JPS5948887A - 磁気バブル素子の製造方法 - Google Patents
磁気バブル素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS5948887A JPS5948887A JP57159274A JP15927482A JPS5948887A JP S5948887 A JPS5948887 A JP S5948887A JP 57159274 A JP57159274 A JP 57159274A JP 15927482 A JP15927482 A JP 15927482A JP S5948887 A JPS5948887 A JP S5948887A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- magnetic bubble
- pattern
- permalloy
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は、磁気バブル素子の製造方法、特にその磁気バ
ブル検出部の製造方法に関する。
ブル検出部の製造方法に関する。
ｆｂ）技術の背景
磁気バブル（以下「バブル」とＨｇＩ２ず）の１￥が小
さくなるにつれて、検出感度を高めてバブル駆動磁界な
どからノイズを拾わないようにする必要がある。検出感
度を高める方法としては、バブル径を検出部で一時的に
拡大する方法、バブルがら発生ずる磁束を有効に利用す
る方法、材料ないし製造方法面からの改良などが挙けら
れる。
さくなるにつれて、検出感度を高めてバブル駆動磁界な
どからノイズを拾わないようにする必要がある。検出感
度を高める方法としては、バブル径を検出部で一時的に
拡大する方法、バブルがら発生ずる磁束を有効に利用す
る方法、材料ないし製造方法面からの改良などが挙けら
れる。
（Ｃ）従来技術とその問題点
バブル径を拡大して磁気抵抗効果で検出する方法は、第
１図のように転送路の途中で富士山型パーマロイパター
ン１〜１間に非対称シェブロンパターンから成る３７０
０人程度０薄いパーマロイ膜のデテクタ２・・・を多数
並置してバブルを拡大し、検出するようになっており、
極めて有効である。ところがこのようにバブル径を拡大
する方法だけでは必ずしも充分とはいえず、また充分拡
大するにはへ字形パターンの並、置数を多くしな＆Ｊれ
ばならないが、そうすると検出部のスペースが大きくな
るという問題が生じ、最近のような高密度の磁気バブル
素子には適しない。
１図のように転送路の途中で富士山型パーマロイパター
ン１〜１間に非対称シェブロンパターンから成る３７０
０人程度０薄いパーマロイ膜のデテクタ２・・・を多数
並置してバブルを拡大し、検出するようになっており、
極めて有効である。ところがこのようにバブル径を拡大
する方法だけでは必ずしも充分とはいえず、また充分拡
大するにはへ字形パターンの並、置数を多くしな＆Ｊれ
ばならないが、そうすると検出部のスペースが大きくな
るという問題が生じ、最近のような高密度の磁気バブル
素子には適しない。
（ｄ＋発明の目的
本発明は、このような問題が軽減されるように製造方法
の面から更に改良を加え、検出感度を向上させることを
目的とする。
の面から更に改良を加え、検出感度を向上させることを
目的とする。
（θ）発明の構成
この目的を達成するために本発明は、磁気抵抗効果によ
る磁気バブルの検出部を備えた磁気バブル素子において
、パーマロイ膜による＋１パターンを作成した状態で、
２５０ ℃〜４５０ ’ｃの温度で３０分〜８時間熱
処理を行なうことにより、磁気抵抗効果を増大させる方
法を採っている。熱処理は、パーマロイ膜が酸化したり
しない雰囲気であれば差支えないが、パーマロイ膜から
なる検出部上に、酸化物、窒化物、熱硬化性樹脂などの
バノシヘーション層を形成した状態で熱処理すれば、検
出部の酸化などの恐れがなく、検出部の保護の点でも有
効である。
る磁気バブルの検出部を備えた磁気バブル素子において
、パーマロイ膜による＋１パターンを作成した状態で、
２５０ ℃〜４５０ ’ｃの温度で３０分〜８時間熱
処理を行なうことにより、磁気抵抗効果を増大させる方
法を採っている。熱処理は、パーマロイ膜が酸化したり
しない雰囲気であれば差支えないが、パーマロイ膜から
なる検出部上に、酸化物、窒化物、熱硬化性樹脂などの
バノシヘーション層を形成した状態で熱処理すれば、検
出部の酸化などの恐れがなく、検出部の保護の点でも有
効である。
仔）発明の実施例
次に本発明による磁気バブル素子の製造方法が実際上ど
のように具体化されるかを実施例で説明する。第２図は
シリコン系の熱硬化性樹脂をパンシヘ〜ジョンに用いた
例である。３は磁気バフルの結晶で、５ｉＯｚなどの絶
縁層４をスパッタし、その上に導体パターン５を形成す
る。そしてその上に樹脂や酸化物、窒化物なとの絶縁層
６を形成した後、パーマロイパターン７を作成する。更
にこのパーマロイパターンの上に、パソシヘーション層
として、シリコン系の熱硬化性樹脂層８を形成する。
のように具体化されるかを実施例で説明する。第２図は
シリコン系の熱硬化性樹脂をパンシヘ〜ジョンに用いた
例である。３は磁気バフルの結晶で、５ｉＯｚなどの絶
縁層４をスパッタし、その上に導体パターン５を形成す
る。そしてその上に樹脂や酸化物、窒化物なとの絶縁層
６を形成した後、パーマロイパターン７を作成する。更
にこのパーマロイパターンの上に、パソシヘーション層
として、シリコン系の熱硬化性樹脂層８を形成する。
パソシヘーション層に熱硬化性樹脂を使用する場合は、
該樹脂層を加熱して硬化させる際に、その加熱を、磁気
抵抗効果を増大させるための熱処理（アニールないしキ
ュアー）と同し条件で行なう。
該樹脂層を加熱して硬化させる際に、その加熱を、磁気
抵抗効果を増大させるための熱処理（アニールないしキ
ュアー）と同し条件で行なう。
第３図は、パンシヘーション層に５ｉＯ１屓９を用いた
例であり、磁気バブル結晶３とバー”；’ ＋４）イパ
ターン７間の層構成は第２図の例と同じである。
例であり、磁気バブル結晶３とバー”；’ ＋４）イパ
ターン７間の層構成は第２図の例と同じである。
第４図、第５図は、第２図のような偽硬化性樹脂のバノ
シヘーション層をもった磁気バブル素子の緒特性を示す
ものである。第４図は磁気抵抗変化率（Δｒ／Ｒ）の熱
処理時間依存性を示すもので、横軸に熱処理時間を、縦
軸に磁気抵抗変化率（Δｒ ／ Ｒ）をとっである。３
５０°Ｃの熱処理温度で、熱処理時間を色々と変えて、
３つのテンプルについて測定した例であるが、いずれも
３０分〜１時間程度の熱処理で磁気抵抗変化率（Δｒ／
、Ｒ）は飽和している。
シヘーション層をもった磁気バブル素子の緒特性を示す
ものである。第４図は磁気抵抗変化率（Δｒ／Ｒ）の熱
処理時間依存性を示すもので、横軸に熱処理時間を、縦
軸に磁気抵抗変化率（Δｒ ／ Ｒ）をとっである。３
５０°Ｃの熱処理温度で、熱処理時間を色々と変えて、
３つのテンプルについて測定した例であるが、いずれも
３０分〜１時間程度の熱処理で磁気抵抗変化率（Δｒ／
、Ｒ）は飽和している。
これらの結果から熱処理温度と磁気抵抗変化率（Δｒ／
Ｒ）の増加分との関係を明らかにするために、第５図の
ような特性を得た。この図で、横軸が熱処理温度、縦軸
が磁気抵抗変化率（Δｒ／Ｒ）の増加分をそれぞれ示し
ている。この例は、熱処理を１時間行ない、そのときの
熱処理温度を色々と変えた場合の特性で、２５０℃程度
から効果が現れており、特に３５０’Ｃ程度以上になる
と顕著である。 ４５０℃以上の高温になると他の弊害
が発生ずるので、４５０°Ｃ程度が限度である。
Ｒ）の増加分との関係を明らかにするために、第５図の
ような特性を得た。この図で、横軸が熱処理温度、縦軸
が磁気抵抗変化率（Δｒ／Ｒ）の増加分をそれぞれ示し
ている。この例は、熱処理を１時間行ない、そのときの
熱処理温度を色々と変えた場合の特性で、２５０℃程度
から効果が現れており、特に３５０’Ｃ程度以上になる
と顕著である。 ４５０℃以上の高温になると他の弊害
が発生ずるので、４５０°Ｃ程度が限度である。
第４図の熱処理時間が００点、第５図の熱処理温度か０
０点はそれぞれ従来の、熱処理を行なわない場合の特性
に相当しており、このように；：熱処理を行なわない場
合と本発明の条件で熱処理を行なった場合とで、磁気抵
抗変化率（Δｒ ／ Ｉυおよびその磁気抵抗変化率の
増加分ともに、著しい変化を示していることがわがる。
０点はそれぞれ従来の、熱処理を行なわない場合の特性
に相当しており、このように；：熱処理を行なわない場
合と本発明の条件で熱処理を行なった場合とで、磁気抵
抗変化率（Δｒ ／ Ｉυおよびその磁気抵抗変化率の
増加分ともに、著しい変化を示していることがわがる。
第６図は第３図の５ｉＯｚパノシヘ一シヨン層を持った
磁気バブル素子につき、第４図と対応して磁気抵抗変化
率（Δｒ ／ Ｒ）の熱処理時間依存性を示すものであ
る。この場合も、３０分〜１時間程度の熱処理で磁気抵
抗変化率（Δｒ ／ Ｒ）が顕著な立ち上りを示してお
り、第２図の４Ａ（脂パノシヘーション層の場合と同様
な伸開を示しいる。ごの例は熱処理温度が３２５℃の場
合であるが、！；ハ処理温度と磁気抵抗変化率（Δｒ／
Ｒ，）の増加分との関係も、２５０°Ｃ〜４５０°Ｃの
範囲であれば、第５図の樹脂パンシヘーション層の特性
と同様な凹曲を示すことがわかっている。ただし第３図
の５ｉＯｉパンシヘ一シヨン層の場合は、空気中て熱処
理すると磁気抵抗変化率増加分は人きくならｙ、１′か
った。
磁気バブル素子につき、第４図と対応して磁気抵抗変化
率（Δｒ ／ Ｒ）の熱処理時間依存性を示すものであ
る。この場合も、３０分〜１時間程度の熱処理で磁気抵
抗変化率（Δｒ ／ Ｒ）が顕著な立ち上りを示してお
り、第２図の４Ａ（脂パノシヘーション層の場合と同様
な伸開を示しいる。ごの例は熱処理温度が３２５℃の場
合であるが、！；ハ処理温度と磁気抵抗変化率（Δｒ／
Ｒ，）の増加分との関係も、２５０°Ｃ〜４５０°Ｃの
範囲であれば、第５図の樹脂パンシヘーション層の特性
と同様な凹曲を示すことがわかっている。ただし第３図
の５ｉＯｉパンシヘ一シヨン層の場合は、空気中て熱処
理すると磁気抵抗変化率増加分は人きくならｙ、１′か
った。
これはパーマロイパターンか酸化したごとに起因してい
るものと思われる。したがってパーマロイパターンなど
が酸化を起こさないような雰囲気で熱処理を行なえば、
良好な結果が得られる。
るものと思われる。したがってパーマロイパターンなど
が酸化を起こさないような雰囲気で熱処理を行なえば、
良好な結果が得られる。
また実施例のパーマロイ検出器の組成は、８４Ｎｉ−１
６Ｆｅであるが、８ＯＮｉ −２０Ｆｅ〜８４Ｎ＋ −
１６Ｆｅの組成の検出器を熱処理した場合でも同様に検
出出力か大きくなるものと考えられる。
６Ｆｅであるが、８ＯＮｉ −２０Ｆｅ〜８４Ｎ＋ −
１６Ｆｅの組成の検出器を熱処理した場合でも同様に検
出出力か大きくなるものと考えられる。
＋ｇ１発明の効果
以上のように本発明によれば、磁気抵抗効果による磁気
バブルの検出部を備えた磁気バブル素子において、パー
マロイ膜による検出パターンを作成した状態で、酸化を
起こさないような条件の下で、２５０℃〜４５０°Ｃの
温度で３０分〜８時間熱処理を行なうことにより、磁気
抵抗効果を増大さ干ることが可能である。そのため従来
の検出部にバブル径を拡大するパターンを備えた磁気バ
ブル素子を、本発明の方法で熱処理することにより、バ
ブルの検出出力を一層高くすることができる。
バブルの検出部を備えた磁気バブル素子において、パー
マロイ膜による検出パターンを作成した状態で、酸化を
起こさないような条件の下で、２５０℃〜４５０°Ｃの
温度で３０分〜８時間熱処理を行なうことにより、磁気
抵抗効果を増大さ干ることが可能である。そのため従来
の検出部にバブル径を拡大するパターンを備えた磁気バ
ブル素子を、本発明の方法で熱処理することにより、バ
ブルの検出出力を一層高くすることができる。
第１図はバブルの検出部を示す平面図、第２図以下は本
発明の実施例を示すもので、第２図は熱硬化性樹脂のパ
ノシヘーシＥｌンＩｉ；ｉを備えノこモ３り気バブル素
子の断面図、第３図はＳｉＯンのバノシパ・−ション層
を備えた磁気バブル素子のｌｊｉ面図、第４図、第５図
は熱硬化性樹脂パソゾヘーション層を備えた磁気バフル
素子の４．１性を示す図、第６図は５ｉＯｚバノシヘ一
シヨン層を備えた磁気バフル素子の特性を示す図である
。 図において１はへ字形パターン、２はパーマロイからな
る検出部、５は導体パターン、７はパーマロイパターン
、８は熱硬化性樹脂のバッジ−・−ション層、９は５ｉ
Ｏ１のパソシヘーション層をそれぞれ示す。
発明の実施例を示すもので、第２図は熱硬化性樹脂のパ
ノシヘーシＥｌンＩｉ；ｉを備えノこモ３り気バブル素
子の断面図、第３図はＳｉＯンのバノシパ・−ション層
を備えた磁気バブル素子のｌｊｉ面図、第４図、第５図
は熱硬化性樹脂パソゾヘーション層を備えた磁気バフル
素子の４．１性を示す図、第６図は５ｉＯｚバノシヘ一
シヨン層を備えた磁気バフル素子の特性を示す図である
。 図において１はへ字形パターン、２はパーマロイからな
る検出部、５は導体パターン、７はパーマロイパターン
、８は熱硬化性樹脂のバッジ−・−ション層、９は５ｉ
Ｏ１のパソシヘーション層をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１磁気抵抗効果による磁気バブルの検出部を備えた
磁気バブル素子において、パーマロイ膜による検出パタ
ーンを作成した状態で、 ２５０℃〜４５０℃の温度で
３０分〜８時間熱処理を行なうことにより、磁気抵抗効
果を増大させることを特徴とする磁気バブル素子の製造
方法。 （２）前記の熱処理を、パーマロイ膜による検出パター
ンの上に熱硬化性樹脂や酸化物、窒化物などによるバッ
シヘーション層を被着させた後、真空中か不活性ガス中
で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の磁気バブル素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159274A JPS5948887A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 磁気バブル素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159274A JPS5948887A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 磁気バブル素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948887A true JPS5948887A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=15690194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57159274A Pending JPS5948887A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 磁気バブル素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948887A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391635A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-11 | Nec Corp | Forming method for magnetic film pattern |
| JPS5522293A (en) * | 1978-08-07 | 1980-02-16 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP57159274A patent/JPS5948887A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391635A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-11 | Nec Corp | Forming method for magnetic film pattern |
| JPS5522293A (en) * | 1978-08-07 | 1980-02-16 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
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