JP2010263029A - 銀含有金属オーミック接触電極 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ニッケル(Ni)層とゲルマニウム(Ge)層、銀(Ag)層、パラジウム(Pd)層或いはプラチナ(Pt)層及び厚い膜金属(Thick Metal)層からなり、順に、n形III-V族化合物半導体層上に堆積されてから、アニール(Anneal)処理を介して形成された構造で、上記銀層とゲルマニウム層との厚さ比例範囲が、Ag/Ge=7〜8の間にある。また、上記の低い電気抵抗率(Electric
Resistivity)と高い熱伝導率(Thermal Conductivity)のオーミック接触電極は、銀が材料として形成される。
【選択図】図1
Description
Conductivity)のオーミック接触電極であって、銀を材料として、既存の業界工程と互換でき、生産コストを低減できるものに関する。
Resistivity)と高い熱伝導率(Thermal Conductivity)のオーミック接触電極1が形成される。また、上記オーミック接触電極1は、上記各金属層の厚さを制御してアニール処理のアニール温度に合わせて、低い電気抵抗率と高い熱伝導率のオーミック接触電極1が得られ、本実施例において、上記ニッケル層の厚さ範囲が、10nmで、上記ゲルマニウム層の厚さ範囲が、1nm〜50nmで、上記銀層の厚さ範囲が、5nm〜200nmであり、また、上記銀層と上記ゲルマニウム層の厚さ比例範囲が、Ag /Ge=7〜8の間にあり、そして、上記パラジウム層の厚さ範囲が、80nm以上で、或いは、上記プラチナ層の厚さ範囲が、50nm以上であり、また、アニール温度が、約400℃で、銀含有金属のオーミック接触電極1(図2のように)が形成される。また、上記n形III-V族化合物半導体層2は、発光ダイオードやレーザダイオード、太陽電池及びトランジスタから選ばれた何れかの一つである。
11 ニッケル層
12 ゲルマニウム層
13 銀層
14 パラジウム層或いはプラチナ層
15 厚い膜金属層
2 n形III-V族化合物半導体層
Claims (9)
- ニッケル(Ni)層とゲルマニウム(Ge)層、銀(Ag)層、パラジウム(Pd)層或いはプラチナ(Pt)層及び厚い膜金属(Thick Metal)層からなり、順に、n形III-V族化合物半導体層上に堆積されてから、アニール(Anneal)処理を介して形成された構造で、上記銀層と上記ゲルマニウム層との比例範囲が、Ag/Ge=7〜8にあるオーミック接触電極が備えられる、
ことを特徴とする銀含有金属オーミック接触電極。 - 上記n形III-V族化合物半導体層が、ガリウム砒素(GaAs)であることを特徴とする請求項1に記載の銀含有金属オーミック接触電極。
- 上記ニッケル層の厚さ範囲が、1nm〜20nmの間にあることを特徴とする請求項1に記載の銀含有金属オーミック接触電極。
- 上記ゲルマニウム層の厚さ範囲が、1nm〜50nmの間にあることを特徴とする請求項1に記載の銀含有金属オーミック接触電極。
- 上記銀層の厚さ範囲が、5nm〜200nmの間にあることを特徴とする請求項1に記載の銀含有金属オーミック接触電極。
- 上記パラジウム層の厚さ範囲が、20nm〜200nmの間にあることを特徴とする請求項1に記載の銀含有金属オーミック接触電極。
- 上記プラチナ層の厚さ範囲が、10nm〜200nmの間にあることを特徴とする請求項1に記載の銀含有金属オーミック接触電極。
- 上記アニール処理の温度範囲が、300°C〜500°Cの間にあることを特徴とする請求項1に記載の銀含有金属オーミック接触電極。
- 上記n形III-V族化合物半導体層が、発光ダイオードやレーザダイオード、太陽電池及びトランジスタから選ばれた何れかの一つであることを特徴とする請求項1に記載の銀含有金属オーミック接触電極。
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