JP3253691B2 - レジストの乾燥方法 - Google Patents
レジストの乾燥方法Info
- Publication number
- JP3253691B2 JP3253691B2 JP23117092A JP23117092A JP3253691B2 JP 3253691 B2 JP3253691 B2 JP 3253691B2 JP 23117092 A JP23117092 A JP 23117092A JP 23117092 A JP23117092 A JP 23117092A JP 3253691 B2 JP3253691 B2 JP 3253691B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- drying
- airflow
- substrate
- infrared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シャドウマスク、リー
ドフレーム等を金属薄板のエッチングによって製造する
際に、所定のパターンを形成するレジストの塗布後の乾
燥方法に関するものである。
ドフレーム等を金属薄板のエッチングによって製造する
際に、所定のパターンを形成するレジストの塗布後の乾
燥方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シャドウマスク、リードフレーム等のエ
ッチング加工は、軟鋼、鉄ニッケル合金等の金属の薄板
の表面にレジストを塗布し、乾燥の後に所定のパターン
を有するマスクによって露光してレジストにパターンを
形成している。シャドウマスク、リードフレームの製造
は、長尺の金属の薄板の少なくとも一方の面に連続的に
レジストを塗布した後に、乾燥、露光、現像、エッチン
グの各工程を行っており、いずれの工程での処理時間も
他の工程へ影響を及ぼすので各工程での処理が迅速に行
われることが求められている。エッチング加工には各種
のレジストが用いられているが、とくに水または温水に
よって現像が可能な、重クロム酸アンモニウム等の物質
を加えたカゼイン、ゼラチン等の水溶性のレジストが主
として用いられている。
ッチング加工は、軟鋼、鉄ニッケル合金等の金属の薄板
の表面にレジストを塗布し、乾燥の後に所定のパターン
を有するマスクによって露光してレジストにパターンを
形成している。シャドウマスク、リードフレームの製造
は、長尺の金属の薄板の少なくとも一方の面に連続的に
レジストを塗布した後に、乾燥、露光、現像、エッチン
グの各工程を行っており、いずれの工程での処理時間も
他の工程へ影響を及ぼすので各工程での処理が迅速に行
われることが求められている。エッチング加工には各種
のレジストが用いられているが、とくに水または温水に
よって現像が可能な、重クロム酸アンモニウム等の物質
を加えたカゼイン、ゼラチン等の水溶性のレジストが主
として用いられている。
【０００３】水溶性レジストは、水を主たる溶剤として
おり、揮発性の有機溶剤を用いたレジストに比して乾燥
に時間を要するので、乾燥工程では空気と赤外線を併用
してレジスト中の水分を迅速に除去することが行われて
いる。図２には、従来の乾燥工程の一例を示す図であ
る。レジスト２３を塗布した金属基板２２からなる乾燥
すべき基材は乾燥装置２１内を通過する際に、赤外線加
熱装置２４から放射される赤外線と乾燥空気供給管２５
によって供給される乾燥空気流により乾燥を行ってい
る。空気流の速度の増大と赤外線加熱装置から放射され
る赤外線の強度が、乾燥速度の短縮に寄与するが、空気
流が必ずしも有効に利用されていない面があった。
おり、揮発性の有機溶剤を用いたレジストに比して乾燥
に時間を要するので、乾燥工程では空気と赤外線を併用
してレジスト中の水分を迅速に除去することが行われて
いる。図２には、従来の乾燥工程の一例を示す図であ
る。レジスト２３を塗布した金属基板２２からなる乾燥
すべき基材は乾燥装置２１内を通過する際に、赤外線加
熱装置２４から放射される赤外線と乾燥空気供給管２５
によって供給される乾燥空気流により乾燥を行ってい
る。空気流の速度の増大と赤外線加熱装置から放射され
る赤外線の強度が、乾燥速度の短縮に寄与するが、空気
流が必ずしも有効に利用されていない面があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】乾燥空気流の流速が基
板面では低下し、処理すべきレジスト面で十分な流速の
空気流が得られず、また空気流を高速化すると赤外線加
熱装置の動作温度の低下による赤外線加熱装置から放射
される赤外線の発生効率にも悪影響を及ぼして十分に高
速な乾燥を行うことができなかった。本発明は、高速の
空気流を有効に乾燥すべきレジストに作用させるととも
に、赤外線加熱装置から放射されるエネルギーを有効に
利用することを目的とするものである。
板面では低下し、処理すべきレジスト面で十分な流速の
空気流が得られず、また空気流を高速化すると赤外線加
熱装置の動作温度の低下による赤外線加熱装置から放射
される赤外線の発生効率にも悪影響を及ぼして十分に高
速な乾燥を行うことができなかった。本発明は、高速の
空気流を有効に乾燥すべきレジストに作用させるととも
に、赤外線加熱装置から放射されるエネルギーを有効に
利用することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のレジストの乾燥
方法は、乾燥装置内に、処理すべき基板面に近接して気
流制限板を設けて、乾燥気流の通路を基板の近傍に限定
することによって基板面での気流の流速の低下を防止す
る乾燥方法である。
方法は、乾燥装置内に、処理すべき基板面に近接して気
流制限板を設けて、乾燥気流の通路を基板の近傍に限定
することによって基板面での気流の流速の低下を防止す
る乾燥方法である。
【０００６】また、気流制限板を、耐熱性の赤外線透過
材料とすることによって、乾燥気流と制限する加熱用の
赤外線を有効に乾燥すべきレジスト面に到達させるとと
もに、気流によって赤外線加熱装置のヒータ等の温度の
低下を防止して効率よく輻射熱が処理すべきレジストに
達するようにする乾燥方法である。
材料とすることによって、乾燥気流と制限する加熱用の
赤外線を有効に乾燥すべきレジスト面に到達させるとと
もに、気流によって赤外線加熱装置のヒータ等の温度の
低下を防止して効率よく輻射熱が処理すべきレジストに
達するようにする乾燥方法である。
【０００７】図１に本発明の乾燥方法を図面を参照して
説明する。乾燥装置１内には、赤外線加熱ヒータを有す
る赤外線加熱装置２が設けられており、乾燥すべきレジ
スト３を塗布した基板４が連続的に供給される。基板の
近傍には気流制限板５が設けられており、乾燥用の気流
は気流制限板と基板との間を高速で通過するので、レジ
スト中の水等の溶剤を効率よく取り除くことができる。
また、気流制限板５を耐熱性の赤外線透過性材料によっ
て形成することによって加熱用の輻射線を有効にレジス
トに照射することが可能となり、レジスト中の水分等を
気化し、乾燥空気流供給管６から供給され、レジスト表
面を高速で流れる気流によって表面の蒸気を取り除き、
短時間での乾燥が可能となる。
説明する。乾燥装置１内には、赤外線加熱ヒータを有す
る赤外線加熱装置２が設けられており、乾燥すべきレジ
スト３を塗布した基板４が連続的に供給される。基板の
近傍には気流制限板５が設けられており、乾燥用の気流
は気流制限板と基板との間を高速で通過するので、レジ
スト中の水等の溶剤を効率よく取り除くことができる。
また、気流制限板５を耐熱性の赤外線透過性材料によっ
て形成することによって加熱用の輻射線を有効にレジス
トに照射することが可能となり、レジスト中の水分等を
気化し、乾燥空気流供給管６から供給され、レジスト表
面を高速で流れる気流によって表面の蒸気を取り除き、
短時間での乾燥が可能となる。
【０００８】気流制限板は、乾燥すべき基板から１０〜
１００ｍｍとすることが好ましい。気流制限板と基板と
の距離が小さ過ぎると乾燥のための気流量が少なくな
り、乾燥効率が低下する。また気流制限板と基板との距
離が大きくなりすぎると、高速の気流を得るためには大
量の気体を供給することが必要となる。気流制限板とし
ては、石英ガラス、硼珪酸ガラス等の耐熱性が大きく赤
外線の透過性の大きな材料を用いることができる。ま
た、気流制限板の厚みは、気流に耐えるものであれば任
意の厚みのものを用いることができるが、１〜１０ｍｍ
の厚みのものを用いることが好ましい。
１００ｍｍとすることが好ましい。気流制限板と基板と
の距離が小さ過ぎると乾燥のための気流量が少なくな
り、乾燥効率が低下する。また気流制限板と基板との距
離が大きくなりすぎると、高速の気流を得るためには大
量の気体を供給することが必要となる。気流制限板とし
ては、石英ガラス、硼珪酸ガラス等の耐熱性が大きく赤
外線の透過性の大きな材料を用いることができる。ま
た、気流制限板の厚みは、気流に耐えるものであれば任
意の厚みのものを用いることができるが、１〜１０ｍｍ
の厚みのものを用いることが好ましい。
【０００９】本発明の乾燥方法に使用する赤外線には、
対象となるレジストを内部より加熱して、溶剤を気化さ
せるものであれば任意の波長のものを用いることができ
るが、７００〜５０００ｎｍの波長のものを使用するこ
とが好ましい。また、赤外線加熱装置には、このような
赤外線を放射をするものであれば、セラミックス式のヒ
ータ、電球式のもの等の任意のものを用いることが可能
である。
対象となるレジストを内部より加熱して、溶剤を気化さ
せるものであれば任意の波長のものを用いることができ
るが、７００〜５０００ｎｍの波長のものを使用するこ
とが好ましい。また、赤外線加熱装置には、このような
赤外線を放射をするものであれば、セラミックス式のヒ
ータ、電球式のもの等の任意のものを用いることが可能
である。
【００１０】
【作用】乾燥装置内に、処理すべき基板面から近接した
気流制限板を設けて、乾燥気流の通路を基板の近傍に限
定することによって基板面での気流の流速の低下を防止
するとともに、気流制限板を、耐熱性の赤外線透過材料
とすることによって、輻射される赤外線を有効に乾燥す
べきレジスト面に到達させることによって、水溶性レジ
ストの場合には、レジスト内部の水分をレジスト表面に
水蒸気として気化し、気化した水蒸気を高速の気流によ
って迅速に取り除き、効率よく乾燥することが可能とな
る。
気流制限板を設けて、乾燥気流の通路を基板の近傍に限
定することによって基板面での気流の流速の低下を防止
するとともに、気流制限板を、耐熱性の赤外線透過材料
とすることによって、輻射される赤外線を有効に乾燥す
べきレジスト面に到達させることによって、水溶性レジ
ストの場合には、レジスト内部の水分をレジスト表面に
水蒸気として気化し、気化した水蒸気を高速の気流によ
って迅速に取り除き、効率よく乾燥することが可能とな
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ カゼインレジストを幅６５０ｍｍの帯状の金属基体に塗
布し、赤外線放射ヒータの表面温度を３８０℃として、
気流制限板と赤外線ヒータとの距離を４０ｍｍ、気流制
限板と基板との距離を２５ｍｍとして、空気流を供給し
て乾燥した。得られた結果を表１に示す。
布し、赤外線放射ヒータの表面温度を３８０℃として、
気流制限板と赤外線ヒータとの距離を４０ｍｍ、気流制
限板と基板との距離を２５ｍｍとして、空気流を供給し
て乾燥した。得られた結果を表１に示す。
【００１２】実施例２ 気流制限板を硼珪酸ガラス板（コーニング社製）とした
点を除いて実施例１と同様にして乾燥した。得られた結
果を表１に示す。
点を除いて実施例１と同様にして乾燥した。得られた結
果を表１に示す。
【００１３】比較例１ 気流制限板を取り除いた点を除いて実施例１と同様にし
て乾燥し、その結果を表１に示す。
て乾燥し、その結果を表１に示す。
【００１４】比較例２ ヒータの投入電力量を実施例１と同様にして、気流制限
板を設けない場合には、ヒータ表面温度は３４０〜３６
０℃の範囲に変動し、赤外線ヒータの乾燥効率が悪くな
るとともに、ヒータ温度のばらつきも大きくなった。
板を設けない場合には、ヒータ表面温度は３４０〜３６
０℃の範囲に変動し、赤外線ヒータの乾燥効率が悪くな
るとともに、ヒータ温度のばらつきも大きくなった。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】気流制限板は、乾燥用気流の不必要な広
がりを防ぎ、基板表面での速い風速を維持することがで
き、また赤外線発生装置のヒータ表面が乾燥用の気流に
よって影響を受けないので、赤外線発生装置の温度調整
が容易となるとともに、投入電力量も小さくなる。
がりを防ぎ、基板表面での速い風速を維持することがで
き、また赤外線発生装置のヒータ表面が乾燥用の気流に
よって影響を受けないので、赤外線発生装置の温度調整
が容易となるとともに、投入電力量も小さくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の乾燥方法を説明する図である。
【図２】従来の乾燥方法を説明する図である。
１…乾燥装置、２…赤外線加熱装置、３…レジスト、４
…基板、５…気流制限板、６…乾燥空気流供給管、２１
…乾燥装置、２２…レジスト、２３…金属基板、２４…
赤外線加熱装置、２５…乾燥空気供給管
…基板、５…気流制限板、６…乾燥空気流供給管、２１
…乾燥装置、２２…レジスト、２３…金属基板、２４…
赤外線加熱装置、２５…乾燥空気供給管
Claims (2)
- 【請求項１】 基板面に塗布したレジストを乾燥する方
法において、乾燥装置内の処理すべき基板面に近接して
耐熱性の赤外線透過材料からなる気流制限板を設けて、
供給される乾燥気流の通路を基板の近傍に限定するとと
もに、気流制限板を介して赤外線を照射することを特徴
とするレジストの乾燥方法。 - 【請求項２】 耐熱性の赤外線透過材料からなる気流制
限板を基板の両面に塗布したレジストに近接して設けた
ことを特徴とする請求項１記載のレジストの乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23117092A JP3253691B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | レジストの乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23117092A JP3253691B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | レジストの乾燥方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684780A JPH0684780A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3253691B2 true JP3253691B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=16919414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23117092A Expired - Lifetime JP3253691B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | レジストの乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3253691B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0766908B1 (de) * | 1994-06-23 | 1998-12-16 | Hans-Jürgen Dipl.-Ing. Schäfer | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von leiterplatten, insbesondere zur herstellung von multi-chip-modulen |
| JP3603369B2 (ja) * | 1995-03-08 | 2004-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 膜材料の加熱乾燥方法および装置 |
| KR100733240B1 (ko) * | 2006-07-06 | 2007-06-28 | 삼성전기주식회사 | 임프린팅 리소그라피 공정에 적용하기 위한 기판용 절연 재료의 제조방법 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23117092A patent/JP3253691B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0684780A (ja) | 1994-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3696156B2 (ja) | 塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法 | |
| JP3253691B2 (ja) | レジストの乾燥方法 | |
| US5158861A (en) | Method of forming minute patterns using chemically amplifying type resist | |
| JP2011099956A (ja) | レジストのベーク方法及びベーク装置 | |
| JPS59104127A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JP2005123651A (ja) | レジスト膜の処理装置、およびレジストパターン形成方法 | |
| JPH09103730A (ja) | 塗装用乾燥炉及び被塗物の乾燥方法 | |
| NL2036637A (en) | Pellicle membrane for a lithographic apparatus and method | |
| KR100466307B1 (ko) | 반도체소자제조장치및이를이용한디가스공정,식각공정및열처리공정 | |
| JP2007096347A (ja) | 被処理基板のローテーション補正装置、レジスト膜の処理装置、被処理基板のローテーション補正方法、レジスト膜の処理方法 | |
| WO2020105345A1 (ja) | ガラス物品の製造方法、及び薄板ガラスの加熱方法 | |
| JPS6129124A (ja) | 半導体ウエハ−の処理方法 | |
| US5452052A (en) | Apparatus for exposing chemically amplified resist | |
| EP0233333B1 (en) | Method of treating photoresists | |
| US4888271A (en) | Method of treating photoresists | |
| JPH0130138B2 (ja) | ||
| JPH05315246A (ja) | 露光装置 | |
| CA1224839A (en) | X-ray lithography | |
| JPS6114724A (ja) | 半導体ウエハ−への紫外線照射方法 | |
| JPH07307274A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH02230252A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS63234526A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JP3271093B2 (ja) | パターン形成方法及びパターン形成装置 | |
| JPH0637006A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP2001102276A (ja) | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 11 |