JP2017054917A - 光電変換層及び光電変換層の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数のバンドギャップを有し、且つ、低コストで容易に製造可能であり、高い変換効率を示す光電変換層及び光電変換層の製造方法を提供する。
【解決手段】Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層された、光電変換層。
【選択図】なし
【解決手段】Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層された、光電変換層。
【選択図】なし
Description
本発明は、光電変換層及び光電変換層の製造方法に関する。
従来、太陽光を電力に変換する代表的な再生エネルギー源である太陽電池が各種知られている。近年では、主にSi系太陽電池やCu(InGa)Se2(CIGS)系太陽電池が電力供給用太陽光発電システムとして実用化され、宇宙ステーション等では超高効率多接合型太陽電池が利用されている。
太陽電池はp型半導体及びn型半導体からなる半導体素子として形成される(例えば、特許文献1参照)。このような太陽電池は、p型半導体のバンドギャップエネルギーによって性能が決定される。例えば、Si系太陽電池やCu(InGa)Se2(CIGS)系太陽電池等では光電変換層は単一であり、バンドギャップエネルギーは一種類である。次世代の超高効率太陽電池では、効率よく光電変換を行うためにバンドギャップエネルギーの異なる複数の光電変換層が必要である。このため、高効率多接合型太陽電池では、pn接合型太陽電池が複数接合されており、それぞれのpn接合型太陽電池に含まれる光電変換層が、異なるバンドギャップエネルギーを有する構成となっている。
上述のような多接合型太陽電池では、pn接合型太陽電池を複数接合するために、太陽電池の積層数が非常に多くなり複雑な構造となる。このような多接合型太陽電池としては、主にGe単結晶基板上にGaAsAl、InGaP等が複数積層されたpn接合の化合物系太陽電池が挙げられる。
しかしながら、当該多接合型太陽電池は、レアメタルが多用され、製造技術が非常に複雑であり、価格も高いことから、用途が限定されている。さらに、当該多接合型太陽電池においては直流接続となるため、最も短絡電流密度の小さい太陽電池層に太陽電池性能が規制されてしまうという問題がある。
よって、複数のバンドギャップを有し、且つ、低コストで容易に製造可能であり、高い変換効率を示す光電変換層及び光電変換層の製造方法の開発が求められている。
本発明は、複数のバンドギャップを有し、且つ、低コストで容易に製造可能であり、高い変換効率を示す光電変換層及び光電変換層の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、Cu2O層、及び、CuO層またはCu2S層が積層された光電変換層によれば、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、下記の光電変換層及び光電変換層の製造方法を提供するものである。
1.Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層された、光電変換層。
2.Cu2O層と、CuO層とが積層された、項1に記載の光電変換層。
3.光電変換層の製造方法であって、
(1)銅塩を含有するCu2O層形成用組成物中に被処理物を浸漬し、前記被処理物の表面上にCu2O層を形成する工程1、
(2)前記Cu2O層に加熱処理を行うことによってCuO層またはCu2S層を形成する工程2
を有する、製造方法。
4.前記工程2は、前記Cu2O層に加熱処理を行うことによってCuO層を形成する工程である、項3に記載の製造方法。
5.前記加熱処理を、酸素又は硫黄を含む雰囲気中で行う、項3に記載の製造方法。
1.Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層された、光電変換層。
2.Cu2O層と、CuO層とが積層された、項1に記載の光電変換層。
3.光電変換層の製造方法であって、
(1)銅塩を含有するCu2O層形成用組成物中に被処理物を浸漬し、前記被処理物の表面上にCu2O層を形成する工程1、
(2)前記Cu2O層に加熱処理を行うことによってCuO層またはCu2S層を形成する工程2
を有する、製造方法。
4.前記工程2は、前記Cu2O層に加熱処理を行うことによってCuO層を形成する工程である、項3に記載の製造方法。
5.前記加熱処理を、酸素又は硫黄を含む雰囲気中で行う、項3に記載の製造方法。
本発明の光電変換層は、Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層された構造を有することにより、複数のバンドギャップエネルギーを示すことができる。また、本発明の光電変換層は、レアメタルを用いる必要がないため、比較的低コストで製造可能である。更に、本発明の光電変換層を用いて太陽電池を形成することにより、高い変換効率を得ることが可能である。
以下、本発明の光電変換層及び光電変換層の製造方法について詳細に説明する。
1.光電変換層
本発明の光電変換層は、Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層されている。本発明の光電変換層は、バンドギャップエネルギーが異なる銅化合物層、具体的には、Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層されているので、複数のバンドギャップ(禁制帯幅)を有する光電変換層とすることができる。上記Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層されているとは、具体的には、Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが順次積層されている形態を示す。順次とは、例えば、Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが隣り合って積層されている状態を示す。
本発明の光電変換層は、Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層されている。本発明の光電変換層は、バンドギャップエネルギーが異なる銅化合物層、具体的には、Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層されているので、複数のバンドギャップ(禁制帯幅)を有する光電変換層とすることができる。上記Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層されているとは、具体的には、Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが順次積層されている形態を示す。順次とは、例えば、Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが隣り合って積層されている状態を示す。
また、太陽電池に複数のバンドギャップを導入する方法として、異なるバンドギャップエネルギーを有するpn接合型太陽電池を複数積層するのではなく、バンドギャップエネルギーの異なる銅化合物層の積層体である本発明の光電変換層を用いることにより、pn接合型太陽電池の積層数を大幅に減らして構造を単純にすることができ、バンドギャップエネルギーの異なるpn接合型太陽電池を複数接合した多接合型太陽電池と比較して、高い変換効率を有する太陽電池を得ることができる。
(Cu2O層)
Cu2O層は、p型酸化物半導体である。上記Cu2O層のバンドギャップエネルギーは、1.8〜2.3eV程度が好ましい。Cu2O層のバンドギャップエネルギーが上記範囲であることにより、本発明の光電変換層がより高い変換効率を示すことができる。
Cu2O層は、p型酸化物半導体である。上記Cu2O層のバンドギャップエネルギーは、1.8〜2.3eV程度が好ましい。Cu2O層のバンドギャップエネルギーが上記範囲であることにより、本発明の光電変換層がより高い変換効率を示すことができる。
Cu2O層の光吸収係数は、103cm−1以上が好ましく、104cm−1以上がより好ましい。Cu2O層の光吸収係数が上記範囲であることにより、本発明の光電変換層がより高い変換効率を示すことができる。
Cu2O層の厚みは特に限定されないが、0.05〜3.0μmが好ましく、0.5〜2.0μmがより好ましい。Cu2O層の厚みが上記範囲であることにより、本発明の光電変換層がより高い変換効率を示すことができる。
(CuO層またはCu2S層)
本発明の光電変換層は、上記Cu2O層の上にCuO層またはCu2S層が積層されている。中でも、600〜1100nm程度の長い波長領域の光による外部量子効率に優れる点で、CuO層がより好ましい。
本発明の光電変換層は、上記Cu2O層の上にCuO層またはCu2S層が積層されている。中でも、600〜1100nm程度の長い波長領域の光による外部量子効率に優れる点で、CuO層がより好ましい。
上記CuO層またはCu2S層のバンドギャップエネルギーは、0.8〜1.5eV程度が好ましい。CuO層またはCu2S層のバンドギャップエネルギーが上記範囲であることにより、本発明の光電変換層がより高い変換効率を示すことができる。
CuO層またはCu2S層の光吸収係数は、103cm−1以上が好ましく、104cm−1以上がより好ましい。CuO層またはCu2S層の光吸収係数が上記範囲であることにより、本発明の光電変換層がより高い変換効率を示すことができる。
CuO層またはCu2S層の厚みは特に限定されないが、0.005〜5μmが好ましく、0.1〜2.0μmがより好ましい。CuO層またはCu2S層の厚みが上記範囲であることにより、本発明の光電変換層がより高い変換効率を示すことができる。
本発明の光電変換層は、上記Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層された層構成であればよく、他の層を有していてもよいが、Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが接するように積層されていることが好ましい。当該層構成の光電変換層は、後述する本発明の光電変換層の製造方法により、Cu2O層の表面を加熱することにより、Cu2O層の表面にCuO層またはCu2S層を容易に形成することができるので、本発明の光電変換層が容易に製造可能な光電変換層となる。光電変換層の構成として、Cu2S層とCuS層とが積層された光電変換層又はCu2Se層とCuSe層とが積層された光電変換層も考えられるが、光電変換機能の点で本発明のCu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層された光電変換層の方がより優れている。
(太陽電池)
本発明の光電変換層を用いた太陽電池は、上述の本発明の光電変換層を用いていれば層構成は特に限定されず、例えば、透明電極上にZnO層(n型半導体層)、Cu2O層(p型半導体層)、CuO層(p型半導体層)、電極がこの順で積層された層構成の太陽電池が挙げられる。以下、当該層構成の太陽電池について説明する。
本発明の光電変換層を用いた太陽電池は、上述の本発明の光電変換層を用いていれば層構成は特に限定されず、例えば、透明電極上にZnO層(n型半導体層)、Cu2O層(p型半導体層)、CuO層(p型半導体層)、電極がこの順で積層された層構成の太陽電池が挙げられる。以下、当該層構成の太陽電池について説明する。
ZnO層は、n型酸化物半導体である。上記ZnO層のバンドギャップエネルギーは、3.1〜3.4eV程度が好ましい。ZnO層のバンドギャップエネルギーが上記範囲であることにより、本発明の光電変換層を用いた太陽電池がより高い変換効率を示すことができる。
ZnO層の厚みは特に限定されないが、0.01〜10μmが好ましく、0.03〜1μmがより好ましい。ZnO層の厚みが上記範囲であることにより、本発明の光電変換層を用いた太陽電池がより高い変換効率を示すことができる。
透明電極としては、特に限定はなく、太陽電池において用いられている従来公知の透明電極を用いることができる。このような透明電極としては、例えば、ZnO電極、ITO電極、SnO2電極、NESA電極等を用いることができる。
透明電極の厚みは特に限定されないが、0.1〜1μm程度とすればよい。
透明電極は、必要に応じて、透明基板上に形成してもよい。透明基板の種類についても特に限定はなく、例えば、ガラス基板、ポリマー基板等の通常の太陽電池において用いられている各種透明基板を用いることができる。透明基板の厚みは特に限定されないが、0.1〜50mm程度とすればよい。
CuO層上に形成される電極としては特に限定されず、例えば、上記透明電極や、銅、金、モリブデン等の金属電極を形成すればよい。
2.光電変換層の製造方法
本発明の光電変換層の製造方法は、
(1)銅塩を含有するCu2O層形成用組成物中に被処理物を浸漬し、上記被処理物の表面上にCu2O層を形成する工程1、
(2)上記Cu2O層に加熱処理を行うことによってCuO層またはCu2S層を形成する工程2を有する製造方法である。以下、各工程について説明する。
本発明の光電変換層の製造方法は、
(1)銅塩を含有するCu2O層形成用組成物中に被処理物を浸漬し、上記被処理物の表面上にCu2O層を形成する工程1、
(2)上記Cu2O層に加熱処理を行うことによってCuO層またはCu2S層を形成する工程2を有する製造方法である。以下、各工程について説明する。
(工程1)
工程1は、銅塩を含有するCu2O層形成用組成物中に被処理物を浸漬し、上記被処理物の表面上にCu2O層を形成する工程である。
工程1は、銅塩を含有するCu2O層形成用組成物中に被処理物を浸漬し、上記被処理物の表面上にCu2O層を形成する工程である。
銅塩としては、Cu2O層形成用組成物中に溶解することができるものであれば特に限定されず、例えば、硫酸銅,塩化銅,硝酸銅,酢酸銅等を用いることができる。これらの銅塩の中でも、電気的性質に優れる点で酢酸銅が好ましい。
Cu2O層形成用組成物中の銅塩の濃度は、0.05〜1.0mol/Lが好ましく、0.1〜0.5mol/Lがより好ましい。Cu2O層形成用組成物中の銅塩の濃度を上記範囲とすることにより、被処理物の表面にCu2O層を光電変換層を形成するのに適した厚みで、短時間で形成することができる。
Cu2O層形成用組成物は、錯化剤を含有していることが好ましい。Cu2O層形成用組成物が錯化剤を含有することにより、Cu2O層をより効率よく形成することができる。錯化剤としては、被処理物の表面にCu2O層を形成することができれば特に限定されないが、例えば、乳酸、酒石酸,クエン酸、グリコール酸、オキシカルボン酸等を挙げることができる。これらの中でも、乳酸、グリコール酸が好ましい。上記銅塩を含有する水溶液等のCu2O層形成用組成物はアルカリ性を示すため、錯化剤を用いることにより水酸化物の沈殿を抑制することができる。
Cu2O層形成用組成物中の錯化剤の濃度は、0.1〜5.0mol/Lが好ましく、2.0〜4.0mol/Lがより好ましい。Cu2O層形成用組成物中の錯化剤の濃度を上記範囲とすることにより、被処理物の表面にCu2O層をより効率よく形成することができる。
Cu2O層形成用組成物は、溶媒を含有していてもよい。すなわち、Cu2O層形成用組成物は、上記銅塩が、溶媒中に溶解又は分散して形成されていることが好ましい。
上記溶媒としては、銅塩を溶解又は分散することができれば特に限定されず、水又は有機溶媒を用いることができる。安全性、環境保護、製造コストの点で、水を用いることが好ましい。すなわち、上記Cu2O層形成用組成物は、銅塩を含有する水溶液であることが好ましい。上記有機溶媒としては特に限定されず、例えば、エタノール、アセトン等が挙げられる。上記溶媒は、単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
上記被処理物としては、表面に本発明の光電変換層を形成するものであれば特に限定されず、透明電極上にn型半導体が積層された積層体、透明基板上に透明電極及びn型半導体が積層された積層体等が挙げられる。このような積層体を被処理物として用い、Cu2O層形成用組成物中に浸漬することで、n型半導体の表面上にCu2O層を形成することができ、更に後述する工程2によりCu2O層に加熱処理を行うことにより、上記被処理物のn型半導体の層の表面上に本発明の光電変換層を形成することができ、太陽電池を製造することができる。
透明電極としては特に限定はなく、従来から太陽電池において用いられている透明電極、例えば、ZnO電極、ITO電極、SnO2電極、NESA電極等を用いることができる。透明電極の厚みについては特に限定はないが、例えば、0.1〜1μm程度とすればよい。
透明電極は、必要に応じて、透明基板上に形成される。透明基板の種類についても特に限定はなく、例えば、ガラス基板、ポリマー基板等の通常の太陽電池において用いられている各種透明基板を用いることができる。透明基板の厚みについては特に限定はないが、例えば、0.1〜50mm程度とすればよい。
上記n型半導体としては特に限定されず、従来公知の金属酸化物等で形成されたn型半導体を用いることができる。このような金属酸化物としては、例えば、ZnOを用いることができる。ZnOは、3.3eVという大きい禁制帯幅を有するn型酸化物半導体であり、ガスセンサー、温度センサー、表面弾性波素子、透明導電膜などに用いられている物質である。
n型半導体の膜の厚みについては、特に限定的ではないが、通常、それぞれ0.01〜10μm程度とすればよい。
被処理物は、Cu2O層形成用組成物に浸漬され被処理物の表面上にCu2O層が形成される。被処理物の表面上にCu2O層を形成する方法としては、例えば、Cu2O層形成用組成物から被処理物の表面上にCu2Oを電解めっきにより電解析出させて、Cu2O層とする方法が挙げられる。
この場合、Cu2O層形成用組成物(めっき浴)のpHは特に限定されないが、7〜14程度であることが好ましく、9〜13程度であることがより好ましい。Cu2O層形成用組成物の温度(浴温)は、30〜70℃程度とすることが好ましい。
電解方法としては、被処理物をカソードとして、定電位電解、定電流電解等の方法によって電解を行えばよい。特に、定電流電解が好ましい。アノードとしては、例えば、Cu板、Ti−Pt板、Pt板等を使用できる。定電流電解の場合には、電流密度を0.01〜10mA/cm2程度の範囲とすればよい。
以上説明した工程1により、被処理物の表面上にCu2O層を形成することができる。
(工程2)
工程2は、Cu2O層に加熱処理を行うことによってCuO層またCu2S層を形成する工程である。上記加熱処理としては特に限定されず、従来公知の加熱処理が挙げられるが、赤外線照射による加熱処理を行うことが好ましく、赤外線照射によるフラッシュ加熱により加熱処理を行うことがより好ましい。当該方法により加熱処理を行うことにより、Cu2O層の表面のみを高温で且つ短時間で加熱することができ、Cu2O層内部のCuOまたはCu2Sの形成を抑制することができ、Cu2O層の表面に上記CuO層またはCu2S層が積層された本発明の光電変換層を効率よく製造することができる。
工程2は、Cu2O層に加熱処理を行うことによってCuO層またCu2S層を形成する工程である。上記加熱処理としては特に限定されず、従来公知の加熱処理が挙げられるが、赤外線照射による加熱処理を行うことが好ましく、赤外線照射によるフラッシュ加熱により加熱処理を行うことがより好ましい。当該方法により加熱処理を行うことにより、Cu2O層の表面のみを高温で且つ短時間で加熱することができ、Cu2O層内部のCuOまたはCu2Sの形成を抑制することができ、Cu2O層の表面に上記CuO層またはCu2S層が積層された本発明の光電変換層を効率よく製造することができる。
上記赤外線照射による加熱処理の加熱温度は、100〜500℃が好ましく、200〜400℃がより好ましい。また、上記赤外線照射による加熱処理の加熱時間は、10秒〜2時間が好ましい。上記条件で加熱処理を行うことにより、Cu2O層内部のCuOまたはCu2Sの形成をより抑制することができ、Cu2O層の表面に上記CuO層またはCu2S層が積層された本発明の光電変換層をより効率よく製造することができる。
上記加熱処理は、CuO層またはCu2S層を形成する元素である酸素又は硫黄を含有する雰囲気中で行うことが好ましい。上記雰囲気中で加熱処理を行うことにより、Cu2O層の表面上に、CuO層またはCu2S層を効率よく形成することができる。例えば、空気中で上記加熱処理を行うことにより、空気中の酸素とCu2O層の表面とが反応し、Cu2O層の表面上にCuO層が形成される。また、加熱処理を硫黄を含む雰囲気中で行うことにより、Cu2O層の表面上にCu2S層が形成される。
以上説明した工程2により、Cu2O層に加熱処理を行うことによって、Cu2O層の表面上に、CuO層またはCu2S層を形成することができ、本発明の光電変換層を製造することができる。
以下に実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明する。但し、本発明は実施例に限定されない。
実施例1
基板としてGa:ZnOガラス(20Ω/□)を用い、0.08mol/Lの硝酸亜鉛水溶液中で液温63℃、−0.8V(Ag/AgCl電極基準)の条件で定電位電解を行い、通電電気量−0.03coulomb/cm2で膜厚約200nmのZnO層(n型半導体層)を形成した。
基板としてGa:ZnOガラス(20Ω/□)を用い、0.08mol/Lの硝酸亜鉛水溶液中で液温63℃、−0.8V(Ag/AgCl電極基準)の条件で定電位電解を行い、通電電気量−0.03coulomb/cm2で膜厚約200nmのZnO層(n型半導体層)を形成した。
次いで、硫酸銅0.4mol/Lと乳酸3mol/Lとを含有し、NaOHによりpHを12.5に調整した水溶液中に、上記方法でZnO層を形成した試料を浸漬し、定電位電解の条件で−0.4V(Ag/AgCl基準)電解めっきを行うことにより、ZnO層上にp型半導体層として、膜厚約2μmのCu2O層(禁制帯幅2.1eV)を形成した。
上記方法によって、ZnO/Cu2Oのpnヘテロ接合構造を形成した後、Cu2O層の表面を赤外線加熱炉(装置名:MILA5000、ULVAC機工製)によって、空気中で200〜500℃で10分〜3時間加熱処理を1回以上行った。これによりCu2O層の表面に、p型半導体層としてCuO層(禁制帯幅1.35eV)を形成し、図1に示すCu2O層及びCuO層が積層された光電変換層を作製した。
次いで、CuO層上に真空蒸着法により厚さ0.2μmの金電極を形成し、太陽電池(Au/CuO/Cu2O/ZnO太陽電池)を作製した。
比較例1
実施例1と同様にして、Ga:ZnOガラス基板上にZnO層(n型半導体層)、Cu2O層(p型半導体層)を形成し、図2に示す光電変換層を作製した。次いで、Cu2O層上に真空蒸着法により厚さ0.2μmの金電極を形成し、太陽電池(Au/Cu2O/ZnO太陽電池)を作製した。
実施例1と同様にして、Ga:ZnOガラス基板上にZnO層(n型半導体層)、Cu2O層(p型半導体層)を形成し、図2に示す光電変換層を作製した。次いで、Cu2O層上に真空蒸着法により厚さ0.2μmの金電極を形成し、太陽電池(Au/Cu2O/ZnO太陽電池)を作製した。
実施例及び比較例で作製した太陽電池における光電変換層について、以下の測定方法により外部量子効率及び透過率を測定した。
(外部量子効率)
分光計器(株)社製SM−250KB(型番)を用いて波長300〜1200nmで外部量子効率を測定した。
分光計器(株)社製SM−250KB(型番)を用いて波長300〜1200nmで外部量子効率を測定した。
(透過率)
分光計器(株)社製SM−250KB(型番)を用いて波長300〜1200nmで透過率を測定した。
分光計器(株)社製SM−250KB(型番)を用いて波長300〜1200nmで透過率を測定した。
(結果)
実施例1で作製した太陽電池の外部量子効率及び透過率を図3に示す。CuO層及びCu2O層が積層された光電変換層を用いた太陽電池では、透過率が1100nm付近から低下し、さらに630nm程度でも低下している。前者の吸収はCuO層、後者の吸収はCu2O層によるものである。図3では、外部量子効率も1100nmから観測できており、CuO層及びCu2O層は、発電に寄与していることを示している。CuO層とCu2O層とは異なるバンドギャップを有していることから、図3により、光電変換層に異なるバンドギャップを有する層を導入できたこと、及びCuO層とCu2O層とが発電に寄与していることが分かる。
実施例1で作製した太陽電池の外部量子効率及び透過率を図3に示す。CuO層及びCu2O層が積層された光電変換層を用いた太陽電池では、透過率が1100nm付近から低下し、さらに630nm程度でも低下している。前者の吸収はCuO層、後者の吸収はCu2O層によるものである。図3では、外部量子効率も1100nmから観測できており、CuO層及びCu2O層は、発電に寄与していることを示している。CuO層とCu2O層とは異なるバンドギャップを有していることから、図3により、光電変換層に異なるバンドギャップを有する層を導入できたこと、及びCuO層とCu2O層とが発電に寄与していることが分かる。
比較例1で作製した太陽電池の外部量子効率及び透過率を図4に示す。単一のバンドギャップのCu2O層及びZnO層により構成される光電変換層を用いた太陽電池では、630nm付近から透過率が低下して光吸収が生じており、外部量子効率も同じ波長から増加している。外部量子効率は、光を電力に変換する効率を示しており、図4により、630nm以下の波長で発電が低下していることが示されている。
Claims (5)
- Cu2O層と、CuO層またはCu2S層とが積層された、光電変換層。
- Cu2O層と、CuO層とが積層された、請求項1に記載の光電変換層。
- 光電変換層の製造方法であって、
(1)銅塩を含有するCu2O層形成用組成物中に被処理物を浸漬し、前記被処理物の表面上にCu2O層を形成する工程1、
(2)前記Cu2O層に加熱処理を行うことによってCuO層またはCu2S層を形成する工程2
を有する、製造方法。 - 前記工程2は、前記Cu2O層に加熱処理を行うことによってCuO層を形成する工程である、請求項3に記載の製造方法。
- 前記加熱処理を、酸素又は硫黄を含む雰囲気中で行う、請求項3に記載の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108796532A (zh) * | 2017-05-03 | 2018-11-13 | 天津大学 | 氧化镍—氧化亚铜同质结光电阴极及其制备方法和在光催化中的应用 |
WO2020059053A1 (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
CN111446328A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-07-24 | 辽宁工程技术大学 | 一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法 |
JP2021022648A (ja) * | 2019-07-26 | 2021-02-18 | 株式会社東芝 | 光電変換層、太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
JP2021150603A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 積層薄膜の製造方法、太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012234949A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
CN105977320A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-09-28 | 郑州大学 | 一种薄膜光伏电池 |
-
2015
- 2015-09-09 JP JP2015177515A patent/JP2017054917A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012234949A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
CN105977320A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-09-28 | 郑州大学 | 一种薄膜光伏电池 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
ABDU YUNUSA AND IBRAHIM I. IDOWU: ""OPTIMIZATION OF THE ANNEALING TIME AND TEMPERATURE OF n-Cu2O/p-Cu2S SOLAR CELL"", JOURANL OF THE NIGERIAN ASSOCIATION OF MATHEMATICAL PHYSICS, vol. 26, JPN6019027250, 2014, pages 486 - 489, ISSN: 0004199262 * |
MASAYA ICHIMURA, YOSHIHITO KATO: ""Fabrication of TiO2/Cu2O heterojunction solar cells by electrophoretic deposition and electrodeposi", MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, vol. 16, JPN6019027251, 2013, pages 1538 - 1541, ISSN: 0004076197 * |
R P WIJESUNDERA: ""Fabrication of the CuO/Cu2O heterojunction using an electrodeposition technique for solar cell appl", SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, vol. Vol.25, 045015, JPN6019027248, 2010, pages 1 - 5, ISSN: 0004199260 * |
Y. IEVSKAYA ET AL.: ""Fabrication of ZnO/Cu2O heterojunctions in atmospheric conditions: Improved interface quality and s", SOLAR ENERGY MATERIALS & SOLAR CELLS, vol. 135, JPN6019027249, April 2015 (2015-04-01), pages 43 - 48, XP055868541, ISSN: 0004199261, DOI: 10.1016/j.solmat.2014.09.018 * |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108796532A (zh) * | 2017-05-03 | 2018-11-13 | 天津大学 | 氧化镍—氧化亚铜同质结光电阴极及其制备方法和在光催化中的应用 |
WO2020059053A1 (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
JPWO2020059053A1 (ja) * | 2018-09-19 | 2020-12-17 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
JP7102504B2 (ja) | 2018-09-19 | 2022-07-19 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
US11810993B2 (en) | 2018-09-19 | 2023-11-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system |
JP2021022648A (ja) * | 2019-07-26 | 2021-02-18 | 株式会社東芝 | 光電変換層、太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
US11626528B2 (en) | 2019-07-26 | 2023-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoelectric conversion layer, solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic power system |
JP7330004B2 (ja) | 2019-07-26 | 2023-08-21 | 株式会社東芝 | 光電変換層、太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
CN111446328A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-07-24 | 辽宁工程技术大学 | 一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法 |
CN111446328B (zh) * | 2020-03-10 | 2023-08-18 | 辽宁工程技术大学 | 一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法 |
JP2021150603A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 積層薄膜の製造方法、太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |
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