JPS597148B2 - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
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- JPS597148B2 JPS597148B2 JP9591178A JP9591178A JPS597148B2 JP S597148 B2 JPS597148 B2 JP S597148B2 JP 9591178 A JP9591178 A JP 9591178A JP 9591178 A JP9591178 A JP 9591178A JP S597148 B2 JPS597148 B2 JP S597148B2
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- Japan
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- film
- magnetic
- bubble memory
- insulating film
- magnetic bubble
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/30—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the intermediate layers, e.g. seed, buffer, template, diffusion preventing, cap layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子に関する。
一般に、磁気バブルメモリ素子は第１図に示したような
構造を有している。
構造を有している。
すなわち、磁気バブルを保持する磁性膜１上に、第１の
絶縁膜２、導電体パターン３、第２の絶縁膜４、バブル
転送や検出に用いる軟磁性体パターン５および保護膜（
図示せず）などが順次積層して被着されている。このよ
うな従来の磁気バブルメモリ素子においては、上記軟磁
性体パターン５の一部が上記導電体パターン３と重なる
場所において、第１図に示すように段差が生じ、バブル
動作特性が低下する、という欠点がある。すなわち、軟
磁性体パターン５に、第１図に示すような急激な段差が
生じると、この段差によつて不都合な磁極が発生し、転
送マージンが大幅に低下してしまう。このような段差に
よる障害は、バブル径が小さくなるほど顕著になるので
、高密度磁気バブルメモリ素子を形成するためには、軟
磁性体パターンの段差をなくし平坦化することが、ぜひ
必要である。ことに最近は微細なパターンを形成するた
めに、導電体パターンはイオンミリングによつて形成さ
れ、この場合の導電体パターンの側面の傾きは、ほぼ８
００にも達するので、上記段差は、ますます大きくなつ
てしまう。このような問題を解決するために、従来（１
）ＳＯＧ（スピンオン・グラス、米国エマルジトン社の
商品名）を塗布する方法、（２）光照射による架橋反応
を利用して感応性材料を塗布する方法等が提案されてい
る。
絶縁膜２、導電体パターン３、第２の絶縁膜４、バブル
転送や検出に用いる軟磁性体パターン５および保護膜（
図示せず）などが順次積層して被着されている。このよ
うな従来の磁気バブルメモリ素子においては、上記軟磁
性体パターン５の一部が上記導電体パターン３と重なる
場所において、第１図に示すように段差が生じ、バブル
動作特性が低下する、という欠点がある。すなわち、軟
磁性体パターン５に、第１図に示すような急激な段差が
生じると、この段差によつて不都合な磁極が発生し、転
送マージンが大幅に低下してしまう。このような段差に
よる障害は、バブル径が小さくなるほど顕著になるので
、高密度磁気バブルメモリ素子を形成するためには、軟
磁性体パターンの段差をなくし平坦化することが、ぜひ
必要である。ことに最近は微細なパターンを形成するた
めに、導電体パターンはイオンミリングによつて形成さ
れ、この場合の導電体パターンの側面の傾きは、ほぼ８
００にも達するので、上記段差は、ますます大きくなつ
てしまう。このような問題を解決するために、従来（１
）ＳＯＧ（スピンオン・グラス、米国エマルジトン社の
商品名）を塗布する方法、（２）光照射による架橋反応
を利用して感応性材料を塗布する方法等が提案されてい
る。
しかしながら、（１）の方法では、転送パターン作成時
に目合せ精度が悪くなることと、無機物であるため加水
分解反応により形成膜内に欠陥が生じるなどの問題があ
る。（２）の方法では、光照射による硬化膜形成である
ので、露光、現像の処理が必要である他に、感応性材料
が絶縁膜に密着しやすくするためには塗布直後にプリベ
イクする必要があり、さらに、硬化膜形成後の軟磁性体
パターン形成に伴なう高熱によつて硬化膜が変形を生じ
ないために現像処理後にポストベークを行なう必要があ
る等、複雑な処理工程が必要になり、多くの工程の間に
精度を悪くするおそれがある。本発明の目的は、従来の
磁気バブルメモリ素子の有する上記問題を解決し、簡単
な処理によつて硬磁性体パターンの段差を減少し、転送
マージンの大きな、精度の高い磁気バブルメモリ素子を
提供することである。
に目合せ精度が悪くなることと、無機物であるため加水
分解反応により形成膜内に欠陥が生じるなどの問題があ
る。（２）の方法では、光照射による硬化膜形成である
ので、露光、現像の処理が必要である他に、感応性材料
が絶縁膜に密着しやすくするためには塗布直後にプリベ
イクする必要があり、さらに、硬化膜形成後の軟磁性体
パターン形成に伴なう高熱によつて硬化膜が変形を生じ
ないために現像処理後にポストベークを行なう必要があ
る等、複雑な処理工程が必要になり、多くの工程の間に
精度を悪くするおそれがある。本発明の目的は、従来の
磁気バブルメモリ素子の有する上記問題を解決し、簡単
な処理によつて硬磁性体パターンの段差を減少し、転送
マージンの大きな、精度の高い磁気バブルメモリ素子を
提供することである。
本発明は、上記目的を達成するために、熱によつて架橋
反応を生じる所定の膜厚を有する耐熱性高分子樹脂の熱
硬化膜（以下、単に樹脂膜と記す）を少なくとも上記第
２の絶縁膜として使用するものである。
反応を生じる所定の膜厚を有する耐熱性高分子樹脂の熱
硬化膜（以下、単に樹脂膜と記す）を少なくとも上記第
２の絶縁膜として使用するものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を説明するための図であり、
ガーネツト膜１上に被着された第１の絶縁膜として厚さ
２００ｎｍ０Ｓｉ０２膜７、および導電体パターン８と
軟磁性体パターン１０の間に介在する第２の絶縁膜９と
して、厚さ３００ｎｍのポリイミド系樹脂、ここではポ
リイミドーイソインドロキナゾリンデイオン（ＰＯｌｙ
ｉｍｉｄｅｉｓＯｌｎｄｒＯｑｕｉｎａｚＯｌｉｎｄｉ
Ｏｎ、以下、ＰＩＩと記す）の熱硬化膜を、それぞれ使
用した磁気バブルメモリ装置の一部断面構造が示されて
いる。
ガーネツト膜１上に被着された第１の絶縁膜として厚さ
２００ｎｍ０Ｓｉ０２膜７、および導電体パターン８と
軟磁性体パターン１０の間に介在する第２の絶縁膜９と
して、厚さ３００ｎｍのポリイミド系樹脂、ここではポ
リイミドーイソインドロキナゾリンデイオン（ＰＯｌｙ
ｉｍｉｄｅｉｓＯｌｎｄｒＯｑｕｉｎａｚＯｌｉｎｄｉ
Ｏｎ、以下、ＰＩＩと記す）の熱硬化膜を、それぞれ使
用した磁気バブルメモリ装置の一部断面構造が示されて
いる。
（なお、実際の磁気バブルメモリ装置においては、七記
ガーネツト膜１が被着されている基板、ハードバブル抑
制膜および保護膜などをそなえているが、これらは本発
明とは直接関係ないので、図面を簡略にして理解を容易
にするため、いずれも図示を省略した。）上記ＰＩＩ膜
９は、導電体パターン８を形成した後、所定量のＰＩＩ
を溶媒（たとえば、Ｎメチル２ピロリドンとＮ，Ｎジメ
チルアセトアミドの１：１混合液など）に溶解した液を
回転塗布法などによつて塗布した後、熱処理を行なつて
硬化することによつて、形成される。
ガーネツト膜１が被着されている基板、ハードバブル抑
制膜および保護膜などをそなえているが、これらは本発
明とは直接関係ないので、図面を簡略にして理解を容易
にするため、いずれも図示を省略した。）上記ＰＩＩ膜
９は、導電体パターン８を形成した後、所定量のＰＩＩ
を溶媒（たとえば、Ｎメチル２ピロリドンとＮ，Ｎジメ
チルアセトアミドの１：１混合液など）に溶解した液を
回転塗布法などによつて塗布した後、熱処理を行なつて
硬化することによつて、形成される。
得られるＰＩＩ膜９の膜厚はＰＩＩ濃度と回転塗布にお
ける回転数によつて、所望の厚さとすることができ、た
とえばＰＩＩ濃度８重量％、回転数３，５００ｒｐｍと
すれば、熱処理後における厚さが３００ｎｍ０ＰＩＩ膜
が形成される。
ける回転数によつて、所望の厚さとすることができ、た
とえばＰＩＩ濃度８重量％、回転数３，５００ｒｐｍと
すれば、熱処理後における厚さが３００ｎｍ０ＰＩＩ膜
が形成される。
ＰＩＩ膜を塗布した後、たとえば３５００Ｃ，１時間の
熱処理を行なえば、ＰＩＩ膜は硬化し、磁気バブルメモ
リ素子の絶縁膜として、十分な特性を有する熱硬化膜が
得られる。
熱処理を行なえば、ＰＩＩ膜は硬化し、磁気バブルメモ
リ素子の絶縁膜として、十分な特性を有する熱硬化膜が
得られる。
導電体パターン８の厚さはほぼ３５０ｎｍであるため、
第２の絶縁膜として膜厚が上記ＰＩＩ膜と同じ３００ｎ
ｍ（７）ＳｌＯ２膜を被着すると、第１図に示したよう
な急激な段差が生じ、転送マージンが著るしく低下して
しまう。
第２の絶縁膜として膜厚が上記ＰＩＩ膜と同じ３００ｎ
ｍ（７）ＳｌＯ２膜を被着すると、第１図に示したよう
な急激な段差が生じ、転送マージンが著るしく低下して
しまう。
しかし、第２の絶縁膜としてＰＩＩを用いると、ＰＩＩ
は液体であるため、ＰＩＩ膜表面の凹凸を減少させて平
坦になろうとする性質がある。
は液体であるため、ＰＩＩ膜表面の凹凸を減少させて平
坦になろうとする性質がある。
したがつてＰＩＩを回転塗布法によつて塗布したり、あ
るいは他の方法によつて塗布した後、所定時間静置すれ
ば、第２図に示したように、導電体パターン８に起因す
るＰＩＩ膜９表面における段差は大幅に減少して平坦に
なり、その結果軟磁性体パターン１０の段差も、第１図
に示した場合にくらべて著るしく減少する。本発明にお
いて、上記ＰＩＩ膜９の膜厚は極めて重要である。
るいは他の方法によつて塗布した後、所定時間静置すれ
ば、第２図に示したように、導電体パターン８に起因す
るＰＩＩ膜９表面における段差は大幅に減少して平坦に
なり、その結果軟磁性体パターン１０の段差も、第１図
に示した場合にくらべて著るしく減少する。本発明にお
いて、上記ＰＩＩ膜９の膜厚は極めて重要である。
ＰＩＩ膜９の厚さが薄すぎると、段差を減少させる効果
が不十分になり、極端な場合は、導電体パターン８と軟
磁性体パターン１０の間の絶縁が不良になつてしまう。
一方、過度に厚くなると、バブルを保持するガーネツト
膜と軟磁性体パターン間の距離が大きくなつて、バブル
の検出に種々の不都合が生じるので、ＰＩ膜９の膜厚は
、所定範囲内にあることが必要である。第３図に示すよ
うに第１の絶縁膜７および導電体パターン８上に膜厚ｈ
（７）ＰＩＩ熱硬化膜９を形成した場合、段差部におけ
る傾斜角をθとする。傾斜角θが小さいほど段差が小さ
く、磁気バブルメモリ素子として好ましいことは勿論で
あるが、第４図に示すように、傾斜角θはＰＩＩ膜の膜
厚ｈが大きくなるにしたがつて小さくなる。しかも、第
５図に示したように、傾斜角θが大きくなるとバイアス
磁界のマージンは著るしく小さくなつてしまう。
が不十分になり、極端な場合は、導電体パターン８と軟
磁性体パターン１０の間の絶縁が不良になつてしまう。
一方、過度に厚くなると、バブルを保持するガーネツト
膜と軟磁性体パターン間の距離が大きくなつて、バブル
の検出に種々の不都合が生じるので、ＰＩ膜９の膜厚は
、所定範囲内にあることが必要である。第３図に示すよ
うに第１の絶縁膜７および導電体パターン８上に膜厚ｈ
（７）ＰＩＩ熱硬化膜９を形成した場合、段差部におけ
る傾斜角をθとする。傾斜角θが小さいほど段差が小さ
く、磁気バブルメモリ素子として好ましいことは勿論で
あるが、第４図に示すように、傾斜角θはＰＩＩ膜の膜
厚ｈが大きくなるにしたがつて小さくなる。しかも、第
５図に示したように、傾斜角θが大きくなるとバイアス
磁界のマージンは著るしく小さくなつてしまう。
ここで、バイアス磁界のマージンとは、バブルメモリ素
子を正常に動作し得る外部磁界の範囲をいう。磁気バブ
ルメモリ素子においては、外部磁界は永久磁石によつて
印加されるが、温度変動による磁界の変動などの理由か
ら、バイアス磁界のマージンは実用上１０％以上である
ことが必要である。バイアス磁界のマージンが１０％以
上になるのは第５図から明らかなように傾斜角θが４０
の以下の場合であり、このような条件は、ＰＩＩ膜９の
膜厚ｈが１００ｎｍ以上のときのみであることは、第４
図から明らかである。
子を正常に動作し得る外部磁界の範囲をいう。磁気バブ
ルメモリ素子においては、外部磁界は永久磁石によつて
印加されるが、温度変動による磁界の変動などの理由か
ら、バイアス磁界のマージンは実用上１０％以上である
ことが必要である。バイアス磁界のマージンが１０％以
上になるのは第５図から明らかなように傾斜角θが４０
の以下の場合であり、このような条件は、ＰＩＩ膜９の
膜厚ｈが１００ｎｍ以上のときのみであることは、第４
図から明らかである。
しかも、ＰＩ［膜９の膜厚ｈが１００ｎｍ以下になると
、導電体パターンと軟磁性体パターンの間の絶縁が不良
になるので、この理由からも、ＰＩＩ膜９の膜厚ｈは１
００ｎｍ以上であることが必要である。
、導電体パターンと軟磁性体パターンの間の絶縁が不良
になるので、この理由からも、ＰＩＩ膜９の膜厚ｈは１
００ｎｍ以上であることが必要である。
一方、磁気バブルの存在を検出する検出器は、ＰＩＩ膜
９の上に配置されるので、磁気バブルを保持するガーネ
ツト膜と検出器の距離が過大になると検出器の出力が著
るしく低下してしまう。
９の上に配置されるので、磁気バブルを保持するガーネ
ツト膜と検出器の距離が過大になると検出器の出力が著
るしく低下してしまう。
そのため、上記ガーネツト膜と検出器の距離はある一定
値以下であることが必要であり、このため、第１の絶縁
膜７と第２の絶縁膜９の膜厚の和は実用上、１４００ｎ
ｍ以下でなければならない。また、第１の絶縁膜７は、
バブルを保持するガーネツト膜の応力を緩和するために
は、ある程度厚い膜厚を有することが必要であるが、あ
まり膜厚が厚すぎるとバブルを発生するに要する電流が
ノ著るしく増加してしまう。
値以下であることが必要であり、このため、第１の絶縁
膜７と第２の絶縁膜９の膜厚の和は実用上、１４００ｎ
ｍ以下でなければならない。また、第１の絶縁膜７は、
バブルを保持するガーネツト膜の応力を緩和するために
は、ある程度厚い膜厚を有することが必要であるが、あ
まり膜厚が厚すぎるとバブルを発生するに要する電流が
ノ著るしく増加してしまう。
このため、第１の絶縁膜の膜厚は１００〜４００ｎｍの
範囲内になければならず、この膜厚範囲は、第１の絶縁
膜の材質がＳｉＯ２であつても耐熱性樹脂であつても同
じである。したがつて、上記ＰＩＩ膜９の膜厚は最小１
００ｎｍ１最大１，０００〜１，３００ｎｍである。
範囲内になければならず、この膜厚範囲は、第１の絶縁
膜の材質がＳｉＯ２であつても耐熱性樹脂であつても同
じである。したがつて、上記ＰＩＩ膜９の膜厚は最小１
００ｎｍ１最大１，０００〜１，３００ｎｍである。
第６図は本発明の他の実施例を示す。本実施例において
は磁気バブルを保持し得るガーネツト膜１１上に被着さ
れた第１の絶縁膜（ＳｌＯ２膜）１２の上記が、導電体
パターン１３の上面と一致するので、完全なプレーナ構
造となり、その上に第２の絶縁膜（ＰＩＩ膜）１４を被
着すれば、軟磁性体パターン１５には段差が全く生じな
い。上記第１の絶縁膜１２は、まず導電体パターン１３
の下面の厚さまでＳｉＯ２を化学蒸着法などによつて堆
積してから、導電体パターン１３を形成し、つぎにＳｉ
Ｏ２膜を全面に被着した後、上記導電体パターン１３上
のＳｉＯ２を、リフトオフによつて除去して形成する。
しかし、リフトオフを行なうと、導電体パターン１３の
側面とＳｉＯ２膜１２の間に空隙が生じることは避けら
れない。第２の絶縁膜１４としてＳｉＯ２を使用すると
、この空隙を完全に充填することは不可能であるが、Ｐ
ＩＩを用いれば、塗布の過程において空隙は完全に充填
されるので、完全なプレーナ構造を形成するために極め
て好ましい。つぎに、本発明におけるボンデイングバツ
ドの形成について説明する。
は磁気バブルを保持し得るガーネツト膜１１上に被着さ
れた第１の絶縁膜（ＳｌＯ２膜）１２の上記が、導電体
パターン１３の上面と一致するので、完全なプレーナ構
造となり、その上に第２の絶縁膜（ＰＩＩ膜）１４を被
着すれば、軟磁性体パターン１５には段差が全く生じな
い。上記第１の絶縁膜１２は、まず導電体パターン１３
の下面の厚さまでＳｉＯ２を化学蒸着法などによつて堆
積してから、導電体パターン１３を形成し、つぎにＳｉ
Ｏ２膜を全面に被着した後、上記導電体パターン１３上
のＳｉＯ２を、リフトオフによつて除去して形成する。
しかし、リフトオフを行なうと、導電体パターン１３の
側面とＳｉＯ２膜１２の間に空隙が生じることは避けら
れない。第２の絶縁膜１４としてＳｉＯ２を使用すると
、この空隙を完全に充填することは不可能であるが、Ｐ
ＩＩを用いれば、塗布の過程において空隙は完全に充填
されるので、完全なプレーナ構造を形成するために極め
て好ましい。つぎに、本発明におけるボンデイングバツ
ドの形成について説明する。
本発明によれば、上記のように、段差が小さく、動作マ
ージンの大きい磁気バブルメモリ素子が得られるが、樹
脂とＳｉＯ２膜はやや接着性が劣るので、樹脂との界面
からボンデイングバツドが剥離する恐れがある。それを
防止するためには、ボンデイングバツド下に樹脂膜が存
在しないような構造とすることが必要であり、第７図ａ
−ｅはそのような構造を形成する工程を示したものであ
る。
ージンの大きい磁気バブルメモリ素子が得られるが、樹
脂とＳｉＯ２膜はやや接着性が劣るので、樹脂との界面
からボンデイングバツドが剥離する恐れがある。それを
防止するためには、ボンデイングバツド下に樹脂膜が存
在しないような構造とすることが必要であり、第７図ａ
−ｅはそのような構造を形成する工程を示したものであ
る。
まず、第７図ａに示すように、磁気バブルを保持し得る
ガーネツト膜１上にＳｌＯ２膜２２，Ａ１−Ｃｕからな
る導電路２３，ＰＩＩ膜２４、パーマロイ膜２５、ホト
レジストパターン２６を順次被着する。
ガーネツト膜１上にＳｌＯ２膜２２，Ａ１−Ｃｕからな
る導電路２３，ＰＩＩ膜２４、パーマロイ膜２５、ホト
レジストパターン２６を順次被着する。
上記ホトレジストパターン２６をマスクとして、第７図
ｂに示すようにパーマロイ膜２５をエツチする。
ｂに示すようにパーマロイ膜２５をエツチする。
パーマロイ膜２５をマスクにして、Ｐｌｌ膜２４をエツ
チし、第７図ｃに示すように、導電路２３およびＳｉＯ
２膜２２の一部を露出させる。
チし、第７図ｃに示すように、導電路２３およびＳｉＯ
２膜２２の一部を露出させる。
第７図ｄに示すように、ＳｉＯ２膜２６を全面に被着し
た後、パーマロイ膜２５に達する孔２７をあけ、さらに
周知のホトエツチングによつてボンデイングパツド２８
を形成すれば第７図ｅに示した構造が得られる。第７図
ｅから明らかなように、ボンデイングパツド２８の下に
はＰＩＩ膜２４は存在せず、しかも、パーマロイ膜２６
の段差はＰＩＩ膜２４によつて著るしく小さくされてい
るため、極めて信頼性の高い素子が得られる。
た後、パーマロイ膜２５に達する孔２７をあけ、さらに
周知のホトエツチングによつてボンデイングパツド２８
を形成すれば第７図ｅに示した構造が得られる。第７図
ｅから明らかなように、ボンデイングパツド２８の下に
はＰＩＩ膜２４は存在せず、しかも、パーマロイ膜２６
の段差はＰＩＩ膜２４によつて著るしく小さくされてい
るため、極めて信頼性の高い素子が得られる。
なおボンデイングパツドの下に樹脂膜が存在しないよう
にするためには第１の絶縁膜２２上にＰＪ膜２４を形成
した後、通常のホトエツチングによりＰＩＩ膜２４のボ
ンデイングパツド部分、検出器部分およびマスク合わせ
用マーカ部分を除去してもよい。
にするためには第１の絶縁膜２２上にＰＪ膜２４を形成
した後、通常のホトエツチングによりＰＩＩ膜２４のボ
ンデイングパツド部分、検出器部分およびマスク合わせ
用マーカ部分を除去してもよい。
このようにすれば、検出器部分が除去されるので、検出
器と磁性ガーネツト膜の距離が小さくなり、検出出力が
増大するという利点がある。また、ＰＩＩ膜のマスク合
わせ用マーカ部分を除去することにより軟磁性体膜に対
するホトエツチング時のマスク合わせ精度が向上する。
すなわち導電体パターンによりマスク合わせを行なう際
にＰＩＩ膜が存在すると、パターンエツジが不明瞭とな
り、マスク合わせの精度が低下するという問題があるが
、上記方法によればこのような欠点を防止することがで
きる。上記説明は、便宜上、熱による硬化を生じる耐熱
性高分子樹脂としてＰＩを用いた場合について行なつた
が、本発明において使用し得る材料がＰＩＩに限定され
るものでなく、他の耐熱性高分子樹脂を用いてもＰＩＩ
と同様の効果を奏することができる。
器と磁性ガーネツト膜の距離が小さくなり、検出出力が
増大するという利点がある。また、ＰＩＩ膜のマスク合
わせ用マーカ部分を除去することにより軟磁性体膜に対
するホトエツチング時のマスク合わせ精度が向上する。
すなわち導電体パターンによりマスク合わせを行なう際
にＰＩＩ膜が存在すると、パターンエツジが不明瞭とな
り、マスク合わせの精度が低下するという問題があるが
、上記方法によればこのような欠点を防止することがで
きる。上記説明は、便宜上、熱による硬化を生じる耐熱
性高分子樹脂としてＰＩを用いた場合について行なつた
が、本発明において使用し得る材料がＰＩＩに限定され
るものでなく、他の耐熱性高分子樹脂を用いてもＰＩＩ
と同様の効果を奏することができる。
すなわち、磁気バブルメモリ素子は作成工程中の温度が
１５０〜２００℃に達するので、本発明に使用する樹脂
は上記温度に耐え得ることが必要であり、２００℃の温
度で長時間安定な樹脂を、本明細書においては耐熱性高
分子樹脂と記した。
１５０〜２００℃に達するので、本発明に使用する樹脂
は上記温度に耐え得ることが必要であり、２００℃の温
度で長時間安定な樹脂を、本明細書においては耐熱性高
分子樹脂と記した。
段差を減少させるには樹脂の粘度が２０００ｃｐｓ以下
であることが望ましく、また、硬化時における割れなど
の変形がないことが望ましく、また、形成された膜の絶
縁耐圧は１０５Ｖ／Ｃｍ以上であることが必要である。
上記条件を満足して、本発明に使用できる耐熱性高分子
樹脂は多くのものがあるが、たとえば上記ＰＩＩなどポ
リイミド系樹脂以外にも、例えばエポキシ系樹脂、フエ
ノール系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド・
イミド系樹脂、ポリベンツイミダゾール系樹脂などを用
いることができ、これらの樹脂を二つ以上組合せて用い
てもよい
であることが望ましく、また、硬化時における割れなど
の変形がないことが望ましく、また、形成された膜の絶
縁耐圧は１０５Ｖ／Ｃｍ以上であることが必要である。
上記条件を満足して、本発明に使用できる耐熱性高分子
樹脂は多くのものがあるが、たとえば上記ＰＩＩなどポ
リイミド系樹脂以外にも、例えばエポキシ系樹脂、フエ
ノール系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド・
イミド系樹脂、ポリベンツイミダゾール系樹脂などを用
いることができ、これらの樹脂を二つ以上組合せて用い
てもよい
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子の要部の構造を説
明するための一部断面図、第２図および第６図は本発明
の異なる実施例を示す一部断面図、第３図および第４図
はＰＩＩ膜の膜厚と傾斜角の関係を示す図、第５図は傾
斜角とバイアス磁界マージンの関係を示す図、第７図は
本発明においてボンデイングパツドを形成するための工
程図である。 １：ガーネツト膜、２，Ｔ，１２，２２：第１の絶縁膜
、４，９，１４，２４：第２の絶縁膜、３，８，１３，
２３：導電体パターン、５，１０，１５，２５：軟磁性
体パターン。
明するための一部断面図、第２図および第６図は本発明
の異なる実施例を示す一部断面図、第３図および第４図
はＰＩＩ膜の膜厚と傾斜角の関係を示す図、第５図は傾
斜角とバイアス磁界マージンの関係を示す図、第７図は
本発明においてボンデイングパツドを形成するための工
程図である。 １：ガーネツト膜、２，Ｔ，１２，２２：第１の絶縁膜
、４，９，１４，２４：第２の絶縁膜、３，８，１３，
２３：導電体パターン、５，１０，１５，２５：軟磁性
体パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性基板上に積層して被着された磁気バブルを保
持し得る磁性膜、第１の絶縁膜、導電体パターン、第２
の絶縁膜および軟磁性体パターンを少なくともそなえた
磁気バブルメモリ素子において、上記第２の絶縁膜は、
上記第１の絶縁膜上における膜厚が１００〜１，３００
ｎｍの高熱性分子樹脂の熱硬化膜であることを特徴とす
る磁気バブルメモリ素子。 ２ 上記第１の絶縁膜はＳｉＯ＿２膜である特許請求の
範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子。 ３ 上記ＳｉＯ＿２膜の膜厚は１００〜４００ｎｍであ
る特許請求の範囲第２項記載の磁気バブルメモリ素子。 ４ 上記第１の絶縁膜は厚さ１００〜４００ｎｍの耐熱
性高分子樹脂の熱硬化膜である特許請求の範囲第１項記
載の磁気バブルメモリ素子。 ５ 上記第１および第２の絶縁膜の膜厚の和が２００〜
１，４００ｎｍである特許請求の範囲第１項記載の磁気
バブルメモリ素子。 ６ 上記耐熱性高分子樹脂膜はポリイミド系樹脂、エポ
キシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリカーボネート系樹
脂、ポリアミド・イミド系樹脂、ポリベンツイミダゾー
ル系樹脂の群から選ばれる少なくとも１種である特許請
求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9591178A JPS597148B2 (ja) | 1978-08-07 | 1978-08-07 | 磁気バブルメモリ素子 |
| GB7925858A GB2039181B (en) | 1978-08-07 | 1979-07-25 | Magnetic bubble memory device |
| NL7905963A NL180362C (nl) | 1978-08-07 | 1979-08-02 | Isolatiefilm voor een magnetisch bellengeheugen. |
| DE19792931825 DE2931825C3 (de) | 1978-08-07 | 1979-08-06 | Magnetblasen-Speichervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9591178A JPS597148B2 (ja) | 1978-08-07 | 1978-08-07 | 磁気バブルメモリ素子 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59234913A Division JPS60121587A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 磁気バブルメモリ素子 |
| JP59234912A Division JPS60121586A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5522293A JPS5522293A (en) | 1980-02-16 |
| JPS597148B2 true JPS597148B2 (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=14150465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9591178A Expired JPS597148B2 (ja) | 1978-08-07 | 1978-08-07 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597148B2 (ja) |
| DE (1) | DE2931825C3 (ja) |
| GB (1) | GB2039181B (ja) |
| NL (1) | NL180362C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117741U (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-29 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE413649B (sv) * | 1977-01-24 | 1980-06-16 | Saab Scania Ab | Anordning for att dempa svengningsrorelser vid fordonsstolar |
| JPS5725044U (ja) * | 1980-07-18 | 1982-02-09 | ||
| JPS5727481A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-13 | Fujitsu Ltd | Manufacture of bubble memory |
| JPS6128313Y2 (ja) * | 1980-12-16 | 1986-08-22 | ||
| JPS58196682A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 |
| JPS5948887A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | Fujitsu Ltd | 磁気バブル素子の製造方法 |
| DE3382791T2 (de) * | 1982-12-15 | 1995-12-07 | Sharp Kk | Magneto-optischer Speicher. |
| EP0319636B1 (en) * | 1982-12-15 | 1993-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
| EP0509555B1 (en) * | 1982-12-15 | 1995-07-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method of making a magneto-optic memory device |
| JPS59112487A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-28 | Fujitsu Ltd | バブルメモリ装置および製法 |
| CA1224270A (en) * | 1983-09-16 | 1987-07-14 | Junji Hirokane | Magneto-optic memory element |
-
1978
- 1978-08-07 JP JP9591178A patent/JPS597148B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-07-25 GB GB7925858A patent/GB2039181B/en not_active Expired
- 1979-08-02 NL NL7905963A patent/NL180362C/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-08-06 DE DE19792931825 patent/DE2931825C3/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117741U (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL180362C (nl) | 1987-02-02 |
| DE2931825B2 (de) | 1981-06-25 |
| GB2039181A (en) | 1980-07-30 |
| DE2931825A1 (de) | 1980-02-21 |
| NL7905963A (nl) | 1980-02-11 |
| GB2039181B (en) | 1982-09-02 |
| DE2931825C3 (de) | 1982-03-04 |
| JPS5522293A (en) | 1980-02-16 |
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