JPS595268A - エレクトロルミネセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネセンス表示装置Info
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- JPS595268A JPS595268A JP57114461A JP11446182A JPS595268A JP S595268 A JPS595268 A JP S595268A JP 57114461 A JP57114461 A JP 57114461A JP 11446182 A JP11446182 A JP 11446182A JP S595268 A JPS595268 A JP S595268A
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Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 rare earth fluoride Chemical class 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依ってＥＬ（エレクトロルミ
ネセンヌ、 Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｅｎｃ
ｅ）発光を呈するＥＬ素子を用いた表示装置の構造に関
するものである。
ネセンヌ、 Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｅｎｃ
ｅ）発光を呈するＥＬ素子を用いた表示装置の構造に関
するものである。
）、Ｅ、ｔ、素子としては従来より分散型、薄膜型管種
々の型式のものが開発され実用化されている。このなか
で、特に発光動作の安定な薄膜ＥＬ素子の１例としてＺ
ｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の県木的構造を第１図に示す。
々の型式のものが開発され実用化されている。このなか
で、特に発光動作の安定な薄膜ＥＬ素子の１例としてＺ
ｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の県木的構造を第１図に示す。
第１図に基いて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板１上にＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２等の透明電
極２、さらにその上に積層してＹ２Ｏ３、ＴｉＯ□、
Ａｌ２Ｏ３、Ｓ ｉ３Ｎ４． Ｓ ｉ０２等からなる第
１の誘電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等
により重畳形成されている。
と、ガラス基板１上にＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２等の透明電
極２、さらにその上に積層してＹ２Ｏ３、ＴｉＯ□、
Ａｌ２Ｏ３、Ｓ ｉ３Ｎ４． Ｓ ｉ０２等からなる第
１の誘電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等
により重畳形成されている。
第１の誘電体層３上にはＺｎＳ ：Ｍｎ焼結ベレットを
電子ビーム蒸着することにより得られるＺｎＳ発色層４
が形成されている。この時蒸着用のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ベ
レットには活性物質となるＭｎが目的に応じた濃度に設
定されたベレ７）が使用される。ＺｎＳ発光層４上には
第１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘電体層
５が積層され、更にその上にＡｄ等から成る背面電極６
が蒸着形成されている。透明電極２と背面電極６は交流
電源、、７に接続され、薄膜ＥＬ素子が駆動される。
電子ビーム蒸着することにより得られるＺｎＳ発色層４
が形成されている。この時蒸着用のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ベ
レットには活性物質となるＭｎが目的に応じた濃度に設
定されたベレ７）が使用される。ＺｎＳ発光層４上には
第１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘電体層
５が積層され、更にその上にＡｄ等から成る背面電極６
が蒸着形成されている。透明電極２と背面電極６は交流
電源、、７に接続され、薄膜ＥＬ素子が駆動される。
電極２．６間にＡＣ電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層４
の両側の誘電体層３．５間に一ト記ＡＣ電圧が誘起され
ることになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界
によって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネル
ギーを得だ電子が、直接Ｍ ｎ発光センターを励起し、
励起されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄橙
色の発光を行なう。即ち高電界で加速された電子がＺｎ
Ｓ発光層４中の発光センターであるＺｎサイトに入った
Ｍ ｎ原子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々
５８５０Ａをピークに幅広い波長領域で、強い°発光を
呈する。活性物質としてＭｎ以外に希土類の弗化物を用
いた場合にはこの希土類に特有の緑色その他の発光色が
得られる。
の両側の誘電体層３．５間に一ト記ＡＣ電圧が誘起され
ることになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界
によって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネル
ギーを得だ電子が、直接Ｍ ｎ発光センターを励起し、
励起されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄橙
色の発光を行なう。即ち高電界で加速された電子がＺｎ
Ｓ発光層４中の発光センターであるＺｎサイトに入った
Ｍ ｎ原子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々
５８５０Ａをピークに幅広い波長領域で、強い°発光を
呈する。活性物質としてＭｎ以外に希土類の弗化物を用
いた場合にはこの希土類に特有の緑色その他の発光色が
得られる。
上記の如き構造を有する薄膜ＥＬ素子はスペース・ファ
クタの利点を生かした平面薄膜ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピューターの出−ｈ表
示端末機器その（＋１＝種々の表示装置に文字、記号、
静止画像、動画像等の表示手段として利用することがで
きる。
クタの利点を生かした平面薄膜ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピューターの出−ｈ表
示端末機器その（＋１＝種々の表示装置に文字、記号、
静止画像、動画像等の表示手段として利用することがで
きる。
上記薄膜ＥＬ素子は二重絶縁膜構造の薄膜ＥＬ素子と称
されているが、これ以外にフレキシブル基板を用いて同
様な交流駆動によりＥＬ光発光呈するフレキシブル形有
機ＥＬ素子も提唱されている。
されているが、これ以外にフレキシブル基板を用いて同
様な交流駆動によりＥＬ光発光呈するフレキシブル形有
機ＥＬ素子も提唱されている。
しかしながら、従来のＥＬ素子ばＥＬ光発光得る発光層
を挾んでいる誘電体層の誘電率（３〜１０）が小さいた
め、実用的な輝度を得るだめに必要な発光層への実効電
界強度（約１０６ｖ／ｃｍ ）を保持するのに必要な外
部印加電圧は１００〜２００ｖ（波高値）と非常に高く
なる。捷た絶縁破壊電圧の観点からも安全率（耐電圧マ
ージン）が充分にとれないという問題がありＥＬ素子の
応用面で障害を有していた。
を挾んでいる誘電体層の誘電率（３〜１０）が小さいた
め、実用的な輝度を得るだめに必要な発光層への実効電
界強度（約１０６ｖ／ｃｍ ）を保持するのに必要な外
部印加電圧は１００〜２００ｖ（波高値）と非常に高く
なる。捷た絶縁破壊電圧の観点からも安全率（耐電圧マ
ージン）が充分にとれないという問題がありＥＬ素子の
応用面で障害を有していた。
さらにＥＬ素子の上記構造は、ガラス基板１−１に透明
電極２、誘電体層３，５、発光層４、背面電極６等を多
層に形成するため、蒸着等の工程が多岐にわたり、非常
に繁雑な製作手順を必要と１゜ていた。
電極２、誘電体層３，５、発光層４、背面電極６等を多
層に形成するため、蒸着等の工程が多岐にわたり、非常
に繁雑な製作手順を必要と１゜ていた。
本発明は上記問題点に鑑み、低い印加電圧で耐電圧マー
ジンを充分にとって駆動することができ、製作の容易な
構造を有する新規有用なＥＬ素子を用いた表示装置を提
供することを目的とするものである。
ジンを充分にとって駆動することができ、製作の容易な
構造を有する新規有用なＥＬ素子を用いた表示装置を提
供することを目的とするものである。
以−［本発明の１実施例について図面を参照しながら詳
説する。
説する。
第２図は本発明の１実施例に用いられるＥＬ素子の構成
図である。
図である。
厚さ０．０５〜０．２絹の高誘電率セラミック基板８と
して比誘電率ε−２，８００のチタン酸バリウム（’Ｂ
ａＴ ｉ ０３ ）又はチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐ
ＺＴ ）焼結体等を用い、このセラミック基板８上に分
散型ＥＬ螢光体又は第１図と同様にＭｎを発光センター
としてドープ［７たＺｎＳ又はＺｎ５ｅの混合体から成
る発光層９を厚さ０．０５〜２．０μｍで真空蒸着法又
はスパンタリング法により層設する。発光層９七には表
面抵抗１０〜１００Ω／ｄの酸化インジウムを主として
成る透明導電膜（Ｉ ｎ ２０３ ＋ Ｓ ｎ ０２又
はＩＴＯ膜）を積層し、透明電極１０とする。一方、セ
ラミック基板８の裏面にはＡ４膜を形成り、た上に更に
重畳して二７ケ／Ｌ／膜を積層した二層の金属薄膜によ
ってセラミック占（板８への密着強度とリード線のハン
ダ伺強度を高めた背面電極１１を蒸着形成する。この背
面′１１ｉ極１１と透明電極１０に電極端子を介して正
弦波、矩形波等の交流電圧を印加することにより輝度の
高い安定したＥＬ光発光得ることができる。この時の印
加電圧値は２０〜５０ｖ、（波高値）程度でよく、また
周波数は５０〜４００ Ｈｚのものが用いられている。
して比誘電率ε−２，８００のチタン酸バリウム（’Ｂ
ａＴ ｉ ０３ ）又はチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐ
ＺＴ ）焼結体等を用い、このセラミック基板８上に分
散型ＥＬ螢光体又は第１図と同様にＭｎを発光センター
としてドープ［７たＺｎＳ又はＺｎ５ｅの混合体から成
る発光層９を厚さ０．０５〜２．０μｍで真空蒸着法又
はスパンタリング法により層設する。発光層９七には表
面抵抗１０〜１００Ω／ｄの酸化インジウムを主として
成る透明導電膜（Ｉ ｎ ２０３ ＋ Ｓ ｎ ０２又
はＩＴＯ膜）を積層し、透明電極１０とする。一方、セ
ラミック基板８の裏面にはＡ４膜を形成り、た上に更に
重畳して二７ケ／Ｌ／膜を積層した二層の金属薄膜によ
ってセラミック占（板８への密着強度とリード線のハン
ダ伺強度を高めた背面電極１１を蒸着形成する。この背
面′１１ｉ極１１と透明電極１０に電極端子を介して正
弦波、矩形波等の交流電圧を印加することにより輝度の
高い安定したＥＬ光発光得ることができる。この時の印
加電圧値は２０〜５０ｖ、（波高値）程度でよく、また
周波数は５０〜４００ Ｈｚのものが用いられている。
このように製作されたＥＬ基板を利用］２て、第３図に
示すごときセグメント型の数字表示ディスプレイを作製
するには、各発光セグメントａ〜１に対応する１丁法の
チップをＥＬ基板から切り出して所定の個所にハンダイ
′：１け（７、かつ発光面に形成されている透明電極の
ハンダ付端子からリード線をとり出し、表示画面の支持
基板であるアルミナ基板の電極端子部に接続する。
示すごときセグメント型の数字表示ディスプレイを作製
するには、各発光セグメントａ〜１に対応する１丁法の
チップをＥＬ基板から切り出して所定の個所にハンダイ
′：１け（７、かつ発光面に形成されている透明電極の
ハンダ付端子からリード線をとり出し、表示画面の支持
基板であるアルミナ基板の電極端子部に接続する。
第４図・は本発明の１実施例を示すＥＬ表示装置の平面
図である。第５図は第４図の断面構成図である。
図である。第５図は第４図の断面構成図である。
本実施例は３桁の数字表示用ＥＬディスプレイとしてセ
ラミンク基板から各セグメントに対応した寸法にＥＬ上
セグメント切出し、このＥＬ上セグメントップを所定の
個所にハンダ付けして製作したものである。
ラミンク基板から各セグメントに対応した寸法にＥＬ上
セグメント切出し、このＥＬ上セグメントップを所定の
個所にハンダ付けして製作したものである。
数字を構ｎｌする各数値セグメント１２、点を表示する
点セグメント１３が支持基板であるアルミナ基板１４上
の所定位置に配置されている。数値セグメント１２及び
点セグメント１３は第２図に示すＥ Ｌ−素子で構成さ
れ背面電極１１側でアルミナ基板１４上にハンダ固着さ
れている。透明電極１０及び背面電極１１はリード端子
１５と電気的に結線されており、アルミナ基板１４上部
はエポキシ樹脂等の透明充填剤１６で各セグメント１２
゜１３が埋設されている。リード端子１５（！ニア／レ
ミナ基板１４間はハンダ層１７で接着され、リード端子
１５を介して外部回路と接続される。
点セグメント１３が支持基板であるアルミナ基板１４上
の所定位置に配置されている。数値セグメント１２及び
点セグメント１３は第２図に示すＥ Ｌ−素子で構成さ
れ背面電極１１側でアルミナ基板１４上にハンダ固着さ
れている。透明電極１０及び背面電極１１はリード端子
１５と電気的に結線されており、アルミナ基板１４上部
はエポキシ樹脂等の透明充填剤１６で各セグメント１２
゜１３が埋設されている。リード端子１５（！ニア／レ
ミナ基板１４間はハンダ層１７で接着され、リード端子
１５を介して外部回路と接続される。
尚、点セグメント１３は第２図の如きＥＬ素子ではなく
発光ダイオードで構成しても良い。
発光ダイオードで構成しても良い。
上記構成から成るＥＬ表示装置は各種の大きさの多桁数
字表示用ＥＬディスプレイが容易に製造できること、さ
らに高い比誘電率を有するセラミックをＥＬ基板として
用いるため動作電圧を低くすることができるという利点
がある。さらに、電気絶縁耐圧も充分高く、絶縁破壊に
対する安全率が極めて高いという特性を有する。表示装
置の用途としては、キャッシュレジスター、ＰＯ５端末
器等の事務機器をはじめとして、自動東、航空機を含む
工業計測機器用のディスプレイ用として広い用途が考え
られる。
字表示用ＥＬディスプレイが容易に製造できること、さ
らに高い比誘電率を有するセラミックをＥＬ基板として
用いるため動作電圧を低くすることができるという利点
がある。さらに、電気絶縁耐圧も充分高く、絶縁破壊に
対する安全率が極めて高いという特性を有する。表示装
置の用途としては、キャッシュレジスター、ＰＯ５端末
器等の事務機器をはじめとして、自動東、航空機を含む
工業計測機器用のディスプレイ用として広い用途が考え
られる。
第１図は従来の薄膜ＥＬ素子の構造を示す構成図である
。 第２図は本発明の１実施例であるＥＬ素子の構造を示す
要部構成図である。 第３図はセグメント型数字表示装置の説明図である。 第４図は本発明の１実施例を示すＥＬ表示装置の平面薗
である。 第５図は第４図の断面構成図である。 ８・・・セラミック基板、 ９・・・発光層、 １
０・・・透明電極、 １１・・・背面電極、 １２・・
・数値セグメント、 １３・・・点セグメント、 １５
・・・リード端ｒ−０
。 第２図は本発明の１実施例であるＥＬ素子の構造を示す
要部構成図である。 第３図はセグメント型数字表示装置の説明図である。 第４図は本発明の１実施例を示すＥＬ表示装置の平面薗
である。 第５図は第４図の断面構成図である。 ８・・・セラミック基板、 ９・・・発光層、 １
０・・・透明電極、 １１・・・背面電極、 １２・・
・数値セグメント、 １３・・・点セグメント、 １５
・・・リード端ｒ−０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高誘電率の焼結体で構成されたＩｌｌ影形成用セラ
ミック基板上交流電界の印加に応答してエレクトロルミ
ネセンス発光を呈する発光量を形成し、該発光層とＭ記
セラミック基板を１対の電極間に挾持したＥＬ素子を表
示パターンに成形して表示画面に複数個配置［またこと
を特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。 ２ セラミック基板をチタン酸バリウムの焼結体で構成
した特許請求の範囲第１項記載のエレクトロルミネセン
ス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57114461A JPS595268A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57114461A JPS595268A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595268A true JPS595268A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=14638313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57114461A Pending JPS595268A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595268A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4757235A (en) * | 1985-04-30 | 1988-07-12 | Nec Corporation | Electroluminescent device with monolithic substrate |
| JPH0319677A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Kanebo Ltd | 蛋白質を含有する酸性飲食品 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57114461A patent/JPS595268A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4757235A (en) * | 1985-04-30 | 1988-07-12 | Nec Corporation | Electroluminescent device with monolithic substrate |
| JPH0319677A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Kanebo Ltd | 蛋白質を含有する酸性飲食品 |
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