JPS5892210A - 半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
半導体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS5892210A JPS5892210A JP19115081A JP19115081A JPS5892210A JP S5892210 A JPS5892210 A JP S5892210A JP 19115081 A JP19115081 A JP 19115081A JP 19115081 A JP19115081 A JP 19115081A JP S5892210 A JPS5892210 A JP S5892210A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor thin
- wavelength
- semiconductor
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、この発明は、半導体単結晶薄膜を形成する方法改良に
関するものである。
関するものである。
絶線体上の半導体膜の単結晶化、結晶中の格子欠陥の除
去、半導体膜中の不純物の電気的活性化のため、連続波
長の光を半導体膜の表面層に照射し、加熱する局部加熱
の方法がある。
去、半導体膜中の不純物の電気的活性化のため、連続波
長の光を半導体膜の表面層に照射し、加熱する局部加熱
の方法がある。
従来この種の装置として、第１図のようなものがあった
。図において、（１）は基板、（２）は半導体ミラー、
（３）はレンズ系、（４）は連続波長の光源、（５月ま
光路を示す。基板（１）と半導体薄膜（２）とによって
ウェーハが構成されている。
。図において、（１）は基板、（２）は半導体ミラー、
（３）はレンズ系、（４）は連続波長の光源、（５月ま
光路を示す。基板（１）と半導体薄膜（２）とによって
ウェーハが構成されている。
次に従来の装置の作用について説明する。基板（１）の
表面に半導体素子を作成する半導体薄膜（２）がある。
表面に半導体素子を作成する半導体薄膜（２）がある。
光源（４）より出た連続波長の光は、レンズ系（３）で
、光が（５）に示す光路のようにウェーハ全面を均一に
照射するように調節さｎる。ウェー７１に照射さｎた光
は、ウェーハ表面上に形成された半導体膜（２）を加熱
し、この熱によって単結晶化などの処理が行われる。
、光が（５）に示す光路のようにウェーハ全面を均一に
照射するように調節さｎる。ウェー７１に照射さｎた光
は、ウェーハ表面上に形成された半導体膜（２）を加熱
し、この熱によって単結晶化などの処理が行われる。
ところが、従来この種の局部加熱装置は、熱源としての
光源に、広範囲かつ連続な波長の光を用いているため、
半導体ウェーハ上すべての領域で光が吸収され、熱処理
をうけるので、半導体結晶膜中の不純物拡散層が広がっ
たシするなどの欠点があった。
光源に、広範囲かつ連続な波長の光を用いているため、
半導体ウェーハ上すべての領域で光が吸収され、熱処理
をうけるので、半導体結晶膜中の不純物拡散層が広がっ
たシするなどの欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになさｎたもので、光源と、ウェーハとの間に波長に
よる半導体膜の吸収係数の差を利用して、望む波長範囲
の光だけを透過させるフィルターを設けることによって
、半導体Ｗｋ膜の望みの部分だけを加熱できるようにす
ることを目的としている。
めになさｎたもので、光源と、ウェーハとの間に波長に
よる半導体膜の吸収係数の差を利用して、望む波長範囲
の光だけを透過させるフィルターを設けることによって
、半導体Ｗｋ膜の望みの部分だけを加熱できるようにす
ることを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図において、（１）は基板、（２）は半導体薄膜で、（
２ａ）は可視光の吸収係数が大きい領域、（２ｂ）は赤
外光の吸収係数が大きい領域である。
図において、（１）は基板、（２）は半導体薄膜で、（
２ａ）は可視光の吸収係数が大きい領域、（２ｂ）は赤
外光の吸収係数が大きい領域である。
（３）はレンズ系、（４）は連続波長の光源、（５）は
光路を示す。（６）は赤外光を吸収するフィルターであ
る。
光路を示す。（６）は赤外光を吸収するフィルターであ
る。
また、基板（１）、半導体膜（２ａ）および（２ｂ）に
よってウェーハが形成されている。
よってウェーハが形成されている。
ここで光源（４）は、可視光、赤外光を含んだ光を出す
。レンズ系（３）は、光源から出た光を、ウェーハ全面
に均一に照射するように調節する。フィルター（６）は
可視光のみを透過させる。したがって、半導体薄膜（２
）には全面可視光しか照射されない。
。レンズ系（３）は、光源から出た光を、ウェーハ全面
に均一に照射するように調節する。フィルター（６）は
可視光のみを透過させる。したがって、半導体薄膜（２
）には全面可視光しか照射されない。
ここで半導体薄膜（２ａ）は、これから熱処理のため光
を照射しようとするところで、可視光を吸収できるよう
な構造を持っている。また（２ｂ）はこの過程では熱処
理を受けてはならない領域で、ここは赤外光しか吸収で
きない構造になっているフィルター（６）は赤外光を透
過させないので、領域（２ｂ）は光を吸収することがで
きず、熱処理をうけない。
を照射しようとするところで、可視光を吸収できるよう
な構造を持っている。また（２ｂ）はこの過程では熱処
理を受けてはならない領域で、ここは赤外光しか吸収で
きない構造になっているフィルター（６）は赤外光を透
過させないので、領域（２ｂ）は光を吸収することがで
きず、熱処理をうけない。
また上記実施例では、赤外光を除去するフィルターにつ
いて説明したが、半導体薄膜の、これから熱処理する領
域のみが吸収できる範囲の光だけを透過するフィルター
を使えば、半導体ウェーハの任意の領域を選択的に熱処
理することができる。
いて説明したが、半導体薄膜の、これから熱処理する領
域のみが吸収できる範囲の光だけを透過するフィルター
を使えば、半導体ウェーハの任意の領域を選択的に熱処
理することができる。
また、半導体薄膜の上に光の吸収係数がちがう物置をか
ぶせてもよい。要するに光の波長を制限するものであれ
ば何でもフィルターの代シに使用できる。また光源は連
続な波長の光を含むものであｎはなんでもよい。
ぶせてもよい。要するに光の波長を制限するものであれ
ば何でもフィルターの代シに使用できる。また光源は連
続な波長の光を含むものであｎはなんでもよい。
他の実施例を以下に説明する。
即ち、光源としてはフラッシュ°ランプまたはグラファ
イトのヒータを用いることができる。またフィルターと
しては光の波長を制限するため、光を回折格子にあてて
、ある波長の光を散乱させるもの、光を回折格子にあて
て、ある特定の波長の光を取り出すもの、回折される波
長が異なる回折格子を複数個使用するもの、ある特定の
波長以上の光を透過させ、それ以下の波長の光を反射す
る半導体ミラーを使用するもの、ある特定の波長の光を
吸収する気体または液体を充満させた容器に光を透過さ
せるもの等を使用することもできる。
イトのヒータを用いることができる。またフィルターと
しては光の波長を制限するため、光を回折格子にあてて
、ある波長の光を散乱させるもの、光を回折格子にあて
て、ある特定の波長の光を取り出すもの、回折される波
長が異なる回折格子を複数個使用するもの、ある特定の
波長以上の光を透過させ、それ以下の波長の光を反射す
る半導体ミラーを使用するもの、ある特定の波長の光を
吸収する気体または液体を充満させた容器に光を透過さ
せるもの等を使用することもできる。
以上のように、この発明によｎは、光源と、その光が照
射されるべき半導体ウェーハの間に、ある範囲の波長の
光だけを透過させるフィルターを設けたので、熱処理を
受けるべき領域に選択的に□ 光をあてて、加熱するこ
とができる。
射されるべき半導体ウェーハの間に、ある範囲の波長の
光だけを透過させるフィルターを設けたので、熱処理を
受けるべき領域に選択的に□ 光をあてて、加熱するこ
とができる。
第１図は、従来の連続波長光源を用いた局部加熱装置の
略図である。第２図はこの発明の一実施例による局部加
熱装置の略図である。 図において、（１）は基板、（２）は半導体薄膜で、（
２ａ）は可視光、（２ｂ）は赤外光の吸収係数が大きい
半導体薄膜である。（３）はレンズ系、（４）は連続波
長ｃ７）光源、（５）は光路、（６）はフィルターを示
す。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −
略図である。第２図はこの発明の一実施例による局部加
熱装置の略図である。 図において、（１）は基板、（２）は半導体薄膜で、（
２ａ）は可視光、（２ｂ）は赤外光の吸収係数が大きい
半導体薄膜である。（３）はレンズ系、（４）は連続波
長ｃ７）光源、（５）は光路、（６）はフィルターを示
す。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −
Claims (8)
- （１）半導体素子を作成する領域でおる半導体膜を、連
続波長の光を照射することによって、半導体膜の単結晶
化、または結晶中の格子欠陥の除去を行う局部加熱の方
法において、連続波長の光源と、半導体膜の間にフィル
ターを設け、ある波長範囲の光のみを透過させ表面の局
部加熱を行うことによって、局部加熱を受けるべき半導
体薄膜の領域を選択的に加熱できるようにしたことを特
徴とする半導体薄膜の製造方法。 - （２）局部加熱はフラッシュランプによって行うことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体薄膜の製
造方法。 - （３）局部加熱はグラファイトのヒーターによって行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体薄
膜の製造方法。 - （４）光の波長を制限するため、光を回折格子にあてて
、ある波長の光を散乱させることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体薄膜の製造方法。 - （５）光の波長を制限するため、光を回折格子にあてて
、ある特定の波長の光を取シ出し、その光で加熱を行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体薄
膜の製造方法。 - （６）光の波長を制限するため、回折される波長が異な
る回折格子を複数個使用することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体薄膜の製造方法。 - （７）光の波長を制限するため、ある特定の波長以上の
光を透過させ、それ以下の波長の光を反射する半導体ミ
ラーを使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体薄膜の製造方法。 - （８）光の波長を制限するため、ある特定の波長の光を
吸収する気体または液体を充満させた容器に。 光を透過させることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19115081A JPS5892210A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19115081A JPS5892210A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892210A true JPS5892210A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16269725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19115081A Pending JPS5892210A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892210A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6011446U (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハ−アニ−ル装置 |
| JP2011100849A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Ushio Inc | シリコン薄膜の処理方法およびフラッシュランプ照射装置 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP19115081A patent/JPS5892210A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6011446U (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハ−アニ−ル装置 |
| JP2011100849A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Ushio Inc | シリコン薄膜の処理方法およびフラッシュランプ照射装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59169125A (ja) | 半導体ウエハ−の加熱方法 | |
| JPH0642456B2 (ja) | 表面光処理方法 | |
| US6232207B1 (en) | Doping process for producing homojunctions in semiconductor substrates | |
| JPS5669837A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| EP0283666B1 (en) | Method of treating photoresists | |
| US4826756A (en) | Low temperature deep ultraviolet resist hardening process using zenon chloride laser | |
| JPS63227014A (ja) | ランプ加熱装置 | |
| JPS5892210A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS59169126A (ja) | 半導体ウエハ−の加熱方法 | |
| JPS58106836A (ja) | レ−ザ−アニ−ル装置 | |
| US4035226A (en) | Method of preparing portions of a semiconductor wafer surface for further processing | |
| JP2530158B2 (ja) | 透明基板の選択的加熱方法 | |
| JPH11236298A (ja) | フォトリソグラフィー法に使用するための結晶および電磁線吸収能を増大させるための該結晶の前状態調節法 | |
| JPS60145629A (ja) | 熱処理法 | |
| JPH0525230Y2 (ja) | ||
| JPS5955344A (ja) | 薄膜の局部加熱方法 | |
| JPS5897837A (ja) | 光照射アニ−ル方法及びその装置 | |
| JPS6341212B2 (ja) | ||
| JPH025295B2 (ja) | ||
| JPS57124430A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS60216561A (ja) | 熱処理方法 | |
| JPS5661144A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5534416A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPS63249853A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JP2826632B2 (ja) | 多孔質膜の緻密化方法および酸化物膜の製造方法 |