JPS6439630U - - Google Patents

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JPS6439630U
JPS6439630U JP13226687U JP13226687U JPS6439630U JP S6439630 U JPS6439630 U JP S6439630U JP 13226687 U JP13226687 U JP 13226687U JP 13226687 U JP13226687 U JP 13226687U JP S6439630 U JPS6439630 U JP S6439630U
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JP
Japan
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semiconductor wafers
lamps
heats
heat
lamp
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JP13226687U
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【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の半導体ウエハのランプアニ
ール装置の第1の実施例を示す概略斜視図、第2
図はこの考案の第2の実施例を示す概略斜視図、
第3図は従来のランプアニール装置の概略断面図
、第4図はランプアニールにおける光の入射・熱
の放射を示す図である。 11……半導体ウエハ、12……ランプ、13
,14……環状ランプ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ランプからの光照射により半導体ウエハを加熱
    し熱処理するようにした半導体ウエハのランプア
    ニール装置において、 半導体ウエハの全体を加熱するランプに加えて
    、周辺部のみを加熱する環状ランプを設けるよう
    にしたことを特徴とする半導体ウエハのランプア
    ニール装置。
JP13226687U 1987-09-01 1987-09-01 Pending JPS6439630U (ja)

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JP13226687U JPS6439630U (ja) 1987-09-01 1987-09-01

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JP13226687U JPS6439630U (ja) 1987-09-01 1987-09-01

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JPS6439630U true JPS6439630U (ja) 1989-03-09

Family

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JP13226687U Pending JPS6439630U (ja) 1987-09-01 1987-09-01

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