JPS5950212B2 - 半導体素子の電極の製造方法 - Google Patents
半導体素子の電極の製造方法Info
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- JPS5950212B2 JPS5950212B2 JP9239878A JP9239878A JPS5950212B2 JP S5950212 B2 JPS5950212 B2 JP S5950212B2 JP 9239878 A JP9239878 A JP 9239878A JP 9239878 A JP9239878 A JP 9239878A JP S5950212 B2 JPS5950212 B2 JP S5950212B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素体の表面に設けられる半導体素子の金
属電極の製造方法に関する。
属電極の製造方法に関する。
半導体素体の表面に合金法によらないで電極を設けるに
は、ニッケルめつき、アルミニウム蒸着が行われ、ニッ
ケルメッキ層の上にはさらに金メッキをしてＡｕリード
線を接続し、アルミニウム蒸着層にはＡｌ線が接続され
ることが多い。
は、ニッケルめつき、アルミニウム蒸着が行われ、ニッ
ケルメッキ層の上にはさらに金メッキをしてＡｕリード
線を接続し、アルミニウム蒸着層にはＡｌ線が接続され
ることが多い。
しかしＡｌやＮｉは半導体のエッチングの際の酸により
腐食されやすい欠点がある。Ａｕはエッチング液に対す
る耐食性はあるが、直接半導体表面に被着するとオーミ
ック性に問題がある。白金は耐食性がありスパッタリン
グで半導体表面に被着してオーミックな接続を得るが、
半導体との密着性の点が十分でなく、電極の製造歩留り
が安定しなかつた。本発明は半導体素子の電極としてオ
ーミック性、密着性が良＜、しかもエッチングに用いる
化学薬品に対して十分な耐食性を有する金属電極を得る
ことを目的とする。
腐食されやすい欠点がある。Ａｕはエッチング液に対す
る耐食性はあるが、直接半導体表面に被着するとオーミ
ック性に問題がある。白金は耐食性がありスパッタリン
グで半導体表面に被着してオーミックな接続を得るが、
半導体との密着性の点が十分でなく、電極の製造歩留り
が安定しなかつた。本発明は半導体素子の電極としてオ
ーミック性、密着性が良＜、しかもエッチングに用いる
化学薬品に対して十分な耐食性を有する金属電極を得る
ことを目的とする。
この目的は半導体素体の表面に少くともクロムを添加し
た白金を被着して電極とすることにより達成できる。
た白金を被着して電極とすることにより達成できる。
このような電極は従来の純白金電極と同様にスパッタリ
ングで行われる。
ングで行われる。
ターゲットとしては白金とクロムを用いてもよいが、ク
ロムは酸化しやフすいので、入手しやす＜耐食性があり
、スパッタリングも容易なニクロム合金片を白金ターゲ
ットの上に配置してスパッタリングする。ニクロム合金
片の大きさは添加されるＣｒ量に応じて決定される。し
かし材料調整の手数をいとわなければ、５予めＣｒを合
金させたＰｔをターゲットとしてスパッタリングするこ
とも勿論可能である。次に本発明の効果に対するＣｒ添
加量の影響を線図によつて説明する。
ロムは酸化しやフすいので、入手しやす＜耐食性があり
、スパッタリングも容易なニクロム合金片を白金ターゲ
ットの上に配置してスパッタリングする。ニクロム合金
片の大きさは添加されるＣｒ量に応じて決定される。し
かし材料調整の手数をいとわなければ、５予めＣｒを合
金させたＰｔをターゲットとしてスパッタリングするこ
とも勿論可能である。次に本発明の効果に対するＣｒ添
加量の影響を線図によつて説明する。
第１、第２図は本発明に基づきシリコン板上に被着した
Ｃｒ添加Ｐｔ電極に５０μｍの太さのＡｕ線を熱圧着し
、これを引張つた引張試験の結果であり、第１図はこの
際にかけられる最大荷重の平均値を示す。Ａｕ線部分で
切れる場合には約２０ｇの荷重を要するが、その他の部
分ではく離が起きる時には最大荷重がそれ以下となる。
第２図はそのようなはく離の発生率を示すもので、線Ａ
はシリコンと電極との界面ではく離する場合、線Ｂは電
極とＡｕ線の界面ではがれる場合である。すなわちＣｒ
添加量０．７５％附近ではほとんどＡｕ線部分で断線す
るが、それよりＣｒが少なくなるとシリコンと電極の界
面におけるはく離が増加し、Ｃｒが多くなると電極とＡ
ｕ線の界面におけるはく離が増加する。これはＣｒが少
ないと本発明の効果である密着性の向上が不十分であり
、またＣｒが多すぎると電極の表面が酸化しやすくなつ
てＡｕ線の接着性が悪化することを意味している。従つ
てＣｒ添加量は０．７５重量％附近が最も望ましいが、
実用的にはＣｒＯ．３〜２．０重量一％の範囲で適用で
きる。本発明を適用することにより半導体に対する密着
性、ならびにリード線の接着性の良好で、耐食性の十分
な電極を得ることができる。
Ｃｒ添加Ｐｔ電極に５０μｍの太さのＡｕ線を熱圧着し
、これを引張つた引張試験の結果であり、第１図はこの
際にかけられる最大荷重の平均値を示す。Ａｕ線部分で
切れる場合には約２０ｇの荷重を要するが、その他の部
分ではく離が起きる時には最大荷重がそれ以下となる。
第２図はそのようなはく離の発生率を示すもので、線Ａ
はシリコンと電極との界面ではく離する場合、線Ｂは電
極とＡｕ線の界面ではがれる場合である。すなわちＣｒ
添加量０．７５％附近ではほとんどＡｕ線部分で断線す
るが、それよりＣｒが少なくなるとシリコンと電極の界
面におけるはく離が増加し、Ｃｒが多くなると電極とＡ
ｕ線の界面におけるはく離が増加する。これはＣｒが少
ないと本発明の効果である密着性の向上が不十分であり
、またＣｒが多すぎると電極の表面が酸化しやすくなつ
てＡｕ線の接着性が悪化することを意味している。従つ
てＣｒ添加量は０．７５重量％附近が最も望ましいが、
実用的にはＣｒＯ．３〜２．０重量一％の範囲で適用で
きる。本発明を適用することにより半導体に対する密着
性、ならびにリード線の接着性の良好で、耐食性の十分
な電極を得ることができる。
第１表はシリコンの細長片の一方の面の両端部にそれぞ
れ電２極を設け、その電極にリード線を固着してなるス
トレンゲージの製造歩留に対する本発明の効果を示すも
ので、電極密着強度不良を０にすることにより、製造歩
留が４０％から９２％に向上したことを示す。このよう
な効果は半導体ストレンゲージに限らず、電極の密着強
度が重要である各種半導体素子の電極においても期待で
きる。
れ電２極を設け、その電極にリード線を固着してなるス
トレンゲージの製造歩留に対する本発明の効果を示すも
ので、電極密着強度不良を０にすることにより、製造歩
留が４０％から９２％に向上したことを示す。このよう
な効果は半導体ストレンゲージに限らず、電極の密着強
度が重要である各種半導体素子の電極においても期待で
きる。
第１図はシリコン上の電極に接着したＡｕ線にかけ得る
最大引張荷重とＰｔ電極に添加されるＣｒ量との関係線
図、第２図は第１図の引張試験の際のはく離発生率とＣ
ｒ添加量との関係線図である。 Ａ・・・・・・シリコンと電極との界面におけるはく離
発生率、Ｂ・・・・・・電極とＡｕ線との界面における
はく離発生率。
最大引張荷重とＰｔ電極に添加されるＣｒ量との関係線
図、第２図は第１図の引張試験の際のはく離発生率とＣ
ｒ添加量との関係線図である。 Ａ・・・・・・シリコンと電極との界面におけるはく離
発生率、Ｂ・・・・・・電極とＡｕ線との界面における
はく離発生率。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子の表面にクロムおよびニッケルのうち少
なくともクロムを添加した白金を被着して電極とするこ
とを特徴とする半導体素子の電極製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、クロム
の添加量が０．３〜２．０重量％であることを特徴とす
る半導体素子の電極の製造方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、半導体
素子がシリコンであることを特徴とする半導体素子の電
極の製造方法。 ４ 特許請求の範囲第１項から第３項の何れかの項に記
載の方法において、被着がスパッタリングで行われるこ
とを特徴とする半導体素子の電極の製造方法。 ５ 特許請求の範囲第４項記載の方法において、白金と
ニクロム合金が同時にスパッタリングされることを特徴
とする半導体素子の電極の製造方法。 ６ 特許請求の範囲第１項から第５項の何れかの項に記
載の方法において、電極が半導体細長片の一方の面の両
端部にそれぞれ設けられ、該電極にリード線が固着され
ることを特徴とする半導体素子の電極の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9239878A JPS5950212B2 (ja) | 1978-07-28 | 1978-07-28 | 半導体素子の電極の製造方法 |
| DE19792930395 DE2930395A1 (de) | 1978-07-28 | 1979-07-26 | Verfahren zum auftragen von kontaktschichten auf einen halbleiterkoerper |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9239878A JPS5950212B2 (ja) | 1978-07-28 | 1978-07-28 | 半導体素子の電極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5519741A JPS5519741A (en) | 1980-02-12 |
| JPS5950212B2 true JPS5950212B2 (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14053301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9239878A Expired JPS5950212B2 (ja) | 1978-07-28 | 1978-07-28 | 半導体素子の電極の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950212B2 (ja) |
| DE (1) | DE2930395A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626733A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-13 | Hagiwara Kazuyoshi | 鋳造用砂型 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1258580A (ja) * | 1967-12-28 | 1971-12-30 | ||
| NL7117429A (ja) * | 1971-12-18 | 1973-06-20 |
-
1978
- 1978-07-28 JP JP9239878A patent/JPS5950212B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-07-26 DE DE19792930395 patent/DE2930395A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2930395A1 (de) | 1980-02-14 |
| JPS5519741A (en) | 1980-02-12 |
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