JPS5943876A - 蒸発源 - Google Patents
蒸発源Info
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- JPS5943876A JPS5943876A JP15424282A JP15424282A JPS5943876A JP S5943876 A JPS5943876 A JP S5943876A JP 15424282 A JP15424282 A JP 15424282A JP 15424282 A JP15424282 A JP 15424282A JP S5943876 A JPS5943876 A JP S5943876A
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- JP
- Japan
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- evaporation
- materials
- surface area
- evaporated
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、2種以上の蒸発材料を各熱源によって加熱、
蒸発させるように構成された蒸発源に関するものである
。
蒸発させるように構成された蒸発源に関するものである
。
セレン−テルル合金からなる感光体を製造する際、いわ
ゆるオープンボートや、クヌードセンセル型と称される
蒸発源が使用されることがある。
ゆるオープンボートや、クヌードセンセル型と称される
蒸発源が使用されることがある。
後者の蒸発源は、蒸発材料を収容した容器(ボート)の
上部開口を蒸発面積よυ狭く絞ることによシ、蒸着速度
が効果的に、制御され、かつ突沸で飛出した蒸発物が上
部開口に至るまでの間に壁部に付着して外方(即ち被蒸
着基体側)へ飛翔することはない等の点で陵れたもので
ある。
上部開口を蒸発面積よυ狭く絞ることによシ、蒸着速度
が効果的に、制御され、かつ突沸で飛出した蒸発物が上
部開口に至るまでの間に壁部に付着して外方(即ち被蒸
着基体側)へ飛翔することはない等の点で陵れたもので
ある。
こうしたクヌードセンセル型蒸発源としては、構成が比
較的簡素化しかつ操作性、蒸発安定性を改良した単一ボ
ート方式が例えば特開昭55−176361号で提案さ
れている。この公知の蒸発源は、第1図の如く、1つの
ボート1の内空間を隔壁2で2分し、これらの区分され
た各空間内に互いに異なる成分濃度のセレン−テルル合
金3.4を配して、各セレン−テルル合金をヒーター5
.6で加熱、蒸発させ、上部間ロアから導出させること
ができる。
較的簡素化しかつ操作性、蒸発安定性を改良した単一ボ
ート方式が例えば特開昭55−176361号で提案さ
れている。この公知の蒸発源は、第1図の如く、1つの
ボート1の内空間を隔壁2で2分し、これらの区分され
た各空間内に互いに異なる成分濃度のセレン−テルル合
金3.4を配して、各セレン−テルル合金をヒーター5
.6で加熱、蒸発させ、上部間ロアから導出させること
ができる。
この場合、各合金の温度を個々に制御し、各蒸気を混合
しながら例えばドラム状の被蒸着基体8に蒸着すること
によってテルルの濃度プロファイルをコントロールして
いる。
しながら例えばドラム状の被蒸着基体8に蒸着すること
によってテルルの濃度プロファイルをコントロールして
いる。
しかしながら、この公知の装置及び方法には次の如き欠
点があることが判明した。即ち、各蒸発材料の蒸発速度
をコントロールするのに各温度を個別に制御しているの
で、伝熱効果を無視できず、温度の制御性に難がある。
点があることが判明した。即ち、各蒸発材料の蒸発速度
をコントロールするのに各温度を個別に制御しているの
で、伝熱効果を無視できず、温度の制御性に難がある。
これを防止するために伝熱を遮蔽することが考えられる
が、遮蔽手段の配置等の点で装置の構造が複雑となシ、
操作性が劣る0 本発明は、上記とは全く相違した制御方式の適用によっ
て、上記の如き問題点を効果的に解消したものでありて
、2種以上の蒸発林産1を力11熱、蒸発させるように
構成された蒸発源において、名答器内に収容される各蒸
発材料の蒸発表面積が互いに異なっていることを特徴と
する蒸発源に係るものである。
が、遮蔽手段の配置等の点で装置の構造が複雑となシ、
操作性が劣る0 本発明は、上記とは全く相違した制御方式の適用によっ
て、上記の如き問題点を効果的に解消したものでありて
、2種以上の蒸発林産1を力11熱、蒸発させるように
構成された蒸発源において、名答器内に収容される各蒸
発材料の蒸発表面積が互いに異なっていることを特徴と
する蒸発源に係るものである。
本発明の蒸発源によれば、各蒸発材料の蒸発表面積を互
いに異ならせているので、その蒸発表面積に対応した各
蒸発速度(蒸発量)を制御性良く得ることができる。従
って、常りこ所望の蒸気組成で安定に蒸着することが可
能となり、適切な濃度プロファイルの蒸着膜を得ること
ができるのである。
いに異ならせているので、その蒸発表面積に対応した各
蒸発速度(蒸発量)を制御性良く得ることができる。従
って、常りこ所望の蒸気組成で安定に蒸着することが可
能となり、適切な濃度プロファイルの蒸着膜を得ること
ができるのである。
本発明においては、第1の蒸発材料の蒸発表面積をAい
第2の蒸発材料の蒸発表面積をAHとすればAO・IA
L≦AFI≦2ALであるのが望ましい。
第2の蒸発材料の蒸発表面積をAHとすればAO・IA
L≦AFI≦2ALであるのが望ましい。
この場合、特に、蒸発速度の大きい第1の蒸発拐料の蒸
発表面積が、蒸発速度の小さい第2の蒸発拐料の蒸発表
面積上多大とする(AL>AI()のがよい。蒸発速度
の小さい材料のA、が、蒸発速度の大きい材料のALの
0.1倍未満であると、第2の蒸発羽料の蒸気中の濃度
が少なすぎ、またA、>2ALであると、逆に第1の蒸
発材料の蒸発量が少なすぎ、いずれにしても目的とする
濃度プロファイルは得られ難くなる。
発表面積が、蒸発速度の小さい第2の蒸発拐料の蒸発表
面積上多大とする(AL>AI()のがよい。蒸発速度
の小さい材料のA、が、蒸発速度の大きい材料のALの
0.1倍未満であると、第2の蒸発羽料の蒸気中の濃度
が少なすぎ、またA、>2ALであると、逆に第1の蒸
発材料の蒸発量が少なすぎ、いずれにしても目的とする
濃度プロファイルは得られ難くなる。
以下、本発明と実施例について図面参照下に詳細に説明
する。
する。
第2図に示す蒸発源11はクヌードセンセル型に構成さ
れるが、これによれば、容器本体10内には、その内空
間を実質的に区分する如き隔壁2を設け、これにより区
分された内空間2a及び2bでは、濃度の異なる第1の
5e−Te蒸発材料3と第2の5e−Te蒸発材料4と
が各内容器13.14に夫々収容されている。各蒸発材
料上にはヒーターランプ5.6が夫々配され、更に上部
には突沸防止板1\16、蒸気加速及び凝縮防止用のヒ
ーターランプ17.18が配されている。
れるが、これによれば、容器本体10内には、その内空
間を実質的に区分する如き隔壁2を設け、これにより区
分された内空間2a及び2bでは、濃度の異なる第1の
5e−Te蒸発材料3と第2の5e−Te蒸発材料4と
が各内容器13.14に夫々収容されている。各蒸発材
料上にはヒーターランプ5.6が夫々配され、更に上部
には突沸防止板1\16、蒸気加速及び凝縮防止用のヒ
ーターランプ17.18が配されている。
上記第1の蒸発材料3としては蒸発速度の大きい例えば
Te濃度4重量%の5e−Teを装填し、上記第2の蒸
発材料4として蒸発速度の小さい例えばTe濃度20重
量%の5e−Toを別々に装填した。そして、ここで注
目すべき構成01蒸発速度の大きい低Te濃度の蒸発材
料3の蒸発表面積が、蒸発速度の小さい高Te&fi度
の蒸発材料4の蒸発表面積よシ大きく (例えば2〜3
倍)されていることである。これによって、各蒸発量は
その蒸発表面積に対応したものとなシ、蒸気のSeとT
oとの組成比をコントロールすることができる。蒸気中
のTe濃度(’7Te)は次式で表わされる。
Te濃度4重量%の5e−Teを装填し、上記第2の蒸
発材料4として蒸発速度の小さい例えばTe濃度20重
量%の5e−Toを別々に装填した。そして、ここで注
目すべき構成01蒸発速度の大きい低Te濃度の蒸発材
料3の蒸発表面積が、蒸発速度の小さい高Te&fi度
の蒸発材料4の蒸発表面積よシ大きく (例えば2〜3
倍)されていることである。これによって、各蒸発量は
その蒸発表面積に対応したものとなシ、蒸気のSeとT
oとの組成比をコントロールすることができる。蒸気中
のTe濃度(’7Te)は次式で表わされる。
(但、GL :低Te濃度の蒸発材料の蒸気量、GH:
高Te濃度の蒸発材料の蒸発量、GTOT:全蒸発量%
’%TeL :蒸気中の低Te濃度分、ブT6H:
蒸気中の高Te濃度分) 上記のGLSGHlGTOTは、 GL =ML X AL GH=rHX AH GTOT = Gt、 + GW(但−サム:
低Te濃度の蒸発材料の蒸発速度、vH:高Te濃11
′[の蒸発材料の蒸発速度、AL:低Te濃度の蒸発材
料の蒸発表面積、A)I:高Te濃度の蒸発材料の蒸発
表面積) 従って、 各蒸発材料の蒸発表面積に比例して変化し、蒸発表面積
の選択によって精度良くコントロールできることが分る
。なお、他のパラメータは、蒸発材料の合金組成、加熱
温度によって予め一定に設定される。
高Te濃度の蒸発材料の蒸発量、GTOT:全蒸発量%
’%TeL :蒸気中の低Te濃度分、ブT6H:
蒸気中の高Te濃度分) 上記のGLSGHlGTOTは、 GL =ML X AL GH=rHX AH GTOT = Gt、 + GW(但−サム:
低Te濃度の蒸発材料の蒸発速度、vH:高Te濃11
′[の蒸発材料の蒸発速度、AL:低Te濃度の蒸発材
料の蒸発表面積、A)I:高Te濃度の蒸発材料の蒸発
表面積) 従って、 各蒸発材料の蒸発表面積に比例して変化し、蒸発表面積
の選択によって精度良くコントロールできることが分る
。なお、他のパラメータは、蒸発材料の合金組成、加熱
温度によって予め一定に設定される。
本発明に従って得られた蒸着膜、即ち5e−Te感光体
をX線マイクロアナライザーで解析した結果、第3図に
示す如き理想的なTe濃度プロファイルを示し、内層は
主として第1の蒸発材料3の蒸発によシ形成され、はぼ
一定の低Te濃度(Te5重景%)であって厚みの大き
い電荷輸送層として機能する。表層は第2の蒸発材料4
の蒸発によシ形成され、Te18重量%であシ、テルル
の高含有量によシ特に長波長城の感度が良好となった電
荷発生層として機能する。また、この感光体について、
電子写真複写機U −BixV、 (小西六写真工業(
株)1!りで実写特性を調べたところ、カブリのたい高
濃度な画像が得られた。
をX線マイクロアナライザーで解析した結果、第3図に
示す如き理想的なTe濃度プロファイルを示し、内層は
主として第1の蒸発材料3の蒸発によシ形成され、はぼ
一定の低Te濃度(Te5重景%)であって厚みの大き
い電荷輸送層として機能する。表層は第2の蒸発材料4
の蒸発によシ形成され、Te18重量%であシ、テルル
の高含有量によシ特に長波長城の感度が良好となった電
荷発生層として機能する。また、この感光体について、
電子写真複写機U −BixV、 (小西六写真工業(
株)1!りで実写特性を調べたところ、カブリのたい高
濃度な画像が得られた。
上記の如く、本発明に従う蒸発源及びその使用方法によ
れば、蒸発源自体の構造が簡素化される上に、容易に所
望の濃度コント四−ルを行なうことができる。得られた
濃度プロファイル(第3図参照)は非常に望ましいもの
であシ、感光体の高感度化、電位保持性、残留電位の低
下、黒紙電位の低下といりた優れた静電特性を奏し得る
ものとなる。
れば、蒸発源自体の構造が簡素化される上に、容易に所
望の濃度コント四−ルを行なうことができる。得られた
濃度プロファイル(第3図参照)は非常に望ましいもの
であシ、感光体の高感度化、電位保持性、残留電位の低
下、黒紙電位の低下といりた優れた静電特性を奏し得る
ものとなる。
なお、上記の各蒸発材料3及び4間におけるテルル濃度
は種々選択でき、例えば第1の蒸発材料3ではTe濃度
をθ〜817]を量チ、第2の蒸発材料4ではTe濃度
を15〜25重量%の範囲で夫々選択してよい。また、
テルルに代えて他の成分元素、例えばヒ素、アンチモン
等を用い゛、これらを各蒸発材料とも同一種類としてよ
いし、或いはその種類を異ならせてもよい。
は種々選択でき、例えば第1の蒸発材料3ではTe濃度
をθ〜817]を量チ、第2の蒸発材料4ではTe濃度
を15〜25重量%の範囲で夫々選択してよい。また、
テルルに代えて他の成分元素、例えばヒ素、アンチモン
等を用い゛、これらを各蒸発材料とも同一種類としてよ
いし、或いはその種類を異ならせてもよい。
第4図は、別の例による蒸発源を示しているが、ここで
は各蒸発材料3.4間には上述した如き隔壁を設けてお
らず、共通の内空間12に各蒸発材料を配し、共通の突
沸防止板15、ヒーター17を設けている。第4図の蒸
発源によれば、隔壁がないために、各蒸発材料を共通の
空間中へ蒸発させ得るために蒸気の混合を均一化し、均
−若しくは連続した濃度コントロールを行なうことがで
きる。これに加えて、容器内に隔壁を設けないもう一つ
の利点として、隔壁を設けた場合に生じる(テルルによ
る)隔壁の腐食や蒸着膜への不純物の混入という事態も
避けることができる。
は各蒸発材料3.4間には上述した如き隔壁を設けてお
らず、共通の内空間12に各蒸発材料を配し、共通の突
沸防止板15、ヒーター17を設けている。第4図の蒸
発源によれば、隔壁がないために、各蒸発材料を共通の
空間中へ蒸発させ得るために蒸気の混合を均一化し、均
−若しくは連続した濃度コントロールを行なうことがで
きる。これに加えて、容器内に隔壁を設けないもう一つ
の利点として、隔壁を設けた場合に生じる(テルルによ
る)隔壁の腐食や蒸着膜への不純物の混入という事態も
避けることができる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。
思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、蒸着源の形状や構造、蒸発材料の配置や個数は
種々変更できる。蒸発材料の容器は種々の形状にして、
蒸発表面積をコントロールしてよい。また、使用する蒸
発材料は5o−Teに限らず、Se −S SFe −
N1 % AtBr −I等でもよい。本発明は、オー
プンボート型の蒸発源にも適用可能である。
種々変更できる。蒸発材料の容器は種々の形状にして、
蒸発表面積をコントロールしてよい。また、使用する蒸
発材料は5o−Teに限らず、Se −S SFe −
N1 % AtBr −I等でもよい。本発明は、オー
プンボート型の蒸発源にも適用可能である。
第1図は従来例による真空蒸着装置の要部概略図である
。 第2図〜第4図は本発明の実施例を示すものであって、 第2図は蒸発源の断面図、 第3図は蒸着膜のテルル濃度プロファイルを示す図、 第4図は別の蒸発源の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 2−−−−−−−−一隔壁 3、−−−−−−−−−一低テルル濃度の蒸発材料4−
一一〜−−−−−−高テルル濃度の蒸発制料5.6.1
7.18−−−−一七一ター7−−−−−−−−−−上
部開口 8−−−−−−−−−一被蒸着基体 11−−−−−−−−−一蒸発源 15j6−−−−−一突沸防止板 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第2図 第3図 月に厚(7*ml 第4図
。 第2図〜第4図は本発明の実施例を示すものであって、 第2図は蒸発源の断面図、 第3図は蒸着膜のテルル濃度プロファイルを示す図、 第4図は別の蒸発源の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 2−−−−−−−−一隔壁 3、−−−−−−−−−一低テルル濃度の蒸発材料4−
一一〜−−−−−−高テルル濃度の蒸発制料5.6.1
7.18−−−−一七一ター7−−−−−−−−−−上
部開口 8−−−−−−−−−一被蒸着基体 11−−−−−−−−−一蒸発源 15j6−−−−−一突沸防止板 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第2図 第3図 月に厚(7*ml 第4図
Claims (1)
- 1.2種以上の蒸発材料を加熱、蒸発させるように構成
された蒸発源において、各容器内に収容される各蒸発材
料の蒸発表面積が互いに異なっていることを特徴とする
蒸発源。 2、第1の蒸発材料の蒸発表面積をAL、第2の蒸発材
料の蒸発表面積をA、とすれば、0JAL≦Ayt≦2
ALである特許請求の範囲の第1項に記載した蒸発源。 3、蒸発速度の大きい第1の蒸発材料の蒸発表面積が、
蒸発速度の小さい第2の蒸発材料の蒸発表面積よυ大で
ある、特許請求の範囲の第1項又は第2項に記載した蒸
発源。 4、各蒸発材料が単一の容器内に収容され、かつ各蒸発
材料間に前記容器の内空間を実質的に区分する隔壁が設
けられている、特許請求の範囲の第1項〜第3項のいず
れか1項に記載した蒸発源。 5、各蒸発材料が単一の容器内に夫々収容されAかつ各
蒸発材料間に前記容器の内空間を実質的に区分する隔壁
が設けられていない、特許請求の範囲の第1項〜第3項
のいずれが1項に記載した蒸発源。 6、各蒸発材料を加熱するだめのヒーターが夫々に配さ
れ、これらのヒーターが同時にオンするように構成した
、特許請求の範囲の第1項〜第5項のいずれか1項に記
載した蒸発源。 7、各蒸発材料がその蒸発面積よシ小さい開口を通して
外方へ導出されるように構成された、特許請求の範囲の
第1項〜第6項のいずtlが1項に記載した蒸発源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15424282A JPS5943876A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸発源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15424282A JPS5943876A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸発源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5943876A true JPS5943876A (ja) | 1984-03-12 |
JPH0372152B2 JPH0372152B2 (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=15579939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15424282A Granted JPS5943876A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸発源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5943876A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01129961A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドヒートシンクの製造法 |
EP0499124A2 (de) * | 1991-02-14 | 1992-08-19 | 4P Verpackungen Ronsberg GmbH | Reihenverdampfer |
WO2006076287A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Eastman Kodak Company | Vaporization source with baffle |
-
1982
- 1982-09-04 JP JP15424282A patent/JPS5943876A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01129961A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドヒートシンクの製造法 |
EP0499124A2 (de) * | 1991-02-14 | 1992-08-19 | 4P Verpackungen Ronsberg GmbH | Reihenverdampfer |
EP0499124A3 (en) * | 1991-02-14 | 1995-01-04 | 4P Verpackungen Ronsberg Gmbh | Line evaporator |
WO2006076287A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Eastman Kodak Company | Vaporization source with baffle |
US7166169B2 (en) | 2005-01-11 | 2007-01-23 | Eastman Kodak Company | Vaporization source with baffle |
JP2008527174A (ja) * | 2005-01-11 | 2008-07-24 | イーストマン コダック カンパニー | バッフル部材を備える蒸発源 |
KR101200862B1 (ko) | 2005-01-11 | 2012-11-13 | 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 | 배플을 구비한 기화원 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0372152B2 (ja) | 1991-11-15 |
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