the object to be processed |
| US8937264B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8946592B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| WO2003070441A1 (en) * | 2002-02-21 | 2003-08-28 | Arvindbhai Lavjibhai Patel | A novel laser diamond sawing machine |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
| JP2015044230A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 日本特殊陶業株式会社 | レーザ切断方法 |
| WO2020241275A1 (ja) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | 株式会社フジクラ | 加工方法および加工装置 |
| WO2020241276A1 (ja) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | 株式会社フジクラ | 加工方法および加工装置 |
| CN114959246A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-08-30 | 沈阳工业大学 | 一种提高航空用轴承钢材料关键构件力学性能的激光冲击强化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6054151B2 (ja) | 1985-11-28 |
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