JPS5948953A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPS5948953A
JPS5948953A JP58146261A JP14626183A JPS5948953A JP S5948953 A JPS5948953 A JP S5948953A JP 58146261 A JP58146261 A JP 58146261A JP 14626183 A JP14626183 A JP 14626183A JP S5948953 A JPS5948953 A JP S5948953A
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transistor
integrated circuit
semiconductor integrated
emitter
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フランツ・ネツプル
ウルリツヒ・シユヴア−ベ
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Siemens AG
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は一つのチップの上に少なくとも一つのバイポー
ラトランジスタと少なくとも一つのＭＯＳトランジスタ
どを有し、その場合金属導体配線面からバイポーラトラ
ンジスタの拡散された能動領域への接触が付加的に作成
された導体配線によって行われる半導体集積回路に間す
る。
〔従来技術とその問題点〕
一つのチップの上にバイポーラトランジスタおよびＭＯ
８形電界効果トランジスタを有する半導体集積回路なら
びにその応用の可能性は雑誌「エレクトロニクス（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｒｃｓ）　Ｊ　１９７８年６月８日号の１
１３ないし１１７ページのラッセＡ／　（Ｒｕ５ｓｅｌ
　１　）およびフレダリックセン（Ｆｒｅｄｅｒｉｋｓ
ｅｎ　１の論文ならびに１１４ページのマツタラ（Ｍａ
ｔｔｅｒａ）の報告から公知である。
バイポーラトランジスタの可能な最小寸法は、金ｒＲ４
体配線面からエミッタおよびコ１／クタ領域への接触も
ベース領域への接触も作成されなければならないから、
比較的粗いメタライジング用スクリーンによって定まる
。
配綜の問題を、例えばアイ・イー・イー・イー・トラン
スアクション、電子部品（ＩＥＥＥ　　’Ｉ’ｒａｎｓ
。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　）　ＥＤ＝２７巻
、第８号（，１，９８０年８、月）、（３７９ないし１
３８４ページのタニ／グ（Ｄ。
Ｄ、　Ｔａｎｇ　）ほかの論文に記載されているように
多結晶シリ：ｌン配線によって、あるいはアイ・イー−
イー・イー　　・トランスアクション、電子部品（■Ｅ
ＥＥ　　ｉ’ｒａｎｓ、　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉ
ｃｅｓ　）　ＥＤ−２７巻、第８号（１９８０年８月）
、１３８５ないし１３８９ページの佐々木（Ｙ、　５ａ
ｓａｋｉ　）の論文に記載されているように珪化モリブ
デン配線によって解くための多くの研究が存在する。多
結晶シリコン配線はしかし比較的高抵抗でその結果高い
直列抵抗が生ずる。この処置の場合１ｉ　　およびｐ　
ドーピングが互に拡散するのでエミッタは通當多結晶か
ら拡散されるから、そのほかに高いエミツ、り・ベース
容量が生じ、そハ、によって制限周波数が害される。佐
々木の論文に公開された珪化モリブデンからなる配線の
適用は、確かに多結晶シリコン配線にくらべて配線抵抗
を著しく減する。しかしこの種の配線作成方法は非常に
マスクに費用がかかる。
〔発明の目的〕
氷見１シ］の目的は、その製造が大きな支出超過なしに
行ワｈ　、ベース、エミッタおよびコレクタ領域の接触
および接続がメターライジシ′グ用スクリーンに、無関
葆でｔ・す、そＪ１故比較的少ない場所を要するだけで
従っ”Ｃ高い実装密度が可能であるような、拡散領１戊
の低い層抵抗を持つバイポーラトランジスタおよびＭＯ
８形トランジスタを有する半尋体集積回路を提供するこ
とにあて）。
最初に」水べた回路の、できるだけ簡単で、マスクを用
いない製造工程でのＬｊｖ造方法を提供することも本発
明の目的でちる。
〔発明の要点〕
この目的ｆ　Ｚ’ｆ成するための本発明は讐、バイポー
ラトランジスタのエミッタおよびコレタグコンタクトメ
１鬼同じ、何科から、そしてタンタル、タングステン、
モリブデンあるいはチタンのような高礪点金属からなろ
ことを特徴とする。
そのようにして得られるメタライジング用マスクとの無
閣係：ｌ−５よび伺加的配線の低抵抗のほかに、珪化Ｉ
吻配緑の（部分的だけの）使用が、珪化物の高温安定性
とおび付いて同時（・でイオン注入マスクとしての・Ｖ
ｌ用を可能にする。それによって付加的配線の利点が、
付加的なブ０蝕刻法の適用なしに利用できる。ベースコ
ンタクト用マスクは省略できる。
本発明の規準に基づく方法によって、バイポーラ／ＭＯ
８集積回路のためにｐチャネルＭＯ８形電界効果トラン
ジスタをバイポーラトランジスタと同じチップへ適用す
ることが実現できる。
〔発明の実施例〕
以下第１図ないし第３図を引用して、ｎｐｎバイポーラ
トランジスタとｐチャネルＭＯ８形電界効果トランジス
タとを有する本発明による集積回路の製造のための工程
を詳細に述べる。その場合図には本発明の主要な工程段
階だけを断面図で示す。
同じ部分には同一の符号が付されている。
第１図＝１００・（１）の比抵抗を有する単結晶のｐ形
（１００）方向シリコン基板１の上にｎ　にドープさｈ
た帯域２のマスクされたイオン注入による作成によって
回路の能動領域を固定する。それから。
エピタキシャル析出法によって２０・αの比電気抵抗を
もつｎ−ドーピングされたシリコ７７Ｍ３ｆ：ｎ＋ドー
プされた帯域２の上に設け、能動領域２金覆うマスクを
用いてその間に絶縁溝をエツチングする（図には示さな
い）。それにつづいて絶縁溝の領域中に絶縁酸化物４を
生成する。それからＭＵＳ形トランジスタのチャネル領
域を除いてバイポーラトランジスタの他の領域をマスク
する層の設置の後にバイポーラトランジスタのコレクタ
領域中にｎ＋の深い拡散５を実施し、同じマスクにより
つづいてＭＯ’Ｓ形電界効果トランジスタのために例え
ばりんイオンによってチャネル注入を全面に行う。コレ
クタの深い拡散（５）とＭＯＳ−ＦＥＴのチャネル注入
のためのマスクの除去およびベース注入のためのマスク
の除去とベース注入のための新しいマスクの設置の後に
ほう素イオンによってベース領域６を生成する。
エミッタ帯域（８）の固定のために光蝕刻法を実が（Ｌ
し、その場合ベース拡散６の際に生ずるエミッタ帯域（
８）内の酸化層７を除去する。
第２図：エミッタ帯域８をひ素イオンの注入と拡散によ
って生成する。エミッタ帯域（８）およびコレクタ帯域
（２，、５）のためのコンタクトならびにＭＯ８形トラ
ンジスタ（１８）のためのゲート電極（９）の固着のた
めに光蝕刻法を実施し、エミッタ領域（８）およびコレ
クタ領域（５）内の酸化層７全除去する。それから、バ
イポーラトランジスタＱ７）の付加的導体配線およびＭ
Ｏ８領域（１８）中のゲート電極９として役立つ２００
　ｎｍの層厚さの金属珪化物層１０を全面的に設け、バ
イポーラトランジスタ（１７）の領域内に、それにっづ
くべ・−スコンタクト１１の注入の際およびＭＯ８形ト
ランジスタ（１８）のソース帯域（１４）の生成の際Ｉ
Ｃ注入マスクとして役立つように構成する。ソースおよ
びドレイン帯域（１３、１４）へのほう素イオンの注入
は、その領域内の酸化物を除去して行う。つづいて焼な
まし過程を実施し、例えば珪化タンタルからなる珪化層
構造ｌＯを結晶させる。その場合同時に注入されたイオ
ンが活性化する。
き′４３図：中間酸化物として働く絶縁層１５の析出の
後に、バイポーラトランジスタ１７のベースコンタクト
１６およびＭＯ８形トランジスタ１８のソースおよびド
レイン帯域（１３、１，４）用のコンタクト２０および
２１のためのコンタクトホール領域ヲエッチング除去し
、公知の方法でメタライジングおよび外側金属導体配線
面１９の構成を実施する。その場合アルミニウムからな
る層を用いるとよい。
第３図においては括弧１７で（ｎｐｎ　）バイポーラト
ランジスタ領域を、また括弧１８で（ｐチャネル）ＭＯ
８形トランジスタ領域を示す。
珪化タンタルの代シにチタン、モリブデンおよびタンゲ
ス、テン各金属の珪化物を用いることができる。
〔発明の効果〕
本発明は、バイポーラトランジスタとＭＯ８形トランジ
スタを有する半導体集積回路の金属導体配線面からバイ
ポーラトランジスタのエミッタおよびコレクタ帯域への
接続のためのコンタクトおよびＭＯ８形トランジスタの
ゲート電極［Ｔａ、Ｗ。
Ｍｏ、Ｔｉ　　など高融点金属の珪化物・を用いるもの
で、それによりメタライジングスクリーンとは無関係に
なって高集積化ができ、また多結晶シリコン配線に比し
て低抵抗となるほかに、耐熱性を有するためイオン注入
マスクとして利用できるためマスク費用の低減がもたら
されるなどその効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第３図は本発明の一実施例の半導体集積回
路の製造工程を順次示す断面図である。 １・・・シリコン基板、９・・・ゲート’１［極、１０
・・・エミッタおよびコレクタコンタクト、１７・・・
バイポーラトランジスタ、１８・・・ＭＯ８形トランジ
スタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）一つのチップの上に少なくとも一つのバイポーラト
    ランジスタと少なくとも一つのＭＯ８形トランジスタと
    を有し、その場合金属導体配線面からバイポーラトラン
    ジスタの拡散された能動領域の接触が付加的に作成され
    た導体配線によって行われるものにおいて、バイポーラ
    トランジスタのエミｙりおよびコレクタコンタクトが同
    じ材料から、そしてタンタル、タンクステン、モリブデ
    ンあるいはチタンのような高融点金属の珪化物からなる
    ことを特徴とする半導体集積回路。
JP58146261A 1982-08-12 1983-08-10 半導体集積回路 Pending JPS5948953A (ja)

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DE19823230077 DE3230077A1 (de) 1982-08-12 1982-08-12 Integrierte bipolar- und mos-transistoren enthaltende halbleiterschaltung auf einem chip und verfahren zu ihrer herstellung

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