JPS5961446A - 超電導回転子の電磁ダンパ−シ−ルドおよびその製造方法 - Google Patents
超電導回転子の電磁ダンパ−シ−ルドおよびその製造方法Info
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- JPS5961446A JPS5961446A JP57171341A JP17134182A JPS5961446A JP S5961446 A JPS5961446 A JP S5961446A JP 57171341 A JP57171341 A JP 57171341A JP 17134182 A JP17134182 A JP 17134182A JP S5961446 A JPS5961446 A JP S5961446A
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- Superconductive Dynamoelectric Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は超電導回転子の電磁ダンバーシールドおよびそ
の１！！遣方法に関する。
の１！！遣方法に関する。
従来の超電導（ロ）転電機、例えは超′＆導発を機にお
いては、一般に回転子に超電導巻線を設け、これを極低
温に冷却することにより、電気抵抗を零の状態とし、励
磁損失をなくし、強力な磁界を得ている。そしてこの強
力な磁界を安定に保つためには、超電導巻線が負荷の変
動、逆相電流、歯周Ｖ等による電機子からの変動磁束に
よって、超電導状態から常電導状態に転移する、いわゆ
るクエンチを防止する必要がある。そのために１回転子
には、外部から超電導巻線に変１１磁界が加わらないよ
うに電磁遮蔽が設けられており、巻線を保護する構成と
なっている。又、負荷の急変等の電力系統の碌乱の影響
による回転子の機械的振動を減衰させるために、電磁パ
ターンが必要である。
いては、一般に回転子に超電導巻線を設け、これを極低
温に冷却することにより、電気抵抗を零の状態とし、励
磁損失をなくし、強力な磁界を得ている。そしてこの強
力な磁界を安定に保つためには、超電導巻線が負荷の変
動、逆相電流、歯周Ｖ等による電機子からの変動磁束に
よって、超電導状態から常電導状態に転移する、いわゆ
るクエンチを防止する必要がある。そのために１回転子
には、外部から超電導巻線に変１１磁界が加わらないよ
うに電磁遮蔽が設けられており、巻線を保護する構成と
なっている。又、負荷の急変等の電力系統の碌乱の影響
による回転子の機械的振動を減衰させるために、電磁パ
ターンが必要である。
シ、土のような変動磁束の遮蔽及び回転子振動の救衰を
行な５ために、一般に超電導回転子には、常温ダンパー
シールドと低温ダンパーシールドの２１【の′電磁ダン
パーシールドが設けられている。
行な５ために、一般に超電導回転子には、常温ダンパー
シールドと低温ダンパーシールドの２１【の′電磁ダン
パーシールドが設けられている。
そこで、第１図を参照して従来例を説明する。
図中符号Ｊは常温ダンパーシールドを示１−０この常温
ダンパーシールド１は、高導電性金属層２とこの高導電
性金属層２を夕を周および内周から補強する補強層３お
よび４とから構成されており３車構造をなしている。こ
れは、割温ダンパーシールドＩには強大な遠心力・電磁
力・トルク等が加わる為に、機械的強度の比較的弱い高
導電性金属２だけでは耐えきれない恐れがあり、上記補
強層３および４によって補強して、その機械的強度を同
上させる構成である。
ダンパーシールド１は、高導電性金属層２とこの高導電
性金属層２を夕を周および内周から補強する補強層３お
よび４とから構成されており３車構造をなしている。こ
れは、割温ダンパーシールドＩには強大な遠心力・電磁
力・トルク等が加わる為に、機械的強度の比較的弱い高
導電性金属２だけでは耐えきれない恐れがあり、上記補
強層３および４によって補強して、その機械的強度を同
上させる構成である。
上記高導電性金属２は例えは、銅、アルミニウム、ある
いは、これらの合金等がら構成されている。また、上記
補強層３および４は機械的強度の高い金属から構成され
ている。そして、上記常温ダンパーシールド丈には、回
転子の最外部に位置しており回転子全体を憶う容器とし
ての機能をも鳴している。前記補強層４内周側には、間
隔を廟して輻射熱シールド５が設けられており、さらに
この輻射熱シールド５内周側には、間隔を翁して極低温
容器最少＋周部６が設けられている。そして、補強層４
と輻射熱シールド５との間および輻射熱シールド５およ
び極低温容器最外周部６との間にはそれぞれ具望断熱層
７および８が構成されている。上記極低温容器最外周部
６の内側には、トルクチューブ９が設けられている。そ
して、このトルクチューブ９内には極低温の液体冷媒１
０が貯蔵されている。まグ辷上８己トルクチューブ １１が設けられており、超電導巻線を収容している。図
中１２は、液体冷媒通路な廟するクザビ、１３は液体冷
媒受をそれぞれ示す。Ｊ：糺スロット１１には、成体冷
媒通路１４が接続されており、また、液体冷媒受１３に
は、冷媒受通路部１５が、辰絖されている。なお、前り
じ輻射熱シールド５は、低温ダンパーシールドとしての
機能を有している。イ氏温ダンパーシールドとしては、
これ以外にも、極低温容器最外周部６に、高４を性金属
版をはりつけて多層構造として構成する場合もある。前
記常温ダンパーシールド１が３００’Ｋ（絶対濁度）程
度の温度レベルであるのに約し、低温ダンパーシールド
は１００°に以下の低温である為、高導電性金属の導’
ｔｔ７，率は非常に高くなり、薄い層でも十分機能を果
すように構成されている。
いは、これらの合金等がら構成されている。また、上記
補強層３および４は機械的強度の高い金属から構成され
ている。そして、上記常温ダンパーシールド丈には、回
転子の最外部に位置しており回転子全体を憶う容器とし
ての機能をも鳴している。前記補強層４内周側には、間
隔を廟して輻射熱シールド５が設けられており、さらに
この輻射熱シールド５内周側には、間隔を翁して極低温
容器最少＋周部６が設けられている。そして、補強層４
と輻射熱シールド５との間および輻射熱シールド５およ
び極低温容器最外周部６との間にはそれぞれ具望断熱層
７および８が構成されている。上記極低温容器最外周部
６の内側には、トルクチューブ９が設けられている。そ
して、このトルクチューブ９内には極低温の液体冷媒１
０が貯蔵されている。まグ辷上８己トルクチューブ １１が設けられており、超電導巻線を収容している。図
中１２は、液体冷媒通路な廟するクザビ、１３は液体冷
媒受をそれぞれ示す。Ｊ：糺スロット１１には、成体冷
媒通路１４が接続されており、また、液体冷媒受１３に
は、冷媒受通路部１５が、辰絖されている。なお、前り
じ輻射熱シールド５は、低温ダンパーシールドとしての
機能を有している。イ氏温ダンパーシールドとしては、
これ以外にも、極低温容器最外周部６に、高４を性金属
版をはりつけて多層構造として構成する場合もある。前
記常温ダンパーシールド１が３００’Ｋ（絶対濁度）程
度の温度レベルであるのに約し、低温ダンパーシールド
は１００°に以下の低温である為、高導電性金属の導’
ｔｔ７，率は非常に高くなり、薄い層でも十分機能を果
すように構成されている。
次に、３垂構造をなす常温ダンパーシールトノの製造方
法について説明する。すなわち板状の補強層３，４と板
状の高導電性金属層２を、爆、発圧着等により、一体化
させ三層の板体をつくる。この板体をルス加工により、
半割の中梁円筒に整形し、これを溶接して円筒の常温ダ
ンパーシールドＩとする。また、この方法以外にも例え
は、補強層３，４、冒導箪性金属層２をそれぞれ別々の
中窒円筒としてつくり、これらを焼嵌によって、嵌合さ
せ一体化し常温ダンパーシールドＩと１−る方法もある
。さらに３つの中窒円筒を爆発圧着により一体化する方
法もある。
法について説明する。すなわち板状の補強層３，４と板
状の高導電性金属層２を、爆、発圧着等により、一体化
させ三層の板体をつくる。この板体をルス加工により、
半割の中梁円筒に整形し、これを溶接して円筒の常温ダ
ンパーシールドＩとする。また、この方法以外にも例え
は、補強層３，４、冒導箪性金属層２をそれぞれ別々の
中窒円筒としてつくり、これらを焼嵌によって、嵌合さ
せ一体化し常温ダンパーシールドＩと１−る方法もある
。さらに３つの中窒円筒を爆発圧着により一体化する方
法もある。
上記構成において、常温ダンバーシールドＩを構成てる
尚導電性金属層２には、変！Ｉ７Ｉ磁速、および回転子
＆動の減試の際にうす電流によるジュール熱が発生し、
この熱を速やかに除去する必要があった。
尚導電性金属層２には、変！Ｉ７Ｉ磁速、および回転子
＆動の減試の際にうす電流によるジュール熱が発生し、
この熱を速やかに除去する必要があった。
本発明の目的とするところは、冷却特性の誕れた超電導
回転子の電磁タンバーシールドおよびその製造方法を提
供することにある。
回転子の電磁タンバーシールドおよびその製造方法を提
供することにある。
第１の発明による超電導回転子の電磁ダンパーシールド
は、高導電性金属層およびこの高纏亀住金属層を補強す
る補強層を複数積層し一体化した積層円筒よりなる超電
導（ロ）転子の電磁ダンパーシールドにおいて上記積層
円筒に冷却機構を設けた構成である。
は、高導電性金属層およびこの高纏亀住金属層を補強す
る補強層を複数積層し一体化した積層円筒よりなる超電
導（ロ）転子の電磁ダンパーシールドにおいて上記積層
円筒に冷却機構を設けた構成である。
ず／工わち、積層円筒に冷却機構を設けることにより、
高導電性金族層に発生する熱を効果的に除熱する構成で
ある。
高導電性金族層に発生する熱を効果的に除熱する構成で
ある。
したがって、冷却特性が良好で信頼性の高い超電導回転
子の電磁ダンパーシールドを得ることができる。
子の電磁ダンパーシールドを得ることができる。
次に、第２の発明による超電導回転子の電磁ダンパーシ
ールド製造方法は、電磁ダンパーシールドを構成する積
層円筒の最外周の円筒内面に冷却機構を設ける工程と、
上記円筒を回転させ、その内面に浴融状態の高導電性金
属を流し込む工程と、円筒を回転させた状態で上記高導
電性金属を冷却硬化させる工程とを具備した構成である
。
ールド製造方法は、電磁ダンパーシールドを構成する積
層円筒の最外周の円筒内面に冷却機構を設ける工程と、
上記円筒を回転させ、その内面に浴融状態の高導電性金
属を流し込む工程と、円筒を回転させた状態で上記高導
電性金属を冷却硬化させる工程とを具備した構成である
。
すなわち、円筒を回転させながら溶融状態の高４ ｉｔ
、を性金属を、流し込むので振動が少なくバランス調整
が容易であり、均一で継目の無い高４篭性金属材を冷却
機構を設けた状態で提供することができ、信頼性の筒い
ダノノく−シールドを容易に製造することができる０ また、泥３の発明による超電導回転子の電磁ダンパーシ
ールド製造方法は、同心でかつ間隙を有して設にされた
円筒間に、冷却機構を設Ｈ−る工程と、円筒間に溶融状
態の高導電性金属をωＬし込む工程と、上記高導電性金
属を冷却硬化させる工程とを具備した構成である。
、を性金属を、流し込むので振動が少なくバランス調整
が容易であり、均一で継目の無い高４篭性金属材を冷却
機構を設けた状態で提供することができ、信頼性の筒い
ダノノく−シールドを容易に製造することができる０ また、泥３の発明による超電導回転子の電磁ダンパーシ
ールド製造方法は、同心でかつ間隙を有して設にされた
円筒間に、冷却機構を設Ｈ−る工程と、円筒間に溶融状
態の高導電性金属をωＬし込む工程と、上記高導電性金
属を冷却硬化させる工程とを具備した構成である。
したがって、前記第２の発明による電磁クンバーシール
ド同様、均一で継目のない＾導電性全域１曽を冷却機構
を設けた状態で提供することかでき、信頼性の高い電磁
ダノノ（−シールドを製造することができる。また、高
導電性金属層の内外周の円筒が、支持部材を介して直接
接合されている場合にも適用することかできる。
ド同様、均一で継目のない＾導電性全域１曽を冷却機構
を設けた状態で提供することかでき、信頼性の高い電磁
ダノノ（−シールドを製造することができる。また、高
導電性金属層の内外周の円筒が、支持部材を介して直接
接合されている場合にも適用することかできる。
第２図を参照して第１の発明の第１の実施例を説明する
。第２図は、猟温ダ／ノく−シールド１０１部分断面図
である。上記常温ダンノく−シールド１０１は円筒状を
なす高導電性金属材１０２を、内側および夕を側から補
強する補強層１０３、およｙｚｏ４とから構成されてお
り、３凪構造をなしている。上記高導電性金属材１０２
と、補強層Ｉθ３および１０４との境界面は、従来のよ
うになめらかではなく、波形をなしている。すなわち、
補強層１０３の内周面および補強層１０４の外周面に冷
却機構としての波形部１０９を設けることにより、補強
層１０３および１０４と高導電性金属材１０２との接触
面積を大きくし、冷却特性を高める構成である。また補
強層１０３および１０４を高導電性金属材Ｉθ２に、強
固に一体化し周方向のずれを防止して常温ダンパーシー
ルド仁（１としての、機械的強度をも高める構成である
。
。第２図は、猟温ダ／ノく−シールド１０１部分断面図
である。上記常温ダンノく−シールド１０１は円筒状を
なす高導電性金属材１０２を、内側および夕を側から補
強する補強層１０３、およｙｚｏ４とから構成されてお
り、３凪構造をなしている。上記高導電性金属材１０２
と、補強層Ｉθ３および１０４との境界面は、従来のよ
うになめらかではなく、波形をなしている。すなわち、
補強層１０３の内周面および補強層１０４の外周面に冷
却機構としての波形部１０９を設けることにより、補強
層１０３および１０４と高導電性金属材１０２との接触
面積を大きくし、冷却特性を高める構成である。また補
強層１０３および１０４を高導電性金属材Ｉθ２に、強
固に一体化し周方向のずれを防止して常温ダンパーシー
ルド仁（１としての、機械的強度をも高める構成である
。
したがって、補強層１０３および１０４と、高専↑Ｌ性
金属わ１０２との境界面の面積が大きくなり密危性も良
好となるので高４篭性金属材１０２で発生した熱が、補
強材１０３に伝導し易くそれによって冷却特性が向上す
る。また、補強層１０３および１０４を高４篭性金属材
１０２に強固に一体化することができ、周方向のすれ等
を未然に防止することができ、機械的強度を向上させる
ことができる。
金属わ１０２との境界面の面積が大きくなり密危性も良
好となるので高４篭性金属材１０２で発生した熱が、補
強材１０３に伝導し易くそれによって冷却特性が向上す
る。また、補強層１０３および１０４を高４篭性金属材
１０２に強固に一体化することができ、周方向のすれ等
を未然に防止することができ、機械的強度を向上させる
ことができる。
次に、第３図を参照して第２の実施例を説明する。すな
わち、高導電性金属材１０２と袖４材１０３の内周面お
よび補強層１０４σ）外周面に冷却機構としての凸部１
１０を設けた構成である。したがって、前記第１の実施
例と同様σ）効果を奏することができる。フエお、この
第２σ）実施例および前記第１の実施例の場合にお（・
て、波形あるいは、凸部な軸方向にも設けることにより
、同方向のみならず軸方向のずれをも防止することがで
き、その機械的速度をさらに向上させることができる。
わち、高導電性金属材１０２と袖４材１０３の内周面お
よび補強層１０４σ）外周面に冷却機構としての凸部１
１０を設けた構成である。したがって、前記第１の実施
例と同様σ）効果を奏することができる。フエお、この
第２σ）実施例および前記第１の実施例の場合にお（・
て、波形あるいは、凸部な軸方向にも設けることにより
、同方向のみならず軸方向のずれをも防止することがで
き、その機械的速度をさらに向上させることができる。
次に第４図を参照して第３の実施例を説明する。この場
合には、前記第１の実施例と違し・、補強層１０３の内
周面のみに冷却機構としての波形部１０９を設けた構成
である。これは、補強層１０３との境界面の接触面積を
補強層１０４との境界面の接触面積より大きくすること
により、高導電性金属利１０２で発生した熱が補強層１
０３ｉｌｌｌｌにより伝導し易くし、補強層１０４側か
らＡ位断熱層に放射される輻射熱を低減し、冷却効率を
旨めようとする構成である。したがって、前記第１、お
よび第２の実施例と同様の効釆を蚕することができるの
はもちろんのこと、冷却効率をさらに高めることができ
る。
合には、前記第１の実施例と違し・、補強層１０３の内
周面のみに冷却機構としての波形部１０９を設けた構成
である。これは、補強層１０３との境界面の接触面積を
補強層１０４との境界面の接触面積より大きくすること
により、高導電性金属利１０２で発生した熱が補強層１
０３ｉｌｌｌｌにより伝導し易くし、補強層１０４側か
らＡ位断熱層に放射される輻射熱を低減し、冷却効率を
旨めようとする構成である。したがって、前記第１、お
よび第２の実施例と同様の効釆を蚕することができるの
はもちろんのこと、冷却効率をさらに高めることができ
る。
次に、第５ｖを参照して、第４の実施例を説明する。こ
れは、高導電性金属材１０２内に軸方向に冷却機構とし
ての冷却配管１０５を設け、高４ ｚ、［性金属拐１０
２の冷却を積極的に行なうようにしグこ構成である。し
たがって、高導電性金属相１θ２において、うず電流に
よって発生するジュール熱を効果的に除却することがで
きる。
れは、高導電性金属材１０２内に軸方向に冷却機構とし
ての冷却配管１０５を設け、高４ ｚ、［性金属拐１０
２の冷却を積極的に行なうようにしグこ構成である。し
たがって、高導電性金属相１θ２において、うず電流に
よって発生するジュール熱を効果的に除却することがで
きる。
以上、第１ないし第４の実施例においてこれらと適宜組
合せて実施することも可能である。
合せて実施することも可能である。
例えは、第１ないし第３実施例における高導電性金属口
１０２内に、第４の実施例で示した冷却配管１０５を設
けることにより、機械的強度の向上を図り、かつ、冷却
効率をも著しく向上させることが可能となり、より信頼
１り［の＾″ろい常温ダンパーシールド１０１を、得る
ことができる。
１０２内に、第４の実施例で示した冷却配管１０５を設
けることにより、機械的強度の向上を図り、かつ、冷却
効率をも著しく向上させることが可能となり、より信頼
１り［の＾″ろい常温ダンパーシールド１０１を、得る
ことができる。
次に常温ダンパーシールド１０１の製造方法について説
明づ−る。すなわち、ＭｉＪ記名実施における常温ダン
パーシールド１０１を、従来の製造方法によって製造す
ることは困難である。すなわち、第１に爆発圧着あるい
は焼低めを行なう際の各材料の間隙あるいは焼度め代は
、均一でかつ小さくなげればならない。従って、接合面
はなめらかでなけれ；まならず、境界面に鼓形あるいは
凹凸等の起伏を設けるような構造の三層円筒は、製造困
難となる。第２に高導電性金属材１０２内部に冷却配管
１０５を埋め込むためには、高導電性金属材１０２をさ
らに２層に分け、この間に冷却配管１０５をはさむよう
にして、爆発圧着あるいは焼度めを行なわなけれはなら
ない。このため、工数は増加し、ス、良好な接合面を得
ることはむずかしい。又、従来の方法で３層円筒を製造
した後、高導電性金属材１０２に穴明は加工し、冷却配
管ＩＯ５に相当１′る冷却路を販けることも出来るが、
工数の増加と加工の困難度か高（、好ましくない。又、
篩２に一電住金属材１０２の境界面にあらかじめ溝加工
して、爆発圧着あるいは焼度めを行なえば、高尋Ｔし性
金属拐１０２の境界面に冷却通路を持った３層円筒が出
来るが、境界面での密潮−面が少なくなり強固な一体化
、それによる高い機械的強度を期待出来ない恐れがある
。そこで、以下にボすような、２つの方法により製造す
る。
明づ−る。すなわち、ＭｉＪ記名実施における常温ダン
パーシールド１０１を、従来の製造方法によって製造す
ることは困難である。すなわち、第１に爆発圧着あるい
は焼低めを行なう際の各材料の間隙あるいは焼度め代は
、均一でかつ小さくなげればならない。従って、接合面
はなめらかでなけれ；まならず、境界面に鼓形あるいは
凹凸等の起伏を設けるような構造の三層円筒は、製造困
難となる。第２に高導電性金属材１０２内部に冷却配管
１０５を埋め込むためには、高導電性金属材１０２をさ
らに２層に分け、この間に冷却配管１０５をはさむよう
にして、爆発圧着あるいは焼度めを行なわなけれはなら
ない。このため、工数は増加し、ス、良好な接合面を得
ることはむずかしい。又、従来の方法で３層円筒を製造
した後、高導電性金属材１０２に穴明は加工し、冷却配
管ＩＯ５に相当１′る冷却路を販けることも出来るが、
工数の増加と加工の困難度か高（、好ましくない。又、
篩２に一電住金属材１０２の境界面にあらかじめ溝加工
して、爆発圧着あるいは焼度めを行なえば、高尋Ｔし性
金属拐１０２の境界面に冷却通路を持った３層円筒が出
来るが、境界面での密潮−面が少なくなり強固な一体化
、それによる高い機械的強度を期待出来ない恐れがある
。そこで、以下にボすような、２つの方法により製造す
る。
すなわち、第２の発明による電磁ダンパーシールドの製
造方法（以下、第１の製造方法と称す）は、第６図に示
すように、まず、最外層となる円筒状の補強材１０３を
作り、その円周面に切削加工あるいは溶接等により波形
あるいは、凹凸（図中では凹凸）等の起伏部を形成して
おく。冷却配管１０５を、設ける場合には、この時、設
ける。そして、このようにした補強材１０３を水平に置
かれた２本のローラＩθ６および１０７上に載置する。
造方法（以下、第１の製造方法と称す）は、第６図に示
すように、まず、最外層となる円筒状の補強材１０３を
作り、その円周面に切削加工あるいは溶接等により波形
あるいは、凹凸（図中では凹凸）等の起伏部を形成して
おく。冷却配管１０５を、設ける場合には、この時、設
ける。そして、このようにした補強材１０３を水平に置
かれた２本のローラＩθ６および１０７上に載置する。
この状態でローラ１０６および１０７を回転させて、補
強材ＺＯＳを回転させる。そして、補強材１０３の円周
面に軸方向から浴融させた高導電性金属を流し込み遠心
力によって、上記高導電性金属を円筒Ｖ；（図中破線で
示す）に補強材１０３円周面に密Ｎさせる。そして、そ
の状態で、冷却硬化させて高導電性金属材１θ２とする
。このとき、補強材１０３の軸方向の両端に、つは状の
着体（図示せず）を設け、高導電性金属が外にθＩＬれ
田ないようにする。また、補強材１０３の内面にはあら
かじめメッキ等の前処理を施し高導電性金属との＠着が
良好となるようにする。そして、補強材ｌθ３の変形を
防止する為に？＋ｔｉ強材１０３外周に、さらに支持用
１ｒＪ筒（図示せず）を設けてもよい。そして、補強材
１０３を回転させる方法としては、ロー２１０６，１０
７による方法以外でも安定した回転と支持が得られれば
よい。前記、第４図に示した第３の笑施例は、補強材ｌ
θ３と、高導電性金属材１０２とを土紀第１の方法によ
り、接合し、高導電性金ノ曽祠Ｉθ２とネ山弓虫ノ曽Ｉ
σ４との接合暑ま、イだ来の方法により行なったもので
ある。
強材ＺＯＳを回転させる。そして、補強材１０３の円周
面に軸方向から浴融させた高導電性金属を流し込み遠心
力によって、上記高導電性金属を円筒Ｖ；（図中破線で
示す）に補強材１０３円周面に密Ｎさせる。そして、そ
の状態で、冷却硬化させて高導電性金属材１θ２とする
。このとき、補強材１０３の軸方向の両端に、つは状の
着体（図示せず）を設け、高導電性金属が外にθＩＬれ
田ないようにする。また、補強材１０３の内面にはあら
かじめメッキ等の前処理を施し高導電性金属との＠着が
良好となるようにする。そして、補強材ｌθ３の変形を
防止する為に？＋ｔｉ強材１０３外周に、さらに支持用
１ｒＪ筒（図示せず）を設けてもよい。そして、補強材
１０３を回転させる方法としては、ロー２１０６，１０
７による方法以外でも安定した回転と支持が得られれば
よい。前記、第４図に示した第３の笑施例は、補強材ｌ
θ３と、高導電性金属材１０２とを土紀第１の方法によ
り、接合し、高導電性金ノ曽祠Ｉθ２とネ山弓虫ノ曽Ｉ
σ４との接合暑ま、イだ来の方法により行なったもので
ある。
したがって、従来の爆発Ｅｆ：、漸による接合では、円
筒の肉厚が牛均−となり、非対称になり易く、その為振
動が兄生じバランス調整がむすがしがつ／こ。これに対
して前述したｕ）ｌの方法によると、補強材を回転させ
ながら製造するので製造時に振動を抑えておけは、後の
バランス調整は容易である。また、従来の焼度めによる
方法では、ｉｌｉ＋ｉ方向に長い円筒を２回以上、焼度
めしなけれはならず、これにズリして第１の方法による
と・補強４ＡＩσ３のみ作っておけは均一で継目のない
＾導電性金属４１Ｊ１０２を容易に作ることができ、従
来のような、なめらがな接合面の場合にもきわめて効果
的な方法である。
筒の肉厚が牛均−となり、非対称になり易く、その為振
動が兄生じバランス調整がむすがしがつ／こ。これに対
して前述したｕ）ｌの方法によると、補強材を回転させ
ながら製造するので製造時に振動を抑えておけは、後の
バランス調整は容易である。また、従来の焼度めによる
方法では、ｉｌｉ＋ｉ方向に長い円筒を２回以上、焼度
めしなけれはならず、これにズリして第１の方法による
と・補強４ＡＩσ３のみ作っておけは均一で継目のない
＾導電性金属４１Ｊ１０２を容易に作ることができ、従
来のような、なめらがな接合面の場合にもきわめて効果
的な方法である。
次に第７図を参照して、第３の発明による電磁ダンパー
シールドの製造方法（以後用２の製造方法と称す）につ
いて説明する。すなわち、円筒状の補強材１０３，１０
４を均一な間隙を鳴するように’？ＥＥｍ力向に立設す
る。この時補強材１０３の内聞友ひ１０４のりを面には
鼓形あるいは凹凸等の７１μ伏をあらかじめ設けておく
が、冷ｉ＋Ｉ ｆａｒ：、層゛１ｖ５を設けておく。も
ちろん両方を設ける場合もめる。この状態で、間隙に＃
面状態の高専′岨注金属を流し込み、冷却硬化させる。
シールドの製造方法（以後用２の製造方法と称す）につ
いて説明する。すなわち、円筒状の補強材１０３，１０
４を均一な間隙を鳴するように’？ＥＥｍ力向に立設す
る。この時補強材１０３の内聞友ひ１０４のりを面には
鼓形あるいは凹凸等の７１μ伏をあらかじめ設けておく
が、冷ｉ＋Ｉ ｆａｒ：、層゛１ｖ５を設けておく。も
ちろん両方を設ける場合もめる。この状態で、間隙に＃
面状態の高専′岨注金属を流し込み、冷却硬化させる。
このとき前記Ｍｌの方法同様、補強材１０３゜１０４の
下部には蓋（図示せず）を設け、尚導電性金属が流れ出
ないようにしておく。このとき第８図に示すように、補
強材１０３と１０４とを、あらかじめ支持物Ｉθ８で固
定支持して高導電性金属をｂｔｔ Ｌ込めば、補強材１
０３と１０４とが直接接合されているため、さらに強固
に一体化され、製造中に補強材Ｚ ＯＳと１０４の位置
がずれることもない。この第２の方法によれば、補強材
１０３および１０４の境界面が共に起伏を有するような
ものも簡単に製造することができ、又、高導電性金属材
１０２は均一でつなぎ目もなく、従来のようななめらが
な接合面を持つ円筒を製造する場合にも有効である。
下部には蓋（図示せず）を設け、尚導電性金属が流れ出
ないようにしておく。このとき第８図に示すように、補
強材１０３と１０４とを、あらかじめ支持物Ｉθ８で固
定支持して高導電性金属をｂｔｔ Ｌ込めば、補強材１
０３と１０４とが直接接合されているため、さらに強固
に一体化され、製造中に補強材Ｚ ＯＳと１０４の位置
がずれることもない。この第２の方法によれば、補強材
１０３および１０４の境界面が共に起伏を有するような
ものも簡単に製造することができ、又、高導電性金属材
１０２は均一でつなぎ目もなく、従来のようななめらが
な接合面を持つ円筒を製造する場合にも有効である。
第１の発明による超電導回転子の電磁ダンパーシールド
は、高４電性金属層およびこの高導電性金属層を補強す
る補強層を複数積層し一体化した積層円筒よりなる超電
導回転子の電磁ダンパーシールドにおいて上記積層円筒
に、冷却機構を設けた構成である。
は、高４電性金属層およびこの高導電性金属層を補強す
る補強層を複数積層し一体化した積層円筒よりなる超電
導回転子の電磁ダンパーシールドにおいて上記積層円筒
に、冷却機構を設けた構成である。
すなわち、ｉｌ＊ｌ円層に冷却機構を設けることにより
、尚導電性金属層に発生ずる熱を効果的に除熱する構成
である。
、尚導電性金属層に発生ずる熱を効果的に除熱する構成
である。
したがって、冷却特性が良好で信頼性の高い超電導回転
子のｉ４ｉ （ｇダンパーシールドを得ることができる
。
子のｉ４ｉ （ｇダンパーシールドを得ることができる
。
次に、第２の発明による超電導回転子の電磁ダンパーシ
ールド製造方法は、電磁ダンパーシールドを構成する積
層円筒の最外周の円筒内面に冷却機構を設ける工程と、
上記円筒を回転させ、その内面に浴融状態の高導電性金
属を流し込む工程と、円筒を回転させた状態で上記高導
電性金属を、冷却硬化させる工程とを具備した構成であ
る。
ールド製造方法は、電磁ダンパーシールドを構成する積
層円筒の最外周の円筒内面に冷却機構を設ける工程と、
上記円筒を回転させ、その内面に浴融状態の高導電性金
属を流し込む工程と、円筒を回転させた状態で上記高導
電性金属を、冷却硬化させる工程とを具備した構成であ
る。
すなわち、円筒を回転させながら、溶融状態の高導電性
金属を流し込むので、振動が少なく、バランス調整が容
易であり、均一で継目の無い高導電性金属層を冷却機構
ケ販けた状態で提供することができ信頼性の高い電磁ダ
ンパーシールドを容易に製造することができる。
金属を流し込むので、振動が少なく、バランス調整が容
易であり、均一で継目の無い高導電性金属層を冷却機構
ケ販けた状態で提供することができ信頼性の高い電磁ダ
ンパーシールドを容易に製造することができる。
また、第３の発明による超電導回転子の電磁ダンパーシ
ールド製造方法は、同心でかつ間隙を有して設置された
円筒間に冷却機構を設ける工程と、円筒間に溶融状態の
高導電性金属を流し込む工程と、上記高導電性金属な冷
却硬化させる工程とを具備した構成である。
ールド製造方法は、同心でかつ間隙を有して設置された
円筒間に冷却機構を設ける工程と、円筒間に溶融状態の
高導電性金属を流し込む工程と、上記高導電性金属な冷
却硬化させる工程とを具備した構成である。
したがって、前記第２の発明による電磁ダンパーシール
ド同様、均一で継目のない高導電性金属層を冷却機構を
設けた状態で提供することができ、信頼性の高い電磁ダ
ンパーシールドを製造することができる。また筒Ｓ電性
金属ノーの内外周の円筒が支持部材を介して直接接合さ
れている場合にも通用することができる等、その効果し
１犬である。
ド同様、均一で継目のない高導電性金属層を冷却機構を
設けた状態で提供することができ、信頼性の高い電磁ダ
ンパーシールドを製造することができる。また筒Ｓ電性
金属ノーの内外周の円筒が支持部材を介して直接接合さ
れている場合にも通用することができる等、その効果し
１犬である。
第１図は、従来例をボす超電導回転子の断面図、第２図
は第１の発明の第１の実施圀を示す′患温ダノパーシー
ルドの部分断面図、第３図は、第１の発明の第２の実施
例を示す同上図、第４図は、第１の発明の第３の実施例
をボす同上図、第５図は、第１の発明の第４の実施例ン
ンバす同上図、第６図は、第２の兄明の実ｈ’ＪＡ例を
ボす断面図、第７図は、第３の発ヴＪの実施例を示す斜
視図、第８図は、第３の発明の別の実施例を示す部分ｉ
ノ「１ｍ図である。 １０１・・・當温シールド、１０２・・高導電性金属利
、１０３，１０４・・補強層、１０５・・冷却配管、１
０９・・波形部、ｔｔｏ・・・凸部。 出願人代理人 ９Ｆ理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第６図 第７図 手続補正書 昭和５１年１１月′１ 日 特許庁長官 若杉和夫 殿 ■、小件の表示 竹願昭５７−１７１３４１号 ２、発明の名称 超電うη回転子の電和、ダンパーンールドおよびその製
造方法３、々１）市をする名 ７Ｈ件との関係 特許出願人 （（９）７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 住所 東Ｊｉｌ都潜１ネ虎ノ門１丁目２６？ｌ’？５Ｉ
３ 第１７ｆビル〒１．０５ 電話０３ （５０
２） ３１８１ （大代表）６、補市の夕・］家 用細書全文
は第１の発明の第１の実施圀を示す′患温ダノパーシー
ルドの部分断面図、第３図は、第１の発明の第２の実施
例を示す同上図、第４図は、第１の発明の第３の実施例
をボす同上図、第５図は、第１の発明の第４の実施例ン
ンバす同上図、第６図は、第２の兄明の実ｈ’ＪＡ例を
ボす断面図、第７図は、第３の発ヴＪの実施例を示す斜
視図、第８図は、第３の発明の別の実施例を示す部分ｉ
ノ「１ｍ図である。 １０１・・・當温シールド、１０２・・高導電性金属利
、１０３，１０４・・補強層、１０５・・冷却配管、１
０９・・波形部、ｔｔｏ・・・凸部。 出願人代理人 ９Ｆ理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第６図 第７図 手続補正書 昭和５１年１１月′１ 日 特許庁長官 若杉和夫 殿 ■、小件の表示 竹願昭５７−１７１３４１号 ２、発明の名称 超電うη回転子の電和、ダンパーンールドおよびその製
造方法３、々１）市をする名 ７Ｈ件との関係 特許出願人 （（９）７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 住所 東Ｊｉｌ都潜１ネ虎ノ門１丁目２６？ｌ’？５Ｉ
３ 第１７ｆビル〒１．０５ 電話０３ （５０
２） ３１８１ （大代表）６、補市の夕・］家 用細書全文
Claims (3)
- （１）高専′屯住金属層およびこの高導電性金属層を補
強する補強層を複数積層し、一体化した積層円筒より１
よる超電導回転子の電磁ダンパーシールドにおいて上記
積層円筒に冷却機構を設けたことを特徴とする超電導回
転子の電磁ダンパーシールド。 - （２） ％ 蜂ダンパーシールドを構成する積層円筒
の最外周の円筒内面に冷却機構を設ける工程と、上記円
筒を回転させその内面に溶融状態の高導電性金属を流し
込む工程と、円筒を回転させた状態で上記高導電性金属
を冷却硬化させる工程とを具備したことを特徴とする超
′ｆＭ、導回転子の電磁ダンパーシールド製造方法。 - （３）同心でかつ間隙を鳴して設置された円筒間に冷却
機構を収ける工程と、円筒間に溶融状態の高導電性金属
を流し込む工程と、上記高導電性金属を冷却硬化させる
工程とを具備したことを特徴とする超電導回転子の電磁
ダンパーシールド製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171341A JPS5961446A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 超電導回転子の電磁ダンパ−シ−ルドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171341A JPS5961446A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 超電導回転子の電磁ダンパ−シ−ルドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961446A true JPS5961446A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15921415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171341A Pending JPS5961446A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 超電導回転子の電磁ダンパ−シ−ルドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961446A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63310351A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Fuji Electric Co Ltd | タ−ビン発電機回転子の回転バランス試験に用いる電磁シ−ルド |
| US5071789A (en) * | 1985-08-02 | 1991-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a metal electrical connector to a surface of a semiconductor device adjacent a sidewall of insulation material with metal creep-up extending up that sidewall, and related device |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171341A patent/JPS5961446A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5071789A (en) * | 1985-08-02 | 1991-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a metal electrical connector to a surface of a semiconductor device adjacent a sidewall of insulation material with metal creep-up extending up that sidewall, and related device |
| JPS63310351A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Fuji Electric Co Ltd | タ−ビン発電機回転子の回転バランス試験に用いる電磁シ−ルド |
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