JPS5945354A - 導電性銀ペ−スト組成物 - Google Patents

導電性銀ペ−スト組成物

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JPS5945354A
JPS5945354A JP15549682A JP15549682A JPS5945354A JP S5945354 A JPS5945354 A JP S5945354A JP 15549682 A JP15549682 A JP 15549682A JP 15549682 A JP15549682 A JP 15549682A JP S5945354 A JPS5945354 A JP S5945354A
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JP
Japan
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solvent
group
paste composition
silver paste
phenylene
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JP15549682A
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English (en)
Inventor
Fujio Kitamura
北村 富士夫
Hideto Suzuki
秀人 鈴木
Akiko Ono
小野 彰子
Kazuo Iko
伊香 和夫
Ken Noda
謙 野田
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は主として半導体素子をステムあるいはリード
フレームからなる基板に接着固定するだめのいわゆるグ
イポンディング用として有用な曽電性銀ペースト組成物
に関する。
半導体装置、たとえはトランジスタでは、リードフレー
ム上に半導体素子を導電性接着イ・]料によってグイボ
ンティングし、」二記素子」二の一対の電極を対応する
他のリードフレームにそれぞれ金属線を介して電気的に
接続し、さらにこれらを一体に樹脂封止している。上記
の導電性接着桐材としては、従来、エポキシ樹脂をバイ
ンダ成分とした導電性銀ペースト組成物が用いられ、こ
れをIJ−ドフレーム」二に所定量塗工しこの」二に半
導体素子を配置したのち、加熱硬化させて上記素子をグ
イポンディングするという手法がとられてきた。ところ
が、上記従来の導電性銀ペースト組成物を用いてグイポ
ンディングされた半導体装置は、高温での電気特性に劣
る欠点があった。
この欠点を回iJ3したものとして、ポリアミド酸の如
きポリイミド前駆体の溶液に銀粉を混練してなる導電性
銀ペースト組成物か提案されており、これによれはグイ
ポンディング時の加熱硬化により上記前駆体が閉環(イ
ミド化)して耐熱性に非常にすぐれたポリイミドを5え
るため、半導体装置の高温での電気特性に好結果がもた
らされる。
しかるに、この種の組成物は、」二記利点にもかかわら
ず、ポリイミド1)q躯体をポリイミドに変換するため
の加熱処理に高温でかつ長時間を要するという欠点があ
り、これが半導体装置の製造作業性を著しく損なったり
、また素子−ないし装置構成物に対し熱的な悪影響を与
える心配があった。
この発明は、上記の観点から、低温短時間の加熱処理に
よって耐熱性にすぐれた硬化接着層を形成でき、以って
半導体装16の商ll′INでの電気特性とその製造作
業性とを犬1+に向1.シうる新規かつ有用な導電性接
着材料を宵ることを目的としたものである。
ところで、この出願人は、すでに特定のテトラカルボン
酸二無水物と特定のジアミンとを加熱反応させて、アミ
ド化反応とこれに引き続くイミド化反応とからなる脱水
重縮合反応を行なわぜることにより、珪素含有材に対し
て密着性にすくれるポリイミド皮膜を低温短時間の加熱
処理で容易に形成しうる溶剤可溶性のポリイミドを得る
ことに成功した。
この発明は、引き続く研究において、」一連の如くして
得られる溶剤可溶性ポリイミドを有機溶剤に溶解させ、
これにさらに銀粉を混練してなる導電性銀ペースト組成
物が、前記目的にかなった、つまり従来のエポキシ系お
よびポリイミド前駆体系銀ペースト組成物のいずれの欠
点も有しない半導体素子のダイボンディング用としてき
わめて好適な導電性接着材料となりうることを知り、な
されたものである。
すなわち、この発明は、25モル%以−にの2・3・3
・4−ジフェニルテトラカルボン酸二フ11(水物(以
下、単にa−BPI)Aという)を含むテトラカルボン
酸二無水物と、つぎの一般式; (2 (式中、klはメヂレン基、フェニレン基または置換フ
ェニレン基、Iチはメチル基、フェニル基または置換フ
ェニル基、Xは酸素原子、フェニレン基マタハ置換フェ
ニレン基、■ハIζ。
カフエニレン基モジくは置換フェニレン基の場合は1.
メチレン基の場合は3または4の整数である) て表わされるシリコン系ジアミン0.1〜10モル%を
少なくとも含むジアミンとを脱水重縮合させて得られる
溶剤用溶性ポリイミド、41機溶剤および銀粉を含むこ
とを特徴とする導電性銀ペースト組成物に係るものであ
る。
このように、この発明においては、1)rJ記一般式で
表わされるシリコン系ジアミンを特定割合で含ムシアミ
ンとa −ISl’l)Aを少なくとも25モル%含む
テトラカルボン酸二無水物との脱水重縮合でi′:)ら
れる溶剤可溶性ポリイミドの有機溶剤溶液に銀粉を混練
したことを要旨としたもので、これによれば有機溶剤を
揮散除去しうる程度の低温短時間の加熱処理によってポ
リイミド本来の耐熱性にすぐれしかもリードフレームや
ステムないし半導体素子に対する密着性良好な硬化接着
層を形成できるから、半導体装置の高温での電気特性と
さらにその製造作業性とを大[1」に改善することがで
きる。
この発明において用いられるテトラカルボン酸成分ハ、
a −Bl’l)Aを25モル%以」二含むものであり
、このようなテトラカルボン酸成分を用いることにより
、シリコン系ジアミン以外のジアミン成分としていかな
るものを用いても有機溶剤に可溶性のポリイミドを得る
ことができる。このa 、−Bl)DAと75モル%以
下の割合で併用できる他のテトラカルボン酸成分として
は、ピロメリット酸二無水物(以下、単にP M D 
Aという)、3・3・4・4−ジフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物(以下、単に5−BPDAという)、3・
3・4・4′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二
無水物、3・3・4・4−ベンゾフエノンデトラカルポ
ン酸−L無水物(以ド、単に10”l)Aという)、2
・3・6・7−ナツタレンチ!・ラカルボン酸二無水物
、1・4・5・8 ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物などが挙げられる。
これらテトラカルボン酸成分はいずれも二無水物である
ことが必要で、他のテトラカルボン酸そのものあるいは
そのエステルなどではジアミン成分との反応性に劣った
り、副生物として水辺外のアルコールなどが生じるため
反応中の副生物の除去が面倒となって高分子、 Mのポ
リイミドの形成に好結果を与えない。
この発明において用いられるジアミン成分としては、前
記一般式で表わされるシリコン系ジアミンを少なくとも
含むものである以外各種のジアミンを使用できるが、な
かでも2・4−トルエンジアミン、2・6−トルエンジ
アミン、4・4−ジアミノジフェニルメタン、4・4−
ジアミノジフェニルエーテル、3・3−ジアミノジフェ
ニルメタン、パラフェニレンジアミン、メタフェニレン
ジアミン、ベンチジン、3・3−ジメナルベンナンノ、
6・jジメトキシベンチジン、4・4−ジアミノジフェ
ニルスルホン、4・4−ジアミノジフェニルスルフィド
、3.3−ジアミノジフェニルスルホン、3・3−ジア
ミノジフェニルスルフィド、4・4−ジアミノジフェニ
ルプロパン−2・2.3・3−ジアミノジフェニルプロ
パン−2・2などの芳香族系のジアミンが好ましい。
シリコン系ジアミンとしては下記に示されるような構造
式を有するものを具体例として挙げることができ、その
使用割合は0.1〜10モル%、好ましくは2〜7モル
%である。このような使用割合とすることによって、有
機溶剤に可溶性であると共にシリコンウェハに対する密
着性および耐湿性ないし耐腐食性にすぐれるポリイミド
の製造が可能となる。
〈シリコン系ジアミンの具体例〉 1 C113C113 C611,C,11゜ 1 この発明における脱水Φ縮合反応は、上記のテトラカル
ボン酸二無水物とジアミン成分とを略等モル(どちらか
一方が多少過剰であってもよい)使用し、両成分をフェ
ノール系溶剤中80〜200℃に加熱して通常2〜10
時間反応させることによって達成される。この反応は、
アミド化反応とこれに引き続くイミド化反応とからなる
脱水■j縮合反応を行なわせるものであり、−に記イミ
ド化反応時に副生ずる水は反応系外に留去して取り除く
水の除去により反応率が高められ高分子−ti、’のポ
リイミドの生成に好結果がもたらされる。
フェノール系溶剤は水と相溶し2にくいために副生ずる
水の留去が容易となり、また経済的でしかも皮膜形成時
に押散させやすいことから選ばれたものである。ピロリ
ドンの如き極性溶剤は上記観点からこの反応には不適当
である。フェノール系溶剤としCはメタクレゾール、パ
ラクレゾール、キシレノール、フェノールおよびこれら
の混合溶剤などが用いられる。こわらのフェノール系溶
剤と共に水と共PARLやすいキシレン、トルエンの如
き芳香族溶剤を(Jl用して水の留去をより容易にさせ
ることは好ましい手段である。
なお、上記の各有機溶剤兼0・に前記のテトラカシ ルボン酸二無水物およ吟σミン成分からなる重合用原料
は、これにNa  、K 、Ca  なとのカヂオン性
不純物やCe−などのアニオン性不純物が含まれている
と、得られるポリイミド溶液を半導体素子のタイボンデ
ィングに適用したとき素子・の電気特性や耐湿)特性が
悪くなるおそれかある。したかって、上記各原料はあら
かじめ周知の方法により充分精製したのち、使用すべき
である。たとえはNa−’−イオ7 テ5 ppm以−
ド、好適にはl ppm以ドであることが望ましい。
このようにして得られる重合反応物は、はぼ完全にイミ
ド化されかつN−メチル−2−ピロリドン中0.5 y
/ 100 mlの濃度で30’Cドで測定される固有
粘度〔η]が約0.3〜3.0の範囲にある高分子量の
ポリイミドとされたものである。
この発明の導電性銀ペースト組成物は、−、に述の如く
して得られる溶剤溶解性ポリイミドの有機溶剤溶液に銀
粉を混練してなるものであり、この混練に当たってダイ
ボンティング時の密着性を向上さぜるなどの目的で必要
に応じてシランカップリング剤やポリシロキ→ノーンな
どの各種の任意成分を配合しても差し支えない。
この発明において用いられる銀粉は、その製法により客
種の形状のものがあり、樹状粉、鱗片状粉、粒状粉、多
孔竹粉、針状粉などが挙りられる。
好ましくは樹状扮、鱗片状粉を使用するのかよい。
これら銀粉の粒子径は一般に100メツシユフリーパス
、好適には325メツシユフリーパスであるのがよい。
使用量は、組成物全体の固形分中通常60〜95重量%
、好適には70〜90重[1%である。
この発明において溶剤可溶性ポリイミドを溶解させるた
めの有機溶剤は、上記ポリイミドを合成する際に用いた
前記フェノール系溶剤をそのまま使用でき、必要に応じ
てポリイミド合成後に同伸の有機溶剤あるいはこれにナ
フサ、キシレン、セロソルフなどのd・L用溶媒を加え
た混合溶剤で希釈してもよい。また、必要ならポリイミ
ド合成後に−!I1.アセトンやメタ/−ル中に沈てん
させてろ過乾燥して精製したのち、クレゾールその他の
フェノール系溶剤やN メチル 2 ピロリドン、N・
N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメチルホルムア
ミド、 N−N  シエチルボルムアミド、シメチルス
ルポキサイド、ヘキザメチルポスポルアミド、テトラメ
チレンスルホン、2−工l・キシエチルアセテートなど
の各種有機溶剤に溶解させるようにしてもよい。溶剤用
は組成物の固形分濃度が10〜30 小ji1%程度と
なるようにするのがよい。
このようにして調製されるこの発明の導電性銀ペースト
組成物は、これを公知の方法にH,Qじてたとえばステ
ムないしリードフレームと半WIJiとの間に介在さぜ
、有機溶剤溶液刺1(シうる程度の’l!旧K、たとえ
ば150 250’c−(T O,5〜10 分間加熱
処理することにより、密着性と而(熱性とにず7ぐれる
導電性を有する硬化樹脂層となすことかできる。
以−Lのように、この発明の導電性銀ペースト組成物に
よれは、その本来の導電、機能と共に銅熱+1および密
着性さらには耐湿性にすぐれた硬化樹脂層を作業容易に
形成できるため、これら)Mi、性が要求される各種の
用途にきわめて有用であり、f、【かでも半募体素子の
グイポンディング用としてずくれた効果を発揮する。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。なお、以ドに固有粘度とあるはN−メチル−2−
ピロリドン中0.5 !i’ / 1001.、/!の
πび度で30℃下で測定した値を意味する。
実施例1 a 、、−BPI)A29.49 (0,]モル)、4
・4  ジアミノジフェニルエーテル19.3 Ll(
0,09fi5モル)および前記構造式イて示されるビ
ス(3アミノプロピル)テトラメチルジシロキザン0.
8710.0035モル)を、メタ、パラ混合クレゾー
ル1957およびキシレンLOP中に加え、かきませな
がら1時間て180℃まて昇温した。
昇温途中、一時反応系が固化するかさらに加熱していく
と均一溶液となった。また、反応系が80〜120℃に
なると脱水反応がおこり、イミド化反応が進行し始めた
。副生じた水は窒素カスを流しながらキシレンと共沸さ
せて反応系外へ留去した。このようにして、180〜1
90℃で8時間加熱反応させて透明で粘稠な均一溶液を
得た。
この溶液は、固形分濃度(200℃で2時間加熱して測
定)が22.1重@%、固何粘度が0.72であった。
また、この溶液をガラス板−にに塗市したのち80℃て
0.5 mmHtiド2時間加熱乾燥して得た皮膜につ
き、赤外線吸収スペクトルを測定したと=1 ころ、1780cm  および1720cm”にイミド
基に基づ< > C= Qの吸収が明確に認められた。
つぎに、この溶液357(樹脂分107)に325メツ
シユフリーパスのりん片状銀粉4(1を加え、三木ロー
ルでよく混練して、この発明の導電性銀ペースト組成物
を得た。
実施例2〜9 つきの第1表に示される重合用原料を用いかつ同表に示
される反応条件とした以外は、実施例1と同様にして8
種のポリイミド溶液を得た。各溶液の固形分濃度および
固有粘度は、同表に示されるとおりであった。各溶液を
実施例1にi(/−じて皮膜化し、その赤外線吸収スペ
クトルを測定したと1 ころ、いずれも1720 cm  および1780cm
’にイミド基に基づ< >C= 0の吸収が明確に認め
られた。
つぎに、各溶液に第1表に示される割合の325メツツ
ユフリーパスの銀粉を加え、三木ロールでよく混練して
、この発明の導電性銀ペースト組成物を得た。なお、実
施例4,6.8では樹状銀粉を用いたが、他の実施例で
はいずれもりん片状銀粉を使用した。
比較例1 1’MI)A1モルト4−4− シアミノジフェニルエ
ーテル1モルとをN−メチロール−2−ピロリドン中約
80’C以ド(とくに室温付近ないしそれに近い温度)
に保ちながら攪拌した。これによって反応は速やかに進
行し、かつ反応系の粘度は次第に上昇して、固有粘度が
0.7のポリアミド酸が得られた。
つぎに、このポリアミド酸の溶液(樹脂濃度16.5重
量%)151.5Fに、325メツシユフリーパスの樹
状銀粉75gを加え、三本ロールでよく混練して導電性
銀ペースト組成物を得た。
比較例2 テ1−ラカルボン酸二無水物としてl)Ml)A、 0
.5モルとBTD八0へ5モルとを使用し、かつジアミ
ンとして4・4−ジアミノジフェニルエーテル0.6モ
ルとジアミノジフェニルエーテルカルボンアミド0.4
モルとを使用した以外は、比較例1と同様にして固有粘
度1.8のポリイミド前駆体を合成した。つぎに、この
前駆体溶液(樹脂濃度12.5.lj@%)1609(
樹脂分20y)に、325メツシユフリーパスの鱗片状
銀粉80gを加え、ヨ・1本ロールでよく混練して導電
性銀ペースト組成物を得た。
比較例3 エポキシ樹脂(シェル化学社製のエピコート#828)
209に、2 メチルイミダソール004Vおよび32
5メツシユフリーパスの樹状銀粉807を加え、三本ロ
ールでよく混練して導電外銀ペースト組成物を得た。
比較例4 エポキシ樹脂(ヂバh16製のG”l’250)10g
に、フェノール樹脂(荒用化学社製の1(四−180)
5 ’!、2−フェニルイミダゾール0.05gおよび
325メツシユフリーパスの鱗片状銀粉85gを加え、
三木ロールでよく混練して導電性銀ペースト組成物を得
た。
以」二の実施例1〜9および比較例1〜4の各組成物を
完全に加熱硬化させたときの熱分解開始j!a度は、つ
ぎの第2表に示されるとおりてあった。
また、各組成物を用いて実際にICチップをタイボンデ
ィングする際に必要な加熱処理時間を調べるために処理
l!1!r度を200°Cに設定しプッシュプルゲージ
をICチップの側面に当てて水・1ぺ方向に押したとき
に、50 KV / t:a以」二の接r′、力が得ら
れるまでの時間を測定したところ、第2表にイ〕1記さ
れる如き結果が得られた。
第   2   表 」口表から明らかなように、この発明のりυ市性銀ペー
スト組成物によれは、低温1gノ、ll!i間の加熱処
1111によってml熱性およO・密7′1性(接i′
′1性)にす(A+。
る硬化接71層を形成てき、平す゛ン体装置0)商〆:
u’+−Cθ)電気特性とその製造作業性に、11−、
+::に好結’l’、 IJXもたらされるものである
ことがわかる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ft、)25モル%以−Lの2・3・3′・4′−ジフ
    ェニルテトラカルホン酸−二無水物を含むテトラカルボ
    ン酸二無水物と、つきの一般式; %式% (式中、R,はメヂレン基、フェニレン基または置換フ
    ェニレン基、+<2はメチル基、フェニル基または置換
    フェニル基、Xは酵素原f−、フェニレン基または置換
    フェニレン基、nはIζ1カフエニレン基モジ<は置換
    フェニレン基)場合は1.メチレン基の場合は3または
    4の整数である) て表わされるシリコン系ジアミンを0.1〜10モル%
    含むジアミンとを脱水車縮合させて得られる溶剤可溶性
    ポリイミド、有機溶剤および銀粉を含むごとを特徴とす
    る導電性銀ペースト組成物
JP15549682A 1982-09-07 1982-09-07 導電性銀ペ−スト組成物 Pending JPS5945354A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100366260B1 (ko) * 1997-12-29 2003-03-04 제일모직주식회사 절연보호막용 폴리이미드 조성물의 제조방법
CN103165221A (zh) * 2011-12-15 2013-06-19 上海宝银电子材料有限公司 一种笔记本电脑用无卤银浆料及其制备方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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