JPS5961086A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS5961086A JPS5961086A JP17197182A JP17197182A JPS5961086A JP S5961086 A JPS5961086 A JP S5961086A JP 17197182 A JP17197182 A JP 17197182A JP 17197182 A JP17197182 A JP 17197182A JP S5961086 A JPS5961086 A JP S5961086A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type
- cladding layer
- active
- electrode
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１１１１ 発明の技術分野
本発明は半導体発光装置に係り、特に発振周波数の同調
或いは変調を可能ならしめる半導体レーザの構造に関す
る。
或いは変調を可能ならしめる半導体レーザの構造に関す
る。
（ｂｌ 従来技術と問題点
従来の半導体レーザ、特に一対の反射鏡面が互いに平行
に配設された構造のＦａｂｒｙ Ｐｅｒｏｔ型の半導体
レーザは、発振周波数を同開成いは変調することが困難
であった。
に配設された構造のＦａｂｒｙ Ｐｅｒｏｔ型の半導体
レーザは、発振周波数を同開成いは変調することが困難
であった。
ｔｃ＋ 発明の目的
本発明の目的は、発振周波数の同調或いは変調を可能な
らしめる半導体レーザの改良された構造を提供すること
にある。
らしめる半導体レーザの改良された構造を提供すること
にある。
＋ｄ） 発明の構成
第１のクラッド層と、該第１のクラッド層上に配設され
た一対の共振器端面を有するストライプ状の活性層と、
該活性層上に配設された第２のクラッド層とからなるダ
ブルへテロ接合半導体層を具備し、前記活性層と第２の
クラッド層は、少なくとも一方の共振器端面の近傍の第
１の領域において、第１導電型を有し、また前記共振器
端面から離隔し且つ前記第１の領域に連続する第２の領
域において第２導電型を有し、且つ前Ｎ？ｆｉｌ、２の
クラット１８ば、第２の領域における厚さが、第１の領
域におりる厚さよりも厚くされ、前記第１及び第２の領
域それぞれに電極が配設されてなることにある。
た一対の共振器端面を有するストライプ状の活性層と、
該活性層上に配設された第２のクラッド層とからなるダ
ブルへテロ接合半導体層を具備し、前記活性層と第２の
クラッド層は、少なくとも一方の共振器端面の近傍の第
１の領域において、第１導電型を有し、また前記共振器
端面から離隔し且つ前記第１の領域に連続する第２の領
域において第２導電型を有し、且つ前Ｎ？ｆｉｌ、２の
クラット１８ば、第２の領域における厚さが、第１の領
域におりる厚さよりも厚くされ、前記第１及び第２の領
域それぞれに電極が配設されてなることにある。
（Ｃｌ 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
図において、■はｎ型ＧａＡｓよりなる半導体基板、２
はｎ型Ｇａ１−ｙへＩｙ Ａｓよりなる第１のクラッド
層、３はＧａ１−、、Ａｌｘ Ａｓよりなる活性層で、
ｐ型の活性領域（キャリア濃度ｐ” Ｉ Ｘ １０１８
（１０１８（＞ ３八及びｎ型の非活性領域（キャリア
濃度ｎ：３Ｘ１０１９ （Ｃｍ’ ） ）３Ｂとからな
り、４はＧａ、−ｙへＩｙ Ａｓよりなる第２のクラッ
ド層で、ｐ型領域４Ａ（！：ｎ型領域４Ｂとを有し、５
は絶縁膜で例えば二酸化シリ−コン（Ｓｉ０２）膜、６
は上記第２のクラッド層４のｐ型頭域４酊りに形成され
た第１の電極、７は半導体基板１の背面に形成された第
２の電極、８は上記５ｉ０２＋＋ｇ ５を介して第２の
クラッド層４のｎ型領域４Ｂ上に形成された第３の電極
、９＾及び９Ｂは互いに平行に配設された第１及び第２
の反射鏡面である。
はｎ型Ｇａ１−ｙへＩｙ Ａｓよりなる第１のクラッド
層、３はＧａ１−、、Ａｌｘ Ａｓよりなる活性層で、
ｐ型の活性領域（キャリア濃度ｐ” Ｉ Ｘ １０１８
（１０１８（＞ ３八及びｎ型の非活性領域（キャリア
濃度ｎ：３Ｘ１０１９ （Ｃｍ’ ） ）３Ｂとからな
り、４はＧａ、−ｙへＩｙ Ａｓよりなる第２のクラッ
ド層で、ｐ型領域４Ａ（！：ｎ型領域４Ｂとを有し、５
は絶縁膜で例えば二酸化シリ−コン（Ｓｉ０２）膜、６
は上記第２のクラッド層４のｐ型頭域４酊りに形成され
た第１の電極、７は半導体基板１の背面に形成された第
２の電極、８は上記５ｉ０２＋＋ｇ ５を介して第２の
クラッド層４のｎ型領域４Ｂ上に形成された第３の電極
、９＾及び９Ｂは互いに平行に配設された第１及び第２
の反射鏡面である。
更に上記第２のクラッド層４は、図に見られる如く厚さ
の厚い領域と薄い領域とから構成される。
の厚い領域と薄い領域とから構成される。
上記ｐ種領域４Ａｃよ、この厚い領域内の前記ｐ型の活
性領域３＾上に形成される。またｎ型領域４Ｂは薄い領
域であって、段差部ＩＯを介してｐ型頭域４八と一体化
されている。
性領域３＾上に形成される。またｎ型領域４Ｂは薄い領
域であって、段差部ＩＯを介してｐ型頭域４八と一体化
されている。
上記半導体レーザの構造において、活性層３はストライ
プ状に形成され、該活性層３及び第１゜第２のクラッド
層２，４の混晶比即ちｘ＋Ｖの値を選択することにより
、活性層３の屈折率を第１゜第２のクラッド層２．４の
屈折率より小さくすることは周知である。
プ状に形成され、該活性層３及び第１゜第２のクラッド
層２，４の混晶比即ちｘ＋Ｖの値を選択することにより
、活性層３の屈折率を第１゜第２のクラッド層２．４の
屈折率より小さくすることは周知である。
更に本実施例においては、活性層３及び第２のクラッド
層４をｎ型に形成した後、少なくとも一対の共振器端面
即ち反射鏡面９Ａ 、 ９ｒｌの一方の近傍を除く領域
に選択的に亜鉛（Ｚｎ）を拡散することによってｐ型に
変換する。この亜鉛（Ｚｎ）の拡散深さは活性層３の下
にｐ−ｎ接合が形成されるよう制御する。このように活
性層３及び第２のクラッド層４にそれぞれ活性領域論及
びｐ型頭域４八を形成した後、フォトエツチング法によ
り第２のクラ、ト層４の亜鉛（Ｚｎ）を拡散していない
部分。
層４をｎ型に形成した後、少なくとも一対の共振器端面
即ち反射鏡面９Ａ 、 ９ｒｌの一方の近傍を除く領域
に選択的に亜鉛（Ｚｎ）を拡散することによってｐ型に
変換する。この亜鉛（Ｚｎ）の拡散深さは活性層３の下
にｐ−ｎ接合が形成されるよう制御する。このように活
性層３及び第２のクラッド層４にそれぞれ活性領域論及
びｐ型頭域４八を形成した後、フォトエツチング法によ
り第２のクラ、ト層４の亜鉛（Ｚｎ）を拡散していない
部分。
本実施例では反射鏡面９Ａ近傍部を選択的に除去して厚
さを減じ、ｐ型＃１域４Δより薄い（例えば０．２〜０
．５〔μｍ））ｎ型領域４Ｂを形成する。
さを減じ、ｐ型＃１域４Δより薄い（例えば０．２〜０
．５〔μｍ））ｎ型領域４Ｂを形成する。
しかる後、前記ｐ型頭域４八表面に第１の電極６を、半
導体基板１背面に第２の電極７を、またｎ型領域４Ｂ表
面に例えば凡そ０．１〜０．１５ Ｃμｍ〕のＩＶさの
５ｉ０２膜５のような絶縁膜を介して第３の電極８を形
成する。
導体基板１背面に第２の電極７を、またｎ型領域４Ｂ表
面に例えば凡そ０．１〜０．１５ Ｃμｍ〕のＩＶさの
５ｉ０２膜５のような絶縁膜を介して第３の電極８を形
成する。
このように形成された本実施例の半導体レーザは、活性
層３の非活性領域３Ｂは、レーザ発振波長に対して透明
になり、低損失の先導波路が形成される。また非活性領
域３Ｂ上に形成された第３の電極８に直流あるいは交流
電圧、または両者を重畳した電圧を印加することにより
、上記光導波路の屈折率が変化するので、レーザ共振器
の共振周波数が変化し、レーザ発振周波数が変る。従っ
て上記本実施例の半導体レーザは、第３の電極に印加す
る電圧を時間的に一定に保つことにより、発振周波数の
同調、或いは時間的に変化させることにより変調が可能
となる。
層３の非活性領域３Ｂは、レーザ発振波長に対して透明
になり、低損失の先導波路が形成される。また非活性領
域３Ｂ上に形成された第３の電極８に直流あるいは交流
電圧、または両者を重畳した電圧を印加することにより
、上記光導波路の屈折率が変化するので、レーザ共振器
の共振周波数が変化し、レーザ発振周波数が変る。従っ
て上記本実施例の半導体レーザは、第３の電極に印加す
る電圧を時間的に一定に保つことにより、発振周波数の
同調、或いは時間的に変化させることにより変調が可能
となる。
なお上記一実施例では、非活性領域３Ｂを一方の共振器
端面（図では反射鏡面９への近傍）にのみ設けた例を説
明したが、非活性領域を一対の共振器端面双方にそれぞ
れ設けても良い。
端面（図では反射鏡面９への近傍）にのみ設けた例を説
明したが、非活性領域を一対の共振器端面双方にそれぞ
れ設けても良い。
また上記一実施例では一対の反射鏡面を利用する構造の
共振器を具備せる半導体レーザを掲げて説明したが、他
の構造の共振器を具備する半導体レーザであっても本発
明を用い得ることは勿論である。
共振器を具備せる半導体レーザを掲げて説明したが、他
の構造の共振器を具備する半導体レーザであっても本発
明を用い得ることは勿論である。
（ｆｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明により、発振周波数の同調或いは
変調が可能な半導体発光装置が提供される。
変調が可能な半導体発光装置が提供される。
図は本発明に係る半導体発光装置の一実施例を示す要部
断面図である。 図において、１は半導体基板、２は第１のクラノド層、
３は活性層で、３酎よ活性領域、 ３Ｂは非活性領域、
４は第２のクラッド層で、４八はｐ型の厚い領域、 ４
Ｂはｎ型の薄い領域、５は絶１ｉ膜、６゜７．８はそれ
ぞれ第１．第２．第３の電極、９Ａ。 ９Ｂは共振器端面、１０は段差部を示す。
断面図である。 図において、１は半導体基板、２は第１のクラノド層、
３は活性層で、３酎よ活性領域、 ３Ｂは非活性領域、
４は第２のクラッド層で、４八はｐ型の厚い領域、 ４
Ｂはｎ型の薄い領域、５は絶１ｉ膜、６゜７．８はそれ
ぞれ第１．第２．第３の電極、９Ａ。 ９Ｂは共振器端面、１０は段差部を示す。
Claims (1)
- ｓｉのクラッド層と、該第１のクラッド層上に配設され
た一対の共振器端面を有するストライプ状の活性層と、
該活性層上に配設された第２のクラッド層とからなるダ
ブルへテロ接合半導体層を具備し、前記活性層と第２の
クラッド層は、少なくとも一方の共振器端面の近傍の第
１の領域において、第１導電型を有し、また前記共振器
端面から８１１隔し且つ前記第１の領域に連続する第２
の領域において第２導電型を有し、且つ前記第２のクラ
ッド層は、第２の領域における厚さが、第１の領域にお
ける厚さよりも厚くされ、前記第１及び第２の領域それ
ぞれに電極が配設されてなることを特徴とする半導体発
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17197182A JPS5961086A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17197182A JPS5961086A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961086A true JPS5961086A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15933141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17197182A Pending JPS5961086A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961086A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1672756A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-21 | Electronics and Telecommunications Research Institute | Integrated semiconductor light source |
| JP2022506323A (ja) * | 2018-11-05 | 2022-01-17 | 華為技術有限公司 | 外部反射戻り光耐性レーザ |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP17197182A patent/JPS5961086A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1672756A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-21 | Electronics and Telecommunications Research Institute | Integrated semiconductor light source |
| US7561603B2 (en) | 2004-12-14 | 2009-07-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Integrated semiconductor light source |
| JP2022506323A (ja) * | 2018-11-05 | 2022-01-17 | 華為技術有限公司 | 外部反射戻り光耐性レーザ |
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