JPS6011446U - 半導体ウエハ−アニ−ル装置 - Google Patents

半導体ウエハ−アニ−ル装置

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JPS6011446U
JPS6011446U JP10370783U JP10370783U JPS6011446U JP S6011446 U JPS6011446 U JP S6011446U JP 10370783 U JP10370783 U JP 10370783U JP 10370783 U JP10370783 U JP 10370783U JP S6011446 U JPS6011446 U JP S6011446U
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JP
Japan
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semiconductor wafer
annealing equipment
wafer annealing
light source
pass filter
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Pending
Application number
JP10370783U
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English (en)
Inventor
和彦 本城
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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Publication of JPS6011446U publication Critical patent/JPS6011446U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例のアニール装置の断面側面図、第２図は
本考案のアニール装置の断面側面図、第３図はノ釦ゲン
の発光強度対波長特性を示す図、第４図は帯域通過フィ
ルタを通した後のハロゲンランプの発光強度対波長特性
を示す図である。 １２・・・・・・ハロゲンランプ、１５・・・・・・半
導体ウェハー、１８・・・・・・帯域通過フィルタ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 非単色光の光源を熱源とする半導体ウェハーアニール装
    置において、該光源とアニーヌされる半導体ウェハーと
    の間に帯域通過フィルタを設けたことを特徴とする半導
    体ウェハーアニール装置。
JP10370783U 1983-07-04 1983-07-04 半導体ウエハ−アニ−ル装置 Pending JPS6011446U (ja)

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JP10370783U JPS6011446U (ja) 1983-07-04 1983-07-04 半導体ウエハ−アニ−ル装置

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JP10370783U JPS6011446U (ja) 1983-07-04 1983-07-04 半導体ウエハ−アニ−ル装置

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JPS6011446U true JPS6011446U (ja) 1985-01-25

Family

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02126634A (ja) * 1988-11-07 1990-05-15 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5892210A (ja) * 1981-11-27 1983-06-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体薄膜の製造方法
JPS5897837A (ja) * 1981-12-07 1983-06-10 Fujitsu Ltd 光照射アニ−ル方法及びその装置

Patent Citations (2)

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