JPS5952536B2 - マスクアライナ - Google Patents

マスクアライナ

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Publication number
JPS5952536B2
JPS5952536B2 JP52100494A JP10049477A JPS5952536B2 JP S5952536 B2 JPS5952536 B2 JP S5952536B2 JP 52100494 A JP52100494 A JP 52100494A JP 10049477 A JP10049477 A JP 10049477A JP S5952536 B2 JPS5952536 B2 JP S5952536B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
wafer
vacuum chuck
aligner
mask aligner
Prior art date
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Expired
Application number
JP52100494A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5434778A (en
Inventor
芳光 田中
康 浅見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP52100494A priority Critical patent/JPS5952536B2/ja
Publication of JPS5434778A publication Critical patent/JPS5434778A/ja
Publication of JPS5952536B2 publication Critical patent/JPS5952536B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体工業等において使用されるマスクア
ライナの改良に関する。
従来からいわゆる写真感光処理を行うにあたつては、被
処理ウェハの表面に光に対するマスクをJ正しく位置合
せして密着させるためのマスクアライナが広く用いられ
ている。
この種のマスクアライナにおける1つの問題点は、写真
感光処理後にマスクの一面に密着されたウェハを破損さ
せずに引離すことが容易でないことにある。通常、マス
。クアライナにおけるウェハ引離し操作は、従来から真
空チャックでウェハを吸着して行われていたが、特にウ
ェハ密着面の一部に真空部分が生じて密着力が増大した
場合には真空チャックの力だけでは引離し不可能であつ
た。この発明の目的は、ウェハ引離し操作を容易に行え
るようにした改良されたマスクアライナを提供すること
にある。
この発明の特徴とするところは、ウェハ密着面の周辺部
に集中的にガスを吹付けて一種のくさび打込作用を生じ
させることにより、真空チャックによるウェハ引離しを
援助するようにした点にある。
次に、添付図面を参照してこの発明の一実施例を説明す
る。
図において、マシンベース10上にはシリンダ12が配
置されており、このシリンダ12内には昇降自在にピス
トン14が配置されている。
ピストン14の先端には、フランジ部16aを有する真
空チャック16が装着されてレ)’る。マスクホルダ2
0は、図示しない位置でマシンベース10に固定されて
おり、開口部20aに相当する位置でマスク24を保持
している。マスクホルダ20の開口部20aに隣接する
部分には、この発明の教示にしたがつて高圧ガスAを吹
出すためのノズル22が設けられている。写真感光処理
にあたつては、表面にフォトレジスト剤が塗布されたウ
ェハ18を真空チャック16で吸着するとともにシリン
ダ12でピストン14を上方へ駆動してウェハ18をマ
スク24の下面に密着させる。
次に、マスク24の上方から光を照射してウェハ18上
のフォトレジスト剤をマスクパターンを介して露光する
。その後、ウェハ18を真空チャック16で吸着した状
態で、ピストン14を下方に駆動してマスク24からウ
ェハ18を引離す。このとき、ノズル22を介して高圧
ガスAをウェハ18の密着面の周辺部に吹付け、一種の
くさび打込作用を生じさせ、それによつて真空チャック
16によるウェハ18のマスク24からの引離しを助け
る。この場合、図示のようにウエハ18の周縁部18a
が面とりされていると、そこに隔間ができるために高圧
ガスによるくさび効果が顕著になり好ましい。以上に述
べたこの発明のマスタアライナによれば、高圧ガスの吹
付力でウエハの剥離を促進するようにしているので、た
とえウエハ密着面に部分的に真空が生じ密着力が増大し
た場合であつても、真空チヤツクの吸着力とガス吹付力
との合力によつて容易に且つ破損を伴うことなしにマス
クからウエハを引離すことができ、写真感光処理工程に
おける処理能力ないし作業効率を大幅に向上させること
が可能になる。
【図面の簡単な説明】
図は、この発明の一実施例によるマスクアライナの要部
断面図である。 10・・・・・・マシンベース、12・・・・・・シリ
ンダ、14・・・・・・昇降ピストン、]6・・・・・
・真空チヤツク、]8・・・・・・ウエハ、20・・・
・・・マスタホルダ、22・・・・・・高圧ガス吹出ノ
ズル、24・・・・・・マスク。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 マスクの一面に密着されたウェハを真空チャックで
    引離すようになつているマスクアライナにおいて、前記
    ウェハの前記マスクへの密着面の周辺部に集中的にガス
    を吹付ける装置を設け、このガスの吹付力により前記ウ
    ェハの前記マスクからの引離しを助けるようにしたこと
    を特徴とするマスクアライナ。
JP52100494A 1977-08-24 1977-08-24 マスクアライナ Expired JPS5952536B2 (ja)

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JP52100494A JPS5952536B2 (ja) 1977-08-24 1977-08-24 マスクアライナ

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JP52100494A JPS5952536B2 (ja) 1977-08-24 1977-08-24 マスクアライナ

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Publication Number Publication Date
JPS5434778A JPS5434778A (en) 1979-03-14
JPS5952536B2 true JPS5952536B2 (ja) 1984-12-20

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55130542A (en) * 1979-03-30 1980-10-09 Fujitsu Ltd Exposing method
KR101079513B1 (ko) 2009-05-13 2011-11-03 삼성전기주식회사 범프 인쇄장치 및 그 제어방법

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JPS5434778A (en) 1979-03-14

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