JPS5957246A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5957246A JPS5957246A JP16800982A JP16800982A JPS5957246A JP S5957246 A JPS5957246 A JP S5957246A JP 16800982 A JP16800982 A JP 16800982A JP 16800982 A JP16800982 A JP 16800982A JP S5957246 A JPS5957246 A JP S5957246A
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- JP
- Japan
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- amorphous silicon
- silicon film
- oxygen
- conductive substrate
- frequency waves
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はアモルファスシリコン膜を用いた電子写真用感
光体の製造方法に関するもめである。
光体の製造方法に関するもめである。
従来より、電子写真用感光体として、アモルファスシリ
コンを用いる技術が数多く提案されている。
コンを用いる技術が数多く提案されている。
しかしながらアモルファスシリコン膜と下地の導電性基
板との密着強度が必らずしも強固ではないため、形成さ
れたアモルファスシリコン膜にクラックが入った巾、は
がれたカすることが稀ではなかった。
板との密着強度が必らずしも強固ではないため、形成さ
れたアモルファスシリコン膜にクラックが入った巾、は
がれたカすることが稀ではなかった。
一方、アモルファスシリコン膜の特性改善のため、膜形
成の際、モノシランガスに酸素ガスを添加して酸素添加
アモルファスシリコン膜（ａ−８１：Ｈ二０膜）とする
技術も提奏されているが、この場合酸素の添加隈が大に
なるほど膜の線膨張係数が小さくなるため、柳Ｍイ性基
Ｊ／この線膨張係数との差が大ぶなって、更にタラック
やモ′Ａ１離を増大させてしまうという欠点があった。
成の際、モノシランガスに酸素ガスを添加して酸素添加
アモルファスシリコン膜（ａ−８１：Ｈ二０膜）とする
技術も提奏されているが、この場合酸素の添加隈が大に
なるほど膜の線膨張係数が小さくなるため、柳Ｍイ性基
Ｊ／この線膨張係数との差が大ぶなって、更にタラック
やモ′Ａ１離を増大させてしまうという欠点があった。
本発明の目的は、導電性基板とアモルファスシリコン膜
との密着性を増大させて、アモルファスシリコン膜のク
ラックや剥離を生じないようにｌ−だ電子写真用感光体
の製造方法を提供することにある。
との密着性を増大させて、アモルファスシリコン膜のク
ラックや剥離を生じないようにｌ−だ電子写真用感光体
の製造方法を提供することにある。
本発明は、真空容器内でモノシランガスをグロー放電分
解して導電性基板にアモルファスシリコン膜を形成する
工程（第２の工程）の前に、その導電性基板を同真空容
器内で酸素プラズマ処理する工程（第１の工程）を設け
ることを特徴とする。第１の工程は、基板表面に残存す
る浦等の有機物を除去すると共に基板表面を酸化１〜た
り、物理的に荒したりして第２の工程で形成されるアモ
ルファスシリコン膜の付着力を増大させるものである。
解して導電性基板にアモルファスシリコン膜を形成する
工程（第２の工程）の前に、その導電性基板を同真空容
器内で酸素プラズマ処理する工程（第１の工程）を設け
ることを特徴とする。第１の工程は、基板表面に残存す
る浦等の有機物を除去すると共に基板表面を酸化１〜た
り、物理的に荒したりして第２の工程で形成されるアモ
ルファスシリコン膜の付着力を増大させるものである。
本発明により、酸素１１１Ｎｉｅを大にしても、下地導
電性基板と良好な密着性を有するアモルファスシリコン
膜を感光層とする電子写真用感光体を製造することが可
能となった。また、４ｇ性基板、例えばＡ／基板表面を
わずかにしがも一様に酸化することから基板からアモル
ファスシリコン膜中へのキャリアの注入を阻止する効果
が認められた。このことは、例えば感光層表面を正に帯
電させた時、基板からの電子の注入をブロックするため
、表面電位の暗減衰が極めて小さくなることからも明ら
かである。甘た本発明によれば、第１の工程で導入され
る酸素ガスをそのまま溶入しつつ、モノシランガス梼入
を追加して第２の工程に移行すれば、連続的に酸素添加
アモルファスシリコン膜を形成して、良好な特性をもつ
電子写真用感光体を得ることができる。
電性基板と良好な密着性を有するアモルファスシリコン
膜を感光層とする電子写真用感光体を製造することが可
能となった。また、４ｇ性基板、例えばＡ／基板表面を
わずかにしがも一様に酸化することから基板からアモル
ファスシリコン膜中へのキャリアの注入を阻止する効果
が認められた。このことは、例えば感光層表面を正に帯
電させた時、基板からの電子の注入をブロックするため
、表面電位の暗減衰が極めて小さくなることからも明ら
かである。甘た本発明によれば、第１の工程で導入され
る酸素ガスをそのまま溶入しつつ、モノシランガス梼入
を追加して第２の工程に移行すれば、連続的に酸素添加
アモルファスシリコン膜を形成して、良好な特性をもつ
電子写真用感光体を得ることができる。
平行平に反型高周波グロー放電装置内の一万の電極に厚
さ１．５ ＷＪ＃、縦１ｏｏｔｕ＋、４ｊＮ １００
ｙｔｔｘノＡＩ！＆を固定し、装置内を４ Ｘ １０−
’ Ｔｏｒｒ まで排気した。この時ＡＩ！板の湿度は
２００℃、まで上昇させて保持した。
さ１．５ ＷＪ＃、縦１ｏｏｔｕ＋、４ｊＮ １００
ｙｔｔｘノＡＩ！＆を固定し、装置内を４ Ｘ １０−
’ Ｔｏｒｒ まで排気した。この時ＡＩ！板の湿度は
２００℃、まで上昇させて保持した。
しかる後、酸素（０，）ガスを前記装置内へｉ ｏ ５
ｏｏＮ＋のｉｔで導入し、装置内の圧力を０、１ ’Ｔ
ｏ ｒ ｒ として、１３．５６ＭＨｚ の高周
波（２０Ｗ）を電極に印加して酸素プラズマを生成した
。ＡＩ！板に対して酸素プラズマ処理を５分間行なった
後、高周波電力の印加を中断し、０！ｌ市販を２．６５
００Ｍ 七しモノシラン（８ｉＨ４）ガスを３０ＳＯ
ＯＭＯ濯険で溶入して圧力を０．１Ｔｏｒｒに維持した
。仁の状態で、再び前記高周波電力（５０Ｗ）を電極に
印加してグロー放電を生起し、ＡＩ！板上に厚さ１０μ
ｍの酸素添加アモルファスシリコン膜（ａ−８ｉ： Ｈ
： Ｏ）を形成した。
ｏｏＮ＋のｉｔで導入し、装置内の圧力を０、１ ’Ｔ
ｏ ｒ ｒ として、１３．５６ＭＨｚ の高周
波（２０Ｗ）を電極に印加して酸素プラズマを生成した
。ＡＩ！板に対して酸素プラズマ処理を５分間行なった
後、高周波電力の印加を中断し、０！ｌ市販を２．６５
００Ｍ 七しモノシラン（８ｉＨ４）ガスを３０ＳＯ
ＯＭＯ濯険で溶入して圧力を０．１Ｔｏｒｒに維持した
。仁の状態で、再び前記高周波電力（５０Ｗ）を電極に
印加してグロー放電を生起し、ＡＩ！板上に厚さ１０μ
ｍの酸素添加アモルファスシリコン膜（ａ−８ｉ： Ｈ
： Ｏ）を形成した。
この試料は膜形成後、直ちに基板温度を下げて、６０”
Ｃ１以下で大気中に取シ出したが、アモルファスシリコ
ン膜にクラックや剥離は全く生じなかった。
Ｃ１以下で大気中に取シ出したが、アモルファスシリコ
ン膜にクラックや剥離は全く生じなかった。
次にここで得られた試料の電子写真感光体としての静１
！特性を測定した。帯電は＋６ ＫＶのコロナ放電で行
ない、２０ ｌｕｘの白色光を照射したが、その結果図
に示す如く表面電位は４００ｖ、光照射による半減衰時
間は０．５秒であった。従って電子写真感光体として十
分使用できる特性を示すことが明らかとｋつだ。
！特性を測定した。帯電は＋６ ＫＶのコロナ放電で行
ない、２０ ｌｕｘの白色光を照射したが、その結果図
に示す如く表面電位は４００ｖ、光照射による半減衰時
間は０．５秒であった。従って電子写真感光体として十
分使用できる特性を示すことが明らかとｋつだ。
尚、本実施例では放電は１３．５６ Ｍ Ｈｚの高周波
で行なったがこれ以外の例えば４ Ｍ Ｈｚ或いは１０
０ＫＨｚ又はそれ以下の低周波でも可能であシ、直済放
電でも良いことは勿論である。
で行なったがこれ以外の例えば４ Ｍ Ｈｚ或いは１０
０ＫＨｚ又はそれ以下の低周波でも可能であシ、直済放
電でも良いことは勿論である。
第２の工程で導入する酸素ガスはモノシランガスに対し
て６〜２０体積％が望ましいが、これら、モノシランや
酸素ガスは、それぞれ適当方不活性ガス、例えば、アル
ゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ ）、窒素（Ｎ、）等で
希釈されたものを用いても良い。
て６〜２０体積％が望ましいが、これら、モノシランや
酸素ガスは、それぞれ適当方不活性ガス、例えば、アル
ゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ ）、窒素（Ｎ、）等で
希釈されたものを用いても良い。
更に基板は平板に限ることなく、円筒形であっても良い
し、その材料はＡＩ！以外の例えばステンレスや銅等で
あっても良い。
し、その材料はＡＩ！以外の例えばステンレスや銅等で
あっても良い。
１ン１け、本発明によって製造したアモルファスシリコ
ン電子写真感光体の静電、特性を示す図である。 Ｌｌｌ Ａｉｉ：＋人伏理人 弁理士 鈴 江 武 産
科間 （Ｓｅｃ ） ３６７−
ン電子写真感光体の静電、特性を示す図である。 Ｌｌｌ Ａｉｉ：＋人伏理人 弁理士 鈴 江 武 産
科間 （Ｓｅｃ ） ３６７−
Claims (2)
- （１）欄雷性基板表面を真壁容器中で酸素プラズマ処御
する第１の工程と、同真叩容器中にモノシランガスを導
入しグロー放電分解して、前記導電性基板上にアモルフ
ァスシリコン膜を形成する第２の工程とから成ることを
特徴とする電子写真用感光体の製造方法。 - （２） 前記第１の工程で導入する酸素ガスを、必要
に応じて誇景調整してそのまま前記第２の工程でも導入
を継続し、酸素添加アモルファスシリコン膜を形成する
ようにした特許請求の範囲第１項記載の電子写真用感光
体の製造方法。 ｔ３１ Ａｉｌ記紀２の工程で導入するモノシランガ
スに６〜２０体積％の酸素ガスを含有させる特許請求の
範囲第１項または第２項記載の電子写真用感光体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16800982A JPS5957246A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16800982A JPS5957246A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957246A true JPS5957246A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15860107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16800982A Pending JPS5957246A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223847A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16800982A patent/JPS5957246A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223847A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH058824B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1993-02-03 | Shindengen Kogyo Kk |
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