JPS5966166A - Ｎ形３−５族化合物半導体のオ−ム性電極 - Google Patents
Ｎ形３−５族化合物半導体のオ−ム性電極Info
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- JPS5966166A JPS5966166A JP17773982A JP17773982A JPS5966166A JP S5966166 A JPS5966166 A JP S5966166A JP 17773982 A JP17773982 A JP 17773982A JP 17773982 A JP17773982 A JP 17773982A JP S5966166 A JPS5966166 A JP S5966166A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体のオーム性電極の改良に係るもので
特に浅い接合を持つＮ形１−Ｖ族化合物半導体に適した
オーム性電極に関するものである。
特に浅い接合を持つＮ形１−Ｖ族化合物半導体に適した
オーム性電極に関するものである。
従来、Ｎ形１−Ｖ族化合物半導体の電極としては、金（
Ａｕ）−錫（Ｓｎ）合金あるいはゲルマニクム（Ｇｅ）
−＝ツクル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）合金などのＡｕ系電極
が用いられている。
Ａｕ）−錫（Ｓｎ）合金あるいはゲルマニクム（Ｇｅ）
−＝ツクル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）合金などのＡｕ系電極
が用いられている。
第１図にＧｅ −Ｎｉ−Ａｕ合金電極構造を示す。
この図で、１はＮ形１−Ｖ族化合物半導体（以下単に半
導体という）であり、その表面にＧｅ層２゜Ｎｉ層３．
Ａｕ層４が順に真空蒸着さｊている。
導体という）であり、その表面にＧｅ層２゜Ｎｉ層３．
Ａｕ層４が順に真空蒸着さｊている。
上記合金電極を単に半導体１に接着せしめるだけではオ
ーム性電極は得られず、高温シンタ処理を不活性気体も
しくは還元性気体、あるいは真空中で行うことによりオ
ーム性電極を得ることができろ。
ーム性電極は得られず、高温シンタ処理を不活性気体も
しくは還元性気体、あるいは真空中で行うことによりオ
ーム性電極を得ることができろ。
しかし、上記Ａｕ系合金電極では高価であるだけでなく
、高温ンンタ処理工程において、Ａｕが半導体１中に拡
散し、浅い接合を持つ半導体１の場合においては、その
拡散の先端は接合部にまでおよび接合の短絡をもたらす
。これは半導体１の破壊を意味する。
、高温ンンタ処理工程において、Ａｕが半導体１中に拡
散し、浅い接合を持つ半導体１の場合においては、その
拡散の先端は接合部にまでおよび接合の短絡をもたらす
。これは半導体１の破壊を意味する。
この発明は、上述の欠点を解消するためになされたもの
で、Ａｕ０代りにＩ−Ｖ族化合物半導体への拡散係数の
小さいＡｇを用い、さらにＡｇ とＮｉ との間にＴｉ
を蒸着することによりＡｇの付着力を増し、Ａｇの■
−■族化合物半導体への拡散を防ぐマスクとしての役割
を担わせ、高温シンタ処理工程における接合破壊を防ぎ
、かつオーム性電極を形成しようとするものである。以
下この発明の一実施例を図面について説明する。
で、Ａｕ０代りにＩ−Ｖ族化合物半導体への拡散係数の
小さいＡｇを用い、さらにＡｇ とＮｉ との間にＴｉ
を蒸着することによりＡｇの付着力を増し、Ａｇの■
−■族化合物半導体への拡散を防ぐマスクとしての役割
を担わせ、高温シンタ処理工程における接合破壊を防ぎ
、かつオーム性電極を形成しようとするものである。以
下この発明の一実施例を図面について説明する。
第２図は砒化ガリワム（ＧａＡｓ）ホモ接合太陽電池の
製作に、この発明を適用した場合の電極部分を示す断面
図である。この図で、Ｐ形ＧａＡｓ基板５上に形成され
た薄いＮ形ＧａＡｓ層６を有するウェハを所期の目的に
合致するようにその厚み、大きさの寸法を決め整形する
。このＮ形ＧａＡｓ層６上にこの発明の方法により、Ｇ
ｅ 層２−Ｎｉ 層３−Ｔｉ 層？−Ａｇ 層８を順
次真空蒸着する。
製作に、この発明を適用した場合の電極部分を示す断面
図である。この図で、Ｐ形ＧａＡｓ基板５上に形成され
た薄いＮ形ＧａＡｓ層６を有するウェハを所期の目的に
合致するようにその厚み、大きさの寸法を決め整形する
。このＮ形ＧａＡｓ層６上にこの発明の方法により、Ｇ
ｅ 層２−Ｎｉ 層３−Ｔｉ 層？−Ａｇ 層８を順
次真空蒸着する。
この実施例においては、Ｇｅ層２−Ｎ４層３−Ｔｉ層？
−Ａｇ層８からなる電極９は、Ｎ形ＧａＡｓ層６の一部
に選択的に形成されているが、こねはＧｅ層２−Ｎ４層
３−Ｔｉ 層７−Ａｇ層８の真空蒸着の際、蒸着マス
クを用いること、あるいは写真製版技術を用いることに
より実現さｉる。電極形成後、Ｔｌ 層７は例えば敬
百ス、Ａｇｍ８は例えば数千Ａである。
−Ａｇ層８からなる電極９は、Ｎ形ＧａＡｓ層６の一部
に選択的に形成されているが、こねはＧｅ層２−Ｎ４層
３−Ｔｉ 層７−Ａｇ層８の真空蒸着の際、蒸着マス
クを用いること、あるいは写真製版技術を用いることに
より実現さｉる。電極形成後、Ｔｌ 層７は例えば敬
百ス、Ａｇｍ８は例えば数千Ａである。
このような構造の電極９においては、Ａｇ 層８を用い
るためＮ形ＧａＡｓ層６への拡散は少なく、第１図に示
したようなＧｅ −Ｎ ｉ −Ａｕ合金電極において発
生したような、高温ノンタ処理中のＡｕの半導体１中へ
の拡散による接合破壊は発生しない１、また、Ａｇ Ｉ
憐８とＮｌ 層３０間にＴｉ 層７をカ 真空蒸着したことにより、Ａｇ層８の付に増し、引っ張
り強度の大きい電極９を得ることができ、さらに、Ａｇ
／ｉ８の拡散を防ぐことができる。
るためＮ形ＧａＡｓ層６への拡散は少なく、第１図に示
したようなＧｅ −Ｎ ｉ −Ａｕ合金電極において発
生したような、高温ノンタ処理中のＡｕの半導体１中へ
の拡散による接合破壊は発生しない１、また、Ａｇ Ｉ
憐８とＮｌ 層３０間にＴｉ 層７をカ 真空蒸着したことにより、Ａｇ層８の付に増し、引っ張
り強度の大きい電極９を得ることができ、さらに、Ａｇ
／ｉ８の拡散を防ぐことができる。
以上この発明の一実施例について説明したが、この発明
は、他の任意の素子のＮ形Ｇａ Ａｓ層上の電極として
も用いることができる。また、さらにＮ形ＧａＡｓ層以
外の任意のＮ形ｆｆ１−Ｖ族化合物半導体にもこの発明
は適用でき、上記実施例と同様の効果を１０ろことが可
能である。
は、他の任意の素子のＮ形Ｇａ Ａｓ層上の電極として
も用いることができる。また、さらにＮ形ＧａＡｓ層以
外の任意のＮ形ｆｆ１−Ｖ族化合物半導体にもこの発明
は適用でき、上記実施例と同様の効果を１０ろことが可
能である。
以上説明したようにこの発明は、電極材料としてＧｅ
−Ｎｉ −Ｔｉ−Ａｇを用いたので、高温シンタ処理す
ることにより浅い接合を持つ団−■族化合物半導体のＮ
形表面層に対してオーム性となり、かつ付着力の強い電
極を得ることができる利点がある。
−Ｎｉ −Ｔｉ−Ａｇを用いたので、高温シンタ処理す
ることにより浅い接合を持つ団−■族化合物半導体のＮ
形表面層に対してオーム性となり、かつ付着力の強い電
極を得ることができる利点がある。
第１図は従来のＮ形態−■族化合物半導体上に形成され
たＧｅ −Ｎｉ −Ａｕ合金電極を示′ｆ断面図、
第２図はこの発明の一実施例を示′ｆ電極部の断面図で
ある。 図中、１はＮ形１−Ｖ族化合物半導体、２はＧｅ層、３
はＮ１Ｉ−１５はＰ形ＧａＡｓ基板、６はＮ形ＧａＡｓ
層、７はＴｉ 層、８はＡｇ層、９は電極である。なお
、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図
たＧｅ −Ｎｉ −Ａｕ合金電極を示′ｆ断面図、
第２図はこの発明の一実施例を示′ｆ電極部の断面図で
ある。 図中、１はＮ形１−Ｖ族化合物半導体、２はＧｅ層、３
はＮ１Ｉ−１５はＰ形ＧａＡｓ基板、６はＮ形ＧａＡｓ
層、７はＴｉ 層、８はＡｇ層、９は電極である。なお
、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図
Claims (1)
- ゲルマニワム層、ニッケル層、チタン層および銀層より
なることを特徴とするＮ形１−Ｖ族化合物半導体のオー
ム性電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17773982A JPS5966166A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | Ｎ形３−５族化合物半導体のオ−ム性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17773982A JPS5966166A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | Ｎ形３−５族化合物半導体のオ−ム性電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5966166A true JPS5966166A (ja) | 1984-04-14 |
Family
ID=16036270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17773982A Pending JPS5966166A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | Ｎ形３−５族化合物半導体のオ−ム性電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5966166A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4998158A (en) * | 1987-06-01 | 1991-03-05 | Motorola, Inc. | Hypoeutectic ohmic contact to N-type gallium arsenide with diffusion barrier |
| JP2010263029A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Gyoseiin Genshino Iinkai Kakuno Kenkyusho | 銀含有金属オーミック接触電極 |
-
1982
- 1982-10-07 JP JP17773982A patent/JPS5966166A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4998158A (en) * | 1987-06-01 | 1991-03-05 | Motorola, Inc. | Hypoeutectic ohmic contact to N-type gallium arsenide with diffusion barrier |
| JP2010263029A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Gyoseiin Genshino Iinkai Kakuno Kenkyusho | 銀含有金属オーミック接触電極 |
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