JPS5952666U - ３次元多層構造をもつ半導体装置 - Google Patents

３次元多層構造をもつ半導体装置

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JPS5952666U
JPS5952666U JP14666982U JP14666982U JPS5952666U JP S5952666 U JPS5952666 U JP S5952666U JP 14666982 U JP14666982 U JP 14666982U JP 14666982 U JP14666982 U JP 14666982U JP S5952666 U JPS5952666 U JP S5952666U
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JP
Japan
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semiconductor device
multilayer structure
dimensional
dimensional multilayer
sinkhole
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Pending
Application number
JP14666982U
Other languages
English (en)
Inventor
村竹　清
哲史 若林
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ないし第２図は本考案の前提として考慮された半
導体装置の形態を説明する説明図、第３図ないし第５図
は本考案の一実施例を示し、第６図および第７図は夫々
本考案の他の一実施例を示す。 図中、１は導電層、２はパッド、４はＩＣチップ、５は
小孔、６は貫通孔、７は陥没穴、８は液体、９はヒート
・パイプを表わしている。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 導体パターンをもうけた絶縁層を複数枚積層し、３次元
    構造体を形成せしめると共に、該３次元構造体の表面上
    に半導体回路素子を載置した３次元多層構造をもつ半導
    体装置において、上記３次元構造体の表面から構造体内
    部を通る貫通孔および／または陥没穴が形成され、かつ
    当該貫通孔および陥没穴を介して内部発生熱を外部に放
    散せしめるよう構成されてなることを特徴とする３次元
    多層構造をもつ半導体装置。
JP14666982U 1982-09-28 1982-09-28 ３次元多層構造をもつ半導体装置 Pending JPS5952666U (ja)

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JPS5952666U true JPS5952666U (ja) 1984-04-06

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ID=30326404

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007235111A (ja) * 2006-01-31 2007-09-13 Sony Corp プリント配線板集合体及びプリント配線板集合体の製造方法
WO2008111408A1 (ja) * 2007-03-09 2008-09-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 多層配線基板及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5229451B2 (ja) * 1972-12-12 1977-08-02

Patent Citations (1)

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