JPS5953339B2 - 半導体素子リ−ドフレ−ム用銅合金 - Google Patents

半導体素子リ−ドフレ−ム用銅合金

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JPS5953339B2
JPS5953339B2 JP55160624A JP16062480A JPS5953339B2 JP S5953339 B2 JPS5953339 B2 JP S5953339B2 JP 55160624 A JP55160624 A JP 55160624A JP 16062480 A JP16062480 A JP 16062480A JP S5953339 B2 JPS5953339 B2 JP S5953339B2
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JP
Japan
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copper alloy
semiconductor device
lead frames
device lead
strength
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JP55160624A
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JPS5785946A (en
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進一 西山
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Hitachi Cable Ltd
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Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Conductive Materials (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、IC、LSI等の半導体素子のリードフレ
ームに利用される銅合金に関するものである。
従来、IC、LSI用のリードフレーム材には、コバー
ル、鉄−ニッケル系の材料が殆んどであり、銅系のもの
は、トランジスタ用のものからCU、Cu−Sn、Cu
−F←−P等の希薄合金が使用されてきた。
この種の希薄合金の問題点は、リード強度が弱く、近時
IC、LSIの小型化、高密度化、高出力化が進み、多
ピン化の傾向が進むにつれ、耐熱性(製造工程中に受け
る熱による劣化に強い)は勿論、細いリード脚でも強度
を維持し得る高強度を示すと共に、リードフレーム本来
の必須特性である高導電性、プレス性、経済性を兼ねそ
なえたものが必要とされるようになつて来ている。この
発明は、前記した従来技術の欠点を解消し、高い導電性
をできるだけ低下させずに、強度を向上させた経済性に
富むIC、LSI用のリードフレームに適した銅合金を
提供することを目的として為されたもので、その要旨と
するところは、請求の範囲にも記載したように、各々少
量のFe、P及びSnと、残部を本質的なCuとから構
成した点にある。このような銅合金材は、Cuの溶湯に
、Fe、Sn及びPを夫々適量添加した後、インゴット
となし、これを適宜所定の寸法に仕上げることによつて
得ることができる。
しかし、これらの添加元素の適量は夫々次のような理由
による範囲であることが望ましい。Fe:0.005〜
0.3% その含有量が0.005%以下では耐熱性および強度が
不足する一方、0.3%以上の含有では導電率が悪化す
るだけでな<、鋳造性も著しく阻害されることから、そ
の含有量は0.005〜0.3%と定めた。
゜Sn:1〜2.5% その含有量が1%以下では強度が不足する一方、2.5
%以上では導電率が著しく悪化し、熱間加工性となるこ
とから、その量は1〜2.5%を定めた。
、P:0.005〜0.2% これはFeとの複合化合物の析出による導電率の回復お
よび耐熱性、強度上昇のためには、0.005%以上の
含有が必要であるが、これが0.2%以上となると、導
電率が悪化するフ だけでなく、加工性にも影響を及ぼ
すことからこの含有量は、0.005〜0.2%に定め
た。
以下にこの発明に係る合金材の実施例について説明する
。第1表に示された成分組成をもつた銅合金を7夫々次
のような工程で加工して試料を作成した。
無酸素銅を原料として上記組成の合金を、夫々高周波溶
解炉にてArガス雰囲気中で溶解し、60X20×20
0のインゴツト鋳造した後、熱間圧延にて5n]1[1
まで加工し、中間焼鈍(450℃×1h)の後0.8m
mまで冷間圧延、仕上焼鈍(450℃×1h)仕上圧延
(板厚0.4mmt)を行ない、スリツタ一にて0.4
X20×lの試料を作り、それらの各試料について、種
々の特性を測定した。その測定結果を第2表4こ示す。
第2表の結果からも明らかなように、この発明に係る銅
合金は、IC,.LSI用リードフレームにして使用し
た場合に優れた性能を発揮する特性の全てを備えており
、その実用価値は極めて大きい。
尚、この発明においてこのように優れた特性を得ること
ができるのは次のような理由によると推定される。(1
) Snは銅中に固溶し、強度および耐熱性の向上をも
たらす。
(2) Fe2:Pは、Fe2P.Fe3Pを析出させ
、強度の向上をもたらす。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 0.005〜0.3%のFeと、0.005〜0.
    2%のPと、1〜2.5%のSnとを含み、残部が本質
    的にCuであることを特徴とする半導体素子リードフレ
    ーム用銅合金。
JP55160624A 1980-11-14 1980-11-14 半導体素子リ−ドフレ−ム用銅合金 Expired JPS5953339B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5935976B2 (ja) * 1982-09-04 1984-08-31 株式会社神戸製鋼所 端子、コネクタ−用銅合金およびその製造法
JP5123720B2 (ja) * 2008-04-22 2013-01-23 株式会社神戸製鋼所 耐熱性に優れた電気電子部品用銅合金板

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JPS5841782A (ja) * 1981-09-07 1983-03-11 品川白煉瓦株式会社 黒鉛含有耐火物の酸化防止方法

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