JPS5950525A - フオトレジストの塗布装置 - Google Patents
フオトレジストの塗布装置Info
- Publication number
- JPS5950525A JPS5950525A JP16143582A JP16143582A JPS5950525A JP S5950525 A JPS5950525 A JP S5950525A JP 16143582 A JP16143582 A JP 16143582A JP 16143582 A JP16143582 A JP 16143582A JP S5950525 A JPS5950525 A JP S5950525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photo resist
- photoresist
- injection chamber
- central part
- organic solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体ウェファにフォトレジスト層を形成
ずろためのフォトレジストの塗布装装置に関するもので
ある。
ずろためのフォトレジストの塗布装装置に関するもので
ある。
集積回１各等の・製１貴に当り、いわゆるフォトエツチ
ングの技術が駆使されているが、その一工程表しＣ半導
体ウェファの表面にフォトレジストを塗布乾燥する工程
がある。フォトエツチングの各工程はすべて集積回路に
おけるパターンの解像度に影響するので、良″！τの＠
積回路を得ろためにはフォトレジストの塗布、１Ｌび１
こ乾燥がバラツキなく各部均等に行なわれる必′皮があ
り、・′蒔られるレジスト層の厚みは均一であることが
要求される。
ングの技術が駆使されているが、その一工程表しＣ半導
体ウェファの表面にフォトレジストを塗布乾燥する工程
がある。フォトエツチングの各工程はすべて集積回路に
おけるパターンの解像度に影響するので、良″！τの＠
積回路を得ろためにはフォトレジストの塗布、１Ｌび１
こ乾燥がバラツキなく各部均等に行なわれる必′皮があ
り、・′蒔られるレジスト層の厚みは均一であることが
要求される。
従来のフォトレジスト塗布装置側は、比較的稈偵の大き
な丁部芥器内に匂いて真空チャックを回転させるもので
あり、容器内の密閉度も范分なものではない。九空チャ
ックトの半導体ウェファに噴射されるフｆｌ・レジスト
液は出殻的粘度が高いので、中央部に噴射されて周囲に
拡ｌバって行く間に乾燥されレジスト層は中央部力（厚
く周辺部が徐々に薄くなる傾向がある。また飛び散った
フォトレジストの一部が、形成されたフォトレジスト層
の表面にひげ状に付着し、レジスト層の質を低下させる
欠点があった。
な丁部芥器内に匂いて真空チャックを回転させるもので
あり、容器内の密閉度も范分なものではない。九空チャ
ックトの半導体ウェファに噴射されるフｆｌ・レジスト
液は出殻的粘度が高いので、中央部に噴射されて周囲に
拡ｌバって行く間に乾燥されレジスト層は中央部力（厚
く周辺部が徐々に薄くなる傾向がある。また飛び散った
フォトレジストの一部が、形成されたフォトレジスト層
の表面にひげ状に付着し、レジスト層の質を低下させる
欠点があった。
このイラ明は上記の事情に基づきなされたもので。
フォトシストの塗布を比較的小容積の密閉された空間内
で行ないかつその空間内に有（残溶剤のガスを充満さＩ
Ｊ−ろことにより、厚さが均一であると吉もに）、ｒ
トレジストの無用な付着がなく良質のフォトレジスト層
を得られるフォトレジストの塗布装置を提供しようさす
るものである。
で行ないかつその空間内に有（残溶剤のガスを充満さＩ
Ｊ−ろことにより、厚さが均一であると吉もに）、ｒ
トレジストの無用な付着がなく良質のフォトレジスト層
を得られるフォトレジストの塗布装置を提供しようさす
るものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
添付図面においＣＩは有底短円筒状の下部容器であり、
この容器１の中央部に１回転自在の真空チャック２が設
けられでいる。下部容器１の開口部にはリング状の水平
壁３が形成され、かつこの水平壁３は１１斤部面３’Ｊ
曲した形状のリング状のバッキング材４を備えている。
この容器１の中央部に１回転自在の真空チャック２が設
けられでいる。下部容器１の開口部にはリング状の水平
壁３が形成され、かつこの水平壁３は１１斤部面３’Ｊ
曲した形状のリング状のバッキング材４を備えている。
真空チャック２の周囲を円筒状の隔壁５により囲繞して
小容積の密閉さ℃た噴射室６を形成する。
小容積の密閉さ℃た噴射室６を形成する。
隔壁５は上端の鍔部７において、水平壁３の内端部に固
定されている。
定されている。
噴射室６の底面８には緩やかな傾斜をつけ、隔壁５の下
端との間に極めて微小な間隙９を残して、滴下した７オ
トレジスト液が外室１０に流下しこれを排出し得るよう
に構成する。
端との間に極めて微小な間隙９を残して、滴下した７オ
トレジスト液が外室１０に流下しこれを排出し得るよう
に構成する。
下部容５１の開口部は、さらに上方より蓋体１１により
蔽い、その中央部にフォトレジスト液の噴射口１２を形
成するとともにその付近に窒素ガスＮ、の供給口１３を
設ける。なお、噴射室６の密閉度は蓋体１１およびこれ
に接触するバッキング材４によって保たれる。
蔽い、その中央部にフォトレジスト液の噴射口１２を形
成するとともにその付近に窒素ガスＮ、の供給口１３を
設ける。なお、噴射室６の密閉度は蓋体１１およびこれ
に接触するバッキング材４によって保たれる。
この塗布装置は以上の構成を有するので、−１に空チャ
ック２上のウェファＷに噴射口１２よりフォトレジスト
液を噴射すると、これはウェファＷの中心部から外周に
拡がって行きフォトレジスト層が形成される。
ック２上のウェファＷに噴射口１２よりフォトレジスト
液を噴射すると、これはウェファＷの中心部から外周に
拡がって行きフォトレジスト層が形成される。
この際、フォトレジスト液中の有様溶剤がガスとなって
密閉された小容積の噴射室６内に充満し。
密閉された小容積の噴射室６内に充満し。
ぬれた孝囲気を形成する。
シタ力って、フォトレジストの急速な乾燥が抑えられる
ので、フォトレジスト液は流動性を保って周囲に拡？）
（って行き厚さの均一な層／バ形成される。
ので、フォトレジスト液は流動性を保って周囲に拡？）
（って行き厚さの均一な層／バ形成される。
また真空升ヤック２０回転によって四周に飛びちるフォ
トレジストの一部はぬれた雰囲気によって緩衝され、１
ａ線状をなした隔壁５を伝って流下し間隙９より外室１
０に導かれる。したがってフォトレジスト液のはね返り
もないので、形成されたフォトレジスト層の表面にさら
に付着してフォトレジスト１鐸の質を低下させることも
ない。
トレジストの一部はぬれた雰囲気によって緩衝され、１
ａ線状をなした隔壁５を伝って流下し間隙９より外室１
０に導かれる。したがってフォトレジスト液のはね返り
もないので、形成されたフォトレジスト層の表面にさら
に付着してフォトレジスト１鐸の質を低下させることも
ない。
フォトレジスト層が形成された後は、有機溶剤のガス全
ぬき、これに代えて窒素ガスを供給してフォトレジスト
の乾燥を行なう。
ぬき、これに代えて窒素ガスを供給してフォトレジスト
の乾燥を行なう。
したがってこの発明によれば、フォトレジストの塗布を
比較的小容積の密閉された空間内で行ないかつその空間
内に何機溶剤のガスを充満させること（こ、上り、 １
ｔｌＪさが均一であるとともにフォトレジストｔ＋）付
滑がなく良質のフォトレジスト層が得られるフォトレジ
ストの塗布装置を提供することができろ。
比較的小容積の密閉された空間内で行ないかつその空間
内に何機溶剤のガスを充満させること（こ、上り、 １
ｔｌＪさが均一であるとともにフォトレジストｔ＋）付
滑がなく良質のフォトレジスト層が得られるフォトレジ
ストの塗布装置を提供することができろ。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
要旨を変更しない範囲において神々変形して実施するこ
とができる。
要旨を変更しない範囲において神々変形して実施するこ
とができる。
添付１剥而はこの発明の一実施例の概略的な構成を示す
縦断面図である。 ｌ・・下部容器 ２・・真空チャック３・・水平
壁 ４・・・バッキング材５・・・隔壁
６・・・噴射室７・・・鍔部 ８・・
・底面９・・・間隙 １０・・・外室１１・・
・蓋体 １２・・・噴射口１３・・・供給口
縦断面図である。 ｌ・・下部容器 ２・・真空チャック３・・水平
壁 ４・・・バッキング材５・・・隔壁
６・・・噴射室７・・・鍔部 ８・・
・底面９・・・間隙 １０・・・外室１１・・
・蓋体 １２・・・噴射口１３・・・供給口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 体と、＠線状垂直壁を有し前記真空チャックの周囲に密
閉された比較的小容積の噴射室を形成する円筒状の隔壁
とを備え、前記噴射室内に有機溶剤のガスを充満さぜる
ことを特徴とするフォトレジストの塗布装ｆｔ□ （２）上記噴射室の密閉は蓋体との間に設けられたバッ
キング材により保たれていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のフォトレジストの塗イＤ装置。 （３） 上記噴射室の底面は中央部より周縁に至る緩
やかな傾斜面として形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記戦のフォトレジストの塗布装、、
ｇ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16143582A JPS5950525A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | フオトレジストの塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16143582A JPS5950525A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | フオトレジストの塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950525A true JPS5950525A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15735054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16143582A Pending JPS5950525A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | フオトレジストの塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950525A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4800836A (en) * | 1987-03-27 | 1989-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist coating apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5337576U (ja) * | 1976-09-06 | 1978-04-01 | ||
| JPS5666044A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5687471A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coating process |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP16143582A patent/JPS5950525A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5337576U (ja) * | 1976-09-06 | 1978-04-01 | ||
| JPS5666044A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5687471A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coating process |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4800836A (en) * | 1987-03-27 | 1989-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist coating apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5571560A (en) | Proximity-dispensing high-throughput low-consumption resist coating device | |
| JPH01135565A (ja) | 塗布装置 | |
| TWI544564B (zh) | 基板處理裝置 | |
| JPS63271931A (ja) | 現像装置 | |
| JPS5950525A (ja) | フオトレジストの塗布装置 | |
| JPH04174848A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP3189113B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| EP1015136B1 (en) | Method and apparatus for spin-coating chemicals | |
| JP2537611B2 (ja) | 塗布材料の塗布装置 | |
| JPH0513320A (ja) | 処理液塗布方法 | |
| JPS63141670A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JP3194071B2 (ja) | 塗布膜形成方法及びその装置 | |
| JP2658710B2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH05109612A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS61207019A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JPH03245869A (ja) | 薬液塗布装置の吐出薬液劣化防止機構 | |
| KR100450660B1 (ko) | 물질수납용기 | |
| JPH0237353A (ja) | レジストの現像方法及びその装置 | |
| JPH03256321A (ja) | レジスト膜形成装置 | |
| JPH07275780A (ja) | 回転カップ式処理装置 | |
| JP2593465B2 (ja) | 半導体ウエーハの液処理装置 | |
| JP2000033317A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH08148406A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6333660Y2 (ja) | ||
| JPS59141220A (ja) | 塗布方法 |