JPS59141220A - 塗布方法 - Google Patents
塗布方法Info
- Publication number
- JPS59141220A JPS59141220A JP1564383A JP1564383A JPS59141220A JP S59141220 A JPS59141220 A JP S59141220A JP 1564383 A JP1564383 A JP 1564383A JP 1564383 A JP1564383 A JP 1564383A JP S59141220 A JPS59141220 A JP S59141220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent medium
- semiconductor wafer
- diffusion source
- cup
- reservoir tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハーの表面に液体拡散源（以下、単
に拡散源と呼ぶ）を塗布する方法に関するものである。
に拡散源と呼ぶ）を塗布する方法に関するものである。
従来から用いられている拡散源塗布方法は、半導体ウェ
ハーを塗布装置円に設けられた真空チャックの先端部に
吸着して、ウェハー表面に拡散源を滴下し、真空チャッ
クを回転することによシ行なっている。
ハーを塗布装置円に設けられた真空チャックの先端部に
吸着して、ウェハー表面に拡散源を滴下し、真空チャッ
クを回転することによシ行なっている。
しかしながら、半導体ウェハーの表面に塗布されだ拡散
源はその表面から拡散源内に含まれた溶媒が揮発するた
め、塗布操作終了後には、ウェハー表面に結晶化物やく
もりが発生し、均一に塗布で′＃、々いという欠点があ
った。
源はその表面から拡散源内に含まれた溶媒が揮発するた
め、塗布操作終了後には、ウェハー表面に結晶化物やく
もりが発生し、均一に塗布で′＃、々いという欠点があ
った。
本発明の目的は、半導体ウェハー表面に結晶化物やくも
りがなく、均一に拡散源を塗布する方法を提供すること
である。
りがなく、均一に拡散源を塗布する方法を提供すること
である。
本発明の塗布方法は、半導体ウエノ・−周辺の雰囲気を
塗布液の溶媒と同一にし、半導体ウニ・・−表面から拡
散源に含まれている溶媒を揮発させないことを特徴とす
る塗布方法を得る。
塗布液の溶媒と同一にし、半導体ウニ・・−表面から拡
散源に含まれている溶媒を揮発させないことを特徴とす
る塗布方法を得る。
以下、図面によ多本発明の塗布方法の一実施例を説明す
る。
る。
第１図は、本発明の実施例に用いられる装置の断面図で
ある。カップ１の内部の中央部には真空チャック２がベ
アリング３を介して回転自在に設けられている。真空チ
ャック２の内部は減圧状態に保たれてお如、その先端部
には半導体ウェハー４が吸引固着されている。カップ１
の底部内壁面には環状の溶媒貯留槽５が設けられ、溶媒
貯留檜５内には、溶媒６が満たされている。
ある。カップ１の内部の中央部には真空チャック２がベ
アリング３を介して回転自在に設けられている。真空チ
ャック２の内部は減圧状態に保たれてお如、その先端部
には半導体ウェハー４が吸引固着されている。カップ１
の底部内壁面には環状の溶媒貯留槽５が設けられ、溶媒
貯留檜５内には、溶媒６が満たされている。
この構造によれば、溶媒貯留槽５から揮発した溶媒６は
常にカップ１内で溶媒の飽和雰囲気を構成し、ウェハー
４に塗布した拡散源の揮発が防止され、結晶化物やくも
シのない均一な塗布膜層を形成することができる。
常にカップ１内で溶媒の飽和雰囲気を構成し、ウェハー
４に塗布した拡散源の揮発が防止され、結晶化物やくも
シのない均一な塗布膜層を形成することができる。
以上の様に本発明はウェハー雰囲気を拡散源の溶媒と同
一にすることによシウエハー上の結晶化物やくもシをな
くシ、塗布膜を均一にすることができるのである。
一にすることによシウエハー上の結晶化物やくもシをな
くシ、塗布膜を均一にすることができるのである。
第１図は、本発明による方法で用いられる塗布装置の一
例を示す断面図である。 １・・・・・・カップ、２・・・・・・真空チャック、
３・・・・・・ベアリング、４・・・・・・ウェハー、
５・・・・・・溶媒貯留槽、６・・・・・・溶媒。 ３− 第１ 図 −９０＝
例を示す断面図である。 １・・・・・・カップ、２・・・・・・真空チャック、
３・・・・・・ベアリング、４・・・・・・ウェハー、
５・・・・・・溶媒貯留槽、６・・・・・・溶媒。 ３− 第１ 図 −９０＝
Claims (1)
- 液体拡散源に含まれる溶媒の雰囲気中で、半導体ウェハ
ー表面に前記液体拡散源を塗布することを特徴とする液
体拡散源の塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1564383A JPS59141220A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1564383A JPS59141220A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141220A true JPS59141220A (ja) | 1984-08-13 |
Family
ID=11894391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1564383A Pending JPS59141220A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141220A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4800836A (en) * | 1987-03-27 | 1989-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist coating apparatus |
| US5658615A (en) * | 1993-03-25 | 1997-08-19 | Tokyo Electron Limited | Method of forming coating film and apparatus therefor |
| US6503003B2 (en) * | 1996-02-01 | 2003-01-07 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and film forming apparatus |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP1564383A patent/JPS59141220A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4800836A (en) * | 1987-03-27 | 1989-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist coating apparatus |
| US5658615A (en) * | 1993-03-25 | 1997-08-19 | Tokyo Electron Limited | Method of forming coating film and apparatus therefor |
| US6503003B2 (en) * | 1996-02-01 | 2003-01-07 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and film forming apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59141220A (ja) | 塗布方法 | |
| JP3231970B2 (ja) | 回転カップ式塗布方法及び塗布装置 | |
| JP2802636B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JPH02119226A (ja) | 有機溶液の回転塗布方法 | |
| JP2764069B2 (ja) | 塗布方法 | |
| JPS584587B2 (ja) | 回転式粘性剤塗布方法およびその装置 | |
| JPS62185322A (ja) | フオトレジスト塗布装置 | |
| JPS60152029A (ja) | 塗布装置 | |
| JPS61206224A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS62195121A (ja) | スピンコ−タ− | |
| JPH10261578A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS5914890B2 (ja) | 回転塗布方法 | |
| JPH03238068A (ja) | フォトレジストを塗布する方法 | |
| JPH0628224Y2 (ja) | 基板回転処理装置 | |
| JPH0330874A (ja) | 平面デイスプレー用ベースプレートの薄層塗布方法および装置 | |
| JPH0254518A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JPS6223581Y2 (ja) | ||
| JPH05259063A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
| JPH0824892B2 (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JP2001319851A (ja) | フォトレジスト塗布方法 | |
| JPH0696138B2 (ja) | スピンコーティング方法 | |
| JPS61139027A (ja) | 感光性樹脂塗布装置 | |
| JPH05123632A (ja) | 液状塗布物質の塗布方法 | |
| JPH05259051A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング装置 | |
| JPH05228413A (ja) | 塗布装置 |