JPS5945377A - 導電性銀ペ−スト組成物 - Google Patents
導電性銀ペ−スト組成物Info
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- JPS5945377A JPS5945377A JP15549782A JP15549782A JPS5945377A JP S5945377 A JPS5945377 A JP S5945377A JP 15549782 A JP15549782 A JP 15549782A JP 15549782 A JP15549782 A JP 15549782A JP S5945377 A JPS5945377 A JP S5945377A
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- Japan
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は主として半導体素子をステムあるいはリード
フレームからなる基板に接着固定するためのいわゆるダ
イポンディング用として有用な導電性銀ペースト組成物
に関する。
フレームからなる基板に接着固定するためのいわゆるダ
イポンディング用として有用な導電性銀ペースト組成物
に関する。
半導体装置、たとえばトランジスタでは、ＩＪ−ドフレ
ーム上に半導体素子を導電性接着桐材によってダイボン
ディングし、上記素子上の一対の電極を対応する他のリ
ードフレームにそれぞれ金嘱線を介して電気的に接続し
、ざら（ここれらを一体に樹脂封止している。上記の導
電性接着材料としては、従来、エポキシ樹脂をバインダ
成分とした導電性銀ペースト組成物が用いられ、これを
ＩＪ−ドフレーム上に所定量塗工しこの上に半導体素子
を配置したのち、加熱硬化させて上記素子をダイボンデ
インクするという手法かとられてきた。ところが、上記
従来の導電性銀ペースト組成物を用いてタイボンディン
グされた半導体装置は、高温での電気特性に劣る欠点が
あった。
ーム上に半導体素子を導電性接着桐材によってダイボン
ディングし、上記素子上の一対の電極を対応する他のリ
ードフレームにそれぞれ金嘱線を介して電気的に接続し
、ざら（ここれらを一体に樹脂封止している。上記の導
電性接着材料としては、従来、エポキシ樹脂をバインダ
成分とした導電性銀ペースト組成物が用いられ、これを
ＩＪ−ドフレーム上に所定量塗工しこの上に半導体素子
を配置したのち、加熱硬化させて上記素子をダイボンデ
インクするという手法かとられてきた。ところが、上記
従来の導電性銀ペースト組成物を用いてタイボンディン
グされた半導体装置は、高温での電気特性に劣る欠点が
あった。
この欠点を回避したものとして、ポリアミド酸の如きポ
リイミド前駆体の溶液に銀粉を混練してなる導電性銀ペ
ースト組成物が提案されており、これによればダイボン
ティング時の加熱硬化１こより上記前駆体が閉環（イミ
ド化）して耐熱性に非常にすくれたポリイミドを与える
ため、半導体装置の高温での電気特性に好結果がもたら
される。
リイミド前駆体の溶液に銀粉を混練してなる導電性銀ペ
ースト組成物が提案されており、これによればダイボン
ティング時の加熱硬化１こより上記前駆体が閉環（イミ
ド化）して耐熱性に非常にすくれたポリイミドを与える
ため、半導体装置の高温での電気特性に好結果がもたら
される。
しかるに、この種の組成物は、」１記利点（こもかかわ
らず、ポリイミド前駆体をポリイミドに変換するための
加熱処理に高温でかつ長時間を要するという欠点かあり
、これが半導体装置の製造作業性を著しく損なったり、
また素子ないし装置構成物に対し熱的な悪影響を与える
心配があった。
らず、ポリイミド前駆体をポリイミドに変換するための
加熱処理に高温でかつ長時間を要するという欠点かあり
、これが半導体装置の製造作業性を著しく損なったり、
また素子ないし装置構成物に対し熱的な悪影響を与える
心配があった。
この発明は、」二記の観点から、低温短時間の加熱処理
によって耐熱性にすぐれた硬化接着層を形成でき、以っ
て半導体装置の高温での電気特性とその製造作業性とを
大巾に向上しうる新規かつ有用な導電性接着材料を得る
ことを目的としたものである。
によって耐熱性にすぐれた硬化接着層を形成でき、以っ
て半導体装置の高温での電気特性とその製造作業性とを
大巾に向上しうる新規かつ有用な導電性接着材料を得る
ことを目的としたものである。
ところで、この出願人は、すでに特定のテトラカルボン
酸二無水物と特定のジアミンとを加熱反応させて、アミ
ド化反応とこれ（こ引き続くイミド化反応とからなる脱
水重縮合反応を行ｔＳわぜることにより、珪素含有相に
対して密着性にすぐれるポリイミド皮膜を低温短時間の
加熱処理で容易に形成しうる溶剤可溶性のポリイミドを
得ることに成功した。
酸二無水物と特定のジアミンとを加熱反応させて、アミ
ド化反応とこれ（こ引き続くイミド化反応とからなる脱
水重縮合反応を行ｔＳわぜることにより、珪素含有相に
対して密着性にすぐれるポリイミド皮膜を低温短時間の
加熱処理で容易に形成しうる溶剤可溶性のポリイミドを
得ることに成功した。
この発明は、引き続く砂究において、−］−述の如くし
て得られる溶剤可溶性ポリイミドを有機溶剤に溶解させ
、これにさらに銀粉を混練してなる導電性銀ペースト組
成物が、前記目的にかなった、つまり従来のエポキシ系
およびポリイミド的駆体系銀ペースト組成物のいずれの
欠点も有しない半導体素子のダイボンディング用として
きわめて好適な導電性接着材料となりうろことを知り、
なされたものである。
て得られる溶剤可溶性ポリイミドを有機溶剤に溶解させ
、これにさらに銀粉を混練してなる導電性銀ペースト組
成物が、前記目的にかなった、つまり従来のエポキシ系
およびポリイミド的駆体系銀ペースト組成物のいずれの
欠点も有しない半導体素子のダイボンディング用として
きわめて好適な導電性接着材料となりうろことを知り、
なされたものである。
すなわち、この発明は、７５モル％を超える割合の３・
３′・４・４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物
（以下、単に５−１３門〕Ａという）およヒ／または３
・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物（以下、単にＲＴｌ） Ａという）を主成分とし
たデｉ・ラカルボン酸二無水物と、ｌ−ルエンジアミン
３０〜９９．９モル％オヨヒつぎの一般式； ％式％（２ （式中、艮１はメチレン基、フェニレン基またハ置換フ
ェニレン基、Ｉ（ｚはメチル基、フエご一ル基または置
換フェニル基、Ｘは酸素原子、フェニレン基マたハ置換
フェニレン基、ｎはに１かフェニレン基もしくは置換フ
ェニレン基の場合は１、メチレン基の場合は３または４
の整数である）で表わされるシリコン系ジアミン０，１
〜１０モル％を少ｆＸ くとも含むシアミンとを脱水重
縮合させて得られる溶剤可溶性ポリイミド、有機溶剤お
よび銀粉を含むことを特徴とする導電性銀ペースト組成
物に係るものである。
３′・４・４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物
（以下、単に５−１３門〕Ａという）およヒ／または３
・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物（以下、単にＲＴｌ） Ａという）を主成分とし
たデｉ・ラカルボン酸二無水物と、ｌ−ルエンジアミン
３０〜９９．９モル％オヨヒつぎの一般式； ％式％（２ （式中、艮１はメチレン基、フェニレン基またハ置換フ
ェニレン基、Ｉ（ｚはメチル基、フエご一ル基または置
換フェニル基、Ｘは酸素原子、フェニレン基マたハ置換
フェニレン基、ｎはに１かフェニレン基もしくは置換フ
ェニレン基の場合は１、メチレン基の場合は３または４
の整数である）で表わされるシリコン系ジアミン０，１
〜１０モル％を少ｆＸ くとも含むシアミンとを脱水重
縮合させて得られる溶剤可溶性ポリイミド、有機溶剤お
よび銀粉を含むことを特徴とする導電性銀ペースト組成
物に係るものである。
このように、この発明においては、前記一般式で表わさ
れるシリコン系ジアミンおよびトルエンジアミンを特定
割合で含むジアミンと５−１０） ｌ）Ａおよび／また
はＢ ＴＩ） Ａを主成分としたテトラカルボン酸二無
水物との脱水重縮合て得られる溶剤可溶性ポリイミドの
有機溶剤溶液に銀粉を混練したことを要旨としたもので
、これによれば有機溶剤を揮散除去しうる程度の低温短
時間の加熱処理によってポリイミド本来の耐熱性にすく
れしかもリードフレームやステムないし半導体素子に対
する密着性良好な硬化接着層を形成できるから、半導体
装置の高温での電気特性とさらにその製造作業性とを大
［１］に改善することかできる。
れるシリコン系ジアミンおよびトルエンジアミンを特定
割合で含むジアミンと５−１０） ｌ）Ａおよび／また
はＢ ＴＩ） Ａを主成分としたテトラカルボン酸二無
水物との脱水重縮合て得られる溶剤可溶性ポリイミドの
有機溶剤溶液に銀粉を混練したことを要旨としたもので
、これによれば有機溶剤を揮散除去しうる程度の低温短
時間の加熱処理によってポリイミド本来の耐熱性にすく
れしかもリードフレームやステムないし半導体素子に対
する密着性良好な硬化接着層を形成できるから、半導体
装置の高温での電気特性とさらにその製造作業性とを大
［１］に改善することかできる。
この発明において用いられるテトラカルホン酸成分は、
Ｓ −１３１） ｌ） ＡおよびＩ’３１−１） Ａか
ら選はれた少なくとも１種が全体の７５モル％をｄイ（
える割合とされたものであるが、２５％未満の割合て併
△ 用可能な他のテトラカルホン酸成分としては、２・３・
３′・４′−ジフェニルテ１〜ラカルボン酸二無水物（
以下、単にａ −Ｂ ｌ’ ｌ） Ａという）、ピロメ
リット酸二無水物（以上、用に１１ Ｍ ｌ） Ａとい
う）３・３′・４・４′−ジフエごルエーデルテトラカ
ルボン酸二無水物、２・３・６・７−ナフタレンテトラ
カルボン酸二無水物、■・４・５・８−ナフタレンテト
ラカルボン酸二無水物などが挙けられる。これらテトラ
カルボン酸成分はいずれも二無水物であることか必要で
、他のテトラカルボン酸そのものあるいはそのエステル
ｆλどては、ジアミン成分との反応性（こ劣ったり、副
生物として水辺外のアルコールなどが生じるため反応中
の副生物の除去が面倒となって高分子量のポリイミドの
形成に好結果を与えない。
Ｓ −１３１） ｌ） ＡおよびＩ’３１−１） Ａか
ら選はれた少なくとも１種が全体の７５モル％をｄイ（
える割合とされたものであるが、２５％未満の割合て併
△ 用可能な他のテトラカルホン酸成分としては、２・３・
３′・４′−ジフェニルテ１〜ラカルボン酸二無水物（
以下、単にａ −Ｂ ｌ’ ｌ） Ａという）、ピロメ
リット酸二無水物（以上、用に１１ Ｍ ｌ） Ａとい
う）３・３′・４・４′−ジフエごルエーデルテトラカ
ルボン酸二無水物、２・３・６・７−ナフタレンテトラ
カルボン酸二無水物、■・４・５・８−ナフタレンテト
ラカルボン酸二無水物などが挙けられる。これらテトラ
カルボン酸成分はいずれも二無水物であることか必要で
、他のテトラカルボン酸そのものあるいはそのエステル
ｆλどては、ジアミン成分との反応性（こ劣ったり、副
生物として水辺外のアルコールなどが生じるため反応中
の副生物の除去が面倒となって高分子量のポリイミドの
形成に好結果を与えない。
この発明において用いられるジアミン成分としては、ト
ルエンシアミンと前記一般式で表わされるシリコン系ジ
アミンとを少なくとも含むもので、その他必要に応じて
４・４′−ジアミノジフェニルメタン、４・４′−ジア
ミノジフェニルエーテル、３・３′−ジアミノジフェニ
ルメタン、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジ
アミン、ベンチジン、３・３′−ジメチルベンチジン、
３・３′−ジメトキシベンチジン、４・４′−ジアミノ
シフニーニールスルホン、４・４′−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、３・３′−ジアミノジフェニルスルホン
、３・３′−ジアミノジフェニルスルフィド、４・４′
−ジアミノジフエニルプロパン−２・２．３・３′−ジ
アミノジフェニルプロパン−２・２などの好ましくは芳
香族系のジアミンを併用することができる。
ルエンシアミンと前記一般式で表わされるシリコン系ジ
アミンとを少なくとも含むもので、その他必要に応じて
４・４′−ジアミノジフェニルメタン、４・４′−ジア
ミノジフェニルエーテル、３・３′−ジアミノジフェニ
ルメタン、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジ
アミン、ベンチジン、３・３′−ジメチルベンチジン、
３・３′−ジメトキシベンチジン、４・４′−ジアミノ
シフニーニールスルホン、４・４′−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、３・３′−ジアミノジフェニルスルホン
、３・３′−ジアミノジフェニルスルフィド、４・４′
−ジアミノジフエニルプロパン−２・２．３・３′−ジ
アミノジフェニルプロパン−２・２などの好ましくは芳
香族系のジアミンを併用することができる。
トルエンジアミンとしては、２・４−トＪ１．．．Ｔ−
７ジアミンや２・６−トルエンジアミンが用いられるが
、その使用割合は全ジアミン成分中３０〜９９．９モル
％である。また、シリコン系ジアミンとしては下記に示
されるような構造式を有するものを具体例として挙げる
ことができ、その使用割合は０．１〜１０モル％、好ま
しくは２〜７モル％である。このような使用割合とする
ことによって、有機溶剤に可溶性でかつ半導体素子やリ
ードフレームなどに対する密着性および耐湿性ないし耐
腐食性にすぐれるポリイミドの製造をｄ■能とする。
７ジアミンや２・６−トルエンジアミンが用いられるが
、その使用割合は全ジアミン成分中３０〜９９．９モル
％である。また、シリコン系ジアミンとしては下記に示
されるような構造式を有するものを具体例として挙げる
ことができ、その使用割合は０．１〜１０モル％、好ま
しくは２〜７モル％である。このような使用割合とする
ことによって、有機溶剤に可溶性でかつ半導体素子やリ
ードフレームなどに対する密着性および耐湿性ないし耐
腐食性にすぐれるポリイミドの製造をｄ■能とする。
〈シリコン系ジアミンの具体例〉
１
この発明における脱水重縮合反応は、」−記のテトラカ
ルボン酸二無水物とジアミン成分とを略等モル（どちら
か一方が多少過剰であってもよい）使用し、両成分をフ
ェノール系溶剤中８０〜２００°Ｃに加熱して通常５〜
９時間反応させること（こよって達成される。この反応
は、アミド化反応とこれに引き続くイミド化反応とから
なる脱水重縮合反応を行なわせるものであり、」１記イ
ミド化反応時に副生ずる水は反応系外に留去して取り除
く。
ルボン酸二無水物とジアミン成分とを略等モル（どちら
か一方が多少過剰であってもよい）使用し、両成分をフ
ェノール系溶剤中８０〜２００°Ｃに加熱して通常５〜
９時間反応させること（こよって達成される。この反応
は、アミド化反応とこれに引き続くイミド化反応とから
なる脱水重縮合反応を行なわせるものであり、」１記イ
ミド化反応時に副生ずる水は反応系外に留去して取り除
く。
水の除去により反応率が高められ高分子量のポリイミド
の生成に好結果がもたらされる。
の生成に好結果がもたらされる。
フェノール系溶剤は水と相溶しにくいために副生ずる水
の留去が容易となり、また経済的でしかも皮膜形成時に
揮散させやすいことから刺ばれたものである。ピロリド
ンの如き極性溶剤は上記観点からこの反応１こは不適当
である。フエ／−ル糸溶剤としてはメタクレゾール、パ
ラクレゾーノヘキシレノール、フェノールおよびこれら
の混合溶剤などが用いられる。これらのフェノール系溶
剤と共に水と共沸しやすいキシレン、トルエンの如き芳
香族溶剤を併用して水の冑去をより容易にさせることは
好ましい手段である。
の留去が容易となり、また経済的でしかも皮膜形成時に
揮散させやすいことから刺ばれたものである。ピロリド
ンの如き極性溶剤は上記観点からこの反応１こは不適当
である。フエ／−ル糸溶剤としてはメタクレゾール、パ
ラクレゾーノヘキシレノール、フェノールおよびこれら
の混合溶剤などが用いられる。これらのフェノール系溶
剤と共に水と共沸しやすいキシレン、トルエンの如き芳
香族溶剤を併用して水の冑去をより容易にさせることは
好ましい手段である。
なお、」ニ記の各有機溶剤並びに前記のテトラカジ
ルボン酸二無水物およ告（ビン成分からなる重合用ＩＪ
ｉ料は、これにＮａ＋、 Ｋ＋、 ｃａ −１−＋ ｒ
、；どツカチオン性不純物やＣ／−などのアニオン性不
純物が含まれていると、ｔ％られるポリイミド溶液を半
導体素子のダイボンディング（こ適用したとき素子の電
気特性や耐湿特性が悪くなるおそれがある。したがって
、上記各原料はあらかじめ間知の方法により充分精製し
たのち、使用すべきである。たとえばＮａ イオンで
５ｐｐｍ 以ド、好適には１． ｐｐｍ以下であること
が望ましい。
ｉ料は、これにＮａ＋、 Ｋ＋、 ｃａ −１−＋ ｒ
、；どツカチオン性不純物やＣ／−などのアニオン性不
純物が含まれていると、ｔ％られるポリイミド溶液を半
導体素子のダイボンディング（こ適用したとき素子の電
気特性や耐湿特性が悪くなるおそれがある。したがって
、上記各原料はあらかじめ間知の方法により充分精製し
たのち、使用すべきである。たとえばＮａ イオンで
５ｐｐｍ 以ド、好適には１． ｐｐｍ以下であること
が望ましい。
このよう（こして得られる重合反応物は、はぼ完全にイ
ミド化され、かっＮ−メチル−２−ピロリドン中０．５
ｙ／ １００ｍｅの濃度で３０°Ｃ下で測定される固
有粘度〔η〕が約０．３〜３．０の範囲にある高分子量
のポリイミドとされたものである。
ミド化され、かっＮ−メチル−２−ピロリドン中０．５
ｙ／ １００ｍｅの濃度で３０°Ｃ下で測定される固
有粘度〔η〕が約０．３〜３．０の範囲にある高分子量
のポリイミドとされたものである。
この発明の導電性銀ペースト組成物は、−Ｌ述の如くし
て得られる溶剤溶解性ポリイミドの有機溶剤溶液に銀粉
を混練してなるものであり、この混練（こ当たってダイ
ボンディング時の密着性を向上さぜるなどの目的で必要
に応じてシランカップリング剤やポリシロキサンなどの
各種の任意成分を配合しても差し支えない。
て得られる溶剤溶解性ポリイミドの有機溶剤溶液に銀粉
を混練してなるものであり、この混練（こ当たってダイ
ボンディング時の密着性を向上さぜるなどの目的で必要
に応じてシランカップリング剤やポリシロキサンなどの
各種の任意成分を配合しても差し支えない。
この発明において用いられる銀粉は、その製法により各
種の形状のものがあり、樹状粉、鱗片伏粉、粒状粉、多
孔質扮、針状粉などが挙げられる。
種の形状のものがあり、樹状粉、鱗片伏粉、粒状粉、多
孔質扮、針状粉などが挙げられる。
好ましくは樹伏粉、鱗片伏粉を使用するのかよい。
これら銀粉の粒子径は一般に１００メツシユフリーハス
、好適には３２５メツシユフリーパステするのがよい。
、好適には３２５メツシユフリーパステするのがよい。
使用量は、組成物全体の固形分生通常６０〜９５重量％
、好適には７０〜９０市計幅である。
、好適には７０〜９０市計幅である。
この発明において溶剤可溶性ポリイミドを溶解させるた
めの有機溶剤は、」上記ポリイミドを合成する際に用い
た前記フェノール系溶剤をそのまま使用でき、必要１こ
応してポリイミド合成後に同種の有機溶剤あるいはこれ
にナフサ、キシレン、セロソルブなどの汎用溶媒を加え
た混合溶剤で希釈してもよい。また、必要ならポリイミ
ド合成後１こ一４アセトンやメタノール中に沈でんさせ
てろ過乾燥して精製したのち、フレソールその他のフェ
ノール系溶剤やＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ・Ｎ−
ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメヂルスルホキサ
イド、ヘキサメチルホスポルアミド、テトラメチレンス
ルポン、２−エトキシエチルアセテートなとの各種有機
溶剤に溶解させるよう）こしてもよい。溶剤ｍは組成物
の固形分濃度が１０〜３０屯…％桿度となるようにする
のがよい。
めの有機溶剤は、」上記ポリイミドを合成する際に用い
た前記フェノール系溶剤をそのまま使用でき、必要１こ
応してポリイミド合成後に同種の有機溶剤あるいはこれ
にナフサ、キシレン、セロソルブなどの汎用溶媒を加え
た混合溶剤で希釈してもよい。また、必要ならポリイミ
ド合成後１こ一４アセトンやメタノール中に沈でんさせ
てろ過乾燥して精製したのち、フレソールその他のフェ
ノール系溶剤やＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ・Ｎ−
ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメヂルスルホキサ
イド、ヘキサメチルホスポルアミド、テトラメチレンス
ルポン、２−エトキシエチルアセテートなとの各種有機
溶剤に溶解させるよう）こしてもよい。溶剤ｍは組成物
の固形分濃度が１０〜３０屯…％桿度となるようにする
のがよい。
このようにして調製されるこの発明の導電性銀ペースト
組成物は、これを公知の方法に準じてたとえばステムな
いしリードフレームと半導体素子との間に介在させ、有
機溶剤が揮散しうる程度の温度、たとえば１５０〜２５
０°Ｃで０．５〜１０分間加熱処理することにより、密
着性と耐熱性とにすぐれる導電性を有する硬化樹脂層と
なすことかできる。
組成物は、これを公知の方法に準じてたとえばステムな
いしリードフレームと半導体素子との間に介在させ、有
機溶剤が揮散しうる程度の温度、たとえば１５０〜２５
０°Ｃで０．５〜１０分間加熱処理することにより、密
着性と耐熱性とにすぐれる導電性を有する硬化樹脂層と
なすことかできる。
以］二のように、この発明の導電性銀ペースト組成物に
よれば、その本来の導電機能と共に耐熱性および密着性
ざら（こは耐湿性にすぐれた硬化樹脂層を作業容易に形
成できるため、これら特性が要求される各種の用途にき
わめて有用であり、なかでも半導体素子のダイボンディ
ング用としてずぐれた効果を発揮する。
よれば、その本来の導電機能と共に耐熱性および密着性
ざら（こは耐湿性にすぐれた硬化樹脂層を作業容易に形
成できるため、これら特性が要求される各種の用途にき
わめて有用であり、なかでも半導体素子のダイボンディ
ング用としてずぐれた効果を発揮する。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。なお、以下に固有粘度きあるはとくに断わらない
限りＮ−メチル−２−ピロリドン中０゜５ Ｙ ／ １
００ ｍｅの濃度で３０℃下で測定した値を意味する。
する。なお、以下に固有粘度きあるはとくに断わらない
限りＮ−メチル−２−ピロリドン中０゜５ Ｙ ／ １
００ ｍｅの濃度で３０℃下で測定した値を意味する。
実施例１
５−Ｂｒ’ｌ）Ａ ２９．４ｙ（０１モル）、２・４−
トルエンジアミン７．３２ｙ（０，０６モル）、４・４
′−ジアミノジフェニルエーテル７．００ ｆｊ （０
，０３５モル）および前記構造式イて示されるビス（３
−アミノプロピル）テトラメヂルジシロキサン１．２４
ｙ（０，００５モル）を、メク、パラ混合クレゾール１
１５ｙおよび′キシレン１０−ｐ中に加え、かきまぜな
がら１時間で１８０ ”Ｃまで昇温した。
トルエンジアミン７．３２ｙ（０，０６モル）、４・４
′−ジアミノジフェニルエーテル７．００ ｆｊ （０
，０３５モル）および前記構造式イて示されるビス（３
−アミノプロピル）テトラメヂルジシロキサン１．２４
ｙ（０，００５モル）を、メク、パラ混合クレゾール１
１５ｙおよび′キシレン１０−ｐ中に加え、かきまぜな
がら１時間で１８０ ”Ｃまで昇温した。
昇温途中、一時反応系が固化するがさらに加熱していく
と均一溶液となった。また、反応系が８０〜１２０°Ｃ
になると脱水反応かおこり、イミド化反応が進行し始め
た。副生じた水は窒素ガスを流しながらキシレンと共沸
させて反応系外へ留去した。このようにして、１８０°
Ｃで８時間加熱反応させて透明て粘稠な溶液を得た。
と均一溶液となった。また、反応系が８０〜１２０°Ｃ
になると脱水反応かおこり、イミド化反応が進行し始め
た。副生じた水は窒素ガスを流しながらキシレンと共沸
させて反応系外へ留去した。このようにして、１８０°
Ｃで８時間加熱反応させて透明て粘稠な溶液を得た。
この溶液は、固形分濃度（２００°Ｃで２時間加熱して
測定）が２８．７市＠％、固有粘度が０．９２であった
。また、この溶液をガラス板上に塗布したのち熱風乾燥
機中１５０°Ｃて３０分間加熱処理して得た皮膜につき
、赤外線吸収スペク１−ルを測定したところ、１７８０
ｃｍ’および１７２０ ｃｍ ’にイミド基に基づ（、
ＣＣ＝ｕの吸収が明確に認められた。
測定）が２８．７市＠％、固有粘度が０．９２であった
。また、この溶液をガラス板上に塗布したのち熱風乾燥
機中１５０°Ｃて３０分間加熱処理して得た皮膜につき
、赤外線吸収スペク１−ルを測定したところ、１７８０
ｃｍ’および１７２０ ｃｍ ’にイミド基に基づ（、
ＣＣ＝ｕの吸収が明確に認められた。
つぎに、この溶液３５ｙ（樹１指分１０ｙ）に３２５メ
ツシユフリーパスのりん片状銀粉４０７を加え、三本ロ
ールでよく混練して、この発明の導電性銀ペースト組成
物を得た。
ツシユフリーパスのりん片状銀粉４０７を加え、三本ロ
ールでよく混練して、この発明の導電性銀ペースト組成
物を得た。
実施例２
ＢＴｌ）Ａ ３２．２ ｙ（０，１モル）、２・４−ト
ルエンジアミン６．１１ｙ（０，０５モル）、４・４′
−ジアミノジフェニルエーテル９．００ｙ（０，０４５
モル）および前記構造式イで示されるビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキザン１．２４ｙ（０，
００５モル）を、メタ、パラ混合クレゾール１５４ｙお
よびキシレン２０ｙ中に加え、かきまぜながら１時間で
１８０°Ｃまで昇温した。
ルエンジアミン６．１１ｙ（０，０５モル）、４・４′
−ジアミノジフェニルエーテル９．００ｙ（０，０４５
モル）および前記構造式イで示されるビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキザン１．２４ｙ（０，
００５モル）を、メタ、パラ混合クレゾール１５４ｙお
よびキシレン２０ｙ中に加え、かきまぜながら１時間で
１８０°Ｃまで昇温した。
昇温途中、一時反応系が固化するがさらに加熱していく
と１００°Ｃ近くより均一溶液となった。
と１００°Ｃ近くより均一溶液となった。
また、反応系が１００〜１２０℃になると脱水反応がお
こり、イミド化反応が進行し始めた。副生した水は窒素
ガスを流しながらキシレンと共沸させて反応系外へ留去
した。このようにして、１８０°Ｃて８時間加熱反応さ
せて透明て粘稠な溶液を得ブこ。
こり、イミド化反応が進行し始めた。副生した水は窒素
ガスを流しながらキシレンと共沸させて反応系外へ留去
した。このようにして、１８０°Ｃて８時間加熱反応さ
せて透明て粘稠な溶液を得ブこ。
この溶液は、固形分濃度３０．１市川％、固有粘度（た
だ′し、メタクレゾール中０．５ ｙ／ １００ ｍｅ
濃度て３０°Ｃ下にて測定）が０．７５であった。また
、この溶液をガラス板上に塗布したのち８０°Ｃ／ ０
．５ Ｔｏ ｒ ｒて２時間加熱処理して得た皮膜につ
き、赤外線吸収スペクトルを測定したところ、１７８０
ｃ＋ｎ’および１７２０ｃｍ ’にイミド基（こ基づ＜
、Ｃ＝ｏの吸収か明確にｔ忍められた。
だ′し、メタクレゾール中０．５ ｙ／ １００ ｍｅ
濃度て３０°Ｃ下にて測定）が０．７５であった。また
、この溶液をガラス板上に塗布したのち８０°Ｃ／ ０
．５ Ｔｏ ｒ ｒて２時間加熱処理して得た皮膜につ
き、赤外線吸収スペクトルを測定したところ、１７８０
ｃ＋ｎ’および１７２０ｃｍ ’にイミド基（こ基づ＜
、Ｃ＝ｏの吸収か明確にｔ忍められた。
つぎに、この溶液３３．２ｙ（樹１指分１０ｙ）に３２
５メツシユフリーパスの樹伏銀扮３５．５ｙを加え、三
木ロールでよく混練して、この発明の導電性銀ペースト
組成物を得た。
５メツシユフリーパスの樹伏銀扮３５．５ｙを加え、三
木ロールでよく混練して、この発明の導電性銀ペースト
組成物を得た。
実施例３〜１１
つぎの第１表（こ示される組合用原料を用いかつ同表に
示される反応条件としたり、外は、実施例１２と日程に
して９種のポリイミド溶液を得た。
示される反応条件としたり、外は、実施例１２と日程に
して９種のポリイミド溶液を得た。
各溶液の固形分濃度および固有粘度（ただし、実施例５
〜８はメタクレゾール中０５ｙ／１００ｍｅ濃度、３０
°Ｃ下での測定値）は、同表に示されるとおりであった
。各溶液を実施例１．２に準じて皮膜化し、その赤外線
吸収スペクトルを測定したところ、いずれも１７２０ｃ
＋＋＋’および１−７８０ｃｍ ’にイミド基に基づ＜
、： Ｃ＝ ０の吸収が明確にδ忍められた。
〜８はメタクレゾール中０５ｙ／１００ｍｅ濃度、３０
°Ｃ下での測定値）は、同表に示されるとおりであった
。各溶液を実施例１．２に準じて皮膜化し、その赤外線
吸収スペクトルを測定したところ、いずれも１７２０ｃ
＋＋＋’および１−７８０ｃｍ ’にイミド基に基づ＜
、： Ｃ＝ ０の吸収が明確にδ忍められた。
つぎに、各溶液に第１表に示される割合の３２５メツシ
ユフリーパスの銀粉を加え、三本ロールでよく混練して
、この発明の導電性銀ペースト組成物を得た。なお、実
施例４．６では樹伏銀扮を用いたが、他の実施例ではい
ずれもりん片状銀粉を使用した。
ユフリーパスの銀粉を加え、三本ロールでよく混練して
、この発明の導電性銀ペースト組成物を得た。なお、実
施例４．６では樹伏銀扮を用いたが、他の実施例ではい
ずれもりん片状銀粉を使用した。
比較例Ｉ
ＰＭＩ）Ａ １モルと４・４′−ジアミノジフェニル
エーテル１モルとをＮ−メチロール−２−ピロリドン中
約８０′Ｃｌ２１．下（とくに室温付近ないしそれに近
い温度）に保ちながら攪拌した。これによって反応は速
やかＩこ進行し、かつ反応系の粘度は次第に上昇して、
固有粘度が０，７のポリアミド酸が得られた。
エーテル１モルとをＮ−メチロール−２−ピロリドン中
約８０′Ｃｌ２１．下（とくに室温付近ないしそれに近
い温度）に保ちながら攪拌した。これによって反応は速
やかＩこ進行し、かつ反応系の粘度は次第に上昇して、
固有粘度が０，７のポリアミド酸が得られた。
つきに、このポリアミド酸の溶液（樹脂濃度１６．５取
量％）１５１．５ｙに、３２５メツシユフリーパスの樹
伏銀扮７５ｙを加え、三本ロールでよく混練して導電性
銀ペースト組成物を得た。
量％）１５１．５ｙに、３２５メツシユフリーパスの樹
伏銀扮７５ｙを加え、三本ロールでよく混練して導電性
銀ペースト組成物を得た。
比較例２
テトラカルボン酸二無水物としてＰ Ｍ Ｉ） Ａ Ｑ
、 ５モルとＢＴＩ）Ａ Ｑ、５モルとを使用し、か
つジアミンとして４・４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル０．６モルとジアミノジフェニルエーテルカルポンア
ミド０．４モルとを使用した以外は、比較例１と同様に
して固有粘度１．８のポリイミド前駆体を合成した。つ
ぎに、この前駆体溶液（樹脂濃度１２．５重量％）１６
０ｙ（樹脂分２０ｙ）に、３２５メツシユフリーパスの
鱗片状銀粉８０ｙを加え、三木ロールでよく混練して導
電性銀ペースト組成物を得た。
、 ５モルとＢＴＩ）Ａ Ｑ、５モルとを使用し、か
つジアミンとして４・４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル０．６モルとジアミノジフェニルエーテルカルポンア
ミド０．４モルとを使用した以外は、比較例１と同様に
して固有粘度１．８のポリイミド前駆体を合成した。つ
ぎに、この前駆体溶液（樹脂濃度１２．５重量％）１６
０ｙ（樹脂分２０ｙ）に、３２５メツシユフリーパスの
鱗片状銀粉８０ｙを加え、三木ロールでよく混練して導
電性銀ペースト組成物を得た。
比較例３
エポキシ樹脂（シェル化学社製のエピコート＃８２８）
２０ｙに、２−メチルイミタソール０．０４ｙおよび３
２５メツシユフリーパスの樹伏銀扮８０２を加え、三木
ロール−Ｃよく混練して導電性銀ペースト組成物を得た
。
２０ｙに、２−メチルイミタソール０．０４ｙおよび３
２５メツシユフリーパスの樹伏銀扮８０２を加え、三木
ロール−Ｃよく混練して導電性銀ペースト組成物を得た
。
比較例４
エポキシ樹脂（チバ社製のにＹ２５０）１０ｙに、フェ
ノール樹脂（葉月化学社製のＫ Ｐ −１８０）５ｙ１
２−フェニルイミタゾール０．０５ｙおよび３２５メツ
シユフリーパスの鱗片状銀粉８５ｙを加え、三木ロール
でよく混練して現型外銀ペースト組成物を得た。
ノール樹脂（葉月化学社製のＫ Ｐ −１８０）５ｙ１
２−フェニルイミタゾール０．０５ｙおよび３２５メツ
シユフリーパスの鱗片状銀粉８５ｙを加え、三木ロール
でよく混練して現型外銀ペースト組成物を得た。
以」二の実施例１〜１１および比較例１〜４の各組成物
を完全に加熱硬化させたときの熱分解開始温度は、つぎ
の第２表に示されるとおりてあった。
を完全に加熱硬化させたときの熱分解開始温度は、つぎ
の第２表に示されるとおりてあった。
また、各組成物を用いて実際にＩＣチップをダイボンデ
ィングする際に必要な加熱処理時間を調べるために、処
理温度を２００°Ｃに設定しプッシュプルゲージをＩＣ
チップの側面に当てて水平方向に押したとき（こ、５０
Ｋｓ＋／ｃｉ以」二の接着力が得られるまでの時間を測
定したところ、第２表に併記される如き結果が得られた
。
ィングする際に必要な加熱処理時間を調べるために、処
理温度を２００°Ｃに設定しプッシュプルゲージをＩＣ
チップの側面に当てて水平方向に押したとき（こ、５０
Ｋｓ＋／ｃｉ以」二の接着力が得られるまでの時間を測
定したところ、第２表に併記される如き結果が得られた
。
第２表
上表から明らかなように、この発明の導電外銀ペースト
組成物によれば、低温短時間のｍ熱処理によって耐熱性
および密着性（接着性）（こすりパれる硬化接着層を形
成でき、半導体装置のｉＩ＋温での電気特性とその製造
作業性に非常（こ好糸古果カミもたらされるものである
ことがわかる。
組成物によれば、低温短時間のｍ熱処理によって耐熱性
および密着性（接着性）（こすりパれる硬化接着層を形
成でき、半導体装置のｉＩ＋温での電気特性とその製造
作業性に非常（こ好糸古果カミもたらされるものである
ことがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１７５モル％を超える割合の３・３′・４・４′−
ジフエニルテトラカルボン酸二無水物および／または３
・３′・４・４′ −ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物を主成分としたテトラカルボン酸二無水物と、
トルエンジアミン３０〜９９．９モル％およびつぎの一
般式； （式中、顯 はメチレン基、フェニレン基またハ置換フ
ェニレン基、Ｒ２はメチル基、７−１＝ル爪または置換
フェニル基、Ｘは酸素原子、フェニレン基マたは置換フ
ェニレン基、ｎはＲ１がフェニレン基もしくは置換フェ
ニレン基の場合は１．メチレン基の場合は３または４の
整数である） で表わされるシリコン系ジアミン０．１〜ｌＯモル％を
少なくとも含むジアミンとを脱水重縮合させて得られる
溶剤可溶性ポリイミド、有機溶剤および銀粉を含むこと
を特徴とする導電性銀ペースト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15549782A JPS5945377A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 導電性銀ペ−スト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15549782A JPS5945377A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 導電性銀ペ−スト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945377A true JPS5945377A (ja) | 1984-03-14 |
Family
ID=15607338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15549782A Pending JPS5945377A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 導電性銀ペ−スト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945377A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121172A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Toshiba Chem Corp | 耐熱・導電性接着剤 |
| JPH02147687A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Toshiba Chem Corp | 耐熱性導電接着剤 |
| CN108016155A (zh) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 北京中科纳通电子技术有限公司 | 一种新型触摸屏低温制造工艺 |
-
1982
- 1982-09-07 JP JP15549782A patent/JPS5945377A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121172A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Toshiba Chem Corp | 耐熱・導電性接着剤 |
| JPH0430430B2 (ja) * | 1984-07-09 | 1992-05-21 | ||
| JPH02147687A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Toshiba Chem Corp | 耐熱性導電接着剤 |
| CN108016155A (zh) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 北京中科纳通电子技术有限公司 | 一种新型触摸屏低温制造工艺 |
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