JPS5943876A - 蒸発源 - Google Patents

蒸発源

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JPS5943876A
JPS5943876A JP15424282A JP15424282A JPS5943876A JP S5943876 A JPS5943876 A JP S5943876A JP 15424282 A JP15424282 A JP 15424282A JP 15424282 A JP15424282 A JP 15424282A JP S5943876 A JPS5943876 A JP S5943876A
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evaporation
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evaporated
source
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JP15424282A
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JPH0372152B2 (ja
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Hiroyuki Moriguchi
博行 森口
Masanori Matsumoto
雅則 松本
Akira Nishiwaki
彰 西脇
Yasuo Morohoshi
保雄 諸星
Hiroyuki Nomori
野守 弘之
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Konica Minolta Inc
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Konica Minolta Inc
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、2種以上の蒸発材料を各熱源によって加熱、
蒸発させるように構成された蒸発源に関するものである
セレン−テルル合金からなる感光体を製造する際、いわ
ゆるオープンボートや、クヌードセンセル型と称される
蒸発源が使用されることがある。
後者の蒸発源は、蒸発材料を収容した容器(ボート)の
上部開口を蒸発面積よυ狭く絞ることによシ、蒸着速度
が効果的に、制御され、かつ突沸で飛出した蒸発物が上
部開口に至るまでの間に壁部に付着して外方(即ち被蒸
着基体側)へ飛翔することはない等の点で陵れたもので
ある。
こうしたクヌードセンセル型蒸発源としては、構成が比
較的簡素化しかつ操作性、蒸発安定性を改良した単一ボ
ート方式が例えば特開昭55−176361号で提案さ
れている。この公知の蒸発源は、第1図の如く、1つの
ボート1の内空間を隔壁2で2分し、これらの区分され
た各空間内に互いに異なる成分濃度のセレン−テルル合
金3.4を配して、各セレン−テルル合金をヒーター5
.6で加熱、蒸発させ、上部間ロアから導出させること
ができる。
この場合、各合金の温度を個々に制御し、各蒸気を混合
しながら例えばドラム状の被蒸着基体8に蒸着すること
によってテルルの濃度プロファイルをコントロールして
いる。
しかしながら、この公知の装置及び方法には次の如き欠
点があることが判明した。即ち、各蒸発材料の蒸発速度
をコントロールするのに各温度を個別に制御しているの
で、伝熱効果を無視できず、温度の制御性に難がある。
これを防止するために伝熱を遮蔽することが考えられる
が、遮蔽手段の配置等の点で装置の構造が複雑となシ、
操作性が劣る0 本発明は、上記とは全く相違した制御方式の適用によっ
て、上記の如き問題点を効果的に解消したものでありて
、2種以上の蒸発林産1を力11熱、蒸発させるように
構成された蒸発源において、名答器内に収容される各蒸
発材料の蒸発表面積が互いに異なっていることを特徴と
する蒸発源に係るものである。
本発明の蒸発源によれば、各蒸発材料の蒸発表面積を互
いに異ならせているので、その蒸発表面積に対応した各
蒸発速度(蒸発量)を制御性良く得ることができる。従
って、常りこ所望の蒸気組成で安定に蒸着することが可
能となり、適切な濃度プロファイルの蒸着膜を得ること
ができるのである。
本発明においては、第1の蒸発材料の蒸発表面積をAい
第2の蒸発材料の蒸発表面積をAHとすればAO・IA
L≦AFI≦2ALであるのが望ましい。
この場合、特に、蒸発速度の大きい第1の蒸発拐料の蒸
発表面積が、蒸発速度の小さい第2の蒸発拐料の蒸発表
面積上多大とする(AL>AI()のがよい。蒸発速度
の小さい材料のA、が、蒸発速度の大きい材料のALの
0.1倍未満であると、第2の蒸発羽料の蒸気中の濃度
が少なすぎ、またA、>2ALであると、逆に第1の蒸
発材料の蒸発量が少なすぎ、いずれにしても目的とする
濃度プロファイルは得られ難くなる。
以下、本発明と実施例について図面参照下に詳細に説明
する。
第2図に示す蒸発源11はクヌードセンセル型に構成さ
れるが、これによれば、容器本体10内には、その内空
間を実質的に区分する如き隔壁2を設け、これにより区
分された内空間2a及び2bでは、濃度の異なる第1の
5e−Te蒸発材料3と第2の5e−Te蒸発材料4と
が各内容器13.14に夫々収容されている。各蒸発材
料上にはヒーターランプ5.6が夫々配され、更に上部
には突沸防止板1\16、蒸気加速及び凝縮防止用のヒ
ーターランプ17.18が配されている。
上記第1の蒸発材料3としては蒸発速度の大きい例えば
Te濃度4重量%の5e−Teを装填し、上記第2の蒸
発材料4として蒸発速度の小さい例えばTe濃度20重
量%の5e−Toを別々に装填した。そして、ここで注
目すべき構成01蒸発速度の大きい低Te濃度の蒸発材
料3の蒸発表面積が、蒸発速度の小さい高Te&fi度
の蒸発材料4の蒸発表面積よシ大きく (例えば2〜3
倍)されていることである。これによって、各蒸発量は
その蒸発表面積に対応したものとなシ、蒸気のSeとT
oとの組成比をコントロールすることができる。蒸気中
のTe濃度(’7Te)は次式で表わされる。
(但、GL :低Te濃度の蒸発材料の蒸気量、GH:
高Te濃度の蒸発材料の蒸発量、GTOT:全蒸発量%
  ’%TeL :蒸気中の低Te濃度分、ブT6H:
蒸気中の高Te濃度分) 上記のGLSGHlGTOTは、 GL =ML X  AL GH=rHX AH GTOT  =  Gt、  +  GW(但−サム:
低Te濃度の蒸発材料の蒸発速度、vH:高Te濃11
′[の蒸発材料の蒸発速度、AL:低Te濃度の蒸発材
料の蒸発表面積、A)I:高Te濃度の蒸発材料の蒸発
表面積) 従って、 各蒸発材料の蒸発表面積に比例して変化し、蒸発表面積
の選択によって精度良くコントロールできることが分る
。なお、他のパラメータは、蒸発材料の合金組成、加熱
温度によって予め一定に設定される。
本発明に従って得られた蒸着膜、即ち5e−Te感光体
をX線マイクロアナライザーで解析した結果、第3図に
示す如き理想的なTe濃度プロファイルを示し、内層は
主として第1の蒸発材料3の蒸発によシ形成され、はぼ
一定の低Te濃度(Te5重景%)であって厚みの大き
い電荷輸送層として機能する。表層は第2の蒸発材料4
の蒸発によシ形成され、Te18重量%であシ、テルル
の高含有量によシ特に長波長城の感度が良好となった電
荷発生層として機能する。また、この感光体について、
電子写真複写機U −BixV、 (小西六写真工業(
株)1!りで実写特性を調べたところ、カブリのたい高
濃度な画像が得られた。
上記の如く、本発明に従う蒸発源及びその使用方法によ
れば、蒸発源自体の構造が簡素化される上に、容易に所
望の濃度コント四−ルを行なうことができる。得られた
濃度プロファイル(第3図参照)は非常に望ましいもの
であシ、感光体の高感度化、電位保持性、残留電位の低
下、黒紙電位の低下といりた優れた静電特性を奏し得る
ものとなる。
なお、上記の各蒸発材料3及び4間におけるテルル濃度
は種々選択でき、例えば第1の蒸発材料3ではTe濃度
をθ〜817]を量チ、第2の蒸発材料4ではTe濃度
を15〜25重量%の範囲で夫々選択してよい。また、
テルルに代えて他の成分元素、例えばヒ素、アンチモン
等を用い゛、これらを各蒸発材料とも同一種類としてよ
いし、或いはその種類を異ならせてもよい。
第4図は、別の例による蒸発源を示しているが、ここで
は各蒸発材料3.4間には上述した如き隔壁を設けてお
らず、共通の内空間12に各蒸発材料を配し、共通の突
沸防止板15、ヒーター17を設けている。第4図の蒸
発源によれば、隔壁がないために、各蒸発材料を共通の
空間中へ蒸発させ得るために蒸気の混合を均一化し、均
−若しくは連続した濃度コントロールを行なうことがで
きる。これに加えて、容器内に隔壁を設けないもう一つ
の利点として、隔壁を設けた場合に生じる(テルルによ
る)隔壁の腐食や蒸着膜への不純物の混入という事態も
避けることができる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、蒸着源の形状や構造、蒸発材料の配置や個数は
種々変更できる。蒸発材料の容器は種々の形状にして、
蒸発表面積をコントロールしてよい。また、使用する蒸
発材料は5o−Teに限らず、Se −S SFe −
N1 % AtBr −I等でもよい。本発明は、オー
プンボート型の蒸発源にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例による真空蒸着装置の要部概略図である
。 第2図〜第4図は本発明の実施例を示すものであって、 第2図は蒸発源の断面図、 第3図は蒸着膜のテルル濃度プロファイルを示す図、 第4図は別の蒸発源の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 2−−−−−−−−一隔壁 3、−−−−−−−−−一低テルル濃度の蒸発材料4−
一一〜−−−−−−高テルル濃度の蒸発制料5.6.1
7.18−−−−一七一ター7−−−−−−−−−−上
部開口 8−−−−−−−−−一被蒸着基体 11−−−−−−−−−一蒸発源 15j6−−−−−一突沸防止板 である。 代理人 弁理士 逢 坂  宏 第1図 第2図 第3図 月に厚(7*ml 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.2種以上の蒸発材料を加熱、蒸発させるように構成
    された蒸発源において、各容器内に収容される各蒸発材
    料の蒸発表面積が互いに異なっていることを特徴とする
    蒸発源。 2、第1の蒸発材料の蒸発表面積をAL、第2の蒸発材
    料の蒸発表面積をA、とすれば、0JAL≦Ayt≦2
    ALである特許請求の範囲の第1項に記載した蒸発源。 3、蒸発速度の大きい第1の蒸発材料の蒸発表面積が、
    蒸発速度の小さい第2の蒸発材料の蒸発表面積よυ大で
    ある、特許請求の範囲の第1項又は第2項に記載した蒸
    発源。 4、各蒸発材料が単一の容器内に収容され、かつ各蒸発
    材料間に前記容器の内空間を実質的に区分する隔壁が設
    けられている、特許請求の範囲の第1項〜第3項のいず
    れか1項に記載した蒸発源。 5、各蒸発材料が単一の容器内に夫々収容されAかつ各
    蒸発材料間に前記容器の内空間を実質的に区分する隔壁
    が設けられていない、特許請求の範囲の第1項〜第3項
    のいずれが1項に記載した蒸発源。 6、各蒸発材料を加熱するだめのヒーターが夫々に配さ
    れ、これらのヒーターが同時にオンするように構成した
    、特許請求の範囲の第1項〜第5項のいずれか1項に記
    載した蒸発源。 7、各蒸発材料がその蒸発面積よシ小さい開口を通して
    外方へ導出されるように構成された、特許請求の範囲の
    第1項〜第6項のいずtlが1項に記載した蒸発源。
JP15424282A 1982-09-04 1982-09-04 蒸発源 Granted JPS5943876A (ja)

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JPH0372152B2 JPH0372152B2 (ja) 1991-11-15

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01129961A (ja) * 1987-11-16 1989-05-23 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドヒートシンクの製造法
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KR101200862B1 (ko) 2005-01-11 2012-11-13 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 배플을 구비한 기화원

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JPH0372152B2 (ja) 1991-11-15

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