JPS5955344A - 薄膜の局部加熱方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板上のアモルファスシリコン等の薄膜の局
部加熱方法に関するものである。

一般に半導体素子に？いては、薄膜が構成要素とし℃利
用さ２１．るが、半導体素子に所定の機能ン付与する友
めに薄膜の局部、即”；Ｉ所定の一部のみン加熱処理丁
ゐことか必要とされる場合がある。

例えばアモルファスシリコンは約８００℃に加熱される
と微細結晶化して活性化されろことが知られてｘつ、ア
モルファスシリコンよりＦｆｉる薄膜に互に分離し定活
性部を形成するために、所定の一部のみについて加熱処
理されることか必要とされる場合がある。

このように薄膜ン局部的に加熱する方法としては、従来
レーザー元等の元ビームン、これの照射領域が薄膜の所
定の一部、即ち加熱丁べさ局部に一致するよう制御され
た状態で照射′″ｆる方法が知られているが、このよう
な方法では、元ビームの照射領域の位置、形状及び大き
サラ制御することに高度な技術が要求され加熱処理作業
が煩雑なものとなっていた。

本発明はこのような事情に基づいてなき所定ものであり
、基板上の薄膜の所定の一部のみを容易に正確に加熱す
るごとのでさる薄膜の局部加熱方法を提供丁ゐことを目
的とし、その特徴とするどころは、光ゲ透過する基板上
に設げに薄′膜の表面若しくはｍ而の所定の一部に該光
を吸収する光吸収層乞設け、該元を基板に照射丁＾こと
によって元吸収層乞加熱し、これにより当該光吸収層に
接した前記薄膜の所定の一部を加熱する点にある。

以下図面によって本発明の実施例について説明１−る。

不発明の実施例ＶｃＪ６いては例えば第１図に示すよう
に、可視′）ＹＳを透過する基板例えば厚さ０．５鮒の
パイレックスガラスより成る基＆ｌの表面に形成された
厚さ０．５μｍのアモルファスシリコンより成６　ンｊ
９膜２について局部的に加熱丁Φ場曾に？いて、薄膜２
の所定の一部２Ａ、２Ｂに対応した孔４Ａ、４Ｂ７１！
１″有するマスク４を薄膜２の衆面２１に設り゛、次（
・でこのマスク４ン介して金属クロムを蒸沼し７こ後当
該マスク・ｌン除去することにより、第２図に示１よう
に薄膜２の衆面２１に？ける所定の一部２Ａ、２Ｂ上に
可視光ケ吸収する元吸収層ｆ牲Ｕ厚さ０．５μｍのクロ
ム蒸着膜より成る光吸収層３ヶ形成し、セしてヒーター
により薄膜２及び元吸収層：３ヶ例えば温度５００℃に
補助的に加熱し１こ状態に１０いて、キセノ／フラッシ
ュランプより成る光源５よりの元乞、薄膜２の表面２１
の側Ｄ・ら基板１に照射する。

このような方法によれば、ｙｅ源５よりの元を照射１″
イことによって、先ずｙｔ、吸収層３が元欠吸収して加
熱され、この光吸収層３の熱か薄膜２に伝熱されて薄膜
２の一部２Ａ、２Ｂが加熱されろが、薄ＪＩＵ　２につ
いては、その厚さが小さいので光吸収層３の設けられて
いない部分においては元の大部分が透過される定めに実
際上加熱ＳｌＬろことかなく、従って薄膜２の一部２Ａ
、２Ｂのみか加熱されΦこととなって例えば温度８００
℃に昇温せしめら７Ｉる。

このような方法によれば、基板１に元乞照射丁ゐことに
よって薄膜２におげろ）を吸収層３乞設けた一部２Ａ、
２Ｂのみが加熱されろこととなろ電め、光源５よりの元
については元ビームの照射領域の位置合わせ等の制御が
不要となつ、しり・もフォトエツチング法等ビ利用１゛
ルことによってマスク４の指定された位置に所定の太さ
さ及び形状の孔馨容易に正確に形成することかでさ＾の
で、結局マスク４ン利用して光吸収層３を形成１勺こと
により薄膜２の所定の一部２Ａ、２Ｂのみ乞容易に正確
に加熱下＾ことかでざる。

そしてこの実施例のように、薄膜２を予め加熱してから
光源５よりの光により薄膜２の温度乞所定の温度に昇温
させろように丁れば、例えば薄膜２ン温度５００℃に予
め加熱してから元により温度８００℃に加熱するために
は、その温度差３００℃昇温するために必要なエネルギ
ーを光により光吸収層３に付勢下ればよく、従って光源
の消費電力は小さくて済み、ブ０源の使用寿命も長くな
る。

第３図は、不発明方法の他の実施例の一工程を示し、こ
の実施例では薄膜２の裏面２２と基板Ｉとの間に？いて
、薄膜２の一部２Ａ、２Ｂ上に光吸収層３ヶ形成した後
、薄膜２の表面２１の側からｆｆＺ＆５よりの光を基板
１に照射するよ５にしている。

このような方法では、光源５よりの光が薄膜２を透過し
て光吸収層３に達し、これにより光吸収層３か加熱され
てここよりの熱が薄膜２の一部２Ａ、２８に伝熱ｇｒｔ
、、以ッテ薄膜２　ｔＤ−Ｉｉ５２　Ａ　。

２Ｂの温度が所定の温度に列部ＩＩ゛］−めらろことと
なるので上述の実施例と同様の効果が得ら才！イ。

本発明に８いては、 １）光吸収層３の材料としては、薄膜状に形成でざる点
から金楓ン用いることか好ましく、上述の例で用いたク
ロムの地金、銀等を用いることかでざる。

２）光吸収層３を形成するためには、蒸詣方法に限らｔ
ｌず塗布方法等、神々の方法を用いａ）ことができる。

３）基板１に照射丁べざ光としては可視光以外の光でも
よく、この場合に二は光吸収層３の相料としては、可視
領域以外の大ささの波長の光を吸収するものを用いろこ
とが必要となり、そして基板ｌの材料としては当該元乞
透過するものン用（・ろことが必要となる。

４）基板ｌのＩ料としては、当該基板ｌに、世りろ横方
向への伝熱が抑制されろよう、パイレックスガラス等の
熱伝導率の小さいものを用（・４）ことか望ましい。

５）薄膜２及び元吸収層３に光ン煎射するｋめには、フ
ラッシュ九ン用いろ代りにキセノンショートアークラン
プ若しくはハロゲンランプ等の定常光を用いてもよい。

以上のように本発明によれば、基板上の薄膜の所定の一
部のみを容易に正確に加熱１ろことのでさる薄膜の局部
加熱方法を提供することかでざる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、不発明方法の一実施例に係る工程
ケ順に示す説明図、第３図は不発明方法の他の実施例に
係る一工程乞示す説明図である。 ■・・・基板　　　　　　　２・・・薄膜２Ａ、２１３
・・・薄膜の所定の一部　３・・元吸収層４・・・マス
ク　　　　　　４Ａ、４Ｂ・孔５　光源 代、１１４人　升埋士　大　井　正　彦　ヘ゛１・甲孝
１図 学２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■）光を透過１−る基板上に設は友薄膜の表面若しくは
   ８而の所定の一部に該元ン吸収する元吸収層ン設け、該
   元を基板に照射するこ乙によって光吸収Ｒ娑加熱し、こ
   れにより当該光吸収層に接し１こ前記薄膜の所定の一部
   を加熱することを特徴とする薄膜の局部加熱方法。 ２）基板か可視光を透過するガラスにより構成さ才（、
   元吸収層が金属ｉｖ膜により構成されることｔ特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の薄膜の局部加熱方法。